LABORATORIO 1 ELECTRONICA II

EN DC

𝛽 = 100
120𝑘 ∗ 15𝑘
𝑅𝑡ℎ = = 13.33𝑘Ω
120𝑘 + 15𝑘
15𝑘Ω
𝑉𝑡ℎ = ∗ 22𝑣 = 2.44𝑣
120𝑘Ω + 15𝑘Ω

𝑉𝐵𝐸 = 0.7𝑉
2.44𝑣 − 0.7𝑣
𝐼𝐶 = = 1.21𝑚𝐴
13.33𝑘Ω
+ 1300Ω
100
1.21𝑚𝐴
𝐼𝐵 = = 0.0121𝑚𝐴
100
𝑉𝐶𝐸 = 22𝑣 − (2.7𝐾Ω + 1.3𝐾Ω) ∗ 1.21𝑚𝐴 = 17.16𝑣
𝐼𝐸 = 1.21𝑚𝐴 − 0.0121𝑚𝐴 = 1.19𝑚𝐴
𝑉𝐶𝐵 = 22𝑣 − 2.7𝑘Ω(1.19𝑚𝐴) − 13.33𝑘Ω(0.0121mA) − 2.44v = 16.2v
En AC
1.21𝑚𝐴
𝑔𝑚 = = 46.5𝑚𝑆
25𝑚𝑉
100
𝑅𝜋 = = 2.15𝐾
46.5𝑚𝑆
100
𝑧1 = = 12.15𝐾
46.5𝑚𝑆
𝑍𝑖𝑛 = 13.33𝐾//12.15𝐾 = 6.35𝐾
𝑧2 = 𝑟𝑜 = ∞
𝑧𝑜𝑢𝑡 = 2,7𝐾
 −46.5𝑚𝑆 ∗ 2.03𝐾
𝐴𝑣 = = −16.7𝑉
(1 + 46.5𝑚𝑆 ∗ 100)
6.35𝐾
𝐴𝑖 = −16.7 ∗ = −12.93𝐴
8.2𝐾
𝑅𝑎𝑐 = (2.7𝐾//8.2𝐾) + 100 = 2.13𝐾
𝑉𝑜𝑝1 = 1.21𝑚𝐴 ∗ 2.13𝐾 = 2.56
𝑉𝑜𝑝2 = 17.16𝑉 − 0.4𝑉 = 16.76𝑉
 5𝑚𝑣
𝐴𝑣 = = 125
0.04𝑚𝑣
0.59𝜇𝐴
𝐴𝑖 = = 14.75
0.04𝜇𝑎

Polarización del transistor

Ib Ic Ie Vce Vcb Vbe

TEORÍA 0.0121mA 1.21mA 1.19mA 17.16v 16.2v 0.7v
SIMULACIÓN 0.01mA 1.15mA 1.17mA 17.4v 16.6v 0.78v
PRACTICA 3mA 1.4mA 1.3mA 16.5 15.91 0.61
% ERROR TEORÍA VS 17.35% 4.9% 1.68% 1.39% 2.46% 11.42%
SIMULACIÓN
% ERROR TEORÍA VS 21% 5.21% 1.7% 1.37% 2.4% 10.25%
PRACTICA

Calculo del beta del transistor

𝛽
TEORÍA 100
SIMULACIÓN 100
PRACTICA 249
% ERROR TEORÍA VS 0%
SIMULACIÓN
% ERROR TEORÍA VS PRACTICA 59.8%

Máxima excursión de señal sin distorsión en la salida del amplificador

Vop
TEORÍA 16.76k
SIMULACIÓN
PRACTICA
% ERROR TEORÍA VS
SIMULACIÓN
% ERROR TEORÍA VS PRACTICA
Ganancia de voltaje y de corriente
GANANCIA VOLTAJE CORRIE
NTE
Av Ai
TEORÍA -16.7 -12.93
SIMULACIÓN 125 14.75
PRACTICA
% ERROR TEORÍA VS SIMULACIÓN 86.6% 12.3%
% ERROR TEORÍA VS PRACTICA
Impedancia de entrada
Zin
TEORÍA 6.35K
SIMULACIÓN
PRACTICA
% ERROR TEORÍA VS
SIMULACIÓN
% ERROR TEORÍA VS PRACTICA