INFORME 1

DE ELECTRONICA
INDUSTRIAL.

De

Hanco Quispe Donny Arnol

Electrónica Industrial
¿Qué es un SCR?

El rectificador controlado de silicio SCR –Silicon Controlled Rectifier-, es un dispositivo de estado sólido
tipo semiconductor que conduce la corriente eléctrica en su estado de encendido y la bloquea en su
estado de apagado. El SCR dispone de tres terminales: Ánodo, Cátodo y Puerta, la conducción de la
corriente entre Ánodo y Cátodo es controlada a través del terminal de puerta. Es un elemento
unidireccional (sentido de la corriente es único), conmutador casi ideal, rectificador y amplificador a la
vez.

Estructura

El tiristor (SCR), está formado por cuatro capas semiconductoras P y N. Estas cuatro capas forman 3
uniones PN: U1 (P1-N1), U2 (N1-P2) y U3 (P2-N2), que se corresponden con 3 diodos. El
comportamiento de estos diodos no es independiente, ya que hay capas comunes entre ellos, y por
tanto habrá interacciones que determinan el comportamiento final.

Comparado con el diodo semiconductor, el SCR controla la entrada en conducción de la corriente

eléctrica entre los terminales ánodo al cátodo por medio de un pulso de cebado aplicado en el terminal
de puerta (G)

En la figura siguiente se observan: El símbolo electrónico del SCR y dos de las diferentes estructuras
de ensamble, de acuerdo con capacidad de corriente de maniobra.

1
Funcionamiento del SCR El SCR es un dispositivo rectificador de la familia de los tiristores, sólo permite
la circulación de corriente eléctrica en la dirección ánodo-cátodo cuando se hace efectivo el pulso de
cebado o disparo aplicado en la puerta. En el caso típico de rectificación la tensión alterna CA,
monofásica o trifásica, el SCR sólo conduce durante los semiciclos positivos de la señal de voltaje. El
SCR entra en estado de conducción cuando la tensión entre el ánodo y el cátodo es positiva y se aplica
el pulso de disparo en la puerta; el SCR se apaga en forma natural, cuando la corriente entre los dos
terminales principales cae por debajo de la corriente de mantenimiento especificada por el fabricante.
Cuando el SCR está encendido el voltaje ánodocátodo es del orden de 1 voltio y cuando está apagado
se somete a una tensión inversa cuyo valor máximo no debe superar la tensión de ruptura para evitar
que entre en avalancha y se destruya. El SCR también está apagado con tensión positiva entre ánodo
y cátodo si no sea aplica el pulso de cebado.

Curva característica

En la siguiente figura se presenta la curva de característica ideal del SCR, en la cual se aprecian tres
zonas.

Zona 1: VAK positiva (ánodo con mayor potencial que cátodo). La IA (intensidad de ánodo) puede
seguir siendo nula. El dispositivo se comporta como un circuito abierto (se encuentra en estado de
bloqueo directo). En esta condición la tensión ánodo-cátodo no debe superar el voltaje de ruptura
directo especificado por el fabricante.

Zona 2: VAK positiva. En este instante se introduce una señal de mando por la puerta que hace que el
dispositivo bascule del estado de bloqueo al estado de conducción, circulando una IA por el dispositivo,
intensidad que estará limitada sólo por el circuito exterior y la cual no debe superar la corriente máxima
establecida por el fabricante. El elemento está en estado de conducción. El paso de conducción a corte
se hace polarizando la unión ánodo - cátodo en sentido inverso provocando que la intensidad principal
que circula se haga menor que la corriente de mantenimiento (IH).

Zona 3: VAK negativa. La IA es nula, por lo que el dispositivo equivale a un circuito abierto,
encontrándose en estado de bloqueo inverso. La magnitud de la tensión no debe superar el voltaje de
pico inverso de los datos del fabricante para el dispositivo.

Nomenclatura de los SCR

La nomenclatura utilizada para distinguir los diferentes parámetros, está compuesta por la magnitud
(V) para la tensión, (I) para la intensidad y (P) para la potencia, seguido de diferentes subíndices que
describen rangos y parámetros del elemento. Los subíndices se desglosan en la siguiente tabla.

2
Principales parámetros

VDRM Tensión de pico repetitivo en estado de bloqueo directo. (Repetitive peak off-state voltage).
Expresa el valor máximo de voltaje repetitivo para el cual el fabricante garantiza que no hay
conmutación, con la puerta en circuito abierto.

VDSM Tensión de pico no repetitivo en estado de bloqueo directo. (Non -repetitive peak off - state
voltage). Valor máximo de tensión en sentido directo que se puede aplicar durante un determinado
periodo de tiempo con la puerta abierta sin provocar el disparo.

IL Corriente de enganche. (Latching current). Corriente de ánodo mínima que hace bascular al tiristor
del estado de bloqueo al estado de conducción.

IH Corriente de mantenimiento. (Holding current). Mínima corriente de ánodo que conserva al tiristor
en su estado de conducción.

PGM Potencia de pico disipada en la puerta. (Peak gate power dissipation). Potencia máxima disipada
en la unión puerta-cátodo, en el caso de que apliquemos una señal de disparo no continua.

VGT Tensión de disparo de puerta. (Tensión de encendido). (Gate voltage to trigger). Tensión de puerta
que asegura el disparo con tensión ánodo - cátodo en directo.

IGT Corriente de disparo de puerta. (Gate current to trigger). Corriente de puerta que asegura el
disparo con un determinado voltaje de ánodo.

DV/DT Valor mínimo de la pendiente de tensión por debajo de la cual no se produce el cebado sin
señal de puerta.

DI/DT Valor mínimo de la pendiente de la intensidad por debajo de la cual no se producen puntos
calientes.

3
 TRANSITOR IBGT

Durante muchos años se a buscado la forma de crear un dispositivo que fuese lo

sufientemente veloz y que pudiese amnejar grandes cargas pero han surgido nuevas ideas
con la union de un mosfet como dispositivo de disparo y un tbj de deispositivo de potoncia y
de esta forma se llego a la invencion del igbt el cual sera expuesto en el siguiente documento

QUE ES EL IGBT:

La sigla IGBT corresponde a las iniciales de isolated gate bipolar transistor o sea transistor
bipolar de puerta de salida

El IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia híbrido que combina los atributos del
TBJ y del MOSFET. Posee una compuerta tipo MOSFET y por consiguiente tiene una alta
impedancia de entrada. El gate maneja voltaje como el MOSFET. El símbolo más
comúnmente usado se muestra en la figura . Al igual que el MOSFET de potencia, el IGBT
no exhibe el fenómeno de ruptura secundario como el TBJ.
El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) es un dispositivo electrónico que generalmente
se aplica a circuitos de potencia.
Este es un dispositivo para la conmutación en sistemas de alta tensión. La tensión de control
de puerta es de unos 15V. Esto ofrece la ventaja de controlar sistemas de potencia aplicando
una señal eléctrica de entrada muy débil en la puerta.
El IGBT de la figura es una conexión integrada de un MOSFET y un BJT. El circuito de
excitación del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las características de conducción
son como las del BJT. El IGBT es adecuado para velocidades de conmutación de hasta 20
KHz y ha sustituido al BJT en muchas aplicaciones

SIMBOLOGIA:

Es un componente de tres terminales que se denominan GATE (G) o puerta, COLECTOR

(C) y EMISOR (E) y su símbolo corresponde al dibujo de la figura siguiente.

4
 Su estructura microelectrónica es bastante compleja es por ello que lo describimos en base
a su esquema equivalente.

CURVA CARACTERISTICA IGBT:

COMO FUNCIONA:
Consideremos que el IBGT se encuentra bloqueado inicialmente. Esto significa que no existe
ningún voltaje aplicado al gate. Si un voltaje VGS es aplicado al gate, el IGBT enciende
inmediatamente, la corriente ID es conducida y el voltaje VDS se va desde el valor de bloqueo hasta
cero. LA corriente ID persiste para el tiempo tON en el que la señal en el gate es aplicada. Para
encender el IGBT, la terminal drain D debe ser polarizada positivamente con respecto a la terminal
S. LA señal de encendido es un voltaje positivo VG que es aplicado al gate G. Este voltaje, si es
aplicado como un pulso de magnitud aproximada de 15, puede causar que el tiempo de encendido
sea menor a 1 s, después de lo cual la corriente de drain iD es igual a la corriente de carga IL
(asumida como constante). Una vez encendido, el dispositivo se mantiene así por una señal de

5
 voltaje en el gate. Sin embargo, en virtud del control de voltaje la disipación de potencia en el gate
es muy baja.
EL IGBT se apaga simplemente removiendo la señal de voltaje VG de la terminal gate. La transición
del estado de conducción al estado de bloqueo puede tomar apenas 2 micro segundos, por lo que
la frecuencia de conmutación puede estar en el rango de los 50 kHz.
EL IGBT requiere un valor límite VGS(TH) para el estado de cambio de encendido a apagado y
viceversa. Este es usualmente de 4 V. Arriba de este valor el voltaje VDS cae a un valor bajo
cercano a los 2 V. Como el voltaje de estado de encendido se mantiene bajo, el gate debe tener un
voltaje arriba de 15 V, y la corriente iD se autolimita.
El IGBT se aplica en controles de motores eléctricos tanto de corriente directa como de corriente
alterna, manejados a niveles de potencia que exceden los 50 kW.

CARGAS INDUSTRIALES
En general hay tres tipos de cargas industriales para los cuales se requiere que trabajen los
motores:a) Cargas continuas.b) Cargas intermitentes.c) Cargas variables o fluctuantes.El
tamaño del motor depende de dos factores:El primero es la elevación de temperatura, la cual a
su vez depende de si el motor opera sobre unacarga continua o bien intermitente.En el segundo
dependerá del máximo par a ser desarrollado por el motor, teniendo en mente losrequerimientos
del par de la carga, la capacidad del motor estará decidida por las condiciones de lacarga, como
se describe a continuación:a)

Cargas continuas.-

en tales casos, el cálculo del tamaño del motor es simple porque las cargascomo bombas o
ventiladores requieren una potencia de carga constante para mantenerlos enoperación; sin
embargo, es esencial calcular la capacidad del motor correctamente en KW. Lacapacidad del
motor en KW es menor que la requerida, el motor se sobrecalentara y enconsecuencia se puede
quemar. Si por otro lado, la capacidad en KW es mayor que la requerida porla carga, el motor
opera frio pero a una eficiencia y potencia menor.b)

Cargas intermitentes.-

este tipo de cargas pueden ser el siguiente:

Motores cargados por periodos de tiempo cortos.- este tipo de carga, el motor es cargado
por untiempo corto y luego desconectado por un tiempo suficientemente largo, permitiendo que
el motor seenfrié a la temperatura ambiente. En tales casos, se recomienda un motor con una
capacidad decorto plazo.c)

Cargas variables o fluctuantes.-

En el caso de tales cargas, el método más preciso paraseleccionar el motor más apropiado es
el uso de las curvas de calentamiento y enfriamiento, asícomo las fluctuaciones de cargas por
un cierto número de motores. Para este propósito, se debeseleccionar un motor de tamaño más
pequeño que no exceda la elevación permitida de temperaturacuando opera bajo un ciclo de
carga particular.Sin embargo, un método simple pero suficientemente preciso para la selección
de la capacidad de unmotor es suponer que el calentamiento es proporcional al cuadrado de la
corriente, por lo tanto, alcuadrado de la carga. La capacidad continua deseable del motor
debería ser igual al valor r.m.s de lacorriente de la carga.

6
 Sensores en la Industria
Nuestro mundo esta conformado por una serie de fenómenos físicos y químicos que
interactúan entre sí. La comprensión de estos elementos le ha permitido al ser humano
desarrollarse ampliamente. La ingeniería como tal se basa en el estudio de estos fenómenos
para el desarrollo de sistema mas eficientes. A su vez la automatización ha sido uno de los
principales desarrollo de la ingeniería ya que le ha permitido al ser humano realizarse
actividades sin su intervención. Pero para que esto sea posible es necesario que los
sistemas automatizados sean cápaces de percibir dicho fenómenos, interpretarlos y
analizarlos para tomar las decisiones de control más adecuada. En la actualidad existe una
amplia gama de sensores que nos permite percibir, medir y detectar diversas variables
físicas y químicas, y que le brinda a nuestros sistemas de control alta confiabilidad y
estabilidad. Inclusive en la actualidad podemos encontrar sensores que son cápaces de
transmitir su información a otros sistemas.

Tipos de Sensores

Sensores Ópticos Los sensores Ópticos basan su funcionamiento en un haz de luz que es
interrumpido o reflejado por un material. Un diodo LED genera este haz de luz que
usualmente suele ser infrarrojo, debido a la poca energía que esta maneja y alta cantidad de
luz. Pero también se utiliza luz visible, e inclusive laser. Estos sensores cuentan con una
fotoresistencia, fotodiodo o fototransistor , los cuales permiten medir los cambios de luz.
Este tipo de sensores son muy utilizados en la industria, y se utilizan para medir presencia,
proximidad, marca, entre otros.

Sensores Ópticos Sensores Ópticos Tipo Barrera: El emisor de luz es colocado en frente del
receptor y el objeto es detectado cuando interrumpe el haz. No se recomienda para la
detección de objetos traslucidos

Sensores Ópticos Sensores Ópticos Tipo Reflexivo: El emisor y el receptor se encuentra

ubicado uno a lado del otro. El haz de luz emitido choca contra el reflector para ser recibido
por el receptor. La detección ocurre cuando el receptor no percibe dicho haz. Su distancia
de detección es mas corta que otras configuraciones. No son recomendados para objetos
brillantes.

Sensores Ópticos Sensores ópticos de proximidad: Este tipo presenta una configuración
muy parecida a la reflexiva, sin embargo esta no utiliza el objeto reflector sino que el objeto
a detectar será el que reflejara la luz emitida por el emisor hasta el receptor.

Sensores Inductivos

Los sensores inductivos poseen una bobina electromagnética la cual es usada para detectar
la presencia de un objeto metálico conductor. Su principio de funcionamiento se basa en
que al entrar un objeto por un campo eléctrico, por este cuerpo circula una corriente de
Eddy, esto hace que aumente la carga del sensor disminuyendo el campo eléctrico, el cual
es medido por medio de la amplitud de un oscilador, el cual al llevar a un determinado valor
conmuta su salida. Algunas de las aplicaciones en la industrial donde son utilizados es para
el posicionamiento, también para detectar la presencia o ausencia de objetos metálicos

Sensor Capacitivo Los sensores inductivos y capacitivos comparten una estructura muy
parecido diferenciándose únicamente por el principio eléctrico medido.

Sensores Capacitivos Posee una placa condensadora la cual se encuentra ubicada en la

parte frontal del sensor, cuando se le aplica corriente al sensor, se genera un campo
electroestático que reacciona a los cambios de capacitancia originados por el objeto a
detectar. Es muy utilizado en la industria para la detección de nivel de algún líquido, PVC,

7
colorantes, material granulado, papel, conteo de piezas metálicas y no metálicas, entre
otros.

Sensor Ultrasónico Los sensores trabajan según el tiempo de transcurso del eco, es decir,
se valora la distancia temporal entre el impulso de emisión y el impulso del eco. son muy
resistentes, lo que los hace ideales para incluso las condiciones más difíciles. Los sensores
ultrasónicos han demostrado su fiabilidad y resistencia en prácticamente todos los sectores
industriales. Entre dichos sectores se incluyen: • Herramientas para maquinaria/ingeniería
mecánica • Alimentación y bebidas • Trabajos en madera y mobiliario • Materiales de
construcción • Agricultura • Diseño • Pasta y papel • Manipulación de materiales • Medición
de nivel

Sensor de Temperatura Su principal función es transformar los cambios de temperatura en

cambios de señales eléctricos. Hay que destacar que al ser la temperatura una variable
critica en cualquier proceso industrial es uno de los sensores mas utilizados en la industria.
Los tipos de sensores de temperaturas más comunes que se pueden conseguir son:
Termistores Termopar RTD Piro eléctricos Temperatura por Infrarrojo.

Termistores Es un sensor resistivo de temperatura. Su funcionamiento se basa en la

variación de la resistencia de un semiconductor con la temperatura, debido a la variación
de la concentración de portadores. Su principal característica es que son económicos y
fácilmente disponibles, fáciles de usar y adaptables. Existen dos tipos de termistor: NTC
(Negative Temperature Coefficient) – coeficiente de temperatura negativo. Son resistores no
lineales cuya resistencia disminuye fuertemente con la temperatura. El coeficiente de
temperatura es negativo y elevado. PTC (Positive Temperature Coefficient) – coeficiente de
temperatura positivo. son dispositivos que varían su resistencia en función de la
temperatura de forma alineal. Son utilizados para circuitos sensores de temperatura. Su
característica principal es que no puedo sobrepasar la temperatura de Curie, ya que al
hacerlo este se comportaría como una NTC.

Termopar Una termocupla esta constituida por dós alambres de distinto material unidos en
un extremo (soldados generálmente). Al aplicar temperatura en la unión de los metales se
genera un voltaje muy pequeño (efecto Seebeck) del orden de los milivolts el cual aumenta
con la temperatura. Los elementos de los termopares se fabrican a base de metales y
aleaciones metálicas especiales, como platino (Pt), hierro (Fe), cobre (Cu), rodio (Rh), renio
(Re), tungsteno (W), cromel, constantán, etc. Los mismos están protegidos mediante una
funda o cubierta metálica, generalmente de acero inoxidable, cuyo espesor determina la
velocidad de respuesta y la robustez de la sonda-

RTD Son resistencia las cuales varían su valor al ser sometidas a una variación de calor.
Para su fabricación se utilizan alambres muy finos los cuales están soportados por un
material aislante y luego encapsulados. Luego es insertado dentro de una vaina o tubo
metálico cerrado en un extremo que se llena con polvo y se sella con cementa para evitar
que absorba humedad. Uno de los materiales mas utilizados es el platino, debido a su
exactitud y estabilidad. Los RTD alcanzan mejor precisión que los termopares, así como
buenas condiciones de intercambiabilidad. También son estables a largo plazo. Con tales
capacidades de alta temperatura, a menudo son utilizados en entornos industriales. Se logra
mejorar la estabilidad cuando los RTD son fabricados en platino,el cual no se ve afectado
por la corrosión y la oxidación.

8
 Tiristor GTO
Un Tiristor GTO o simplemente GTO (del inglés Gate Turn-Off Thyristor) es un dispositivo
de electrónica de potencia que puede ser encendido por un solo pulso de corriente positiva en
la terminal puerta o gate (G), al igual que el tiristor normal; pero en cambio puede ser apagado
al aplicar un pulso de corriente negativa en el mismo terminal. Ambos estados, tanto el estado
de encendido como el estado de apagado, son controlados por la corriente en la puerta (G).

El proceso de encendido es similar al del tiristor. Las características de apagado son un poco
diferentes. Cuando un voltaje negativo es aplicado a través de las terminales puerta (G) y cátodo
(C o K), la corriente en la puerta (ig), crece. Cuando la corriente en la puerta (G) alcanza su
máximo valor, IGR, la corriente de ánodo comienza a caer y el voltaje a través del dispositivo
(VAK), comienza a crecer. El tiempo de caída de la corriente de ánodo (IA) es abrupta,
típicamente menor a 1 us. Después de esto, la corriente de ánodo varía lentamente y ésta
porción de la corriente de ánodo es conocido como corriente de cola.

La razón (IA/IGR) de la corriente de ánodo IA a la máxima corriente negativa en la puerta (IGR)

requerida para el voltaje es baja, comúnmente entre 3 y 5. Por ejemplo, para un voltaje de 2500
V y una corriente de 1000 A, un GTO normalmente requiere una corriente negativa de pico en la
puerta de 250 A para el apagado.

Estructura y funcionamiento

La estructura del GTO es esencialmente la de un tiristor convencional. Existen 4 capas de silicio

(PNPN), 3 uniones (P-N, N-P y P-N) y tres terminales: ánodo (A), cátodo (C o K) y puerta (G). La
diferencia en la operación radica en que una señal negativa en la puerta (G) puede apagar el
GTO. Mientras el GTO se encuentre apagado y no exista señal en la puerta, el dispositivo se
bloquea para cualquier polaridad en el ánodo, pero una corriente de fuga (IA leak) existe. Con
un voltaje de bias en directa el GTO se bloquea hasta que un voltaje de ruptura VAK = VB0 es
alcanzado. En este punto existe un proceso dinámico de encendido., VAK = 3V y la corriente IA
es determinada por la carga. Cuando el GTO se apaga y con la aplicación de un voltaje en
inversa, solo una pequeña corriente de fuga (IA leak) existe. Una polarización en inversa VAK
puede ser alcanzada cuando ocurra un corte. El valor del voltaje de ruptura inverso depende del
método de fabricación para la creación de una regeneración interna para facilitar el proceso de
apagado. Con un voltaje de polarización directo aplicado al ánodo y un pulso de corriente
positiva es aplicada a la puerta G (gate), el GTO se enciende y permanece de esa forma. Para
ésta condición, existen 2 formas de apagarlo. Una forma es reduciendo la corriente de ánodo IA
por medios externos hasta un valor menor a la corriente de holding Ih, en la cual, la acción
regenerativa interna no es efectiva. La segunda forma de apagarlo es por medio de un pulso en
el gate, y este es el método más recomendable porque proporciona un mejor control. Como el
GTO tiene una conducción de corriente unidireccional, y puede ser apagado en cualquier
instante, éste se aplica en circuitos chopper (conversiones de dc- dc) y circuitos inversores
(conversiones dc -ac) a niveles de potencia en los que los MOSFET's, TBJ's e IGBT's no pueden
ser utilizados. A bajos niveles de potencia los semiconductores de conmutación rápida son
preferibles. En la conversión de AC - DC, los GTO's, son útiles porque las estrategias de
conmutación que posee, pueden ser usadas para regular la potencia, como el factor de potencia.

9
 IGCT

Un Tiristor Controlado por Puerta Integrada o simplemente Tiristor IGCT (del inglésIntegrated Gate-
Commutated Thyristor) es un dispositivo semiconductor empleado en electrónica de potencia para
conmutar corriente eléctrica en equipos industriales. Es la evolución del Tiristor GTO (del inglés Gate
Turn-Off). Al igual que el GTO, el IGCT es un interruptor controlable, permitiendo además de activarlo,
también desactivarlo desde el terminal de control Puerta o G (del inglés Gate). La electrónica de control
de la puerta está integrada en el propio tiristor.

es, en principio, un tiristor de apagado (GTO) conaltos parámetros dinámicos en el encendido y el modo
dedesvío. Apagado la velocidad del proceso Es sobre todo un factor por el cual GTO y los dispositivos
IGCT se diferencian entre sí otros.

El dispositivo está compuesto IGCT de dos partes elementales, GCT tiristor estructura que se coloca en
un caso de disco similar a la GTO dispositivo y una unidad de puerta a la quela caja del disco con TCG
se adjunta lo más ajustado posible. los mismos viene el nombre de Inglés de este nuevo tipo de
dispositivo que se deriva de el hecho de que la unidad de la puerta es, literalmente, integrado con el
tiristor GCT. Es así porque la tasa de aumento de puerta de desvío actual debe ser muy altopara la
función a causa de la GCT y por lo tanto autoinducción (inductancia espurio) de la puerta conducir la
unidad como debe ser minimizado.

COMPARACION DE VOLTAJE Y CORRIENTE Y FORMA DE ONDA DEL IGCT EN

DESVIO

10