Instituto Tecnológico De Chetumal

Electrónica Digital

Integrantes: Avilez Cetz Carlos Alejandro

Gómez Feliciano Francisco Manuel
Contreras Pacheco Luis Armando

Carrera: Ingeniería Eléctrica

Grupo: 5YU

Título: Reporte de practica de laboratorio

Profesor: Sonda Martinez Juan Ramon

Chetumal Quintana Roo a 28 de agosto del 2017

 Índice
I.- Información ............................................................................................................................................................3
II.- Desarrollo ..............................................................................................................................................................4
III.- Conclusión ............................................................................................................................................................7
IV.- Opiniones .............................................................................................................................................................8
Avilez Cetz Carlos Alejandro ...................................................................................................................................8
Gómez Feliciano Francisco Manuel ........................................................................................................................8
Contreras Pacheco Luis Armando ...........................................................................................................................8

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 I.- Información
En 1951 William Schockley invento el primer transistor de unión, un dispositivo semiconductor que
permite amplificar señales electrónicas tales como señales de radio y de televisión. El transistor ha
llevado a muchas otras invenciones basadas en semiconductores, incluyendo el circuito integrado (CI),
un pequeño dispositivo que contiene miles de transistores miniaturizados.
Transistor sin polarización
Un transistor tiene tres zonas de dopaje, como se muestra en la Figura 1-1. La zona inferior se denomina
emisor, la zona central es la base y la zona superior es el colector. El transistor de la Figura 1-1 es un
dispositivo npn porque hay una zona p entre dos zonas n.

Figura 1-1 Estructura de un transistor

En la Figura 1-1 el emisor está fuertemente dopado. Por otro lado, la base está ligeramente dopada. El
nivel de dopaje del colector es intermedio, entre los dos anteriores. Físicamente el colector es la zona
más grande de las tres.
Diodos de emisor y de colector. - El transistor de la Figura 1-1 tiene dos uniones: una entre el emisor y
la base y otra entre la base y el colector. Por tanto, un transistor es similar a dos diodos contrapuestos.
El diodo inferior se denomina el diodo emisor-base, o simplemente el diodo emisor. El diodo superior se
denomina diodo colector-base, o diodo colector.
Antes y después de la difusión. - La Figura 1-1 muestra las zonas del transistor antes de que ocurra la
difusión. Como se vio en el Capítulo 2, los electrones libres de la zona n se difunden a través de la unión

Figura 1-2 Zonas de deplexión

y se recombinan con los huecos del lado p. Imagínese los electrones libres de cada zona n atravesando
la unión y recombinándose con los huecos. El resultado son las dos zonas de deplexión, mostradas en la
Figura 1-2. En cada una de estas zonas la barrera de potencial es aproximadamente de 0,7 V a 25 °C para
un transistor de silicio (y 0,3 V a 25 °C para un transistor de germanio).

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Transistor polarizado
Electrones del emisor. - En la Figura 1-3 se muestra un transistor polarizado. Los signos menos
representan electrones libres. El emisor está fuertemente dopado; su función consiste en emitir o
inyectar electrones libres a la base. La base ligeramente dopada también tiene un propósito bien
definido: dejar pasar hacia el colector la mayor parte de los electrones inyectados por el emisor. El
colector se llama así porque colecta o recoge la mayoría de los electrones provenientes de la base. La
Figura 1-3 es la forma más habitual de polarizar un transistor. La fuente de la izquierda V BB en la Figura
1-3 polariza directamente el diodo emisor, mientras que la fuente de la derecha V CC polariza
inversamente el diodo de colector. Aunque son posibles otros métodos de polarización, polarizar en
directa el diodo emisor y en inversa el diodo colector produce los resultados más útiles.

Figura 1-3 Transistor polarizado

Electrones de base. - En el instante en que la polarización directa se aplica al diodo emisor de la Figura
1-3, los electrones del emisor todavía no han entrado en la zona de la base. Si VBB es mayor que la barrera
de potencial emisor-base de la Figura 1-3, circulara una elevada corriente de electrones del emisor hacia
la base, como se ve en la Figura 1-4. Técnicamente estos electrones libres pueden circular en cualquiera
de las dos direcciones siguientes: por una parte, pueden circular hacia la izquierda saliendo de la base,
pasando a través de RB en su camino hacia el terminal positivo de la fuente. Por otra parte, los electrones
libres pueden circular hacia el colector. ¿Cuál es la trayectoria que siguen la mayor parte de los electrones
libres? La mayoría de ellos seguirán el camino hacia el colector por dos razones; la primera es el débil
dopaje de la base. Por esta causa, los electrones libres tienen una larga vida en la zona de la base; por
tanto, tienen tiempo suficiente para llegar al colector. La segunda razón es que la base es muy estrecha,
lo cual también permite a los electrones llegar con mayor facilidad al colector. Por estas dos razones,
casi todos los electrones inyectados por el emisor pasan a través de la base al colector.

Figura 1-4 El emisor inyecta

electrones libres en la base.

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 Figura 1-5 Los electrones libres
de la base circulan hacia el
colector.

Electrones del colector. - En la Figura 1-5, VBB polariza directamente el diodo emisor, obligando a los
electrones libres del emisor a entrar en la base. La estrecha y apenas dopada base hace que casi todos
ellos tengan el tiempo suficiente para difundirse en el colector. Estos electrones circulan a través del
colector, a través de RC y hacia el terminal positivo de la fuente de tensión VCC.
Corrientes de un transistor
Como el emisor es la fuente de electrones su corriente es la mayor de las tres. Casi todos los electrones
del emisor circulan hacia el colector; por tanto, la corriente de colector es aproximadamente igual a la
corriente de emisor. La corriente de base es muy pequeña comparativamente, a menudo menor que el
1 por 100 de la corriente del colector.
Relación de corrientes. – Recuérdese la ley de las corrientes de Kirchhoff. Establece que la suma de
todas las corrientes que entran a un nodo o unión es igual a la suma de todas las corrientes que salen
de ese nodo o unión. Al aplicarse a un transistor, la ley de Kirchhoff proporciona esta importante
relación entre las tres corrientes del transistor:
𝑰𝑬 = 𝑰𝑪 + 𝑰𝑩
Esta ecuación indica que la comente de emisor es la suma de la corriente de colector y la corriente de
base. Teniendo en cuenta que la corriente de base es mucho menor que la corriente de colector es
habitual hacer la siguiente aproximación: la corriente de colector es igual a la corriente de emisor: 𝐼𝐶 ≈
𝐼𝐸
Y la corriente de base es mucho más pequeña que la comente de colector: 𝐼𝐵 ≪ 𝐼𝐶
Alfa. - La alfa de continua (simbolizada αcd) se define como la corriente continua de colector dividida por
la corriente continua de emisor.
𝐼𝐶
∝𝑐𝑑 =
𝐼𝐸
Como la corriente de colector es casi igual que la corriente de emisor, αcd, es ligeramente menor que 1.
Beta. - La beta dc (simbolizada βcd) de un transistor se define como la relación entre la corriente continua
del colector y la corriente continua de la base:
𝐼𝐶
𝛽𝑐𝑑 =
𝐼𝐵

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 II.- Desarrollo
Para recordar el uso del software Multisim se nos proporcionó por el docente que buscáramos un circuito
que contenga transistores y expliquemos su funcionamiento.
Procedimos a buscar el circuito proporcionada el cual es el siguiente:

Funcionamiento: Los dos transistores trabajan en conmutación. Esto quiere decir; que cuando uno
conduce, se le aplica voltaje a la base se encuentra en su región de saturación mientras que el otro se
encuentra en su región de corte.
Cuando conectamos la alimentación supongamos que D1 se enciende mientras que D2 se encuentra
apagado, no obstante, por D2 circula una pequeña corriente (no mayor de 0.7 V) que pasa por R4 y
atraviesa a C1 y esta llega a la base de Q1, Por lo que, D1 sigue encendido y C1 cargándose.
Cuando C1 se encuentra cargado este impide el paso de la corriente, bloquea a Q1 y D1 se apaga, Ahora
circula una pequeña corriente a través de D1 y R1 hasta la base de Q2 por lo que este conducirá, por lo
que, se encenderá D2 y se comenzará cargar C2. Mientras C2 se carga C1 se descarga a través de R3.

Circuito echo en Multisim,

pero con valores diferentes
de los capacitores C1 y C2

Se observo que, al cambiar los valores de los capacitores, la frecuencia de los leds cambia y se alternan
con una velocidad aún mayor. Esto debido a que se carga es aún más rápido por lo tanto su descarga lo
será de igual manera.

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 III.- Conclusión
Podemos dar por concluido es de un uso imaginable los transistores para la electrónica, gracias a ello
contamos con muchos aparatos electrónicos que usamos hoy en día, el transistor revoluciono los
circuitos en la electrónica por ser más pequeños, más eficientes, crean menos calor(disipación) por eso
la industria ha crecido tecnológicamente.
Actualmente se encuentra prácticamente en todos los aparatos electrónicos de uso diario tales como
radios, televisiones, reproductores de audio y video, computadoras, teléfonos celulares, etc.
La ganancia de corriente es una gran ventaja de un transistor y ha llevado a todo tipo de aplicaciones.
Para transistores de baja potencia (por debajo de 1 W), la ganancia de corriente es típicamente de 100
a 300. Los transistores de alta potencia (por encima de 1 W) normalmente tienen ganancias de corriente
entre 20 y 100.

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 IV.- Opiniones
Avilez Cetz Carlos Alejandro: Mi porcentaje del uso del software Multisim es de un 90%. El manejo de
buscar los componentes se me hace fácil, el colocarlos en el plano de trabajo igual, en general simulación
y construcción de circuitos se me da bien en mi caso. Para buscar los componentes a veces si se medió
lleva tiempo en mi caso, aunque no mucho, solo cuando son componentes que no hemos visto.
Gracias al curso pasado que manejamos Multisim una gran cantidad de veces. Siento que no se me
dificulta tanto la verdad, solo sería el caso de interpretas los circuitos o diagramas y poder representarlos
en el software.
Gómez Feliciano Francisco Manuel: Si conozco el software Multisim, en el cual puede realizar mis
circuitos electrónicos y como funciona el programa. En cuanto al uso de Multisim es de un 70%, se me
dificulta buscar los componentes de los circuitos lo cual hace que realice los trabajos de manera muy
lenta.
Contreras Pacheco Luis: Para utilizar Multisim y poder armas los circuitos no se mi dificulta, mayormente
en lo que se dificulta es en poder encontrar los componentes del circuito y a veces saber como identificar
cual debe ser el correcto.
Cuando hago los circuitos no me han salido mal, pero en verdad no sé si realmente los componentes que
estoy utilizando son los correctos, me ha pasado con compañeros que utilizan diferentes componentes
y el circuito aun funciona. Pero al igual hay veces que veo que Multisim por veces falla y no corre bien
los circuitos teniendo el mismo circuito al igual que otros compañeros.
El programa de Multisim es muy práctico porque puedes buscar los componentes por su nombre y así se
te hace más fácil poder armar tu circuito