Documentos de Académico
Documentos de Profesional
Documentos de Cultura
Componentes electrónicos
Diodos, transistores y tiristores
V A
dV (t )
C
S dI (t ) C
d dt
dI L (t )
U L (t ) L
dt
Compuestos IV:
Si C y Si Ge
Compuestos III-V:
Binarios: Ga As, Ga P, Ga Sb, Al As, Al P, Al Sb, In As, In P y In Sb
Ternarios: Ga As P, Al Ga As
Cuaternarios: In Ga As P
Compuestos II-VI:
Zn S, Zn Se, Zn Te, Cd S, Cd Se y Cd Te
+
Ge Sb Ge
El Sb tiene 5 electrones en la última capa.
+ Tipo N
+ +
Iones positivos
Muy pocos Huecos Fijos en el cristal
No se pueden Mover
- +
Ge In Ge
El In tiene 3 electrones en la última capa.
Muchos huecos
- Tipo P
- -
Iones negativos
Muy pocos electrones Fijos en el cristal
No se pueden Mover
COMUNICACIONES
ORDENADORES
MÚSICA
TELEVISIÓN
ELECTROMEDICINA
SENSORES
ETC
2 uniones PN
ASOCIACIÓN DE DISPOSITIVOS
V
N
- V
ANÉCDOTA
Un símil hidráulico podría ser una válvula anti-retorno, permite pasar el agua
(corriente) en un único sentido.
Normalmente, límite de
potencia máxima
Diodo LED (LED diode) Diodo emisor de Luz = Light Emitter Diode
A K
0
iopt COMENTARIO
Los diodos normales presentan variaciones en la corriente de
fugas proporcionales a la Temperatura y pueden ser usados
como sensores térmicos
i
El modelo puede ser una fuente de
V
corriente dependiente de la luz o de la I = f(T)
temperatura según el caso T1 0
T2>T1
VCA V
Zona
uso
iCC
Paneles de células
solares
-
-
-
+
+
+
+
+ Notar, que al aumentar la tensión inversa aumenta
- - + +
10 V
Tienen dopadas mucho las dos zonas del diodo (10 5 veces
mayor).
-
Trifásico
+
DISPLAY
-
Detectores de barrera
Detectores reflexión de espejo
LED
Objetivo Fotodetector
LED azul
NPN
BIPOLARES
PNP
EFECTO DE
CAMPO
COMENTARIO: BASE
C
IC [mA]
B
IB [mA] =
E 30
3000
1000 10
0
VCE
ZONA DE CORTE:
Comportamiento como
ZONA DE TRANSISTOR INVERSO: interruptor abierto.
Emisor y colector intercambias papeles.
Podemos tener una INVERSA, que en el
dispositivo ideal consideraremos cero
= 100
C E 2000 20
SÍMBOLO
B 1000 10
0
VEC
BASE
COMENTARIO:
OPTOACOPLADOR
OBJETIVO:
Detección de obstáculos.
CANAL N (JFET-N)
UNIÓN
CANAL P (JFET-P)
EFECTO DE
CAMPO
20 años antes que en los laboratorio Bell fabricaran el primer transistor bipolar.
G ID
UGS[V]
≥0
S
-10
-20
-30
VDS
G ID
USG[V]
≥0
D
-10
-20
-30
VSD
COMENTARIO:
D D
Aunque a veces se dibuje el símbolo con
un diodo, tener en cuenta que NO ES UN
COMPONENTE APARTE.
ID UGS[V]
G G
=+15 V
S =+10 V
S
=+5 V
=0V
Diodo parásito
VDS
(Substrato - Drenador)
COMENTARIO:
S S
Aunque a veces se dibuje el símbolo con
un diodo, tener en cuenta que NO ES UN
COMPONENTE APARTE.
ID USG[V]
G G
=+15 V
D =+10 V
D
=+5 V
=0V
Diodo parásito
VSD
(Substrato - Drenador)
Son sin duda los dispositivos electrónicos que permiten alcanzar potencias mas altas, son
dispositivos realmente robustos.
A A
A
G
G
C
C
MODELO IDEAL DE UN SCR
NOTA:
G
El disparo por tensión directa (VB) se considera indeseable
y, como norma general, debe seleccionarse el SCR para
que esto no ocurra
C
T2
T2
G
G
T1
T1
MODELO IDEAL DE UN TRIAC
-VB +VB VT
Característica
Recinto de descarga
Gránulos de óxidos
metálicos sinterizadas
(Óxido de cinc, etc)
DESCARGADOR DE GAS
VARISTOR
Sobretensión
I F
Ve Equipo a proteger
TRIAC,
VARISTOR,
DESCARGADOR,...
NOTA:
Seguramente el VARISTOR es el elemento mas popular para esta aplicación
A C
G
La especial estructura del dispositivo
permite el apagado por puerta (con un
pulso negativo).
C G
NOTA:
Normalmente disponen de conexiones especiales para ser disparados
con fibra óptica. Son interesantes en entornos de corrientes y tensiones
elevadas, permitiendo un elevado aislamiento entre el circuito de
potencia y el de gobierno.
EL MAS PEQUEÑO
UNO GRANDE
Unos de los 12 SCR para un “pequeño”
rectificador trifásico de 500 MW y 500 KV
(Inga-Shaba, ZAIRE)
Buscando errores
sobre un esquema de
un Circuito Integrado
DIP-8
ENCAPSULADO
D,P: Plástico
J, N: Cerámico
FABRICANTE M: Metálico
AD Analog Devices
A Fairchild
CR RCA
LM National Semiconductor RANGO TEMPERATURA
MC Motorola
NE/SE Signetics C: Comercial 0ºC hasta 70ºC
OP Precision Monolithics
RC/RH Raytheon I: Industrial -40ºC hasta 85 ºC
SG Silicon General
TL Texas Instrument M: Militar -55ºC hasta 125 ºC
DESIGNADOR
Pin número 5
1 1 4 Orden
2 para
3 numerar
los pines
Encapsulado típico
DIL - 6
12 V
12 V 36 W
36 W 3A
3A I
12 V 12 V
I = 100
40 mA
IC
Sustituimos el interruptor principal por un
transistor.
4A IB = 40 mA
La corriente de base debe ser suficiente
para asegurar la zona de saturación. PF (ON) 3 A ON
Ventajas: OFF
No desgaste, sin chispas, rapidez, permite
control desde sistema lógico.
12 V VCE
Electrónica de Potencia y Electrónica PF (OFF)
digital
UC UBIAS
UE 12
UBIAS En RC (p.e. altavoz) obtenemos una copia de U E (p.e.
música).
+
RB UC RC
-
12 V
IC PF
UE
= 100
IB
UBIAS
12 V
12 V 36 W
36 W 3A
3A I
12 V
12 V
I
La puerta no puede
quedar al aire
(debe protegerse)
ID
4A UGS= 12 V
Sustituimos el interruptor principal por un
transistor. PF (ON) 3 A ON
12 V VDS
PF (OFF)