UNIVERSIDAD NACIONAL DE

INGENIERIA
FACULTAD DE INGENIERIA MECÁNICA

Laboratorio Nº2
“DISPARO DEL TIRISTOR CON CIRCUITOS
INTEGRADOS UJT Y PUT”
INTEGRANTES:
Gonzales Inca Johann Gustavo 20161029E
Tito Cruz Fidel Omar 20169501E
Romero Torres Julio Cesar 20162508D
CURSO:
ML 839 B – ELETRONICA DE POTENCIA
PROFESOR:
Arevalo Macedo Robinson Doiling
FECHA DE ENTREGA:
07/11/2019

P.A.:2019-2
LIMA-PERU

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INDICE

OBJETIVOS…………………………………………………………………………….2

FUNDAMENTO TEORICO……………………………………………………………2

SOLUCION DEL CUESTIONARIO………………………………………………….4

OBSERVACIONES……………………………………………………………………6

CONCLUSIONES……………………………………………………………………..6

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OBJETIVOS

 Diseñar circuitos de disparo de tiristores usando circuitos integrados UJT y

PUT.
 Usando los circuitos diseñados disparar un tiristor que activa una carga.

FUNDAMENTO TEORICO

De manera general en la práctica se encuentran circuitos de disparo que funcionan

mediante el uso de tiristores, a los que se le puede hacer conmutar desde el estado
de bloqueo al estado conductor mediante la aplicación de un impulso conveniente
en el terminal de puerta. Por otro lado, se encuentran otros componentes de disparo:
el transistor uniunión (UJT) y el transistor uniunión programable (PUT); en los que
tambiéntiene lugar un paso brusco del estado de bloqueo al estado conductor, con
la diferencia respecto al del tiristor en que este paso se produce cuando una tensión
de control rebasa un valor determinado.

1.1. Transistor UJT

El nombre UJT proviene de las siglas de Unijunction Transistor (transistor uniuníón),
con las que se designa un elemento compuesto de una barra de silicio tipo N de
cuyos extremos se obtienen los terminales base 2 (B2) Y base 1 (B1). Esta barra de
silicio consta de un grado de dopado característico que le proporciona una
resistencia llamada resistencia interbases (RBB).

En un punto determinado de la barra, más próximo a B2 que a B1 se incrusta un

material tipo P para formar una unión P-N respecto a la barra original, dando lugar
al terminal dé emisor (E). Considerando el lugar de inserción del material tipo P, se
obtiene un divisor de tensión sobre la resistencia RBB original: el formado por las
partes correspondientes de la barra N comprendidas entre B2 y E, y entre E y B1. A
estas resistencias así obtenidas se las denomina RB1, Y RB2, respectivamente. La
relación existente entre ellas es de suma importancia, de manera que se define el
parámetro «n» como

El cual depende del proceso de fabricación, del grado de dopado, de la geometría

del elemento, etc. El fabricante suele proporcionar este dato entre sus hojas de
especificaciones
Las figuras siguientes muestran la estructura interna de un UJT, su circuito
equivalente y el símbolo usual en el que se observa que la punta de la flecha apunta
hacia el terminal B1.

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 A la tensión VEB, correspondiente al cebado se la conoce como tensión de pico (Vp)
y tiene como valor

De la expresión anterior se deduce que la tensión de cebado del UJT depende de

la tensión de alimentación (VBB), con lo que variando ésta conseguiremos
igualmente variar la tensión de pico. En la gráfica siguiente se observa el punto de
pico del UJT para una tensión VBB dada, indicándose con línea de trazos el cebado
del elemento. A esta zona se la conoce con el nombre de zona de resistencia
negativa.

Una vez cebado el UJT, si se aumenta el valor de P la corriente lE disminuirá

gradualmente, manteniéndose prácticamente constante la tensión VEB, hasta llegar
a un punto de P tal, que la corriente lE pasa por debajo del valor Iv, llamado de valle,
momento en el que se produce un paso del UJT al estado de bloqueo, aumentando
VEB1 y disminuyendo lE hasta el valor de la corriente de fuga del diodo.

1.2. Transistor PUT:

Con las siglas PUT de Programmable Unijunction Transistor (transistor uniunión
programable) se designa a un elemento cuyo comportamiento es similar al UJT, con
la diferencia respecto a éste de que la relación n puede programarse mediante un

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divisor de tensión exterior. A pesar de llamarse transistor, su estructura es la de un
tiristor en el que el terminal de puerta G se toma del lado del ánodo en lugar del de
cátodo. En las figuras siguientes se representan la estructura interna del elemento
y también su símbolo. Al terminal de puerta, para diferenciarse de los tiristores, se
le suele denominar puerta anódica
(GA)

La forma típica de polarizar al PUT se muestra en la figura posterior, en la que

se observa el divisor de tensión de puerta formado por R1 y P.

En la Gráfica 5.2 se representa la curva característica del PUT, en la que IGAO

representa la corriente inversa de la unión ánodo-puerta, estando el terminal
de cátodo abierto.

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SOLUCION DEL CUESTIONARIO

1. Hacer el fundamento teórico del experimento realizado,

2. El informe debe contener todos los datos técnicos del UJT, PUT, valores de los
componentes utilizados, así como los gráficos obtenidos en la experiencia.

UJT
Voltaje en bornes del Foco

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Voltaje en los bornes del condensador
0.22uF

0.47 uF

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1uF

10uF

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PUT
0.22uF
Foco

Condensador

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0.47uF
Foco

Condensador

10
4.7uF

10uF

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3. ¿Qué sucede con la lámpara cuando aumenta el valor de C en ambos circuitos?

El valor de C influir en el voltaje del capacitor, el cual se comparará con el voltaje

con el que se disparará el circuito según cada componente; por lo que, para cierto
valor de este, se tendrá un valor de ángulo de disparo, el cual influirá en la potencia
de la lámpara para cada circuito.

4. Según su opinión cuál de los circuitos integrados de disparo es el

recomendable ¿Por qué?
El PUT ya que la compuerta conectada a un divisor de tensión lo cual
permite variar la frecuencia de oscilación sin variar los valores R-C
conectados al ánodo y cátodo.
5. ¿Qué dificultades encontró para realizar este experimento? Sugiera
que cambios se podrían hacer para mejorarlo.
Los dispositivos mencionados en la guía no eran muy comerciales por
ello se usó sus equivalentes, se debería indicar una serie de UJT o
PUT’s que sean equivalentes para el uso este laboratorio. Además de
ello, inicialmente el circuito de disparo no funcionaba debido a la
tensión de alimentación, por ello se trabajó con una tensión menor a
la indicada en el manual. Se recomiendo siempre revisar continuidad
en los cables usados.

Observaciones y Conclusiones
A partir de los datos y gráficas obtenidas por el osciloscopio podemos
concluir que se cumple la teoría de diseño, una parcial visualización
del estado foco en el osciloscopio, esto último quizá debido al
osciloscopio ya que sí se obtuvo un comportamiento de la onda
esperada pero reflejada.
Algo rescatable a mencionar es que se tuvo que disminuir la tensión
de alimentación del circuito de disparo para que este funcione,
además del fácil uso e implementación del circuito en donde se usó el
PUT.

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