En 1727 Stephen Gray descubri� la diferencia entre conductores y aislantes.

Despu�s, el 1821, Georg Simon Ohm publica las leyes que llevan su nombre y que
describen la proporcionalidad entre el corriente y el voltaje a un conductor y
tambi�n es posible determinar la conductividad el�ctrica de cualquier objeto.

Semiconductores intr�nsecos
Son los cristales de silicio o germanio que forma una estructura tetra�drica
similar a la del carbono mediante enlaces covalentes entre sus �tomos, en la figura
representados en el plano por simplicidad.

Cuando el cristal se encuentra a temperatura ambiente algunos electrones pueden

absorber la energ�a necesaria para saltar a la banda de conducci�n dejando el
correspondiente hueco en la banda de valencia.3? Las energ�as requeridas, a
temperatura ambiente, son de 1,12 eV y 0,67 eV para el silicio y el germanio
respectivamente.

El proceso inverso tambi�n se produce, de modo que los electrones pueden caer desde
el estado energ�tico correspondiente en la banda de conducci�n a un hueco en la
banda de valencia, liberando as� energ�a. Este fen�meno se conoce como
"recombinaci�n". A una determinada temperatura, las velocidades de creaci�n de
pares e-h, y de recombinaci�n se igualan, de modo que la concentraci�n global de
electrones y huecos permanece constante. Sea "n" la concentraci�n de electrones
(cargas negativas) y "p" la concentraci�n de huecos (cargas positivas), se cumple
entonces que:3?
ni = n = p
donde ni es la concentraci�n intr�n cuesti�n. La densidad o concentraci�n
intr�nseca de portadores es muy baja. 3?

Ejemplos de valores de ni a temperatura ambiente (27 �C):

Los electrones y los huecos reciben el nombre de portadores. En los

semiconductores, ambos tipos de portadores contribuyen al paso de la corriente
el�ctrica. Si se somete el cristal a una diferencia de potencial se producen dos
corrientes el�ctricas. Por un lado la debida al movimiento de los electrones libres
de la banda de conducci�n, y por otro, la debida al desplazamiento de los
electrones en la banda de valencia, que tender�n a saltar a los huecos pr�ximos ,
originando una corriente de huecos con 4 capas ideales y en la direcci�n contraria
al campo el�ctrico cuya velocidad y magnitud es muy inferior a la de la banda de
conducci�n.

Semiconductores extr�nsecos
Si a un semiconductor intr�nseco, como el anterior, se le a�ade un peque�o
porcentaje de impurezas, es decir, elementos trivalentes o pentavalentes, el
semiconductor se denomina extr�nseco, y se dice que est� dopado. Las impurezas
deber�n formar parte de la estructura cristalina sustituyendo al correspondiente
�tomo de silicio.3?

Semiconductor tipo N
la posici�n del hueco se ve "expuesto" y en breve se ve equilibrado como una
cierta carga positiva. Cuando un n�mero suficiente de aceptores son a�adidos, los
huecos superan ampliamente la excitaci�n t�rmica de los electrones. As�, los huecos
son los portadores mayoritarios, mientras que los electrones son los portadores
minoritarios en los materiales tipo P. Los diamantes azules (tipo IIb), que
contienen impurezas de boro (B), son un ejemplo de un semiconductor tipo P que se
produce de manera natural.