Universidad Católica Andrés Bello

Facultad de Ingeniería
Escuela de Ingeniería Informática
Lab. de Física
Sección: 07
Prof.: Rafael de Guglielmo

Práctica N°3

Circuitos No Lineales y Transistores

Integrantes:

David Zacarías C.I.: 27.588.099

Rebeca Goncalves C.I.: 27.223.869

Alan Sosa C.I.: 26.210.022

Caracas, 16 de mayo del 2019

 OBJETIVOS

1. Conocer dispositivos eléctricos que presentan una característica tensión-corriente no

lineal (materiales no óhmicos).
2. Analizar y discutir las características tensión-corriente de un: diodo semiconductor, LED
y bombillo de filamento de tungsteno.
3. Comprender el proceso que diferencia la conductividad de cada uno de los elementos no
lineales, utilizados en la práctica.
4. Identificar los terminales de un transistor, su tipo y polarización dentro de un circuito.
5. Obtener la ganancia en corriente y voltaje de un circuito simple de amplificador
transistorizado.
6. Determinar las curvas características de un transistor y obtener el punto de operación.
7. Obtener la saturación de un amplificador y obtener ancho de banda del amplificador.

EQUIPOS Y MATERIALES

 2 Multímetros digitales: marca: GW Instek; modelo: GDM-398

 Fuente de poder de corriente continua: marca: BK Precision; modelo: 1621ª
 Resistencia de 100 Ω al 5%
 Resistencia de 620 Ω a 5%
 Resistencia de 47 kΩ al 5%
 Resistencia de 470 Ω al 5%
 Resistencia de 150 Ω al 5%
 Diodo semiconductor.
 Bombillo de filamento de tungsteno.
 Transitor NPN.
 PROCEDIMIENTO
1. Característica tensión–corriente de un diodo semiconductor.
1.1. Primero se monta en siguiente circuito:

1.2. Se busca una Resistencia que tenga un valor nominal de 820 Ω, tomando 12 valores
entre Vd=0 y Vd=0,70 V, variando los valores de Vo. A su vez midiendo el Id y Vd de
que cada uno de esos valores de Vo. Cada valor se colocará en una tabla.
1.3. A continuación se invierte el diodo y se realiza el mismo proceso del paso anterior,
pero esta vez tomando 12 valores entre Vo=0 y Vo=12 V, midiendo a su vez el Id y Vd
de cada uno de los valores de Vo.
1.4. Con los datos obtenidos en la parte 1.2 y 1.3, se realiza una gráfica de I(V) para el
diodo semiconductor.
1.5. A partir de la curva tensión–corriente obtenida, se determina el voltaje de conducción
del diodo semiconductor.

2. Característica tensión–corriente de un bombillo con filamento de tungsteno.

2.1. Se monta el siguiente circuito:
 2.2. Se ubica la Resistencia que tenga un valor nominal de 100 Ω, luego se varía los valores de Vo
hasta notar que el bombillo se enciende. Se coloca el valor de Vo nuevamente en 0 V,
tomando un total de 15 valores de Vo entre 0 y 2 voltios por encima del valor de voltaje que
provoca que el bombillo se encienda. Se miden los valores de Ib y Vb.
2.3. Para cada valor de Ib y Vb se calcula el valor de las resistencias del filamento del bombillo
(Utilizaremos como apoyo la Ley de Ohm). Los resultados estarán reflejados en una tabla.
2.4. Se realiza una gráfica de R(I) en Excel, papel milimetrado y semilog.

3. Cálculo de la amplificación de corriente (β) del transistor.

3.1. Se escoge un tipo transistor (puede ser PNP o NPN) y se le mide la ganancia, se ubica un
potenciómetro de 470 Ω. Se monta el circuito con Vo=5 V, dos resistencias (una de 150 Ω y
otra de 47 KΩ), el transistor previamente mencionado, un amperímetro que mida la corriente
del colector del transistor (Ic), otro amperímetro que mida la corriente de la base del transistor
(Ib) y el potenciómetro.
3.2. Se ajusta el potenciómetro hasta que el valor de Ib= 0,02 mA anotando el valor de Ic que
marque el amperímetro.
3.3. Se repite el procedimiento del paso anterior pero esta vez ajustando el potenciómetro hasta
que el valor de Ib= 0,05 mA. Posteriormente de este paso, se procede a calcular el valor de β
con la siguiente ecuación:

∆𝐼𝑐
𝛽=
∆𝐼𝑏

Nota: La experiencia N°3 no se pudo realizar por la falta de mantenimiento de los instrumentos
utilizados. Los resultados se tomaron de otro grupo de
 REGISTRO DE MEDICIÓN

Rn Rm

620Ω (0,6174±0,001)kΩ

Rn Rm

150Ω (148,27±0,01)Ω

Rn Rm

47kΩ (47,10±0,01)kΩ

Rn Rm

470Ω (0,562±0,001)kΩ

NPN 143 ganancias

 REGISTRO DE RESULTADOS

Procedimiento 1
Polarización directa

(Vo±0,1)v (Vd±0,001)v (Id±0,01)mA

0,8 0,476 0,12

1,3 0,572 0,95

2,0 0,600 1,73

2,6 0,618 2,51

3,3 0,631 3,34

4,6 0,648 4,16

5,7 0,660 6,23

6,9 0,669 7,68

8,5 0,679 9,59

11,3 0,693 13,03

13,0 0,694 15,02

17,6 0,713 17,23

Polarización Inversa

(Vo)v (Vd±0,001)v (Id)mA

1 1,019 0

2 2,104 0

3 3,056 0

4 4,048 0

5 5,123 0

6 6,093 0

7 7,161 0

8 8,201 0

9 9,106 0

10 10,214 0

11 11,201 0

12 12,156 0
 Procedimiento 2

(Vo±0,1)v (Vd±0,001)v (Id±0,01)mA (Rd±0,0001)Ω

0,8 0,037 7,36 0,0050

1,6 0,074 15,09 0,0049

2,4 0,112 22,47 0,0049

3,2 0,160 30,32 0,0052

4,0 0,209 37,14 0,0056

4,8 0,276 44,76 0,0061

5,6 0,365 51,50 0,0070

6,4 0,495 57,89 0,0085

7,2 0,723 63,96 0,0113

8,0 0,998 69,28 0,0144

8,8 1,221 73,64 0,0165

9,7 1,546 79,91 0,0193

10,4 1,785 84,55 0,0211

11,2 2,068 89,88 0,0230

12 2,368 95,61 0,0247

Procedimiento 3
N° (Vo±0,001)v (Ic±0,01)mA (Ib±0,0001)mA
1 5 14,99 0,0042
2 7 25,45 0,0045
 ANÁLISIS DE RESULTADOS

Se puede observar por los resultados de la tabla 1 que, para que el voltímetro diera
valores que se acercasen a la 0,7 v, se tuvo que aumentar de forma significativa la cantidad de
voltaje efectuado por la fuente de poder, ya que mientras más se acercaba a estos valores,
mayor era la cantidad de voltaje que había que ejercer, mientras que cuando se comenzó a
aplicar voltaje mediante la fuente de poder, hubo aumentos significativos. Esto se puede
confirmar con la gráfica 1, en la cual es notable la relación no lineal del voltaje – intensidad, por
lo cual podemos confirmar que no se cumple la Ley de Ohm. En cuanto a la intensidad de
corriente, la cantidad de dígitos en mA se mantenía mucho más cercano a los valores de la
fuente de poder que a la del voltaje calculado en el circuito en paralelo del diodo.

En la tabla 2, al utilizar el diodo de forma inversa a como se usó en la primera parte del
procedimiento 1 (el cual nos dio los valores de la tabla 1), es notable que el voltaje fue 0 en
todos los valores, esto debido a que la polarización está en sentido contraria respecto hacia
donde está fluyendo el voltaje desde la fuente de poder (desde el polo positivo), lo que produce
que la corriente que transcurra en el circuito siempre se mantenga igual, como se puede
apreciar en la tabla que el voltaje de la fuente de poder y el voltaje calculado por el multímetro
se mantenían casi iguales, siempre con diferencias decimales, que confirman que existe una
intensidad de corriente nula.

En el procedimiento 2, representada por la tabla 3, es notorio que para que el bombillo

de tungsteno comenzase a encender (cuando la fuente de poder alcanzó el valor de 11,2v), la
intensidad del circuito fue bastante grande, además de eso se observa que los valores del
voltaje calculados en el circuito en paralelo con el bombillo se mantuvieron en un rango de
valores bajo durante todo el estudio. Esto demuestra la gran cantidad de corriente eléctrica que
es necesaria para que encienda el bombillo, demostrando un comportamiento que afecta por la
temperatura del bombillo. Además de esto, la gráfica 2 demuestra la relación Intensidad - R
(donde R=V / I) con una no linealidad, demostrando así que no se cumple la Ley de Ohm. Estos
valores mostrados en la parte de cálculos demuestran la relación antes dicha, dando en R
valores sumamente pequeños en comparación al voltaje y la intensidad, lo que también se
puede tomar como justificación de que la gráfica dada sea no lineal.
 Un aspecto considerable en el circuito en el cual se utiliza el transitor NPN, es del lado
del circuito en el que se calcula la intensidad más cercana al puerto C (es decir, I sub c) hay
una intensidad mucho mayor a la de I sub B, esto debido a que en el sentido director-base la
polarización es en sentido inverso y el lugar donde se estudia I sub B es donde se ve afectado
la polarización directa, por medio del emisor base, con lo cual es notable cómo los terminales y
la polarización afectan en el circuito.

CONCLUSIONES

Del análisis realizado, conjuntamente con las prácticas de laboratorio, podemos concluir
que:

1. Es evidente por las tablas 1, 2 y 3 y gráficos 1 y 2 que las características tensión-corriente

son muy distintas entre los circuitos no lineales de esta práctica, además de que con los
análisis hechos en el Análisis de Resultados, se puede afirmar que los objetivos 1, 2 y 3
se cumplen en la práctica.
2. El sentido de polarización en una determinada parte del circuito influye en la intensidad
de corriente, siendo que cuando hay una polarización directa la intensidad es mayor que
cuando la polarización es indirecta.
3. En un diodo semiconductor, cuando se coloca en polarización indirecta (contraria al
sentido del que fluye la corriente eléctrica), la intensidad es nula.
4. Los diodos presentan características similares a un interruptor, dependiendo del sentido
en el que esté conectado y hacia dónde fluye la corriente eléctrica.
5. La tensión-corriente de los diodos y los bombillos tungsteno demuestran que no se
cumple la Ley de Ohm, ya que éstas muestran gráficas no lineales.
6. Los transistores influyen en gran manera en la intensidad de corriente de un circuito,
pudiendo hacer que varíe la intensidad en determinada parte del mismo.
7. La temperatura y la intensidad de corriente son determinantes para que un bombillo de
tungsteno encienda.
8. El transistor puede ser útil como rectificador de corrientes de circuitos, ya que es capaz
de suprimir o reducir la parte negativa (o sentido negativo) de los circuitos.