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SERGIO DANIEL HERNANDEZ

SEBASTIAN MARIÑO MORALES


JUAN PABLO ZULUAGA CALVACHE
DANIEL JOSÉ BARANDICA

PRE-INFORME PRACTICA 10
Medición de los valores Vtn, KnW/L
Para esta practica se decidió usar el circuito integrado CD4007, para esto se montaron los circuitos de
las figuras 1 y 2.

Figura 2. Circuito medición NMOS


Figura 1. Circuito medición NMOS

Se plantearon las ecuaciones de corriente en saturación (1), para poder hallar el Vt


1 𝑊
𝐼𝐷 = 2 Kn 𝐿 (VG − VS − Vtn)2 (1)
1 𝑊
420𝜇𝐴 = 2 Kn 𝐿 (2 − Vtn)2 (2)
1 𝑊
1.16𝑚𝐴 = 2 Kn 𝐿 (2.58 − Vtn)2 (3)
De las ecuaciones (2) y (3), obtenemos que los parámetros para el NMOS son:

𝑊 A
Kn = 817μ V2
𝐿

𝑉𝑡n = 0,90 𝑉

Para el PMOS también se decidió utilizar el integrado CD4007, para sacar los parámetros de
este Mosfet se tomo el circuito de la figura 3, donde se vario Vdd y se tomaron dos valores de
Vdd diferentes, se midieron dos corrientes, y se hallaron los parámetros.
1 𝑊
𝐼𝐷 = 2 Kp 𝐿 (𝑉𝑆 − 𝑉𝐺 − |Vtp|)2(4)

1 𝑊
124𝜇𝐴 = 2 Kp 𝐿 (3 𝑉 − 0,73 𝑉 − |Vtp|)2(5)

1 𝑊
194,4𝜇𝐴 = 2 Kp 𝐿 (3,59 𝑉 − 1,16 𝑉 − |Vtp|)2(6)

De las ecuaciones (5) y (6) se obtuvo que:

𝑊 A
Kp = 616μ V2
𝐿

𝑉𝑡n = -1,63 𝑉
Cálculos Condensadores-Resistencias.

Figura 4. Esquemático amplificador.

Lo primero que se decidió realizar fue encontrar los polos presentes en los condensadores C1,
C2, C3, C4 y C5, Para esto se realizó el método de constantes de tiempo, lo que se debe hacer
en primer lugar es abrir el condensador a analizar y dejar los demás en su estado en frecuencias
medias, apagar las fuentes y ver la resistencia equivalente sobre el condensador.
Condensador C1.

Figura 5. Circuito C1

En la figura 5 se puede ver el circuito equivalente luego de seguir los pasos mostrados
anteriormente, donde se puede ver que la resistencia equivalente es 𝑅1||𝑅2 + 𝑅𝑔, se nos pide
que este condensador tenga un polo en 10 Hz, por lo que podemos legar a:
1
𝐶1 =
2𝜋 (𝑅1||𝑅2 + 𝑅𝑔)10𝐻𝑧
Para saber si dicho condensador tiene un Zero diferente de cero, vemos el comportamiento de
la ganancia del amplificador en bajas frecuencias, este condensador en bajas frecuencias se
comporta como un abierto, por lo que la ganancia será 0, es decir que este condensador tiene un
Zero un Cero.
Condensador C2.
Para c2 sabemos que cuando se cierra es que hay una salida del sistema, analizando en
frecuencias medias el polo para este condensador es:
1
𝐶2 =
2𝜋(𝑅7 + 𝑅6)100𝐻𝑍

Condensador C3.
Para C3 seguimos los pasos ya mencionados, donde reemplazando el MOSFET NMOS por su
equivalente en Modelo T, llegamos a que la resistencia equivalente es ((𝑅3 + 𝑔𝑚1) ||𝑅4),
sabemos que la frecuencia de este polo es 1KHz entones podemos llegar a que:

1
𝐶3 =
2𝜋 ((𝑅3 + 𝑔𝑚1) ||𝑅4)1𝑘𝐻𝑧

Este condensador tiene un zero diferente de cero ya que en frecuencias bajas este sin este
condensador la ganancia disminuye, pero no es cero así que se debe plantear una función de
transferencia:
1
(𝑠 + 𝑅 𝐶 )
4 3
1
𝑅4 𝑅3 + 𝐶3 (𝑔𝑚 + 𝑅3 )
𝑠+ 1
𝑅4 𝑅3 𝐶3 (𝑔𝑚 + 𝑅3 )

Donde encontramos un Zero en:

1
𝑓𝑧 =
2πR4C3
Condensador C4.
Al analizar dicho condensador nos damos cuenta de que solo tiene un polo ya que en frecuencias
bajas, dicho condensador no afecta la ganancia, así que llegamos a la conclusión:

𝐶4 = 1
2𝜋(𝑅5||(𝑅9||𝑅10))20𝑘𝐻𝑧

Condensador C5.
Al analizar dicho condensador nos damos cuenta de que solo tiene un polo y un zero en cero en
frecuencias bajas, dicho condensador afecta la ganancia dejándola en 0, así que llegamos a la
conclusión:
𝐶5= 1
2𝜋 (𝑅5 + (𝑅9||𝑅10))10𝐻𝑧

GANANCIA
La ganancia del circuito en frecuencias medias se compone de 3 partes como se puede ver
en las siguientes 3 figuras.
𝑅𝐼||𝑅2
𝐴1 =
𝑅1||𝑅2 + 𝑅𝐺
−𝑔𝑚1(𝑅10||𝑅9||𝑅5)
𝐴2 =
1 + 𝑔𝑚1𝑅3
−𝑔𝑚2(𝑟7||𝑟8)
𝐴3 =
1 + 𝑔𝑚2𝑅6
𝑅𝐼||𝑅2 −𝑔𝑚1(𝑅10||𝑅9||𝑅5) −𝑔𝑚2(𝑟7||𝑟8)
𝐺𝐴𝑁𝐴𝑁𝐶𝐼𝐴 𝑇𝑂𝑇𝐴𝐿 = ∙ ∙
𝑅1||𝑅2 + 𝑅𝐺 1 + 𝑔𝑚1𝑅3 1 + 𝑔𝑚2𝑅6
FUNCION DE TRANSFARENCIA TOTAL

𝐻(𝑠)
𝑅𝐼||𝑅2 −𝑔𝑚1(𝑅10||𝑅9||𝑅5) −𝑔𝑚2(𝑟7||𝑟8)
= ∙ ∙
𝑅1||𝑅2 + 𝑅𝐺 1 + 𝑔𝑚1𝑅3 1 + 𝑔𝑚2𝑅6
1
𝑠 3 (𝑠 + )
∙ 𝑅4𝐶3

1 1 1 1 1
(𝑠 + ) ∙ (𝑠 + ) ∙ (𝑠 + 1 ) ∙ (𝑠 + ) ∙ (𝑠 + 𝐶5(𝑅5 + (𝑅9||𝑅10)))
𝐶1(𝑅𝐺 + 𝑅1||𝑅2) 𝐶2(𝑅4 + 𝑅8) 𝐶4(𝑅10||𝑅9||𝑅5)
𝐶3((𝑅3 + )||𝑅4)
𝑔𝑚1
Cálculos.
Para el desarrollo de los cálculos de las ganancias, a continuación, enunciamos los parámetros
de los transistores con los cuales fueron trabajos estos cálculos.
𝑊 𝜇𝐴
𝐾𝑛 𝐿 = 817 𝑉2

𝑉𝑡𝑛 = 0,90 𝑉
𝑊 𝜇𝐴
𝐾𝑝 𝐿 = 729 𝑉2

𝑉𝑡𝑝 = −1,68 𝑉

El circuito para analizar se muestra en la figura 4.

Figura 4. Esquemático amplificador.

Para el amplificador, se considero el diseño con valores de resistencias comerciales. Vamos a


dividir este análisis por etapas:
PRIMERA ETAPA:

Figura 5. Primera etapa.

La primera etapa se puede observar en la figura 5. En esta etapa primero analizaremos la


ganancia para señal pequeña, en A/C obteniendo el siguiente circuito:
Del circuito en la figura 6. Podemos darnos cuenta de que la
ganancia de voltaje de Vg1/Vi está dada por el divisor de
voltaje entre el paralelo de las resistencias R1 y R2, con la
resistencia del generador en serie con el capacitor C1, como
se puede observar en la ecuación (1).
𝑉𝑔1 𝑅1||𝑅2
=(1)
𝑉𝑖 𝑅𝑔 + 1 + 𝑅1||𝑅2
𝐶1𝑆
Figura 6. Primera etapa en AC.

El polo del condensador C1 debe caer en 10Hz, conociendo la resistencia equivalente que ve el
condensador en cada extremo de sus patas, podemos deducir la ecuación (2).
1

𝐶1 = (2)
2𝜋(𝑅1||𝑅2 + 𝑅𝑔)10𝐻𝑧
Ahora, para diseñar el valor de R1 y R2, nosotros asumimos que el voltaje en Gate para el
NMOS en polarización era de 1.5 V, como explicaremos en la segunda etapa. Siendo así
R1=6,8kΩ y R2=1,2kΩ para que el voltaje de la fuente (10 V) se atenué en un factor de 0,15 y
el voltaje en Gate en polarización sea 1,5 V.

Ahora, conociendo el valor de R1 y R2, de la ecuación (2) obtenemos que C1=9,82µF


Analizando la ecuación (1) podemos darnos cuenta que la ganancia tiene un zero en cero por el
condesandor, y un polo en la frecuencia deseada, siendo así, podemos graficar el bode en
magnitud como se ve en la imagen 1..

Imagen 1. Bode en magnitud de Vg1/Vi

SEGUNDA ETAPA.
Para esta etapa, analizaremos dos circuitos, el de la figura 6. Para polarización, y el de la
figura 7. Para la ganancia.
Figura 6. Polarización. Figura 7. Ganancia.

Los requisitos del diseño son que la frecuencia de los polos de C4 caiga en 20kHz y que la
frecuencia del polo para C5 caiga en 10Hz, y ya que el ancho de banda de trabajo del
amplificador debe ser de 1kHz – 20kHz, podemos asumir que para la ganancia de Vd1/Vg1, el
condensador C4 es un abierto y el condensador C5 ya es un “súper” corto en las frecuencias de
trabajo.
En el circuito de la figura 7. Se puede observar que la configuración es Source común con
resistencia en source, entonces la ganancia está dada por la resistencia equivalente que se ve
desde el Drain, sobre 1/gm1 más la resistencia equivalente que se ve en el Source, de esta
manera podemos obtener la ecuación (3).
𝑉𝑑1 𝑅5||(𝑅9||𝑅10)
=− (3)
𝑉𝑔1 𝑔𝑚1 1 + (𝑅3 + 𝑅4|| 𝐶13𝑆)

Nosotros asumimos que R3=1kΩ ya que queríamos un valor bajo de resistencia pero que
asegurará saturación., asumimos R4=10Ω para que la ganancia no se viera afectada por el
condensador C3, ya que este valor bajo limitaría el resultado del paralelo entre R4||1/sC3.
Mientras tanto, vamos a asumir R9=2,2MΩ y R10=5,6MΩ, más tarde en la etapa 3
explicaremos el por qué, mientras tanto, estos valores altos nos sirven también en la ganancia
de la ecuación (3) ya que al ser el paralelo de algo grande con R5, el resultado será un valor
cercano a R5.
Ahora analizamos la figura 6. Para asegurarnos que el circuito esté en saturación, sabiendo que
el voltaje en polarización es de 1,5V, tenemos la ecuación (4), donde podemos calcular la
corriente.

𝐼𝐷 = 1 𝐾𝑛 (𝑊)(1,5 − (1𝑘 + 10)𝐼𝐷 − 𝑉𝑡𝑛)2(4)


2 𝐿
𝐼𝐷 = 101𝜇𝐴
Conociendo la corriente, podemos despejar la transconductancia de la ecuación (5)
𝑔𝑚
𝑔𝑚1 = 4,06 𝑥10−4𝐴/𝑉

Si de la ecuación (3) asumimos C3 como un corto, y despejamos R5, asumiendo una ganancia
de 20, el resultado nos da que R5 debe ser mayor a 78kΩ, asumiendo a R5=82kΩ, de la
ecuación (3) se obtiene que la ganancia es:
𝑉𝑑1 𝑉
= −22,6
𝑉𝑔1 𝑉
Ahora, verificamos que el NMOS se encuentre en saturación con el valor de R5 asumido, para
esto, debemos ver que lo siguiente se cumple:

𝑉𝐷 − 𝑉𝑆 ≥ 𝑉𝐺 − 𝑉𝑆 − 𝑉𝑡𝑛

(10𝑉 − (101𝜇𝐴)82𝑘) − (1010 ∗ 101𝜇𝐴) ≥ 1.5 − (1010 ∗ 101𝜇𝐴) − 0,90𝑉

1,615 𝑉 ≥ 0,49 𝑉
Efectivamente se encuentra en saturación con el valor diseñado para R5.
Conociendo las resistencias de esta etapa, y conociendo las frecuencias de los polos deseados
para C3, C4 y C5, y las resistencias equivalentes que ve cada capacitar por sus extremos,
podemos calcular los valores de estos con las siguientes ecuaciones (6), (7) y (8).
1
𝐶3 = 1(6)
2𝜋((𝑅3 + 𝑔𝑚1)||𝑅4)1𝑘𝐻𝑧

1
𝐶4 = (7)
2𝜋(𝑅5||(𝑅9||𝑅10))20𝑘𝐻𝑧
1
𝐶4 = (8)
2𝜋(𝑅5 + (𝑅9||𝑅10))10𝐻𝑧 Y

obtenemos que C3=15,96µF, C4=102pF, C5=9,57nF.


De la ecuación (3) podemos graficar el bode en magnitud, sabiendo que la función de
transferencia tiene un polo y un zero, el polo actúa en 1kHz, y con la ecuación (9) podemos
saber la frecuencia del zero.
1
𝑓𝑧 = (9)
2𝜋𝑅4𝐶3 Y

obtenemos la imagen 2.

Imagen 2. Bode en magnitud de Vg1/Vi

TERCERA ETAPA.
Para el análisis de esta etapa, analizaremos los circuitos de la figura 8. Y la figura 9.

Figura 9. Ganancia.
Figura 8. Polarización.

Para calcular la ganancia de esta etapa, podemos ver que en la figura 9. El circuito es un
PMOS Source común con resistencia en Source, además, podemos modelar el capacitor C2
como un corto, ya que el polo diseñado para C2 ocurre mucho antes del ancho de banda en el
que se trabajará el amplificador, de esta manera, la ganancia está dada por la ecuación (10).
𝑉𝑜 𝑅7||𝑅8
= − (10)

𝑉𝑔2 + 𝑅6

Para diseñar la ganancia en esta etapa, nosotros hicimos las siguientes suposiciones, primero,
establecimos que la ganancia iba a ser de -2 V/V, que R6=1k y que R7=10K y R8=10k (para el
siguiente cálculo asumimos R10 como 10k, ya que no nos percatamos que en el diseño ya está
establecida como 18k). De la ecuación (10) despejamos el gm2 necesario para una ganancia de
2V/V con los valores mencionados y obtuvimos la ecuación (11).

−𝐴𝑣2(𝑅7 + 𝑅8)
𝑔𝑚2 = (11)
𝐴𝑣2𝑅6(𝑅7 + 𝑅8) + 𝑅7𝑅8

𝑔𝑚2 = 6,66 𝑥10−4𝐴/𝑉


Ahora, conociendo la transconductancia del transistor, con la ecuación (12) podemos
determinar la corriente de polarización necesaria para que la ganancia sea de 2.
(𝑔𝑚2)2
𝐼𝐷2 = (12)
2𝐾𝑝𝑊/𝐿

𝐼𝐷2 = 305𝜇𝐴
Después de conocer la corriente que pasa por el PMOS y su transconductancia, de nuevo
calculamos la ganancia de la ecuación (10), pero ahora con los siguientes valores, R6=1kΩ,
R7=18kΩ¸ R8=18kΩ y obtenemos que:
𝑉𝑜 𝑉
= −3,59
𝑉𝑔2 𝑉
Ahora, como parte final de esta etapa, necesitamos asegurarnos de que, con estos valores, el
transistor se encuentre en región de saturación, pero primero, debemos conocer el voltaje en
Gate necesario para que circule una corriente de 305µA, a partir de la ecuación (13).

305𝜇𝐴 = 𝐾𝑝𝑊/𝐿(10 𝑉 − (1𝑘 ∗ 305𝜇𝐴) − 𝑉𝐺2 − 1,68)2 (13)


Donde obtenemos dos valores, pero el valor válido es:

𝑉𝐺2 = 7,10 𝑉
Conociendo el voltaje en Gate necesario para la ganancia diseñada, analizamos la figura 8.
Como la fuente es de 10 V, necesitamos que este valor se atenué en un 0,71 aproximadamente,
por esta razón, escogemos los valores de las resistencias R9=2,2MΩ y R10=5,6MΩ, ¿por qué
razón las diseñamos en el orden de megas? Ya que, al estar involucradas en un paralelo en la
ganancia de la primera etapa, nos interesaba que sean lo más grande posible, de esta manera,
no afectaban mucho la ganancia de esta etapa.
Ahora sí podemos confirmar saturación, necesitamos que se cumpla lo siguiente:

𝑉𝐷 − 𝑉𝑆 ≤ 𝑉𝐺 − 𝑉𝑆 − 𝑉𝑡𝑝

𝐼𝐷2𝑅7 − (10𝑉 − 𝐼𝐷2𝑅6) ≤ 7,10𝑉 − (10𝑉 − 𝐼𝐷2𝑅6) + 1,68𝑉

−4,2𝑉 ≤ −0,91𝑉
Como vemos, la condición de saturación se cumple, por lo tanto, con estas resistencias, y estos
voltajes, el circuito se mantiene en saturación, lo cual es lo deseado, por último, calculamos el
valor de C2, conociendo la frecuencia del polo deseado y la resistencia equivalente que ve por
sus extremos y obtenemos la ecuación (14)
1
𝐶2 = 2 𝜋(𝑅7 + 𝑅8)100𝐻𝑧 (14)

Y se obtiene que C2=44,2nF. Conociendo los valores de los componentes en el circuito,


podemos dibujar el bode en magnitud de la etapa tres, sabiendo que la ganancia tiene un polo
en 100Hz, y un zero que se puede calcular con la ecuación (15)
1
𝑓𝑧 = (15)
2𝜋𝑅8𝐶2

𝑓𝑍 = 200 𝐻𝑧

Y se tiene el bode en magnitud en la imagen 3.

Imagen 3. Bode en magnitud de Vo/Vg2

Ahora, mostraremos los bodes de las ganancias Vd1/Vi, Vo/Vg1 y, por último, Vo/Vi en la
imagen 4. Teniendo en cuenta la imagen 1 y la imagen 2.
1. Imagen 1. Bode en magnitud de Vg1/Vi

2. Imagen 2. Bode en magnitud de Vg1/Vi


Imagen 4. Bodes de las etapas del amplificador.

RESUMEN DE DATOS OBTENIDOS.


R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R9 R10
Calculada 6,8k 1,2k 1k 10 82k 1k 18k 2,2M 5,6M
Comercial 6,8k 1,2k 1k 10 82k 1k 18k 2,2M 5,6M
Tabla 1. Valores calculados y comerciales de las resistencias.

C1 C2 C3 C4 C5
Calculado 9,82µF 44,2nF 15,96µF 102pF 9,57nF
Comercial 10µF 47nF 14,7µF 102pF 10nF
Tabla 2. Valores calculados y comerciales de las capacitancias.

Parámetro Vg1 Vd1 Vs1 Id1 Vd2 Vs2 Id2


Calculada 1,5V 1,63V 0,10V 101µA 5,49V 9,69V 305µA

Tabla 3. Valores calculados de la polarización.

Ganancia Vg1/Vi Vd1/Vg1 Vd1/Vi Vo/Vg2 Vo/Vi


Calculada 0,63 -22,6 -14,23 -3,6 51,23

Tabla 4. Valores calculados de las ganancias.

SIMULACIÓN.

Figura 10. Circuito montado en OrCAD.

En la figura 10. Está el amplificador con el valor de los componentes con los cuales fueron
trabajadas las mediciones del montaje en el laboratorio, ya que con estos valores el
amplificador funcionó perfectamente. En la figura 11. Se encuentran los parámetros del
NMOS para la simulación y en la figura 12. Se encuentran los parámetros del PMOS para la
simulación. Como se puede ver, se trabajó con un nivel muy básico en los transistores para la
simulación.

Figura 11. Parámetros NMOS.

Figura 12. Parámetros PMOS.

Y se trabajó con una simulación de barrido en frecuencia de 10Hz a 100kHz, de a pasos de a


100, como se puede observar en la figura 13.

3. Figura 13. Simulación del circuito

A continuación, mostraremos en la figura 14. los valores de polarización del amplificador


entregados por la simulación.
Figura 14. Valores de polarización en
OrCAD.

La corriente en el PMOS tiene una diferencia a la corriente calculada, y esto se debe a que el
divisor de voltaje entre R9 y R10 da más preciso que en el calculado, de esta manera, el voltaje
en Gate para el PMOS es 7,18V, mientras que en los cálculos se trabajó con 7,10V, de esto
podemos concluir que un cambio de 0,08V puede afectar en cantidad la corriente que circula
por el transistor.
A continuación, enunciaremos una tabla con los valores obtenidos por la simulación.
Parámetro Vg1 Vd1 Vs1 Id1 Vd2 Vs2 Id2
Simulado 1,5V 1,7V 0,103V 101.2µA 3,726V 9,79V 207µA

Tabla 5. Valores simulados de la polarización.

Ahora mostraremos las ganancias de Vg1/Vi, Vd1/Vg1, Vo/Vg2 y Vo/Vi dadas por la
simulación.
Figura 15. Vg1/Vi

4. Figura 16. Vd1/Vg1

Analizando la figura 16. En la simulación está dando una ganancia extraña porque la señal se
está atenuando prácticamente a cero, como si el transistor NMOS estuviera en región de corte,
mientras que en la figura 14. Se puede ver claramente que está prendido, y además, que los
valores de polarización son muy parecidos a los calculados.
Figura 17. Vo/Vg2

En la figura 17. Se puede ver que, en la simulación, el transistor PMOS está haciendo lo que
debe hacer, ya que está amplificando la señal del Gate en un factor de 3,2 V/V.

Figura 18. Vo/Vi

La ganancia del amplificador, observado en la figura 18. está claramente con valores muy
bajos, siendo una ganancia prácticamente de cero, esto se debe al fenómeno observado en la
figura 16.
Ahora, analizando solamente la señal pequeña del Gate para el transistor NMOS, se tiene que:
Figura 19. Voltaje en Gate para señal A/C para el NMOS

En la figura 19. Observamos que la señal pequeña que entra al Gate está en el orden de
magnitud de los milis, siendo un valor aproximadamente de 63mV, lo cual está bien, entonces
descartamos la primera etapa del amplificador como la que presenta el error en la simulación,
siendo así, la etapa del NMOS la que está presentando error en la simulación.
Si analizamos el circuito de la figura 20.

5. Figura 20. Ganancia Vd1/Vg1 sin


condensadores.

Obtenemos en la simulación algo esperanzador, como se ilustra en la figura 21.


6. Figura 21. Simulación de
ganancia Vd1/Vg1 sin
Analizando la figura 21. Se obtiene lo que se esperaba de la etapa, una ganancia
aproximadamente 23, en seguida analizaremos el comportamiento del circuito con los
condensadores acoplados y las resistencias correspondientes al diseño, ilustrado en la figura 22.

Figura 22. Circuito para Vd1/Vg1


con condensadores.

Y analizamos las ganancias de Vd1/Vg1 y la ganancia de Vg2/Vg1, obtenemos lo ilustrado en


la figura 23. Y la figura 24.
Figura 23. Simulación de ganancia Vd1/Vg1 con
condensadores.

Figura 24. Simulación de ganancia Vg2/Vg1 con condensadores.

Al analizar las imágenes, podemos darnos cuenta de que en la simulación está pasando algo
con los polos de los condensadores C4 y C5 respectivamente.
Después de analizar el comportamiento de cada componente en esta etapa, llegamos al error en
la simulación, resulta que el error en la simulación era la forma de ingresar el dato de R9 y
R10, ya que, al estar en el orden de megas, pensábamos que agregando la ‘M’ de mega era
suficiente, al realizar el cambio por ‘e6’ la simulación empezó a tener algo sentido, como se
muestra en la figura 25. Aunque los polos un poco descuadrados en comparación a los que
realmente deberían ser.
Figura 25. Simulación de ganancia Vg2/Vg1 y Vd1/Vg1

Y, por último, mostraremos en la figura 26. el bode de la ganancia total del sistema Vo/Vi con
la solución en la simulación, aunque claramente, escribir el valor con una ‘M’ o con ‘e6’ no
debe tener diferencia, ya que en la figura 14. Da claramente la polarización con una ‘M’ en los
valores de R9 y R10.

7. Figura 26. Simulación de ganancia Vo/Vi


De la figura 26. Podemos deducir que, por alguna razón, el ancho de banda del circuito está
corrido hacia la izquierda, pero dentro de este ancho de banda, las ganancias son las esperadas,
ya que el circuito fue medido en el laboratorio (siendo el circuito montado idéntico al circuito
de la figura 10.) podemos concluir que en la simulación algo está haciendo que los polos
presenten un corrimiento hacia la izquierda, pero los resultados eran los esperados, ya que en
términos de ganancia, dieron similares a los valores medidos en el laboratorio sobre el
amplificador.

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