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CARACTERÍSTICAS Y CIRCUITOS CON DIODOS Y TRANSISTORES

1. Características de Polarización Directa e Inversa

Explique detalladamente el funcionamiento de un circuito en polarización directa e inversa.

Polarización Directa. La polarización directa se da cuando una tensión externa se opone a la

barrera de potencial. Si la tensión aplicada es mayor que la barrera de potencial, el diodo está polarizado
en directa y la corriente que fluye por el es grande, es decir, el diodo se comporta como cortocircuito,
aunque presenta una resistencia interna muy baja.

En la práctica, se polariza directamente al diodo cuando se conecta el ánodo (borne P) al terminal

positivo de la fuente y el cátodo (borne N) al negativo.

Diodo polarizado directamente

Analizando el circuito a utilizar en laboratorio:

Si P1 se halla en la posición superior se tiene:

W
 2
ì15 = 1k ( I - I D )
í
î0 = 1k ( I D - I ) + 1kI D
ì15 = 1000 I - 1000 I D
í
î0 = 2000 I D - 1000 I Þ I = 2 I D
15 = 2000 I D - 1000 I D

I D = 15[mA]

Si P1 se halla en la posición media se tiene:

W W

ì15 = 500 I + 500( I - I D )

í
î0 = 500( I D - I ) + 1000 I D
1500 I D = 500 I Þ I = 3I D
15 = 1500 I D + 500 I - 500 I D
15 = 1500 I D + 1500 I D - 500 I D
15
ID =
2500

I D = 6[mA]

Si P1 se halla en la posición inferior, se tiene:

W W

Nótese que toda la corriente circularía por el cortocircuito que separa las mallas.

Entonces: I D = 0
 3
a) Método Punto a Punto.

Con el circuito de la figura 1, se levantará la curva I D vs. VD característica del diodo a utilizar
(1N4007), haciendo énfasis en el voltaje de arranque, que por ser el diodo IN4007 un diodo de silicio, su
voltaje de arranque estará en 0,6 £ Vg £ 0,7 .

Con a curva característica del diodo, se calcularán los siguientes parámetros:

- Resistencia dinámica del diodo:

(V3 - V2 ) ln( I 2 / I1 ) - (V2 - V1 ) ln( I 3 - I 2 )

rs =
( I 3 - I 2 ) ln( I 2 / I1 ) - ( I 2 - I1 ) ln( I 3 / I 2 )

- Voltaje de barrido de frecuencia:

V j = V - rs I

b) Método de barrido de frecuencia

Sea el siguiente circuito:

Con el osciloscopio previamente calibrado, se introduce el voltaje sobre la resistencia al canal Y y

el voltaje sobre el diodo al canal X. Se selecciona el modo X-Y y variando la frecuencia del generador se
visualiza la curva característica del diodo. Se debe tomar en cuenta que el canal Y está midiendo voltajes,
así que es necesario dividir éstos valores entre el valor de la resistencia R=1k[ W ], y de esta manera, se ha
medido indirectamente la corriente que circula por el diodo.

Una vez obtenida la curva característica del diodo, por cualquiera de los dos métodos
anteriormente expuestos, se puede calcular los parámetros básicos del diodo, pero previamente se deberá
efectuar el mismo análisis con la polarización inversa.

Polarización Inversa. La polarización inversa de un diodo se da cuando la tensión externa aplicada al

diodo es menor ó negativa con respecto a la barrera de potencial que presenta el diodo. En polarización
inversa, el diodo presenta una alta resistencia óhmica, simulando de esta manera un circuito abierto.

En la práctica se polariza al diodo inversamente, cuando se conecta el ánodo (borne P) al Terminal

negativo de la fuente y el cátodo (borne N) al terminal positivo de la fuente.
 4

Analizando el circuito a utilizar en laboratorio:

Si P1 está en la parte superior, se tiene:

W ÞV D = 15[V ]

Si P1 está en la parte media, se tiene:

W W

W Þ VD =
500[W]
15[V ]
1000[W]
VD = 7,5[V ]

Si P1 está en la parte inferior se tiene:

W W

ÞV D = 0[V ]
 5
Con los métodos expuestos en el inciso anterior, punto a punto y barrido de frecuencia, se
determinará la curva característica del diodo. Con esta curva se calcularán los siguientes parámetros:

- Resistencia dinámica del diodo:

(V3 - V2 ) ln( I 2 / I1 ) - (V2 - V1 ) ln( I 3 - I 2 )

rs =
( I 3 - I 2 ) ln( I 2 / I1 ) - ( I 2 - I1 ) ln( I 3 / I 2 )

- Corriente inversa de saturación:

ln (I 2 /I1 )
con : Ù j = resistenci a de juntura
(V2 -V1 )-rS (I 2 -I1 )

- Capacidad de difusión:

1
1
ì ü2
C D = Ù j ( I + I S )í
[
ï 1 + (wt e )
2
]2 ï
- 1ý
ïî 2w 2 ïþ

c) Parámetros básicos de los diodos 1N4007, AAZ15, 1N4043, HP2835

Diodo Material rS [W ] I S [ A] Vg [V ] CTo [ pf ] C p [ pf ] g

1N4007 Si 1,19x10-11 5,54x10-2 0,6< Vg <0,7 2,3 - 0,45

AAZ15 Ge 1,1 4,36x10-6 ~ 0,3 4,2 0,3 0,65

 6
- Variaciones con la temperatura

W W

W W

rS = 5,54 ´10- 2 [W]

15
ID = Þ I D = 14,66[mA]
1000 + 5,54 ´ 10 - 2
VD = I D rS = 14,99[mA]·5,54 ´10 - 2 [W] Þ VD = 0,83[mV ]

Calentando el diodo D con algún dispositivo emisor de calor, y midiendo la temperatura sobre el
diodo con un termómetro, se deberá observar una variación que obedece a:

æ KTV / q ö
I = IS çe - 1÷ Si el diodo está polarizado directamente.
ç ÷
è ø
-V
æ ö
I = I S ç e KT / q - 1÷ Si el diodo está polarizado inversamente.
ç ÷
è ø

Además, I S tampoco es independiente de la temperatura, sino que varía según:

I S T2 = I S T1 e K (T2 -T1 )

En el caso de la tensión se tiene:

VD T2 = VD T1 - k (T2 - T1 )
 7
2. Diodos de avalancha - efecto zener

Características en polarización directa e inversa

Explique detalladamente el funcionamiento de un circuito en polarización directa e inversa.

Polarización inversa de diodo zener. El diodo zener se polariza inversamente cuando se conecta el
terminal positivo de la fuente al cátodo (borne N) y el terminal negativo de la fuente al ánodo (borne P)
del diodo.

Una vez alcanzado el voltaje zener de regulación VZ , este diodo conduce, circulando por el una
corriente considerable, estableciéndose así una diferencia con los diodos de uso general.

Analizando el circuito a utilizar en laboratorio y considerando a D como un diodo IN757:

VZ = 9,1 ± 0,91; PZ = 500[mW ]

Si P1 está en la parte superior, se tiene:

W
ì15 = 1000( I - I D )
í
î- 9,1 = 1000( I D - I ) + 1000 I D
15
W I= + ID
1000
æ 15 ö
- 9,1 = 1000 I D + 1000 I D - 1000ç + ID ÷
è 1000 ø
- 9,1 = 1000 I D - 15
15 - 9,1
ID =
1000

I D = 5,9[mA]
 8
Si P1 está en la parte media, se tiene: ì15 = 500 I + 500( I - I D )
í
î- 9,1 = 500( I D - I ) + 1000 I D
W W
15 = 1000 I - 500 I D
15 + 500 I D
I=
1000
W 500
- 9,1 = 1500 I D - (15 + 500 I D )
1000
- 9,1 = 1500 I D - 7,5 - 250 I D
7,5 - 9,1 = 1250 I D
7,5 - 9,1
ID =
1250

I D = 1,28[mA]
Si P1 está en la parte inferior, se tiene:

W W

Polarización directa del diodo zener. Un diodo zener se polariza directamente cuando se conecta el
ánodo (borne P) al terminal positivo de la fuente y el cátodo (borne N) al terminal negativo de la fuente.
En polarización directa, el diodo zener se comporte como un diodo de uso general.

Analizando el diodo a usar en laboratorio:

Si P1 está en la parte superior: ì15 = 500 I + 500( I - I D )

í
î0 = 1000( I D - I ) + 1000 I D
W
10 = 2000 I D - 1000 I D
I = 2I D
W
15 = 1000(2 I D ) - 1000 I D
15 = 1000 I D

I D = 15[mA]
 9
Si P1 está en la parte media: ì15 = 500 I + 500( I - I D )
í
W W
î0 = 500( I D - I ) + 1000 I D
0 = 1500 I D - 500 I D
I = 3I D
W
15 = 1500 I D ) + 500 I - 500 I D
15 = 1000 I D + 500 I
15 = 1000 I D + 1500 I D
15
ID =
2500

I D = 6[mA]

Si P1 está en la parte baja:

W W

I D = 0[mA]

a) Método punto a punto

Con los circuitos de las figuras 3 y 4 se medirán I Z y VZ , tanto en polarización directa como en
polarización inversa. Con estos datos se levantarán las curvas características del diodo zener, haciendo
énfasis en el voltaje zener de regulación, para la polarización inversa y en el voltaje de arranque, para la
polarización directa.

b) Método de barrido de frecuencia

Sean los siguientes circuitos:

Variando la frecuencia del generador en los circuitos y con el osciloscopio previamente calibrado
en el modo X-Y, se visualizan las curvas en polarización directa e inversa. Nótese que el canal Y está
midiendo voltaje, estas lecturas deben ser divididas entre el valor de R = 1[kW] , midiendo así en forma
indirecta la corriente que circula por el diodo.
 10
c) Parámetros básicos de los diodos 1N4372, 1N757, 1N4554, MZ605

Diodo Material rZ [W] Vr [V ] VZ [V ] PZ [W ]

1N757 Si 10 1,0 9,1 ± 0,91 0,4

1N4372 Si 29 1,0 3 0,5

 11
3. Aplicaciones con diodos

Circuitos recortadores

Circuito básico:

D1 : zener de 5,1 [v]

D3 : zener de 7,1[v]
D2, D4, D5 : rectificador de 1[A]
R1 = R2 = R3 = 1[k W]

Dibujar e0 si ei varía de -10 a +10 [v] en pasos de i[v]

Si ei= -10 se tiene:

Si ei= -9 se tiene:

Si ei= -8 se tiene:
 12
Si ei= -7 se tiene:

Si ei= -6 se tiene:

Si ei= -5 se tiene:

Si ei= -4 se tiene:
 13
Si ei= -3 se tiene:

Si ei= -2 se tiene:

Si ei= -1 se tiene:

Si ei=0 se tiene: eo=0[v]

 14
Si ei=1 se tiene:
R 2 || R 3
e0 = ei
R 2 || R 3 + R 1
R2 R3 R2 R3
R2 + R3 R2 + R3
e0 = ei = e
R2 R3 R2 R3 + R1 ( R2 + R3 ) i
+ R1
R2 + R3 R2 + R3
R2 R3
e0 = ei
R2 R3 + R1 ( R2 + R3 )
1k ·1k
e0 = 1[v] Þ e0 = 0,33[v]
1k ·1k + 1k ·1k
Si ei=2 se tiene:

1k ·1k
e0 = 2[v]
1k ·1k + 2k

e0 = 0,67[v]

Si ei=3 se tiene:

1
e0 = 3[v ]
3

e0 = 1[v ]

Si ei=4 se tiene:

1
e0 = 3[v]
3

e0 = 1,33[v]

Si ei=5 se tiene:

1
e0 = 5[v]
3

e0 = 1,67[v]
 15
Si ei=6 se tiene:

ei - 5,1 = R1 I
5,1 = RP I 0 = e0

e0 = 5,1[v]

Si ei=7 se tiene:

ei - 5,1 = R1 I
5,1 = RP I 0 = e0

e0 = 5,1[v]

Si ei=8 se tiene:

ei - 5,1 = R1 I
5,1 = RP I 0 = e0

e0 = 5,1[v]

Si ei=9 se tiene:

ei - 5,1 = R1 I
5,1 = RP I 0 = e0

e0 = 5,1[v]

Si ei=10 se tiene:

ei - 5,1 = R1 I
5,1 = RP I 0 = e0

e0 = 5,1[v]
 16
a) Dibujar la curva de transferencia e0 vs. ei .

e0 [v]

ei [v]

b) Si ei es 10 sen(wt), ¿Cuánto vale e0 ?

w = 2pf ei [v]
f = 100 Hz

t [ms]

e0 [v]

t [ms]
 17
c) Si ei es la onda triangular mostrada, ¿Cuánto vale eo ?

T = 100[ms] ei [v]

t [ms]

e0 [v]

t [ms]
 18
4. Circuitos Rectificadores

4.1. Rectificadores Polifásicos

a) Características

MAGNITUD SÍMBOLO MEDIA ONDA ONDA COMPLETA

Tensión continua de salida Vm 1,17 Vf 2,3 Vf

Tensión eficaz de salida V 1,017V, Vm

Amplitud de tensión salida VM 1,21 Vm 1,017Vm

Onda Salida

Factor de forma kf 1,017 1

Factor de amplitud kA 1,19 1,047

Factor de ondulación g 18,5 4,2

Factor de pulsación kp 0,25 0,057

Frecuencia del armónico de orden sup. f0 3f0 6f0

Corriente media por rama Irm 0,333 Im 0,333 Im

Rectificador

Corriente eficaz por rama If 0,588 Im 0,577 Im

Corriente máxima por rama IFM 1,57 Im 1,047 Im

Tensión inversa máxima VRM 3,14 Vm 1,047 Vm

Tensión eficaz de base secundario Vf2 0,855 Vm 0,128 Vm

Tensión eficaz de línea secundario VL2 1,48 Vm 0,74 Vm

Corriente eficaz secundario If2 0,588 Im 0,816 Im

Transformador

Potencia aparente secundario S2 1,74 Vm Im 1,05 Vm Im

Factor de utilización secundario K2 0,662 0,954

Tensión eficaz del primario Vf1 0,855 Vm 0,428 Vm

Corriente eficaz primario If1 0,484 Im 0,816 Im

Potencia aparente primario S1 1,24 Vm Im 1,047 Vm Im

Factor de utilización primario K1 0,663 0,954

 19
b) Rectificador trifásico estrella media onda

V1 = Vm sin(wt )
V2 = Vm sin(wt + 120º )
V3 = Vm sin(wt + 240º )

p 7p 11p
2
2p p
6 6
4p 3p 5p 2p 7p 8p 7p
wt
3 3 2 3 3 3 2

wt
 20
c) Rectificador estrella tipo puente

p 7p 11p
2
2p p
6 6
4p 3p 5p 2p
wt
3 3 2 3

wt
 21
4.2. Rectificadores monofásicos

a) Rectificador de media onda

Se dispone de un transformador de Vef s = 6[v] y la carga será de RL = 1[kW]

VSP = 6 ´ 2 Þ VSP = 8,49[v]

é rad ù
La frecuencia : f = 50[ Hz ] Þ w = 100p ê
ë s úû
T = 20[ms] con rf despreciable

VS [v]

t [ms]

Vm
iD = sin(100pt ); con rf ® 0; rf << RL Diodo :1N4007
RL
Vm = VSP = 8,49[v]

8,49
iD = sin(100pt )
1000
iD = 8,49 sin(100pt )[mA]

iD = 8,49[mA]

Corriente y tensión continua:

I m 8,49
I CC = =
p p

I CC = 2,7[mA]

VCC = I CC RL = 2,7 m ´ 1K

VCC = 2,7[v]
 22
Potencia suministrada a la carga:

PCC = VCC I CC = 2,7·2,7

PCC = 7,29[ mW ]

Potencia total de entrada (potencia del transformador):

2
I m RL (8,49m) 2 ·1k
Pac = =
4 4

Pac = 18,02[mW ]

Factor de ripple:

F .R. = 1,21

Voltaje inverso de cresta:

PIV = 8,49[v]

b) Rectificador de onda completa

Vef S 1 = 6[v]; Vef S 2 = 6[v] Þ Vm1 = Vm 2 = 8,49[v]

é rad ù
La frecuencia : f = 50 Hz Þ w = 100p ê
ë s úû
T = 20[ms ] con rf 1 y rf 2 despreciables
R L = 1k[W]

V0 [ v ]

t [ms]

Si : r f 1 << RL y r f 2 << RL
V0 = 8,49 sin(wt ) Þ V0 = 8,49 sin(100pt ) 1er semiciclo. üï
ýVm = 8,49[v]
V0 = 8,49 sin(wt + p ) Þ V0 = 8,49 sin(100pt + p ) 2 do semicicloïþ
 23
Corriente y tensión DC:

2Vm 2 2(8,49)
VCC = =
p p

VCC = 5,41[V ]

2Vm 2(5,41)
I CC = =
pRL p (1000)

I CC = 3,44[mA]

Potencia entregada a RL :

2
4Vm 4(8,49) 2
PCC = = 2
pRL p (1000)

PCC = 29,2[mW ]

Potencia total entregada al circuito:

2 2
Im V (8,49)2
Pac = RL = m =
2 2 RL 2(1000)

Pac = 36,04[mW ]

Rendimiento:

PCC 29,2m
h= ´100% = ´ 100%
Pac 36,04m

h = 81,2%

Factor de rizado:

F .R. = 0,48

Tensión inversa de pìco:

PIV = 2Vm = 2(8,49)

PIV = 16,98[v]
 24
c) Rectificador tipo puente
Vefs = 6[v]

Vm = 8,49[v]

é rad ù
La frecuencia : f = 50 Hz Þ w = 100p ê ú
ë s û
T = 20[ms]
RL = 1[kW]
Si : rf 1 , rf 2 , rf 3 , rf 4 << RL Þ despreciables
V0 [ v ]

t [ms]

V0 = Vm sin (ωt )

V0 = 8,49 sin(100pt )

Corriente y tensión D.C.

2Vm 2(8,49)
VCC = =
p p

VCC = 5,4[v]

2Vm 2(8,49)
I CC = =
pRL p (1k )

I CC = 5,4[mA]

Potencia entregada a RL :

PCC = VCC ·I CC = 5,4·5,4m

PCC = 29,16[mW ]
 25
Potencia total entregada al circuito:

I m 2 RL Vm 2 8,49 2
Pac = = =
2 2 RL 2k

Pac = 36,04[ mW ]

Rendimiento:

PCC 29,16
h= ´100% = ´100%
Pac 36,04

h = 80,91%

Factor de ripple:

F .R. = 0,48

Tensión inversa de pico:

PIV = Vm

PIV = 8,49[v]
 26
5. Hojas técnicas

Transistores BJT

Valores nominales máximos:

Transistor \ Caráct. VCEO VCBO VEBO IC TA=25º(PD)

2N4400 40 VDC 60 VDC 6 VDC 600 mA 310 W

2N4123 30 V 40 V 5V 200 mA 310 mW

2N4402 40 V 40 V 5V 600 mA 310 mW

2N3906 40 V 40 V 5V 200 mA 310 mW

2N3055 60 V 100 V 7V 15 A 115 W

2N51163 40 V 60 V 4V 5A 50 W

BC548 30 V 30 V 6V 100 mA 625 mW

Características eléctricas en estado OFF:

Transistor \ Caráct. V(BR)CEO V(BR)CBO V(BR)EBO IBL ICEX

2N4400 40 Vmin 60 VDCmin 6 Vmin 0,1 m ADC 6,1 m Amax

2N4123 30 Vmin 40 Vmin 5V 50 nA -

2N4402 40 Vmin 40 Vmin 5V 0,1 m A 0,1 m A

2N3906 40 Vmin 40 Vmin 5V 50 mA 50 nA

2N3055 70 Vmin - - 5 mA 5 mAmax

2N51163 40 Vmin - 4 Vmin 0,1 mA -

BC548 30 Vmin 30 Vmin 6 Vmin - 40 m Amax

 27
Características eléctricas en estado ON:

Transistor \ Caráct. hfe VCE(SAT) VBE(SAT) Q(VCEO,IC )

2N4400 50 a 150 0,75 VDC 0,75 a 0,95 VDC 1V, 150 mA

2N4123 50 a 150 0,3 V 0,95 V 1V, 2mA

2N4402 50 a 150 0,4 V 0,65 a 0,95 V 5V, 150 mA

2N3906 100 a 300 0,25 V 0,65 a 0,85 V 1V, 10 mA

2N3055 20 a 70 8 Vmax 1,8 Vmax -

2N51163 10 min - - -

BC548 110 0,09 VTYP 0,7 VTYP 5V, 2mA

Características de señal pequeña:

Caract. \ fT Cobo Cibo hie hre hfe hoe

Transistor

2N4400 200 MHz 6,5 pf 30 pf 0,5 a 0,65 8x10-4 20 a 250 1 a 30 mv

k W
2N4123 250 MHz 4 pf 8 pf - - 50 a 200 -

2N4402 150 MHz 0,5 pf 30 pf 750 a 7,5 k 0,1 a 8x10-4 30 a 250 1 a 100 m v
W
2N3906 250 MHz 4,5 pf 10 pf 2 a 12 k W 1 a 10x10-4 100 a 400 3 a 60 m v

2N3055 - - - - - - -

2N51163 500 MHz 45 a 60 pf - - - - -

BC548 300 MHz 1,7 pf 10 pf - - - -

 28
Transistores JFET e IGFET

Valores nominales máximos:

Transistor / Carácter. VDS VDG VGS ID PD a 25ºC Canal

2N4223 (FET) 30 VDC 30 VDC 30 VDC 20 mADC 300 mW N

2N5460 (IFET) 40 VDC 40 VDC 40 VDC 10 mADC 310 mW P

2N4351 (MOSFET) 25 V 30 V + 30 V 20 mA 300 mW N

2N3797 (MOSFET) 20 V - + 30 V 20 mA 300 mW N

Características eléctricas en estado OFF:

Transistor / Carácter. V(BR)GSS VGS(off) IGSS

2N4223 (FET) 30 Vmin 8 Vmax 0,25 nA

2N5460 (IFET) 40 Vmin 0,75 a 6 V 5 nA

2N4351 (MOSFET) - - 10 pA
2N3797 (MOSFET) - - 200 pA

Características eléctricas en estado ON:

Transistor 2N4223 (FET) 2N5460 (IFET) 2N4351 (MOSFET) 2N3797 (MOSFET)

IDSS 3 a 18 mA 1 a 5 mA 10 mA 1,5 mATYP 3 mAmax

Características de señal pequeña:

Transistor / Carácter. |Vfs | Re(Yfs) Re(Yos ) Re(Yis ) Ciss CTss

2N4223 (FET) 3 a 7 mV 0,33 a 0,14 k W 200 mV 800 mV 6 pf 2 pf

2N5460 (IFET) 1000 a 4000 m V Vfs-1 (75 m V)-1 - 5 a 7 pf 1pfTYP, 2pfmax

2N4351 (MOSFET) 1000 m V (1000 V)-1 300 W - 5 pfmax 1,3 pfmax

2N3797 (MOSFET) - - - - 5 a 7 pf 0,5 a 0,8 pf