CURSO DE CIRCUITOS ELECTRÃ - NICOS UCAB Parte 1 PDF

UNIVERSIDAD CATÓLICA ANDRÉS BELLO
VICE-RECTORADO PUERTO ORDAZ

FACULTAD DE INGENIERÍA
ESCUELA DE INGENIERÍA INFORMÁTICA
CIRCUITOS ELECTRÓNICOS
Realizado por Ing. Juan J. Hernández MSc.

TÉCNICAS DE ANÁLISIS DE
CIRCUITOS

Fuentes de Corriente y de Voltaje.

Fuente Ideal.
Fuentes teóricamente perfecta o sin ninguna pérdida interna sensible a la demanda
de la carga aplicada.
Fuente de Voltaje y Corriente Ideal.
En la Figura 1 se presentan las características ideales de una fuente de voltaje y de
corriente de cd.
Figura 1. Comparación de
las características de una
fuente de voltaje y de
corriente ideales.
En la fuente de voltaje, el voltaje está fijo en E volts independiente de la dirección de

la corriente I.
La dirección y magnitud de I se determinarán mediante la red a la cual está
conectada la fuente.


Para todas las redes con una fuente de voltaje, la corriente tendrá la dirección
indicada a la derecha de la batería en la Figura 1(a).
Para todas las redes con una sola fuente de corriente, el voltaje tendrá la polaridad
indicada a la derecha de la fuente de corriente en la Figura 1(b).
Figura 1. Comparación de
las características de una
fuente de voltaje y de
corriente ideales.
En resumen:
Una fuente de corriente determina la corriente en la rama en la cual se localiza.
La magnitud y la polaridad del voltaje que pasa por una fuente de corriente son una
función de la red a la cual se aplica.


Ejemplo 1:
Encuentre el voltaje de la fuente Vs para la corriente I1 del circuito de la Figura 2.
Figura 2.
Solución:


Ejemplo 2:
Determine la corriente I1 y el voltaje Vs para la red de la Figura 3.
Figura 3.
Solución:
Usando la regla del divisor de corriente


Solución:
Figura 3.
El voltaje V1 es:
Y aplicando la Ley de Voltajes de Kirchoff:


Ejemplo 3:
Calcule el voltaje Vs y las corrientes I1 e I2 para la red de la Figura 4.
Figura 4.
Solución:
Aplicando Ley de Corrientes de Kirchoff:

Conversión de Fuentes.
Todas las fuentes, ya sean de voltaje o de corriente, tiene ciertas resistencias
internas en las posiciones relativas que se observan a continuación:
Figura 5. Fuente práctica Figura 6. Fuente práctica de

de Voltaje. Corriente.
Para la fuente de Voltaje, si Rs = 0 Ω, estamos en el caso de una fuente de Voltaje

Ideal.
Para la fuente de Corriente, si Rs = ∞ Ω, tenemos una fuente de Corriente Ideal.
Aplicando la Ley de Ohm (en este caso E=IRs), se puede llegar a realizar una
coversión de fuentes de la siguiente manera:
Figura 7. Conversión de Fuentes.

Ejemplo 4:
En el circuito de la Figura 8, realizar lo siguiente:
a) Convierta la fuente de voltaje en una fuente de corriente y calcule la corriente
que pasa por la carga de 4 Ω para cada fuente.
b) Sustituya la carga de 4 Ω con una carga de 1 KΩ y calcule la corriente IL para la
fuente de voltaje.
c) Repita el cálculo de la parte b) suponiendo que la fuente de voltaje es ideal
(Rs=0Ω), debido a que RL es mucho más grande que Rs.
Figura 8.

Solución:
a)
De la Figura 8 (a) tenemos:
De la Figura 8 (b) tenemos:
Figura 8.

Solución:
b)
c)
Si, RL >> Rs, se puede considerar la fuente

de voltaje como ideal.
Figura 8.

Ejemplo 5:
En el circuito de la Figura 9, realizar lo siguiente:
a) Convierta la fuente de corriente en una fuente de voltaje y calcule la corriente de
carga para cada fuente.
b) Sustituya la carga de 6 KΩ con una carga de 10 Ω y calcule la corriente IL para la
fuente de corriente.
c) Repita el cálculo de la parte b) suponiendo que la fuente de corriente es ideal
(Rs=∞Ω), debido a que RL es mucho más pequeña que Rs.
Figura 9.

Solución:
a)
De la Figura 9 (a) tenemos:
De la Figura 9 (b) tenemos:
Figura 9.

Solución:
b)
c)
Figura 9.
Si, Rs >> RL, se puede considerar la fuente de corriente como ideal.

Fuentes de corriente en paralelo.

Si dos o más corrientes están en paralelo, pueden sustituirse con una fuente de
corriente que tenga la magnitud y dirección de la resultante, la cual se encuentra
sumando las corrientes en una dirección y restando la suma de las corrientes que
están en la dirección opuesta. La nueva resistencia en paralelo se determina por el
análisis de resistencias en paralelo.
Ejemplo 6:
Sustituir las fuentes de corriente en paralelo de las Figuras 10 y 11 en una sola.
Figura 10. Figura 11.

Fuentes de corriente en paralelo.

Solución:

Fuentes de corriente en serie.

La corriente a través de cualquier rama de una red puede tener solo un único valor.
Para la situación indicada en la Figura 12, se encuentra que aplicando la Ley de
Corrientes de Kirchoff, la corriente que sale de un punto es mayor que la que entra,
lo cual es una situación imposible. Por lo tanto, fuentes de corriente de diferentes
valores no pueden ser conectadas en serie.
Esto es igual para las fuentes de voltajes diferentes que no pueden ser conectadas en
paralelo.
Figura 12.

Análisis de voltajes de nodo y lazos de corriente.

Análisis de la corriente de rama:
Método:
1. Asigne una corriente distinta con dirección arbitraria a cada rama de la red.
Determinación del número de mallas independientes:
2. Indicar la polaridad para cada resistencia, como la determina la dirección de la

corriente asumida.
3. Aplique la Ley de Voltaje de Kirchhoff en cada malla independiente de la red.


Método:
4. Aplique la Ley de Corriente de Kirchhoff a la cantidad mínima de nodos que
incluya todas las corrientes de rama de la red. La cantidad mínima es la cantidad
de nodos independientes de la red menos uno. Un nodo es una unión de 2 o más
ramas, donde una rama es cualquier combinación de elementos en serie. La
Figura 13 define la cantidad de aplicaciones de la Ley de corrientes de Kirchhoff
para cada configuración.
5. Despeje las ecuaciones lineales simultáneas resultantes para las corrientes de
rama supuestas.
Figura 13. Determinación de

la cantidad requerida de
aplicaciones de la Ley de
Corrientes de Kirchhoff.


Ejemplo 7: Solución:
Calcular las corrientes de rama
del circuito de la Figura 14:
Figura 14. Colocación de las polaridades a las resistencias

definidas por el sentido de las corrientes en cada rama
Figura 14. Malla 1:

Malla 2:
Malla 1:
Figura 14. Colocación de las polaridades a las

resistencias definidas por el sentido de las Malla 2:
corrientes en cada rama


Aplicando Ley de Corrientes de
Kirchhoff en nodo a tenemos:
Luego:
Por determinantes:

Por determinantes:


Ejemplo 8: Solución :
Calcular las corrientes de rama Malla 1:
Malla 2:
Aplicando Ley de Kirchhoff en nodo a:
Sustituyendo en las ecuaciones 1 y 2 tenemos:


Ejemplo 8:
Solución :
Calcular las corrientes de rama
Sustituyendo en las ecuaciones 1 y 2 tenemos:
Multiplicando por -1 la
o ecuación inferior tenemos:
Por determinantes:

Análisis de Malla. Técnica general.
Método:
1. Asigne una corriente distinta en la dirección de las agujas del reloj a cada malla
independiente de la red.
2. Indique las polaridades dentro de cada malla para cada resistencia. Figura 15.
3. Aplique la Ley de Voltaje de Kirchhoff por cada malla cerrada en la dirección de
las agujas del reloj.
Figura 15. Definición de las corrientes de malla

para la red de dos ventanas.


4. Resolver las ecuaciones lineales simultáneas resultantes para las corrientes de
malla asumidas. Malla 1:
Malla 2:
Malla 1:
Reescribiendo las ecuaciones tenemos:
Malla 2:

Malla 1:
Malla 2:
Malla 1:
Malla 2:
Resolviendo por determinantes tenemos:
Malla 1:
En la dirección de I1:


Encuentre las corrientes de
rama del circuito de la Figura Malla 1: (comenzando en punto a)
16:
Malla 2: (comenzando en punto b)
Estas ecuaciones se reescriben así:
Figura 16.


Solución:
Figura 16. Aplicando determinantes:

Corrientes de Supermallas.
En ocasiones existirán fuentes de corriente en la red, en donde no se puede aplicar el
análisis de mallas. En tales casos se podrá transformar la fuente de corriente en
fuente de voltaje, si existe una resistencia en paralelo con la fuente de corriente y se
procederá como antes o se tendrá que utilizar una corriente de supermalla y
proceder como sigue.
Empezar según la forma descrita y asignar una corriente de malla a cada malla,
incluyendo las fuentes de corriente, como si fueran resistencias o fuentes de voltaje.
A continuación elimine mentalmente las fuentes de corriente (sustitúyelas con

equivalentes de circuito abierto) y aplique la Ley de Voltaje de Kirchhoff a todas las
trayectorias independientes restantes de la red, usando las corrientes de malla que
se acaban de definir. Se dice que la trayectoria de una corriente de supermalla es
cualquier ventana abierta resultante, que incluya 2 o más corrientes de malla.
Luego relacione las corrientes de malla elegidas de la red con las fuentes de
corriente independientes de la red y despeje las corrientes de malla.

Ejemplo 10:
Solución:
Usando el análisis de malla, calcule las
Primero, se definen las corrientes de malla para
corrientes de la red de la Figura 17.
la red, como se observa en la Figura 18

A continuación se elimina mentalmente la fuente de corriente, como se muestra
en la Figura 19 y se aplica la Ley de Voltaje de Kirchhoff a la red resultante. La
trayectoria única que ahora incluye los efectos de las 2 corrientes de malla se
conoce como la trayectoria de una corriente de supermalla.
Figura 19.

Aplicando la Ley de Voltaje de Kirchhoff, tenemos:
Después se usa el nodo a para relacionar las

corrientes de malla y la fuente de corriente usando la
Ley de Corriente de Kirchhoff:
Figura 19.
Luego resultan dos ecuaciones con dos incógnitas:
Por último aplicamos determinante y calculamos I1 e I2:

Usando el análisis de corriente de Supermalla, En la Figura 21 se definen las corrientes de
calcule las corrientes de la red de la Figura 20. malla:

En la Figura 22 se eliminan las fuentes de corriente y se define la trayectoria de la corriente de
supermalla única:
Figura 22.
Solución:

Análisis de Malla. Técnica del Formato.

Es una técnica que nos permite escribir las ecuaciones de malla con mayor rapidez y, por lo
general, con menos errores.
Método:
1. Asigne una corriente de malla a cada malla independiente en dirección de las agujas del reloj
(como antes).
2. El número requerido de ecuaciones es igual a la cantidad de mallas independientes
seleccionadas. Se forma la columna 1 de cada ecuación sumando los valores de resistencia
por los que pasa la corriente de malla que interesa y multiplicando el resultado por esa
corriente de malla.
3. Se consideran los elementos mutuos, los cuales, se restan de la primera columna. Un término
mutuo es cualquier elemento resistivo que tiene una corriente de malla adicional que pasa
por él. Es posible tener más de un término mutuo si la corriente de malla que interesa tiene
un elemento en común con más de otra corriente de malla. Cada término es el producto del
resistor mutuo y la otra corriente de malla que pasa por el mismo elemento.
4. La columna a la derecha del signo de igualdad es la suma algebraica de las fuentes de voltaje
por las que pasa la corriente de malla que interesa. Se asignan signos positivos a aquellas
fuentes de voltaje que tienen una polaridad tal que la corriente de malla pasa de (-) a (+) y
signo negativo si la corriente de malla pasa de (+) a (-).
5. Se despejan las ecuaciones simultáneas resultantes para las corrientes de malla buscadas.
Esta técnica sólo se aplica a las redes en las cuales todas las fuentes de corriente se han
convertido en sus fuentes de voltaje equivalentes.

Vamos a aplicar este procedimiento
Paso 1: Como se indica en la Figura 23, todas las
al circuito de la Figura 23:
corrientes de malla asignadas tiene el sentido de las
agujas del reloj.
Paso 2 a 4:
Figura 23.


Ejemplo 12:
Escriba las ecuaciones de malla para
el circuito de la Figura 24.
Solución:
Paso 1:
Como se indica en la Figura 24, todas las

corrientes de malla asignadas tiene el sentido
de las agujas del reloj.
Paso 2 a 4:
Figura 24.


Ejemplo 12:
Solución:
Figura 24.


Ejemplo 13:
Solución:
Figura 25.

Análisis de Nodo. Técnica General.

En el análisis de nodos, se utiliza la Ley de Corrientes de Kirchhoff. Un nodo se define como la
unión de 2 o más ramas. Si se define un nodo cualquiera de la red como una referencia ( esto es,
un punto de voltaje o tierra cero), todos los nodos restantes de la red tendrán un voltaje fijo en
relación con esta referencia. Por tanto, para una red de N nodos existirán (N-1) nodos con un
voltaje fijo en relación con el nodo de referencia asignado.
Se escriben ecuaciones que relacionan estos voltajes de nodos aplicando la Ley de Corrientes de
Kirchhoff a cada uno de los (N-1) nodos. Después, para obtener la solución completa de una red,
se evalúan estos voltajes de nodos en la misma manera en la cual se encuentran las corrientes de
malla en el análisis de malla.
Método:
1. Determinar la cantidad de nodos dentro de la red.

2. Elegir un nodo de referencia y numerar todos los nodos restantes con un valor de subíndice
del voltaje: V1, V2, etc.
3. Aplique la Ley de Corrientes de Kirchhoff (LCK) a cada nodo excepto al de referencia. Suponga
que todas las corrientes desconocidas salen del nodo para cada aplicación de la LCK. En otras
palabras, para cada nodo, no tome en cuenta la dirección que pueda tener una corriente
desconocida para otro nodo. Cada nodo debe tratarse como una unidad separada,
independientemente de la aplicación de la LCK a los otros nodos.
4. Despeje las ecuaciones resultantes para los voltajes de nodos.


Aplique análisis de nodos Pasos 1 y 2: El circuito tiene 2 nodos, como se observa en la
al circuito de la Figura 26: Figura 27. El nodo inferior se define como el nodo de referencia
con un voltaje de tierra (0 V) y el otro, V1, el voltaje del nodo 1 a
tierra.
Figura 27.
Figura 26.
Paso 3: Se define que I1 e I2 salgan del nodo en la Figura 28 y se

aplica la LCK del modo siguiente:
Figura 28.


Solución:
Paso 3: Se define que I1 e I2 salgan del nodo en la Figura 28 y se aplica la LCK del modo
siguiente:
Figura 28.
La corriente I2 se relaciona con el voltaje del nodo V1 mediante la Ley de Ohm:
La corriente I1 también se determina mediante la Ley de Ohm del modo siguiente:
con: Sustituyendo en la ecuación de la LCK:
Ordenando tenemos:


Solución:
Ordenando tenemos:
Sustituyendo los valores numéricos:
Después se determinan los valores de I1 e I2 usando las ecuaciones anteriores:


Aplique análisis de nodos al circuito
de la Figura 29:
Figura 29.


Ejemplo 15:
Paso 3: Para el nodo V1, se definen las corrientes.
Aplique análisis de nodos al circuito de
la Figura 29:
Figura 29.
Solución:
Pasos 1 y 2:
Determinación
de los nodos.


Paso 3: Para el nodo V1, se definen las corrientes.
Sustituyendo valores:
Para el nodo V2, se definen las corrientes.
Sustituyendo valores:


Paso 4: el resultado son 2 ecuaciones
Dado que V1 es mayor que V2 , la corriente IR2 fluye
con 2 incógnitas
de V1 a V2 y es igual a:
Como E es mayor que V1, la

corriente I1 fluye de la tierra a V1 y
es igual a:
El valor positivo para V2, produce

una corriente IR3 del nodo V2 a la
tierra y es igual a:

El Supernodo.
Cuando se quiere aplicar el análisis de nodos y existen fuentes de voltaje, esta puede ser
convertida a fuente de corriente si tiene una resistencia en serie y se procede como antes o se
aplica el procedimiento del supernodo como sigue:
1. Asignar como antes un voltaje a todos los nodos del circuito, incluyendo todas las fuentes de
voltaje.
2. Sustituya mentalmente las fuentes de voltaje por corto circuitos y aplique LCK a los nodos
definidos anteriormente. Cualquier nodo que incluya el efecto de los elementos enlazados
sólo a otros nodos, se conoce como supernodo (pués tiene una cantidad adicional de
términos).
3. Por último, relacione los nodos definidos con las fuentes de voltaje y despeje los voltajes de
nodos.

El Supernodo.
Determine los voltajes de los nodos
V1 y V2 en el circuito de la Figura 30
Figura 30.

El Supernodo.
Solución:

Análisis de nodo. Técnica del formato.

Para este análisis, todas las fuentes de voltaje deben convertirse en fuentes de corriente.
1. Seleccione un nodo de referencia y asigne un voltaje con subíndice a los (N-1) nodos
restantes del circuito.
2. La cantidad requerida de ecuaciones para una solución completa es igual a la cantidad de

voltajes con subíndices (N-1). La columna 1 de cada ecuación se forma sumando las
conductancias relacionadas con el nodo que interesa y multiplicando el resultado por el
voltaje con subíndice del nodo.
3. Se consideran los términos mutuos restándolos de la primera columna. Es posible tener más
de un término mutuo si el voltaje de los nodos de la corriente que interesa tiene un elemento
en común con más de otro voltaje de nodo. Cada término mutuo es el producto de la
conductancia mutua y los otros voltajes de nodo enlazados con esa conductancia.
4. La columna a la derecha del signo de igualdad es la suma algebraica de las fuentes de

corriente relacionadas con el nodo que interesa. Se asigna a una fuente de corriente un signo
(+) si proporciona corriente a un nodo y un signo (-) si obtiene corriente del nodo.
5. Despeje las ecuaciones simultáneas resultantes para los voltajes deseados.


Ejemplo 17:
Aplique el análisis de nodo
para el circuito de la Figura Pasos 2 a 4:
31.
Figura 30.
Solución:
Paso 1:
Definición
de nodos
y voltajes
de nodo.


Usando análisis de nodo
determine el voltaje que pasa
por el resistor de 4 Ω en la
Figura 31. Paso 1: Definición
de nodos y voltajes
de nodo.
Redefinición de
Figura 31. nodos en el
circuito en base a
lo solicitado
(voltaje en 4Ω).


Usando análisis de nodo
determine el voltaje que pasa Redefinición de
por el resistor de 4 Ω en la nodos en el
Figura 31. circuito en base a
lo solicitado
(voltaje en 4Ω).
Pasos 2 a 4:
Figura 31.

Teoremas. Teorema de Superposición.

Se usa con el fin de encontrar la solución para redes con 2 o más fuentes que no están ni en serie
ni en paralelo.
Teorema: “La corriente o el voltaje que pasa por un elemento en una red lineal es igual a la suma
algebraica de las corrientes o los voltajes producidos en forma independiente por cada fuente”.
Para considerar los efectos de cada fuente en forma independiente es necesario eliminar y
sustituir las fuentes sin afectar el resultado final.
Para eliminar una fuente de voltaje esta debe hacerse 0 (poner en cortocircuito) entre sus
terminales; para eliminar una fuente de corriente es necesario que sus terminales estén abiertos
(circuito abierto). Ver Figuras 32 y 33.


Determine I1 para el Haciendo E=0V tenemos:
circuito de la Figura 34:

La corriente de la fuente circulará la
trayectoria de cortocircuito, e I´1=
0A. También se puede demostrar
aplicando divisor de corriente (Rsc=
Resistencia en el corto circuito).
Haciendo I=0A tenemos: Aplicando la Ley de Ohm:

Figura 34.
Debido a que I´1 e I´´1 tienen la

misma dirección, la corriente I1 es
la suma de las dos:


Usando Superposición, Considerando el efecto de la fuente de corriente de 6 mA
encuentre la corriente I2 tenemos:
que pasa por la resistencia
de 12KΩ en el circuito de la
Figura 35.
Figura 35. Aplicando divisor de corriente:


Solución:
Considerando el efecto de la fuente de voltaje de 9 V tenemos:
Como I´2 e I´´2 tienen la misma dirección al pasar por R2, la corriente que se busca es la suma
de las dos:


Ejemplo 21:
Calcule la corriente que pasa Efecto de la fuente de 6 V:
por la resistencia de 2Ω en el
circuito de la Figura 36:
Figura 36.
Solución: Efecto de la fuente de 3 A:
Efecto de la fuente de 12 V:


Ejemplo 21:
Calcule la corriente que pasa por la resistencia de 2Ω en el circuito de la Figura 36:
Figura 36.
Solución:
La corriente total que pasa por la resistencia de 2Ω es:

Teoremas. Teorema de Thévenin.

“Cualquier red lineal de cd de dos terminales puede sustituirse con un circuito equivalente
formado por una fuente de voltaje y una resistencia en serie, como se observa en la Figura 37”.
Figura 37.
Ejemplo:


Procedimiento:
1. Elimine de la red la parte para la cual se encontrará el circuito equivalente de Thévenin.
2. Marque los terminales (normalmente se coloca a y b) de la red restante de dos terminales.
3. Calcule la RTH haciendo primero todas las fuentes cero (las fuentes de voltaje se sustituyen
con cortocircuitos y las fuentes de corriente con circuito abierto) y después calcule la
resistencia resultante entre los terminales marcados.
4. Calcule la ETH regresando primero todas las fuentes a su posición original y encontrando el
voltaje de circuito abierto entre los terminales marcados.
5. Dibuje el circuito equivalente de Thévenin con la parte del circuito que se eliminó antes
conectándola entre los terminales del circuito equivalente.


Ejemplo:
Calcular el circuito equivalente de Thévenin para la red en el área sombreada de la Figura 38.
Figura 38.
Solución:
Pasos 1 y 2:


Solución:
Paso 3:
Paso 4:


Solución:
Paso 5:


Ejemplo:
Calcule el circuito equivalente de Thévenin para el área sombreada de la red de puente de la
Figura 39.
Figura 39.
Solución:
Pasos 1 y 2:


Solución:
Paso 3:
Paso 4:


Solución:
Paso 5:
Ejemplo:
Calcule el circuito equivalente de Thévenin para la red dentro del área sombreada de la Figura 40.
Figura 40.


Solución:
Pasos 1 y 2:
Paso 3:


Solución:
Paso 4: Como tenemos 2 fuentes, aplicamos superposición para calcular ETH.
Efecto de E1: Observar que V4=I4R4=(0)R4=0 V.
Efecto de E2: Observar una vez más que V4=I4R4=(0)R4=0 V.
Debido a que E´TH y E´´TH tienen polaridades opuestas,


Solución:
Paso 5:

Teoremas. Teorema de Norton.

Podemos a través del proceso de conversión de fuentes, pasar de un voltaje y resistencia de
Thévenin a una corriente y resistencia de Norton como se aprecia en la Figura 41.
Figura 40. Circuito equivalente

de Norton.
El Teorema plantea lo siguiente:
“Cualquier red bilateral lineal de cd con dos terminales puede sustituirse con un circuito
equivalente formado por una fuente de corriente y su resistencia en paralelo como se observa en
la Figura 40”.


Procedimiento:
1. Elimine de la red la parte para la cual se encontrará el circuito equivalente de Norton.
2. Marque los terminales (normalmente se coloca a y b) de la red restante de dos terminales.
3. Calcule la RN haciendo primero todas las fuentes cero (las fuentes de voltaje se sustituyen
con cortocircuitos y las fuentes de corriente con circuito abierto) y después calcule la
resistencia resultante entre los terminales marcados.
4. Calcule la IN regresando primero todas las fuentes a su posición original y encontrando la

corriente de cortocircuito entre los terminales marcados.
5. Dibuje el circuito equivalente de Norton con la parte del circuito que se eliminó antes
conectándola entre los terminales del circuito equivalente.


Ejemplo:
Calcule el circuito equivalente de Norton para la red en el área sombreada de la Figura 41.
Figura 41.
Solución:
Pasos 1 y 2:


Solución:
Paso 3:
Paso 4:
Como la conexión de cortocircuito entre los terminales a y b está en paralelo con R2 y elimina su
efecto, IN es la misma que pasa por R1 y el voltaje completo de la fuente aparece a través de R1,
dado que:
Entonces:


Solución:
Paso 5:
Ejemplo:
Calcule el circuito equivalente de Norton para la red externa a la resistencia de 9Ω en la Figura 42.
Figura 42.


Solución:
Pasos 1 y 2:
Pasos 3:


Solución:
Paso 4:
Como se observa en el circuito, la corriente de Norton (IN) es igual a la corriente que pasa por la
resistencia de 4 Ω. Aplicando divisor de corriente tenemos:
Paso 5:


Ejemplo:
Calcule el circuito equivalente de Norton para la red a la izquierda de a-b en la Figura 42.
Figura 42.
Solución:
Pasos 1 y 2:


Solución:
Paso 3:
Paso 4:
Como tenemos 2 fuentes, se usa superposición:
Efecto de E1:


Solución:
Paso 4:
Efecto de E2:
Paso 5:

Diodos Semiconductores.

El Diodo Ideal.
El diodo ideal es un dispositivo de dos terminales:
Conducirá corriente en la dirección que define la flecha en

el símbolo y actuará como un circuito abierto en cualquier
intento por establecer corriente en dirección opuesta.
“Las características de un diodo ideal son aquellas de un interruptor que puede conducir corriente en
una sola dirección”.

El Diodo Ideal.
Unión p-n sin

“En ausencia de un voltaje de polarización.
polarización aplicado, el flujo neto de la
carga en cualquier dirección para el diodo
semiconductor es cero”.
Unión p-n con

polarización
inversa.
“A la corriente que existe bajo las condiciones de

polarización inversa se le llama corriente de
saturación inversa, y se representa mediante Is”.

El Diodo Ideal.
Unión p-n con

polarización
directa.
“Un diodo semiconductor tiene polarización
directa cuando se ha establecido la asociación
tipo p y positivo y tipo n y negativo”.

El Diodo Real.
Is = corriente de saturación inversa.
K = 11.600/η con η = 1 para Ge y η = 2 para

Si, en niveles relativamente bajos de
corriente del diodo. Y η = 1 para Ge y Si en
mayores niveles de corriente del diodo(en la
sección de crecimiento rápido de la curva).
Tk = Tc + 273°
Características del diodo semiconductor de Silicio.

Región Zener.
Existe un punto en la parte negativa del voltaje VD,

que al incrementar ése voltaje de polarización
negativa, se llega a un punto donde la corriente ID
se incrementa en forma de avalancha. En ése punto
de voltaje se define la región Zener y a partir de esa
característica se fabrican los Diodos Zener.
Región Zener de un diodo.

Características reales del diodo de Germanio (Ge) y del diodo de Silicio (Si).
Gráficas del diodo de Germanio y Silicio.

Circuitos equivalentes de los diodos.

Un circuito equivalente es una combinación de elementos escogidos exactamente para la mejor
representación de las actuales características terminales de un dispositivo o sistema en una
región particular de operación.
Circuito equivalente del diodo por segmentos lineales.
Se aproxima las característica real del diodo a una gráfica lineal por segmentos, siendo su
primera mejor aproximación, como se puede ver en la siguiente gráfica:
Para determinar rAV se escoge un determinado rango de un punto de operación del diodo (∆ID y
∆VD) de la hoja de especificaciones técnicas del fabricante.

Circuito equivalente del diodo por segmentos lineales.

Por ejemplo, para una corriente de polarización directa IF=10 mA y a un VD=0,8 V, se conoce que
para el diodo de Silicio, el voltaje de encendido es de 0,7 V, entonces:

Circuito equivalente simplificado.

Para muchas aplicaciones, la resistencia rAV es suficientemente pequeña en comparación con la
resistencia de la red. Al hacerla cero, nos queda la gráfica y el circuito siguiente:
Circuito equivalente ideal.

Notación del diodo semiconductor.
Diodo Zener.
Conducción directa del diodo: (a) Diodo

Zener; (b) Diodo semiconductor.

Diodo Zener.
Circuito equivalente del Zener: (a)

completo; (b) aproximado.
Diodo Emisor de Luz (LED).

Circuitos en DC con diodos.

Análisis de la recta de carga.
Si hacemos VD=0 y calculamos ID, se obtiene ID en el eje vertical:
Si hacemos ahora ID=0 y calculamos VD, se obtiene VD en el eje horizontal:



Ejemplo:
Para el circuito de la Figura (a), con la gráfica del diodo de la Figura (b), calcular:
1) VDQ e IDQ.
2) VR.
Solución:


Solución:
La diferencia en el resultado de VR es debido a la precisión con la cual la gráfica puede ser leída
para ID y VD .


Ejemplo:
Hacer el ejemplo anterior usando el modelo equivalente del diodo simplificado:
Solución:


Ejemplo:
Calcular VDQ e IDQ utilizando el modelo del diodo ideal:
Solución:

Configuración de diodos en serie con entradas DC.

“En general, un diodo está en estado encendido si la corriente establecida por las fuentes
aplicadas es tal que su dirección concuerda con la flecha del símbolo del diodo, y VD≥0,7 V para el
Si y VD≥0,3 V para el Ge”.
Ejemplo: Para cada configuración, se reemplazarán mentalmente los diodos por

elementos resistivos y se observará la dirección resultante de la corriente,
de acuerdo como se establece debido a los voltajes aplicados (“presión”). Si
la dirección resultante es “similar” a la flecha del símbolo del diodo, ocurrirá
la conducción a través del diodo y el dispositivo estará en estado
“encendido”. Lo anterior depende de que la fuente suministre un voltaje
mayor que el voltaje de “encendido” (VT) de cada diodo. Si el diodo está en
estado “encendido”, se puede colocar una caída de 0,7 V o de 0,3 V (Si o Ge
Configuración con
diodo en serie. respectivamente).
Determinación del estado del diodo.


Ejemplo:
La dirección resultante de I coincide coincide con la flecha en el símbolo del
diodo, y dado que E>VT, el diodo se encuentra en estado “encendido”. Se
dibuja de nuevo la red con el modelo del diodo respectivo en polarización
directa.
Configuración con
diodo en serie.
Sustitución del modelo
equivalente para el
diodo en estado
“encendido”.


Ejemplo:
Si el diodo se coloca invertido tenemos:
Configuración con
diodo en serie.
La dirección resultante de la corriente no coincide con la flecha del símbolo del diodo. El diodo
está en estado “apagado”, lo que genera el circuito siguiente:


Ejercicio: Solución:
Calcular VD, VR e ID en el siguiente circuito:
Calcular VD, VR e ID en el siguiente circuito:


Notación de la fuente:
Calcular Vo, e ID en el siguiente circuito:


Ejercicio:
Solución:
Calcular ID, VD y Vo en el
siguiente circuito:


Ejercicio:
Solución:
Calcular I, V1, V2 y Vo en
el siguiente circuito:

Configuración de diodos en paralelo y en serie-paralelo.

Ejercicio:
Solución:
Calcular Vo, I1, ID1 e ID2 en
el siguiente circuito:


Ejercicio:
Solución:
Calcular I en el siguiente
circuito:


Ejercicio:
Solución:
Calcular Vo en el siguiente
circuito:


Ejercicio:
Solución:
Calcular I1, I2 e ID2 en el
siguiente circuito:

Circuitos en AC con diodos.

Rectificador de Media Onda.
Analicemos el siguiente circuito con la señal sinusoidal de entrada Vi :
A través de un ciclo completo, definido por el período T de la gráfica anterior, el valor promedio (la
suma algebraica de las áreas arriba y abajo del eje) es cero. Este circuito llamado Rectificador de
Media Onda, generará una forma de onda V0 , la cual tendrá un valor promedio de uso particular
en el proceso de conversión de AC a DC. Cuando un diodo se usa en el proceso de rectificación, es
común que se llame rectificador.
Sus valores nominales de potencia y corriente son normalmente mucho más altos que los de los
diodos que se usan en otras aplicaciones, como en computadoras o sistemas de comunicación.

Durante el intervalo t=0 a T/2, la polaridad del voltaje aplicado Vi es positiva y polariza al diodo
en directo, por lo que utilizando el modelo del diodo ideal se tiene:

Durante el intervalo t=T/2 a T, la polaridad del voltaje aplicado Vi es negativa y polariza al diodo
en inverso, por lo que utilizando el modelo del diodo ideal se tiene:


Luego para todo el tiempo se tiene:


Utilizando el modelo del diodo simplificado tenemos:
PIV(PRV).
PIV es el Voltaje de Pico Inverso del diodo. Este aparece el los terminales del diodo cuando se
polariza en inverso.
Se debe cumplir que el voltaje pico de la señal de entrada no podrá ser mayor que el PIV porque
el diodo se dañaría:
PIV (o PRV) > Vm
• PIV = Peak inverse voltage

• PRV = Peak reverse voltage
• Vm = Peak AC voltage


Ejemplo:
a) Dibujar la salida Vo y determinar el nivel DC de la salida en el circuito mostrado.
b) Repetir a) si el diodo ideal es reemplazado por un diodo de Si.
c) Repetir a) y b) si Vm se incrementa a 200 V y comparar soluciones.
Solución:
a) Dibujar la salida Vo y determinar el nivel DC de la salida.


Ejemplo:
Solución:


Ejemplo:
Solución:

Rectificador de Onda Completa. Rectificador de Puente.

Utilizando el modelo del diodo ideal tenemos:
Rectificador de Puente
• Los 4 diodos son conectados en

una configuración puente.
• VDC = 0.636Vm

Rectificador de Onda Completa. Rectificador de Puente.

Utilizando el modelo del diodo simplificado tenemos:
PIV(PRV).

Rectificador con Transformador de toma central.

Utilizando el modelo del diodo ideal tenemos:
Rectificador con Transformador

de toma central.
Requiere:
• 2 diodos
• Transformador con toma central
VDC = 0.636Vm

Rectificador con Transformador de toma central.
PIV(PRV).

Ejemplo:
Determinar la forma de onda de salida para la red de abajo y calcular el nivel DC de salida y el PIV
que se requiere para cada diodo.
Solución:
Para la región positiva tenemos:

Ejemplo:
Determinar la forma de onda de salida para la red de abajo y calcular el nivel DC de salida y el PIV
que se requiere para cada diodo.
Solución:
PIV ≥ Vm/2

Resumen Rectificador con Diodos.
Rectificador Ideal VDC En la Práctica VDC
Rectificador de Media Onda VDC = 0.318Vm VDC = 0.318(Vm – 0.7)
Puente Rectificador VDC = 0.636Vm VDC = 0.636[Vm – 2(0.7 V)]
Rectificador con
Transformador de Toma VDC = 0.636Vm VDC = 0.636(Vm – 0.7 V)
Central

Otras Ejemplos de Circuitos con diodos.

Transistores.

PNP
PNP.
Transistor bipolar.
TRANSISTORES NPN
NPN.
Transistor de efecto de campo.

Zona de Corte.
Regiones o Zonas
de Operación del Zona Activa. Aplicación o Aplicación o
transistor bipolar uso: uso:
de unión. Amplificación. Conmutación.
Zona de
Saturación.

Polarización
Zona de Corte. Inversa de VBE<0V y
ambas uniones. VBC<0V.
Polarización de Polarización
las Regiones o Directa de unión
Zona Activa. VBE>0V y
Zonas de Base-Emisor y
Polarización VBC<0V.
Operación del
inversa de unión
transistor bipolar Base-Colector.
de unión.
Zona de
Saturación. Polarización
Directa de VBE>0V y
ambas uniones. VBC>0V.

BASE
COMÚN.
EMISOR
Configuración del
COMÚN.
Transistor NPN.
COLECTOR
COMÚN.

Polarización Fija.
Circuitos de
Polarización estabilizado
Polarización del en Emisor.
Transistor NPN
en Zona Activa o
de Amplificación.
Polarización por División
de Voltaje.
Polarización por
realimentación de
voltaje.

TRANSISTORES BIPOLARES DE UNIÓN.

BJT: transistor bipolar de unión (del inglés, Bipolar Juncion Transistor). Son
Semiconductores que están formados por dos capas de material tipo n (ó p) y una
capa entre ellas de material tipo p (ó n).
La zona N con elementos donantes de “electrones” (cargas negativas) y la zona P de

aceptadores o "huecos" (cargas positivas).
La configuración de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde
la letra intermedia siempre corresponde a la característica de la Base, y las otras dos
al Emisor y al Colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base,
tienen diferente contaminación entre ellas.
Son dispositivos de 3 terminales (Emisor, Base y Colector), donde la capa del Emisor
está fuertemente dopada, la del Colector ligeramente dopada y la de la Base muy
poco dopada, además más delgada.
Los Transistores BJT utilizan la corriente como elemento de control para obtener la
señal y su comportamiento como dispositivo conmutador y amplificador. Funcionan,
principalmente, en tres regiones de operación: Corte, Activa y Saturación. Cuando
funcionan entre Corte y Saturación, conmutan y de allí se construyen los circuitos
digitales que funcionan con la lógica binaria (dos estados: On, Off).

Transistores.
Transistor sin polarización.
p n p
r r
E E

Emisor Base Colector

PNP
Emisor P N P Colector
Base
Emisor Base Colector

NPN
Emisor N P N Colector
Base


Un Transistor es similar a dos Diodos, el Transistor tiene dos uniones: una entre el
Emisor y la Base y la otra entre la Base y el Colector. El Emisor y la Base forman uno
de los diodos, mientras que el Colector y la Base forman el otro. Estos diodos son
denominados: "Diodo de emisor" (el de la izquierda en este caso) y "Diodo de
colector" (el de la derecha en este caso).


Regiones o Modos de Trabajo
Existen cuatro condiciones de polarización posibles. Dependiendo del sentido o signo
de los voltajes de polarización en cada una de las uniones del transistor pueden ser :
• Región activa directa: Corresponde a una polarización directa de la unión emisor -

base y a una polarización inversa de la unión colector - base. Esta es la región de
operación normal del transistor para amplificación.
• Región activa inversa: Corresponde a una polarización inversa de la unión emisor

- base y a una polarización directa de la unión colector - base. Esta región es usada
raramente.
• Región de corte: Corresponde a una polarización inversa de ambas uniones. La

operación en ésta región corresponde a aplicaciones de conmutación en el modo
apagado, pues el transistor actúa como un interruptor abierto (IC = Ib = Ie= 0).
• Región de saturación: Corresponde a una polarización directa de ambas uniones. La

operación en esta región corresponde a aplicaciones de conmutación en el modo
encendido, pues el transistor actúa como un interruptor cerrado (VCE = 0).


Modos de Operación
Modo Unión E-B Unión C-B

Corte Inverso Inverso
Activo Directo Inverso
Saturación Directo Directo

CONFIGURACIÓN DEL TRANSISTOR BIPOLAR DE UNIÓN (BJT).

Configuración Base Común: (Amplificación).
La tecnología de la Base Común se deriva del hecho de que la base es común tanto a
la entrada como a la salida de la configuración:
Las fuentes VEE y VCC son tales que permiten establecer una corriente en la dirección
que se indica en cada rama.


Características de un transistor de Si en Base Común que sirven para definirlo:
IC vs VCB. IC vs VBE.


Configuración Emisor Común: (Amplificación).
Se le denomina configuración de Emisor Común debido a que el emisor es común
tanto a la entrada como a la salida de la configuración:
Las fuentes VBB y VCC son tales que permiten establecer una corriente en la dirección
que se indica en cada rama.


Características de un transistor de Si en Emisor Común que sirven para definirlo:
IB vs VBE.
IC vs VCE.
Fórmulas que se utilizan en la configuración Emisor-Común: ≈1


Configuración para la polarización en Emisor-Común:

Configuración en Colector Común: (Amplificación).

Se le denomina configuración de Colector Común debido a que el colector es común
tanto a la entrada como a la salida de la configuración:
Su aplicación básica es para propósitos de

acoplamiento de impedancia, debido a que tiene una
alta impedancia de entrada y una baja impedancia de
salida, contrariamente a las configuraciones de Base-
Común y de Emisor-Común.
Circuito básico:

Puntos de Operación en la Zona Activa (Amplificación) y sus Límites.
Ic es dada por las

especificaciones técnicas
del Fabricante de
Transistor.

Análisis de Circuitos con el Transistor Bipolar (Zona Activa).

Circuito de Polarización Fija:
Sea el siguiente circuito: Su equivalente en DC es el siguiente:


Circuito de entrada: Malla Base-Emisor: Circuito de salida: Malla Colector-Emisor:


Ejemplo: Calcular IBQ, ICQ, VCEQ, VB, VC, VBC

Circuito de Polarización Fija.

Saturación del Transistor.
El término Saturación se aplica a cualquier sistema donde los niveles han alcanzado
sus máximos valores. Para un transistor que opera en la Región de Saturación, la
corriente es un valor máximo para el diseño en particular.
El nivel más alto de saturación está definido por la corriente máxima del colector, y se
proporciona en la hoja de especificaciones del transistor.
Un Punto de Operación en la Región de Saturación se describe a continuación:
Gráfica real del Transistor. Gráfica aproximada del Transistor.


Al aplicar la Ley de Ohm, puede calcularse la resistencia entre los terminales del
colector y las del emisor de la siguiente manera:
Esto implica que:


Por lo tanto, si se necesita conocer la corriente máxima del colector en saturación, se
realiza un corto circuito entre el Emisor y el Colector y se calcula la corriente
resultante del colector. En cortocircuito se coloca VCE=0 V
Para el circuito de Polarización Fija se tiene que:
En el ejemplo anterior tenemos:
Mucho mayor que el diseño que fué de 2,35 mA.


Análisis de la Recta de Carga.
Ya sabemos que en este circuito:
Las características de salida del transistor también

relacionan las dos variables IC y VCE, como se muestra:
Para IC=0 mA:
Para VCE=0 V:


Para IC=0 mA:
Para VCE=0 V:




Ejemplo: Dada la recta de carga y el punto Q en la gráfica, calcular los valores
requeridos de VCC, RC y RB para la configuración de Polarización Fija:
Solución:

Circuito de Polarización estabilizado en Emisor.

Al circuito de Polarización DC visto anteriormente se le coloca un resistor en el
Emisor para mejorar el nivel de estabilidad de la Polarización Fija.
Circuito de entrada: Análisis en la Malla Base-Emisor:


Al circuito de Polarización DC visto anteriormente se le coloca un resistor en el
Emisor para mejorar el nivel de estabilidad de la Polarización Fija.
Circuito de salida: Análisis de la Malla Colector-Emisor:


Ejemplo: Para el siguiente circuito calcular IB, IC, VCE, VC, VE, VB y VBC.
Solución:


Nivel de Saturación.
En el ejemplo anterior:
Lo que representa dos veces

el nivel de ICQ.



Circuito de Polarización por Divisor de Voltaje.

Debido a que β es muy dependiente de la temperatura y en los dos circuitos
anteriores los puntos Q dependían de los valores de β o podrían variar con él, se creó
un circuito donde la dependencia del punto Q con respecto a β es casi nula. Este
circuito es el siguiente:


Debido a que β es muy dependiente de la temperatura y en los dos circuitos
anteriores los puntos Q dependían de los valores de β o podrían variar con él, se creó
un circuito donde la dependencia del punto Q con respecto a β es casi nula. Este
circuito es el siguiente:


Circuito de salida: Análisis en la Malla Colector-Emisor

(es igual al circuito de Polarización estabilizado en
Emisor):


Nivel de Saturación.
Es similar al circuito de Polarización estabilizado en Emisor.

Es similar al circuito de Polarización estabilizado en Emisor.


Ejemplo: Para el siguiente circuito calcular el voltaje y la corriente de polarización
VCE e IC.
Solución:

Circuitos de Polarización.
Ejemplo: Dada las siguientes características del transistor del circuito, calcular el VCC,
RB y RC.
Solución:

Circuitos de Polarización.
Ejemplo: Dada ICQ = 2 mA y VCEQ = 10 V, calcular el R1 y RC.
Solución:


TRANSISTOR EN CONMUTACIÓN (CORTE Y SATURACIÓN).
La aplicación de los transistores no está limitada solamente a la amplificación de
señales. Puede ser usado también como un conmutador o suiche para aplicaciones de
computación y control.
En el diseño de una red de conmutación se debe asegurar que el transistor trabaje
entre Corte y Saturación.
El estado de Corte se asegura con un voltaje de entrada igual a cero, lo que produce
que Ib = Ic = Ie = 0.
El estado de Saturación se logra con una corriente de base lo suficientemente grande
para que IB > ICsat/β. y Vce = 0 ó 0,15 ó 0,2 V.
Interruptor cerrado: transistor en Saturación.
C C
0,15 ó 0,2 V
= B Ó = B
E E


Interruptor abierto: transistor en Corte.
C
= B
E
Ejemplo: El circuito siguiente puede ser empleado como un inversor en un circuito
lógico computacional.
hFE=β


En la gráfica se puede observar que para que el transistor conmute debe ir de la zona
de Corte a la zona de Saturación, las cuales están ubicadas en los extremos de la
recta de carga; es decir en los puntos de comienzo y fin de la misma.
Expresión en el punto entre

zona activa y saturación.
Expresión para calcular la

Corriente del Colector en
saturación en el circuito mostrado.
La Corriente de Base que asegura la

saturación del transistor en este
circuito.
Expresión general que asegura la

saturación del transistor.


Analizando este circuito tenemos que para Vi = 5 V, la Corriente de Base IB y la
Corriente de Colector en Saturación ICsat son:
Comprobando tenemos:


Ejemplo: Calcular RB y RC para el circuito inversor de la gráfica si ICsat = 10 mA.
Solución:
Como:
Escogiendo para asegurar

saturación tenemos:
Escogiendo un valor
comercial de RB= 150 KΩ
tenemos:

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UNIVERSIDAD CATÓLICA ANDRÉS BELLO

VICE-RECTORADO PUERTO ORDAZ

Realizado por Ing. Juan J. Hernández MSc.

Realizado por Ing. Juan J. Hernández MSc.

Fuentes de Corriente y de Voltaje.

En la fuente de voltaje, el voltaje está fijo en E volts independiente de la dirección de

Realizado por Ing. Juan J. Hernández MSc.

Fuentes de Corriente y de Voltaje.

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Fuentes de Corriente y de Voltaje.

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Fuentes de Corriente y de Voltaje.

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Fuentes de Corriente y de Voltaje.

Y aplicando la Ley de Voltajes de Kirchoff:

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Fuentes de Corriente y de Voltaje.

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Figura 5. Fuente práctica Figura 6. Fuente práctica de

Para la fuente de Voltaje, si Rs = 0 Ω, estamos en el caso de una fuente de Voltaje

Figura 7. Conversión de Fuentes.

Realizado por Ing. Juan J. Hernández MSc.

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De la Figura 8 (b) tenemos:

Realizado por Ing. Juan J. Hernández MSc.

Si, RL >> Rs, se puede considerar la fuente

Realizado por Ing. Juan J. Hernández MSc.

Realizado por Ing. Juan J. Hernández MSc.

De la Figura 9 (b) tenemos:

Realizado por Ing. Juan J. Hernández MSc.

Si, Rs >> RL, se puede considerar la fuente de corriente como ideal.

Realizado por Ing. Juan J. Hernández MSc.

Fuentes de corriente en paralelo.

Figura 10. Figura 11.

Realizado por Ing. Juan J. Hernández MSc.

Fuentes de corriente en paralelo.

Realizado por Ing. Juan J. Hernández MSc.

Fuentes de corriente en serie.

Realizado por Ing. Juan J. Hernández MSc.

Análisis de voltajes de nodo y lazos de corriente.

2. Indicar la polaridad para cada resistencia, como la determina la dirección de la

Realizado por Ing. Juan J. Hernández MSc.

Análisis de la corriente de rama:

Figura 13. Determinación de

Realizado por Ing. Juan J. Hernández MSc.

Análisis de la corriente de rama:

Figura 14. Colocación de las polaridades a las resistencias

Figura 14. Malla 1:

Realizado por Ing. Juan J. Hernández MSc.

Análisis de la corriente de rama:

Figura 14. Colocación de las polaridades a las

Realizado por Ing. Juan J. Hernández MSc.

Análisis de la corriente de rama:

Realizado por Ing. Juan J. Hernández MSc.

Análisis de la corriente de rama:

Realizado por Ing. Juan J. Hernández MSc.

Análisis de la corriente de rama:

Aplicando Ley de Kirchhoff en nodo a:

Sustituyendo en las ecuaciones 1 y 2 tenemos:

Realizado por Ing. Juan J. Hernández MSc.

Análisis de la corriente de rama:

Realizado por Ing. Juan J. Hernández MSc.

Análisis de Malla. Técnica general.