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FACULTAD DE INGENIERIAS
Electrònica II
Secc.2343
Parcial: Primer.
Contenido
Resumen Ejecutivo..................................................................................................................... 3
Objetivos .................................................................................................................................... 3
Tabla_1 ................................................................................................................................. 10
Tabla_2 ................................................................................................................................. 10
Tabla_3 ................................................................................................................................. 10
Tabla_4 ................................................................................................................................. 11
Cuestionario ............................................................................................................................. 15
Conclusiones ............................................................................................................................ 15
Bibliografía .............................................................................................................................. 16
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Resumen Ejecutivo
comportamiento de los amplificadores a baja y alta frecuencia, para los cuales se utlizaron un
Ambos circuitos son prácticamente similares en su estructura, con pequeñas diferencias como
Objetivos
Marco Teòrico
sistema sin producir ruido o distorsiòn a su salida. Este se conoce como ancho de banda ( BW,
Band Width ) y establece las frecuencias para las cuales se produce el proceso de amplificaciòn.
Respuesta en Frecuencia
de baja frecuencia se caracteriza por una frecuencia de corte inferior fL, la regiòn de
producidos por los filtros de acoplo, como los efectos capacitivos del dispositivo activo. Para el
BJT se usar un modelo que describa los efectos de alta frecuencia. (Robert L. Boylestad, 2018,
pág. 545)
Resultados Teòricos
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Resultados Experimentales
Tabla_1
MEDICIONES
𝑨𝑽 20.946
𝑨𝑽 (𝒅𝑩) 26.422
Tabla_2
MEDICIONES NUEVAS
Tabla_3
MEDICIONES
𝑨𝑽 2.5694
𝑨𝑽 (𝒅𝑩) 8.1966
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Tabla_4
MEDICIONES NUEVAS
Capturas de Osciloscopio
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Cuestionario
1. ¿En los circuitos diseñados con JFET la frecuencia inferior de corte está determinada
4. ¿Qué sucede con las capacitancias internas del transistor en altas frecuencias?
No se toman como circuito abierto ya que sus reactancias se vuelven muy pequeñas lo cual
Conclusiones
Concluimos que para este caso, la ganancia del amplificador en baja frecuencia es
Establecimos las diferencias entre un amplificador que utiliza un transistor BJT y uno con un
FET.
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Bibliografía
Floyd, T. L. (2008). Dispositivos Electrònicos (octava ed.). Mèxico, Distrito Federal, Mèxico:
Pearson. doi:978-970-26-1193-6
analogicos/transparencias/tema-5: https://sites.google.com/a/goumh.umh.es/circuitos-
electronicos-analogicos/transparencias/tema-5
(Decimoprimera ed.). (B. G. Hernàndez, Ed.) Mèxico, Distrito Federal, Mèxico: Pearson.
doi:978-607-32-4395-7