Laboratorio Nº 03: EL TRANSISTOR

BIPOLAR – POLARIZACIÓN
Facultad de Ingeniería Eléctrica y Electrónica, Universidad Nacional de Ingeniería
Lima, Perú

INTRODUCCIÓN

La invención del transistor fue el inicio de una revolución que aún continua. Todos los sistemas
y dispositivos electrónicos complejos actuales son el resultado de los primeros desarrollos de
transistores semiconductores.

Dos tipos básicos de transistores son el transistor de unión bipolar (BJT, bipolar junction
transistor) y el transistor de efecto de campo (FET, field-effect transistor). El BJT se utiliza en
dos áreas extensas: como amplificador lineal para reforzar o amplificar una señal eléctrica y
como interruptor electrónico.

I. OBJETIVO 1. Estructura de un BJT

El laboratorio deacuerdo a sus experimentos tiene como
finalidad:
 Conocer las características técnicas y los
requerimientos de uso del transistor.
 Adquirir destreza en el uso de los equipos y la
obtención de las curvas características del
transistor Bipolar.
 Adquirir destreza en el manejo de los manuales y
obtención de los data sheet de los dispositivos a
usar de Internet y los equipos de medición.
 Determinar las operaciones de corte y saturación
de los transistores.
 Identificar las rectas de carga y punto de
operación.
 Adquirir destreza en el manejo de los equipos y el
ensamble de los circuitos.
 Afianzar el trabajo en equipo asumiendo
responsabilidades en el desarrollo de la
experiencia.
El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas
que consta de dos capas de material tipo n y una de material
tipo p o de dos capas de material tipo p y una de material tipo
n. El primero se llama transistor npn y el segundo transistor
pnp. Ambos se muestran en la figura 1 con la polarización de
cd apropiada.
La unión pn que une la región de la base y la región del emisor
se llama unión base-emisor. La unión pn que une la región de
la base y la región del colector se llama unión base-colector,
como la figura 2 lo muestra: un conductor conecta a cada una
de estas tres regiones. Estos conductores se designan E, B y
C por emisor, base y colector, respectivamente. La región de
la base está ligeramente dopada y es muy delgada en
comparación con las regiones del emisor, excesivamente
dopada, y la del colector, moderadamente dopada (la
siguiente sección explica la razón de esto). La figura 3
muestra los símbolos esquemáticos para los transistores npn
y pnp.

II. TEORÍA

A. Transistores de unión bipolar

 Fig. 3 Símbolos de BJT estándar (transistor de unión
bipolar)

2. Operación del transistor

La figura 4 muestra los arreglos para polarización tanto de

BJT npn como pnp para que operen como amplificador.
Observe que en ambos casos la unión base-emisor (BE) está
polarizada en directa y la unión base-colector (BC)
polarizada en inversa. Esta condición se llama polarización
en directa-inversa.

Fig. 1 Tipos de transistores: (a) pnp; (b) npn.

Fig. 2 Construcción básica de un BJT npn.

Fig. 4 Polarización en directa-inversa de un BJT.

Para entender cómo opera un transistor, veamos lo que 6(b). Observe que la flecha en el emisor en el interior de los
sucede en el interior de la estructura npn. La región del símbolos de transistor apunta en la dirección de la corriente
emisor de tipo n excesivamente dopada tiene una densidad convencional. Estos diagramas muestran que la corriente de
muy alta de los electrones de banda de conducción (libres), emisor (𝐼𝐸 ) es la suma de la corriente de colector (𝐼𝐶 ) y la
como muestra la figura 5. Estos electrones libres se difunden corriente de base (𝐼𝐵 ), expresada de la siguiente manera:
con facilidad a través de la unión BE polarizada en directa
hacia la región de la base de tipo p muy delgada y levemente 𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 + 𝐼𝐵
dopada (flecha ancha). La base tiene una baja densidad de
huecos, los cuales son los portadores mayoritarios,
Como ya se mencionó, 𝐼𝐵 es muy pequeña comparada con
representados por los puntos blancos. Un pequeño
porcentaje del número total de electrones libres se va hacia
𝐼𝐸 o 𝐼𝐶 . El subíndice de letra mayúscula indica valores de
la base, donde se recombinan con huecos y se desplazan cd.
como electrones de valencia a través de la base hacia el
emisor como corriente de huecos, como lo indican las
flechas negras.

Fig. 5 Operación de un BJT que muestra el flujo de

electrones.

Cuando los electrones que se recombinaron con huecos

como electrones de valencia abandonan las estructura
cristalina de la base, se transforman en electrones libres en
el conductor de la base metálica y producen la corriente de
base externa. La mayoría de los electrones libres que
entraron a la base no se recombinan con huecos porque es Fig. 6 Corrientes en el transistor.
muy delgada. Amedida que los electrones libres se
desplazan hacia la unión BC polarizada en inversa, son
arrastrados a través del colector por la atracción del voltaje
de alimentación positivo del colector. Los electrones libres 3. Polarizacion del transistor
se desplazan a través del colector hacia el circuito externo y
luego regresan al emisor junto con la corriente de base, Polarizar un transistor es la acción de hacer llegar tensiones
como se indica. La corriente de emisor es un poco más continuas conveientes a las dos junturas del transistor.
grande que la corriente de colector debido a la pequeña
corriente de base que se desprende de la corriente total Zonas de polarización o zonas de trabajo del transistor
inyectada a la base proveniente del emisor.
Zona activa: 𝐽𝐸 polarizado directamente, 𝐽𝐶 polarizado
Corrientes del transistor inversamente.

Las direcciones de las corrientes en un transistor npn y su Zona de corte: 𝐽𝐸 + 𝐽𝐶 polarizados inversamente.
símbolo esquemático se muestran en la figura 6(a); las
correspondientes a un transistor pnp se muestran en la figura Zona de saturación: 𝐽𝐸 + 𝐽𝐶 polarizados directamente.
III. RESPUESTAS A PREGUNTAS

A. Realice los cálculos para hallar 𝐼𝐵 , 𝐼𝐶

empleando el simulador ORCAD /
Pspice o similar.

Fig. 10 𝐼𝐸

Fig. 7 Simulación

Fig. 11 𝑉𝐶𝐸

B. Simule los pasos de la guía de

laboratorio y anote las tensiones y
corrientes que se piden en el
experimento.

Se resolvera en la sección VII.

Fig. 8 𝐼𝐵

Fig. 9 𝐼𝐶
 C. Con los valores obtenidos con el D. Obtenga el Data Sheet del transistor y
simulador, haga las gráficas de las determine las características de corte y
curvas: 𝐼𝐶 vs 𝑉𝐶𝐸 ; 𝐼𝐶 vs 𝐼𝐵 ; β vs 𝐼𝐶 ; 𝐼𝐵 saturación así como el punto de
vs 𝑉𝐵𝐸 ; y obtenga el gráfico de operación del 2N 2222 y el 2N 3904.
respuesta en frecuencia indicando la
El datasheet esta en la seccion IV.
ganancia de tensión vs. Frecuencia
usando la escala logarítmica. E. Que voltaje AC de entrada puede
soportar el transistor 2N 2222 y el 2N
10 3904
8
Esta indicado en el dataship de la seccion IV.
6
4 F. Determine la impedancia de entrada y
2 salida a 60 Hz.

0
0 5 10 15

Fig. 12 𝐼𝐶 vs 𝑉𝐶𝐸
IV. DATA SHEET Y HOJA DE DATOS
25
20
15
10
5
0
0 50 100 150

Fig. 13 𝐼𝐶 vs 𝐼𝐵

157

156

155

154

153
0 5 10 15 20 25

Fig. 14 𝛽 vs 𝐼𝐶

0.71 Fig. 15 Datasheet del transistor npn 2N2222

0.7
0.69
0.68
0.67
0.66
0.65
0.64
0 50 100 150

Fig. 15 𝐼𝐵 vs 𝑉𝐵𝐸

Fig. 16 Datasheet del transistor npn 2N2222
V. EQUIPOS Y MATERIALES
Los materiales a utilizar en el laboratorio son:
 01 transistor NPN 2N2222 ó 2N3904
 01 protoboard
 01 Resistencia de 100Ω; 2de 1KΩ de 1W
 02 Fuente DC; puntas de prueba
 01 protoboard y cables conectores
 01 multímetro
 Resistencias:10KΩ;15KΩ;56KΩ;22KΩ;180KΩ;
3.3KΩ;6.2KΩ;10KΩ;47KΩ ,510KΩ;2KΩ de 1W
 01 Potenciómetro lineal de 50KΩ y 500 KΩ
0.5W - 01 Generador de funciones
 02 transistores BJT iguales BC548A
 02 Diodos LED
 01 Osciloscopio, puntas de prueba
 01 amperímetro analógico.
VI. DESARROLLO DE LA
EXPERIENCIA
A. Mida las resistencias y los potenciómetros
con el multímetro y anote los valores.
B. Determine los terminales del transistor con
el multímetro o use los manuales e imprima
EL Data Sheet obtenida en Internet (Nota: si
el multímetro tiene probador de transistores
úselo)
C. Arme el siguiente circuito: Tenga cuidado
de colocar correctamente los terminales del
transistor.
Nota: En la figura la resistencia de 100k
reemplazar por una resistencia de 100 Ω
D. Si usa un transistor equivalente busque en el
datasheet sus características y modifique si
es necesario el voltaje de entrada.
E. Verifique las conexiones con el multímetro,
ajuste la fuente a 12 𝑉𝐷𝐶 y conéctela al
circuito.
F. La corriente de base ( 𝐼𝐵 ) obtenida en el
informe previo, la puede ajustar con el
potenciómetro de 500 KΩ. La corriente de
base ( 𝐼𝐵 ) la puede medir indirectamente
con la tensión en la resistencia de 10KΩ. La
tensión de colector-emisor ( 𝑉𝐶𝐸 ) la puede
ajustar con el potenciómetro de 50KΩ. La
corriente de colector ( 𝐼𝐶 ) la puede medir
indirectamente con la tensión en la
resistencia de 100 Ω si solo cuenta con un
amperímetro.
G. Para determinar las curvas 𝐼𝐶 vs 𝑉𝐶𝐸 , ajuste
y mantenga 𝐼𝐵 en 40μA y llene la siguiente
tabla:
Ajuste y mantenga 𝐼𝐵 en 80μA y llene la
siguiente tabla, para obtener la curva 𝐼𝐶 vs
𝐼𝐵
𝐼𝐶
H. Obtener las Curvas 𝐼𝐶 vs 𝐼𝐵 : (𝛽 = ), 𝛽 vs
𝐼𝐵
𝐼𝐶
Mantenga 𝑉𝐶𝐸 = 5V y llene la siguiente
tabla:
I. Obtener las curvas 𝐼𝐵 vs 𝑉𝐵𝐸 . Mantenga 𝑉𝐶𝐸
= 5V y llene la siguiente tabla:
 VII. SIMULACIÓN h. Manteniendo 𝑉𝐶𝐸 = 5 V, se obtiene

g. Variando solo el potenciometro de 500k a 275k se obtiene Tabla 3

𝐼𝐵 = 39.971 µ𝐴
𝐼𝐵 (µ𝐴) 𝐼𝐶 (𝑚𝐴) 𝛽
Tabla 1 20 3.068 153.4
𝑉𝐶𝐸 (𝑉) 𝐼𝐶 (𝑚𝐴)
30 4.668 155.6
0.202146 3.371 40 6.255 156.375
0.499402 3.639 50 7.829 156.58
1.003 3.928 60 9.389 156.483333
1.996 4.496 70 10.937 156.242857
80 12.472 155.9
2.999 5.071
4.008 5.648 90 13.995 155.5
5.004 6.219 100 15.506 155.06
5.994 6.786 110 17.005 154.590909
6.996 7.359 120 18.493 154.108333
7.995 7.932 130 19.97 153.615385
9.019 8.518
i. Manteniendo 𝑉𝐶𝐸 = 5 V, se obtiene
10.002 9.081
Tabla 4
Variando solo el potenciometro de 500k a 132.35k se
obtiene 𝐼𝐵 = 79.999 µ𝐴 𝐼𝐵 (µ𝐴) 𝑉𝐵𝐸 (𝑉)
20 0.651482
Tabla 2
30 0.661708
𝑉𝐶𝐸 (𝑉) 𝐼𝐶 (𝑚𝐴) 40 0.668945
0.199729 6.648 50 0.674574
0.49962 7.206 60 0.679198
1.04 7.829 70 0.683132
2.001 8.936 80 0.686565
2.986 10.071 90 0.689616
3.98 11.217 100 0.692366
4.999 12.391 110 0.694874
5.982 13.523 120 0.697182
7.002 14.699 130 0.699322
7.968 15.812
9.021 17.025 VIII. BIBLIOGRAFÍA
10.003 18.156
[1] Robert L. Boylestad y Louis Nashelsky,
Electrónica: Teoría de circuitos y dispositivos
electrónicos, 10ma edición.
[2] Adel S. Sedra y Kenneth C. Smith, Circuitos
microelectrónicos, 4ta edición.
[3] Virginia Romero, GUÍA DE LABORATORIO
DEL CURSO EE441 N.