Terminología

Dentro la gama de los circuitos integrados digitales tanto

la nomenclatura y terminología esta prácticamente
estandarizada

Parámetros de corriente y voltaje

VIH(min) (Voltaje de entrada de nivel alto)
VIL(max) (Voltaje de entrada de nivel bajo)
VOH(min) (Voltaje de salida de nivel alto)
VOL(min) (Voltaje de salida de nivel bajo)
IIH (Corriente de entrada de nivel alto)
 Terminología
IIL (Corriente de entrada de nivel bajo)
IOH (Corriente de salida de nivel alto)
IOH (Corriente de salida de nivel alto)
IOL (Corriente de salida de nivel bajo)
Terminología
Terminología
 Terminología
Factor de carga de salida (Fan-out): número máximo de
entradas lógicas estándar que una salida puede manejar
confiablemente.
Retardos en la propagación .- Es el tiempo que tarda el
dispositivo en devolver un valor en salida cuando se aplica
un cambio en la entrada, se define en función de los
tiempos de retardos
 Terminología
Requerimientos de potencia.

Potencia = ICC × VCC

ICC(prom) = ICCH + ICCL

2

PD(prom) = ICC(prom) × VCC

 Terminología
Producto velocidad potencia.
Retardo de propagación × Potencia que disipa
Ejemplo: 10 nseg × 5mW = 50 pj
Inmunidad al ruido: capacidad del circuito para tolerar
voltajes ruidosos en sus entradas. A una medida
cuantitativa de inmunidad al ruido se le denomina margen
de ruido.
 Terminología
Inmunidad al ruido
 Terminología
Margen de ruido AC
Los márgenes de ruido AC son, por lo general,
sustancialmente mayores que sus márgenes de ruido DC.
Lógica de suministro de corriente y de consumo de
corriente.
 Terminología
Complejidad de los CI
Integración a pequeña escala - SSI: < 12 compuertas.

Integración a mediana escala - MSI: 12 – 99

compuertas.

Integración a gran escala – LSI: 100 – 9.999

compuertas.

Integración a muy grande escala - VLSI: 10.000 -

99999

Integración a ultra grande escala - ULSI: 100.000 o

más.
 Terminología
Encapasulados de los CI

DIP

Encapsulado plano Montaje de

de cerámica superficie
La familia lógica TTL

Configuración
tipo Tótem
 La familia lógica TTL
Operación del circuito Estado Bajo
 La familia lógica TTL
Operación del circuito Estado Alto
 La familia lógica TTL
Acción de consumo de corriente
 La familia lógica TTL
Acción de suministro de corriente
 La familia lógica TTL
Salida tipo Tótem
Conserva baja la disipación de potencia.
Menores tiempos de conmutación.
Transitorios de corriente que pueden causar daños a
los CI.
 Serie TTL estándar
Serie 54/74
Rangos de voltaje de alimentación
Serie 74: 4.75 a 5.25 V
Serie 54: 4.5 a 5.5 V
Rangos de temperatura
Serie 74: 0º a 70ºC
Serie 54: -55º a 125ºC
 Serie TTL estándar
Niveles de voltaje
Mínimo Típico Máximo
VOL 0.1 0.4
VOH 2.4 3.4
VIL 0.8
VIH 2.0

Voltajes nominales máximos

Serie 74: < 5.5 V
> - 0.5 V
Serie TTL estándar
 Serie TTL estándar
Disipación de potencia Serie 74 – compuerta NAND
10 mW
Potencia = ICC × VCC
ICCH = 4 mA; ICCL = 12 mA; ICCprom = 8mA
Potencia = 8mA × 5 V = 40 mW (potencia para 4
compuertas)
Potencia = 10 mW (potencia para 1 compuerta)

Retardos de propagación Serie 74 – compuerta NAND:

tPLH = 11 nseg.
tPHL = 7 nseg.
 Serie TTL estándar
Factor de carga de salida
1 salida TTL estándar puede conectarse por lo general
a 10 entradas TTL.

Características de la serie 74 estándar

Márgenes de ruido (en VNL = VNH = 400 mV
el peor de los casos)
Disipación de potencia PD = 10 mW
promedio
Retardo de 9 nseg
propagación
Factor de carga típico 10
 Otras series TTL
Serie 74L, TTL de bajo consumo de potencia
 Otras series TTL
Serie 74L, TTL de bajo consumo de potencia
Bajo consumo de potencia.
Todos los valores de resistencia se incrementan para
reducir los requerimientos de potencia, pero a expensas
de retardos más largos en la propagación.
Ejemplo: compuerta NAND
potencia promedio: 1mW. retardo promedio: 33 nseg.
Es ideal para aplicaciones en que la disipación de la
potencia es más crítica que la velocidad.
Se ha vuelto obsoleta como consecuencia del
desarrollo de las series 74LS, 74ALS y CMOS.
 Otras series TTL
Serie 74H, TTL de alta velocidad
 Otras series TTL
Serie 74H, TTL de alta velocidad
Alta velocidad.
Se emplean menores valores de resistencia para
aumentar la velocidad, pero a expensas de una mayor
disipación de potencia.
Se reemplaza Q3 por un par Darlington para lograr una
velocidad de conmutación mucho mayor.
Ejemplo: compuerta NAND
potencia promedio: 23 mW. retardo promedio: 6 nseg.
Se ha vuelta obsoleta como consecuencia de la serie
TTL Schottky.
 Otras series TTL
Serie 74S, TTL Schottky

A diferencia de las series 74, 74H y 74L, la serie 74S no

permite que el transistor entre demasiado en saturación.
 Otras series TTL
Serie 74S, TTL Schottky
 Otras series TTL
Serie 74S, TTL Schottky
Alta velocidad.
Se emplean menores valores de resistencia para
aumentar la velocidad, pero a expensas de una mayor
disipación de potencia.
Se reemplaza Q3 por un par Darlington para lograr una
velocidad de conmutación mucho mayor.
Ejemplo: compuerta NAND
potencia promedio: 20 mW. retardo promedio: 3 nseg.
 Otras series TTL
Serie 74LS, TTL Schottky de bajo consumo de
potencia
Utiliza valores más grandes de resistencia para reducir
los requerimientos de consumo de potencia pero a
expensas de un aumento en los tiempos de propagación.
Ejemplo: compuerta NAND
potencia promedio: 2 mW. retardo promedio: 9.5 nseg.
Ha sustituido gradualmente a la serie 74 en aquellas
aplicaciones donde se requiere de una operación
relativamente a alta velocidad con un mínimo de
consumo de potencia.
Está siendo sustituida poco a poco por la serie 74ALS.
 Otras series TTL
Serie 74LS, TTL Schottky de bajo consumo de
potencia
 Otras series TTL
Serie 74AS, TTL Schottky avanzada
Mejora considerable en velocidad sobre las series 74S
con un consumo de potencia mucho menor.
74S 74AS

Retardo de 3 nseg 1.7 nseg

propagación
Disipación de 20 mW 8 mW
potencia
Producto 60 pJ 13.6 pJ
velocidad-
potencia
 Otras series TTL
Serie 74ALS, TTL Schottky avanzada de bajo
consumo de potencia
Mejora considerable en velocidad sobre las series
74LS con un consumo de potencia mucho menor.
74LS 74ALS
Retardo de 9.5 nseg 4 nseg
propagación
Disipación 2 mW 1.2 mW
de potencia
Producto 19 pJ 4.8 pJ
velocidad-
potencia
 Ejemplo
Calcular los márgenes de ruido para un CI 74LS

VOH = 2.7
VIH = 2

VIL = 0.8
VOL = 0.5

VNH = 0.7 V
VNL = 0.3 V
Factor de carga
Factor de carga
Factor de carga
 Factor de carga
Ejemplo: ¿cuántas compuertas NAND 74ALS20 pueden
conectarse a la salida de otra compuerta NAND 74ALS20?
IOH (max) = 0.4 mA. = 400 uA.
IOL (max) = 8 mA.
IIH (max) = 20 uA.
IIL (max) = 0.1 mA.

Factor de carga de salida en alto: 400uA/20uA = 20

Factor de carga de salida en bajo: 8mA/0.1mA = 80

Factor de carga = 20
 Factor de carga
Unidades de Carga

40 uA en el estado ALTO
1 unidad de carga
(UL)
1.6 mA en el estado BAJO

Ejemplo: un CI tiene un factor de carga de 10 UL para

ambos estados.
IOH (max) = 10 * 40 uA = 400 uA.
IOL (max) = 10 * 1.6 mA = 16 mA.
 Factor de carga
Ejemplo: la salida de un inversor 74S04 es la que
proporciona la señal de reloj para un registro paralelo
implantado con flip-flops 74S112. ¿Cuál es el número
máximo de FF que se pueden manejar con esta señal de
reloj?
25 UL en el estado ALTO
74S04
12.5 UL en el estado BAJO

74S112: 2.5 UL en ambos estados

Número de cargas: 12.5 UL/2.5UL = 5

 Otras características TTL
Entradas no conectadas (flotantes): actúan como un 1
lógico.
 Otras características TTL
Entradas no utilizadas.
 Otras características TTL
Entradas interconectadas.
 Otras características TTL
Entradas interconectadas.
 Otras características TTL
Ejemplo: determine el número de UL que conduce la
salida X de la siguiente figura. Suponga que cada entrada
de la compuerta se clasifica en 1 UL en cada estado.

Estado alto: 6 UL
Estado bajo: 5 UL
 Otras características TTL
Propensión de las entradas TTL a bajo

Rmax = 0.8 V/1.6mA = 500 Ω

Transitorios de corriente
Salidas TTL colector abierto
Salidas TTL colector abierto
Salidas TTL colector abierto
Salidas TTL colector abierto
Salidas TTL colector abierto
 Salidas TTL colector abierto
Ejemplo: determine el valor de RP. IOLmax = 16 mA

Rpmin = 5V – 0.4V
16mA – 6.4mA

Rpmin = 480 Ω

UL= 40uA en ALTO

UL= 1.6 mA en BAJO
Buffer/manejador de colector
abierto
Buffer/manejador de colector
abierto
Buffer/manejador de colector
abierto
TTL de tres estados
Buffers de tres estados
Buffers de tres estados
CI de tres estados
 La familia ECL
Lógica acoplada en emisor – ECL (Emitter Coupled
Logic).

Familia lógica bipolar que evita la saturación de los

transistores, con lo que se incrementa la velocidad total de
conmutación.

0 lógico: -1.7 V
1 lógico: -0.8 V
La familia ECL
 La familia ECL
Velocidad de conmutación muy alta (más rápida que la
serie TTL Schottky – serie 74AS).
0 lógico: -1.7 V
1 lógico: -0.8 V
Márgenes de ruido en el peor de los casos: 250 mV.
Factor de carga: 25

Disipación de potencia de una compuerta básica: 40 mW.

No se producen transitorios de corriente.

 La familia MOS
Metal Oxido Semiconductor.
Los transistores de la tecnología MOS son transistores
de efecto de campo denominados MOSFET.
Los MOSFET tienen las siguientes ventajas:
relativamente simples, poco costosos de fabricar,
pequeños, y consumen poca energía.
Los MOSFET tienen la siguiente desventaja: son más
lentos.
 El MOSFET
Existen dos tipos: agotamiento y el de incremento. Los CI
digitales MOS utilizan exclusivamente MOSFET de
incremento.
MOSFET pueden ser de canal N o canal P.
El MOSFET
 Circuitos digitales MOSFET
Los circuitos digitales que emplean MOSFET se dividen
en tres categorías:

P-MOS: utiliza solo MOSFET de incremento de canal P.

N-MOS: utiliza solo MOSFET de incremento de canal

N.
C-MOS: utiliza solo MOSFET de incremento de canal P
y N.
 Circuitos digitales MOSFET
Inversor N-MOS
 Circuitos digitales MOSFET
Compuerta NAND N-MOS
 Circuitos digitales MOSFET
Compuerta NOR N-MOS
 Características de los circuitos
lógicos MOS
Velocidad de operación: son más lentos, tienen un
retardo de propagación de 50 nseg.
Margen de ruido: 1.5 V para VDD = 5V.
Factor de carga: 50.
Consumo de potencia:
VENT = 0V: RENC(Q1) = 100 KΩ; RAPAG(Q2) = 10¹º Ω
IDD ~ 0.05nA
PD = 5V ×0.05nA = 0.25nW
VENT = 5V: RENC(Q1) = 100 KΩ; RENC(Q2) = 1KΩ
IDD ~ 50 μA
PD = 5V ×50 μA = 0.25mW
 Características de los circuitos
lógicos MOS
Complejidad del proceso: simple, solo utiliza transistores
N-MOS o P-MOS.
Sensibilidad estática: más suceptibles a daño por carga
electrostática.
 Circuitos lógicos MOS
complementarios - CMOS
Utilizan los MOSFET de canales P y N en el mismo
circuito.
CMOS es más rápida y consume aún menos potencia
que las otras familias MOS, pero tienen un proceso de
fabricación más complicado y una menor densidad de
integración.
El proceso de fabricación de CMOS es más simple que el
de TTL, y tiene una mayor densidad de integración y un
menor consumo de potencia. Sin embargo la familia CMOS
tiene una menor velocidad que la familia TTL.
Circuitos lógicos MOS
complementarios
 Circuitos lógicos MOS
complementarios
Inversores CMOS
 Circuitos lógicos MOS
complementarios
Compuerta NAND CMOS
 Circuitos lógicos MOS
complementarios
Compuerta NOR CMOS
 Características de las series
CMOS
Series 4000/14000
Serie 4000 introducida por RCA, la 14000 por Motorola.
La serie 4000B es una mejora de la serie 4000A: tiene
mayor capacidad de corriente en sus salidas.
Las series 4000 siguen teniendo uso. Tienen mayor
tiempo en el mercado y disponen de muchas funciones.
 Características de las series
CMOS
Series 74C
Es compatible terminal por terminal, y función por
función, con los dispositivos TTL que tienen el mismo
número.
Muchas de las funciones TTL, aunque no todas,
también se encuentran en esta serie CMOS.
Las características de funcionamiento de la serie 74C
son casi las mismas que la serie 4000.
 Características de las series
CMOS
Series 74HC (CMOS de alta velocidad)
Es una versión mejorada de la serie 74C: aumenta en
diez veces la velocidad de conmutación y tiene una
mayor capacidad de corriente en las salidas.
La velocidad es comparable con la serie 74LS de TTL.
 Características de las series
CMOS
Series 74HCT
Es una serie de alta velocidad.
La principal diferencia entre esta serie y la 74HC, es
que está diseñada para ser compatible en lo que
respecta a voltajes con los dispositivos TTL.
 Características de operación
CMOS
Voltaje de alimentación:
Series 4000 y 74C: 3 – 15 V.
Series 74HC y 74HCT: 2 – 6 V.
Niveles de voltaje:
Bajo: ~ 0 V.
Alto: ~ VDD.

VOL (máx.) = 0V
VOH (min.) = VDD
VIL (máx.) = 30% VDD
VIH (min.) = 70% VDD
 Características de operación
CMOS
Márgenes de ruido

VNH = VOH(min) – VIH(min) = VDD - 70%VDD = 30% VDD

VNL = VIL(max) – VOL(max) = 30%VDD - 0= 30% VDD
VOL (máx.) = 0V
VOH (min.) = VDD
VIL (máx.) = 30% VDD
VIH (min.) = 70% VDD

Disipación de potencia
2.5 nW por compuerta, cuando VDD = 5 V
10 nW por compuerta cuando VDD = 10 V
 Características de operación
CMOS
PD aumenta con la frecuencia
PD = 10nW, en DC.
PD = 0.1 mW, en 100KHz
PD = 1 mW, en 1MHz.
 Características de operación
CMOS
Factor de carga
50 (< 1 MHz).
 Características de operación
CMOS
Velocidad de conmutación
Serie 4000: tpd = 50 nseg con VDD = 5V.
Serie 4000: tpd = 25 nseg con VDD = 10V.
Serie 74HC o 74HCT: tpd = 8 nseg con VDD = 5V.

Entradas que no se utilizan: las entradas CMOS nunca

deben dejarse desconectadas.
Susceptibilidad a la carga estática: debido a la alta
resistencia de entrada.
Salidas CMOS de tres estados
y de drenaje abierto
VOL (máx.) = 0V
VOH (min.) = VDD
VIL (máx.) = 30% VDD
VIH (min.) = 70% VDD
Salidas CMOS de tres estados
y de drenaje abierto
Salidas CMOS de tres estados
y de drenaje abierto
Salidas de drenaje abierto
Salidas CMOS de tres estados
y de drenaje abierto
Salidas de tres estados
 Interconexión de CI
CMOS TTL

Parámetro 4000B 74HC 74HCT 74 74LS 74AS 74ALS

VIH(min) 3.5 V 3.5 V 2.0 V 2.0 V 2.0 V 2.0 V 2.0 V

VIL(max) 1.5 V 1.0 V 0.8 V 0.8 V 0.8 V 0.8 V 0.8 V

VOH(min) 4.95 V 4.9 V 4.9 V 2.4 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V

VOL(max) 0.05 V 0.1 V 0.1 V 0.4 V 0.5 V 0.5 V 0.4 V

IIH(max) 1 uA 1 uA 1 uA 40 uA 20 uA 200 uA 20 uA

IIL(max) 1 uA 1 uA 1 uA 1.6 mA 0.4 mA 2 mA 100 uA

IOH(max) 0.4 mA 4 mA 4 mA 0.4 mA 0.4 mA 2 mA 400 uA

IOL(max) 0.4 mA 4 mA 4 mA 16 mA 8 mA 20 mA 8 mA
Manejo de CMOS por TTL
 Manejo de CMOS por TTL
Manejo de la serie 74HCT por TTL
Esta diseñada para que pueda ser manejada
directamente por salidas TTL.
Manejo de CMOS de alto voltaje por TTL
 Manejo de TTL por CMOS
Ejemplo: ¿Cuántas entradas 74LS pueden ser
manejadas por una salida 74HC?
CMOS TTL

Parámetro 4000B 74HC 74HCT 74 74LS 74AS 74ALS

VIH(min) 3.5 V 3.5 V 2.0 V 2.0 V 2.0 V 2.0 V 2.0 V

VIL(max) 1.5 V 1.0 V 0.8 V 0.8 V 0.8 V 0.8 V 0.8 V

VOH(min) 4.95 V 4.9 V 4.9 V 2.4 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V

VOL(max) 0.05 V 0.1 V 0.1 V 0.4 V 0.5 V 0.5 V 0.4 V

IIH(max) 1 uA 1 uA 1 uA 40 uA 20 uA 200 uA 20 uA

IIL(max) 1 uA 1 uA 1 uA 1.6 mA 0.4 mA 2 mA 100 uA

IOH(max) 0.4 mA 4 mA 4 mA 0.4 mA 0.4 mA 2 mA 400 uA

IOL(max) 0.4 mA 4 mA 4 mA 16 mA 8 mA 20 mA 8 mA

4/0.4= 10
 Manejo de TTL por CMOS
Ejemplo: ¿Cuántas entradas 74ALS pueden conectarse
a la salida de un dispositivo de la serie 74HC?
CMOS TTL

Parámetro 4000B 74HC 74HCT 74 74LS 74AS 74ALS

VIH(min) 3.5 V 3.5 V 2.0 V 2.0 V 2.0 V 2.0 V 2.0 V

VIL(max) 1.5 V 1.0 V 0.8 V 0.8 V 0.8 V 0.8 V 0.8 V

VOH(min) 4.95 V 4.9 V 4.9 V 2.4 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V

VOL(max) 0.05 V 0.1 V 0.1 V 0.4 V 0.5 V 0.5 V 0.4 V

IIH(max) 1 uA 1 uA 1 uA 40 uA 20 uA 200 uA 20 uA

IIL(max) 1 uA 1 uA 1 uA 1.6 mA 0.4 mA 2 mA 100 uA

IOH(max) 0.4 mA 4 mA 4 mA 0.4 mA 0.4 mA 2 mA 400 uA

IOL(max) 0.4 mA 4 mA 4 mA 16 mA 8 mA 20 mA 8 mA

4mA/100uA= 40
 Manejo de TTL por CMOS
Ejemplo: ¿Qué está mal en este circuito?
 Manejo de TTL por CMOS
Buffers para interconectar CMOS de baja corriente con
entradas 74LS
 Manejo de TTL por CMOS
Modificador del nivel de voltaje