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INGENIERÍA MECATRONICA
ELECTRONICA DIGITAL
PRACTICA NO.8
INTEGRANTES:
Descripción básica El transistor de unión bipolar (BJT) es un dispositivo electrónico de tres terminales,
construido mediante dos junturas de semiconductores tipo P y N. La relación entre Tensión y Corriente del
puerto de salida (colector-emisor) varía según la intensidad de corriente que circula por el puerto de entrada
(base-emisor). Hay dos clases de transistores BJT, los NPN y los PNP, el nombre se refiere al tipo de material
semiconductor utilizado en cada parte, Colector-Base-Emisor respectivamente.
Determinación de la región de operación
Lo primero que hay que analizar es la Ib. Si la tensión en la juntura Vbe no supera la mínima Vγ (en general del
orden de 0.7v), entonces Ib = 0, y el transistor estará en corte. Si ese no es el caso, se conjetura que está
trabajando en Zona lineal Ic = hFE. Ib, si luego del cálculo se encuentran resultados erróneos o inconsistentes
con los valores del circuito, sabremos que el transistor se encuentra en región de saturación. En este último caso
debemos realizar los cálculos manteniendo Vce=Vsat
REGIONES DEL TRANSISTOR
VCE IC IB VBC
SATURACION 0.01 V 1.01 mA 9.22 mA 9.96 V
CORTE 10 V .2 mA 1.2 mA 0V
REGION Q 4.99 V .51 mA .11 mA 5.01 V
REGION Q CON RESISTENCIA EN EMISOR
VCE IC IB VBC
SATURACION
CORTE
REGION Q
SATURACION
CORTE
REGION Q