UNIVERSIDAD DE LAS FUERZAS

ARMADAS
“ESPE”

DEPARTAMENTO DE ELECTRICA Y
ELECTRONICA

ELECTRONICA I

ESTUDIANTE: Jonathan Acosta

Renny Coro
Bryan Gallo
Cristian Mosquera

DOCENTE: Ing. Darwin Alulema

NRC: 2635

PERIÓDO: ABRIL - AGOSTO

2018-2019

SANGOLQUÍ – ECUADOR
Contenido General
Diodos ........................................................................................................................................... 3
Objetivos .................................................................................................................................. 3
Objetivo General: ................................................................................................................ 3
Objetivos Específicos: ......................................................................................................... 3
Estado del Arte ........................................................................................................................ 3
Marco Teorico ......................................................................................................................... 3
Diodo Rectificador............................................................................................................... 3
Principios de funcionamiento ............................................................................................. 4
Polarizacion Directa ............................................................................................................ 5
Polarizacion Inversa ............................................................................................................ 6
Conceptos Basicos ............................................................................................................... 6
Formulas para el Analisis de Diodos ................................................................................. 6
Desarrollo de ejercicios ....................................................................................................... 8
Diagramas ............................................................................................................................ 9
Cronograma de Actividades ................................................................................................. 11
Aportes ................................................................................................................................... 12
Conclusiones .......................................................................................................................... 12
Recomendaciones .................................................................................................................. 13
Bibliografía ............................................................................................................................ 13

Contenido General Figuras

Figura 1. Diodo de aplicación general. Recuperado de:
https://www.zonamaker.com/electronica/intro-electronica/componentes/el-diodo ................ 3
Figura 2. Curva característica de los diodos. Recuperado de:
http://www.ifent.org/lecciones/diodo/curva.asp ........................................................................ 4
Figura 3.Material tipo N ................................................................................................................ 4
Figura 4. Material tipo P ................................................................................................................ 4
Figura 5. Diodo en polarización directa. Recuperado de: https://es.wikipedia.org/wiki/Diodo .. 5
Figura 6. Diodo en polarización inversa. Recuperado de: https://es.wikipedia.org/wiki/Diodo.. 6
Figura 7. Circuito estabilizador de tensión .................................................................................... 8
Figura 8. Circuito básico de rectificación de media onda ........................................................... 12
Figura 9. Rectificación de media onda vista con un osciloscopio ............................................... 12

Contenido General Diagramas

Diagrama 1. Polarización de un diodo.......................................................................................... 9
Diagrama 2. Proceso de análisis de circuitos rectificadores con diodos ....................................... 9
Diagrama 3. Elementos del diodo y aplicaciones ........................................................................ 10
 Diodos

Objetivos
Objetivo General:
 Desarrollar ejercicios propuestos sobre el comportamiento de diodos dentro de
circuitos para su posterior aplicación practica
Objetivos Específicos:
 Investigar la base teórica sobre el funcionamiento de diodos.
 Describir aplicaciones y usos de los diodos dentro de circuitos desarrollados en la
vida real.

Estado del Arte

Marco Teórico
El diodo es un elemento semiconductor con dos terminales. Denominados ánodo y cátodo, que
tiene la propiedad de dejar pasar la corriente cuando el potencial de tensión aplicado en el ánodo
es mayor que el que es aplicado en el cátodo, forma conocida como polarización directa, y de
no dejar conducir cuando la diferencia de potencial aplicadas en sus extremos es contrario,
forma conocida como polarización inversa. [1]

Figura 1. Diodo de aplicación general. Recuperado de: https://www.zonamaker.com/electronica/intro-

electronica/componentes/el-diodo

Diodo Rectificador
Un diodo es un elemento de dos terminales cuya característica tensión-corriente no es lineal. En
una situación ideal, este dispositivo se comporta como un interruptor común, conduciendo
solamente en una dirección.

Puede sufrir tanto polarización inversa como directa. En la polarización inversor, se observa que
a través del diodo circula una corriente muy pequeña denominada de fugas o corriente inversa
de saturación. En la polarización directa, se conecta la fuente de tensión al diodo de forma que
el terminal negativo vaya al cátodo y el positivo al ánodo, al aplicar la tensión el diodo conduce.
[2]

Existen modelos y tipos diferente de diodos semiconductores que actualmente están disponibles
en el mercado como:

 Diodos rectificadores de toda la gama de potencias, con encapsulado individual o en

puente.
 Diodos de señal de uso general.
 Diodos de conmutación.
  Diodos de alta frecuencia.
 Diodos estabilizadores de tensión.
 Diodos especiales. [2]

Figura 2. Curva característica de los diodos. Recuperado de: http://www.ifent.org/lecciones/diodo/curva.asp

Principios de funcionamiento
 Semiconductor intrínseco. - Indica un material semiconductor extremadamente puro
que contiene una cantidad insignificante de átomos de impurezas.
 Semiconductor extrínseco. - Se le han añadido cantidades controladas de átomos
impuros (Dopado) para favorecer la aparición de electrones (tipo n – átomos de valencia
5: As, P o Sb) o de huecos (tipo p – átomos de valencia 3: Al, B, Ga o In).

Figura 3.Material tipo N

Figura 4. Material tipo P

El grupo IV de elementos en la tabla periódica, el cual incluye al Si (valencia=4) y al Ge

(valencia=4), contiene semiconductores que pueden rebajarse con el fin de favorecer la
presencia de hoyos que puedan funcionar como portadores de carga. Por ejemplo, cuando el Ge
se rebaja con pequeñas cantidades de fosforo (Grupo V), el exceso de electrones (P tiene tres
electrones de valencia en contraste con los cuatro en el nivel hibrido del Ge) hace que estos
actúen como portadores de carga mayor; el semiconductor es de tipo n. [3]
Por el contrario, si el Ge es rebajado con un elemento del Grupo III, el indio por ejemplo, el
semiconductor se vuelve tipo p, dado que los hoyos son los portadores mayoritarios de carga
[3].

Si materiales de ambos tipos (semiconductores del tipo n y p) se unen, se obtiene una conexión
p-n. Cuando se crea la conexión y no se le aplica ningún campo eléctrico externo, los electrones
fluyen de lado rebajado n al lado rebajado p hasta que los potenciales electromecánicos de
dichos electrones (niveles de Fermi) se encuentren equilibrados en ambos lados [3].

La redistribución de los hoyos y de los electrones en la región de la conexión crea lo que se

conoce como una “región de agotamiento”, la cual crea un campo eléctrico que, eventualmente,
interrumpe el flujo neto en virtud de la capa aislante que se desarrolla [3].

Polarización Directa

Figura 5. Diodo en polarización directa. Recuperado de: https://es.wikipedia.org/wiki/Diodo

Para que los portadores mayoritarios de corriente en ambos lados del diodo puedan atravesar la
unión PN, es necesario que la barrera de potencia en esa zona sea reducida, para ello se aplica
un voltaje externo de polarización, el cual es llamado polarización directa cuando el terminal
positivo de la fuente se conecta al electrodo del lado P o ánodo y el negativo al lado N o cátodo;
a partir de esta conexión el diodo puede permitir el paso de corriente.

En un diodo polarizado directamente los electrones libres del lado N son repelidos por el
terminal negativo de la fuente y se dirigen hacia la zona de unión PN, de modo similar los
huecos del lado P son repelidos por el terminal positivo; como consecuencia de esto en la
juntura PN se concentra una gran cantidad de portadores mayoritarios que atraviesan la barrera
y se combinan entre sí. Por cada electrón que se combina con un hueco, permite el paso de otro
electrón desde el terminal negativo y sale otro por el terminal negativo de esta forma se crea un
flujo constante de corriente.

Un diodo en polarización directa se comporta como un conductor debido a la poca resistencia a

la corriente.
Polarización Inversa

Figura 6. Diodo en polarización inversa. Recuperado de: https://es.wikipedia.org/wiki/Diodo

Este tipo de polarización se da cuando el terminal positivo de la fuente es conectado al cátodo

del diodo y el terminal negativo al ánodo, contrario a lo que se hace en la polarización directa, el
diodo en este estado se lo llama de bloqueo o de corte.

En un diodo en polarización inversa sus electrones libres del lado N son atraídos por el terminal
positivo alejándose de la región de la unión, de modo similar los huecos de lado P son atraídos
por el terminal negativo, como consecuencia en la región de la juntura PN se presenta una,
escases de portadores mayoritarios de corriente.

Bajo la influencia del voltaje de la fuente, los electrones y los huecos no pueden atravesar la
barrera de potencia y por ende no existe un flujo de corriente, un diodo polarizado inversamente
actúa como un aislante por ofrecer gran resistencia al paso de corriente.

Conceptos Básicos
 VF: Caída de tensión directa. Se trata de la caída de tensión en borna del diodo cuando este
se encuentra en estado de conducción y que tiene unos valores típicos de 0,7V para el silicio
y de 0,3V para el germanio.
 VR: Tensión inversa máxima del diodo.
 VRM: Tensión inversa de pico.
 I0: Intensidad rectificada.
 PSM: Potencia no repetitiva máxima.
 IF(AV): Corriente media directa.
 IF(RMS): Corriente eficaz directa.
 Corriente inversa de fuga: Pequeña corriente producida por los portadores minoritarios,
cuando el diodo se encuentra en polarización inversa.
 Avalancha: Estado de destrucción del diodo, ruptura de la estructura cristalina, producida
por una gran corriente.
 Voltaje zener o de ruptura: Voltaje aplicado que produce el estado de avalancha en el
diodo.
 Capacitancia de juntura: Las regiones N y P se comportan como las placas de un
condensador y la barrera de potencial como el material dieléctrico, cuando se polariza
directamente esta barrera se estrecha y se produce un aumento en la capacitancia, de forma
contraria, si se polariza inversamente la capacitancia disminuye.

Fórmulas para el Análisis de Diodos

Circuitos Rectificadores con Diodos
 𝐸𝑒𝑓
𝐹𝐹 =
𝐸𝑚𝑒𝑑

𝐸𝑒𝑓 𝑜𝑛𝑑
𝐹𝑅 =
𝐸𝑚𝑒𝑑

𝐹𝐹2 = 1 + 𝐹𝑅2

 Circuito rectificador de media onda

𝐸𝑚á𝑥
𝑇𝑒𝑛𝑠𝑖ó𝑛 𝑒𝑓𝑖𝑐𝑎𝑧 𝑑𝑒 𝑠𝑎𝑙𝑖𝑑𝑎: 𝑉0 (𝑒𝑓) =
2
𝐸𝑚á𝑥
𝑇𝑒𝑛𝑠𝑖ó𝑛 𝑚𝑒𝑑𝑖𝑎 𝑑𝑒 𝑠𝑎𝑙𝑖𝑑𝑎: 𝑉0 (𝑚𝑒𝑑) =
𝜋

𝐹𝑎𝑐𝑡𝑜𝑟 𝑑𝑒 𝑓𝑜𝑟𝑚𝑎: 𝐹𝐹 = 1,57

𝐹𝑎𝑐𝑡𝑜𝑟 𝑑𝑒 𝑟𝑖𝑧𝑎𝑑𝑜: 𝐹𝐹 = 1,21

𝐶𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑚𝑒𝑑𝑖𝑎 𝑑𝑖𝑟𝑒𝑐𝑡𝑎 𝑝𝑜𝑟 𝑒𝑙 𝑑𝑖𝑜𝑑𝑜: 𝐼𝐹(𝐴𝑉) = 𝐼𝑚𝑒𝑑 𝑠𝑎𝑙.

𝐶𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑑𝑒 𝑝𝑖𝑐𝑜 𝑝𝑜𝑟 𝑒𝑙 𝑑𝑖𝑜𝑑𝑜: 𝐼𝐹𝑀 = 𝜋 ∗ 𝐼𝑚𝑒𝑑 𝑠𝑎𝑙.

𝐶𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑒𝑓𝑖𝑐𝑎𝑧 𝑑𝑖𝑟𝑒𝑐𝑡𝑎: 𝐼𝐹(𝑅𝑀𝑆) = 𝐼𝑒𝑓 𝑠𝑎𝑙.

𝑇𝑒𝑛𝑠𝑖𝑜𝑛 𝑖𝑛𝑣𝑒𝑟𝑠𝑎 𝑑𝑒𝑙 𝑑𝑖𝑜𝑑𝑜: 𝑉𝑅 = 𝐸𝑚á𝑥

 Circuito rectificador de doble onda

𝐸𝑚á𝑥
𝑇𝑒𝑛𝑠𝑖ó𝑛 𝑒𝑓𝑖𝑐𝑎𝑧 𝑑𝑒 𝑠𝑎𝑙𝑖𝑑𝑎: 𝑉0 (𝑒𝑓) =
√2
2 ∗ 𝐸𝑚á𝑥
𝑇𝑒𝑛𝑠𝑖ó𝑛 𝑚𝑒𝑑𝑖𝑎 𝑑𝑒 𝑠𝑎𝑙𝑖𝑑𝑎: 𝑉0 (𝑚𝑒𝑑) =
𝜋

𝐹𝑎𝑐𝑡𝑜𝑟 𝑑𝑒 𝑓𝑜𝑟𝑚𝑎: 𝐹𝐹 = 1,11

𝐹𝑎𝑐𝑡𝑜𝑟 𝑑𝑒 𝑟𝑖𝑧𝑎𝑑𝑜: 𝐹𝐹 = 0,48

𝐶𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑚𝑒𝑑𝑖𝑎 𝑑𝑖𝑟𝑒𝑐𝑡𝑎 𝑝𝑜𝑟 𝑒𝑙 𝑑𝑖𝑜𝑑𝑜: 𝐼𝐹(𝐴𝑉) = 0,5𝐼𝑚𝑒𝑑 𝑠𝑎𝑙.

𝐶𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑑𝑒 𝑝𝑖𝑐𝑜 𝑝𝑜𝑟 𝑒𝑙 𝑑𝑖𝑜𝑑𝑜: 𝐼𝐹𝑀 = 1,57𝐼𝑚𝑒𝑑 𝑠𝑎𝑙.

𝐶𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑒𝑓𝑖𝑐𝑎𝑧 𝑑𝑖𝑟𝑒𝑐𝑡𝑎: 𝐼𝐹(𝑅𝑀𝑆) = 0,7𝐼𝑒𝑓 𝑠𝑎𝑙.

𝑇𝑒𝑛𝑠𝑖𝑜𝑛 𝑖𝑛𝑣𝑒𝑟𝑠𝑎 𝑑𝑒𝑙 𝑑𝑖𝑜𝑑𝑜: 𝑉𝑅 = 2 ∗ 𝐸𝑚á𝑥

 Circuito rectificador de doble onda con puente de diodo

𝐸𝑚á𝑥
𝑇𝑒𝑛𝑠𝑖ó𝑛 𝑒𝑓𝑖𝑐𝑎𝑧 𝑑𝑒 𝑠𝑎𝑙𝑖𝑑𝑎: 𝑉0 (𝑒𝑓) =
√2
2 ∗ 𝐸𝑚á𝑥
𝑇𝑒𝑛𝑠𝑖ó𝑛 𝑚𝑒𝑑𝑖𝑎 𝑑𝑒 𝑠𝑎𝑙𝑖𝑑𝑎: 𝑉0 (𝑚𝑒𝑑) =
𝜋
 𝐹𝑎𝑐𝑡𝑜𝑟 𝑑𝑒 𝑓𝑜𝑟𝑚𝑎: 𝐹𝐹 = 1,11

𝐹𝑎𝑐𝑡𝑜𝑟 𝑑𝑒 𝑟𝑖𝑧𝑎𝑑𝑜: 𝐹𝐹 = 0,48

𝐶𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑚𝑒𝑑𝑖𝑎 𝑑𝑖𝑟𝑒𝑐𝑡𝑎 𝑝𝑜𝑟 𝑒𝑙 𝑑𝑖𝑜𝑑𝑜: 𝐼𝐹(𝐴𝑉) = 0,5𝐼𝑚𝑒𝑑 𝑠𝑎𝑙.

𝐶𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑑𝑒 𝑝𝑖𝑐𝑜 𝑝𝑜𝑟 𝑒𝑙 𝑑𝑖𝑜𝑑𝑜: 𝐼𝐹𝑀 = 1,57𝐼𝑚𝑒𝑑 𝑠𝑎𝑙.

𝐶𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑒𝑓𝑖𝑐𝑎𝑧 𝑑𝑖𝑟𝑒𝑐𝑡𝑎: 𝐼𝐹(𝑅𝑀𝑆) = 0,7𝐼𝑒𝑓 𝑠𝑎𝑙.

𝑇𝑒𝑛𝑠𝑖𝑜𝑛 𝑖𝑛𝑣𝑒𝑟𝑠𝑎 𝑑𝑒𝑙 𝑑𝑖𝑜𝑑𝑜: 𝑉𝑅 = 𝐸𝑚á𝑥

 Filtro de condensador en paralelo

𝐼𝑜
𝑉𝑟(𝑒𝑓) =
2√2𝐶𝐹

𝑉0 = 𝐸𝑚á𝑥 − 𝑉𝑟(𝑚á𝑥)

 Filtro LC y en 

𝑉𝑟(𝑒𝑓)
𝑉′𝑟(𝑒𝑓) =
𝐿𝐶Ω2

 Estabilizador de tensión con Zener

Figura 7. Circuito estabilizador de tensión

𝑃𝑧(𝑚á𝑥) = 𝑉𝑧 ∗ 𝐼𝑧(𝑚á𝑥)

𝑉𝐸 = (𝐼𝑧 + 𝐼𝐿 ) ∗ 𝑅𝑠 + 𝑉𝑧

𝑉𝐸(𝑚á𝑥) = (𝐼𝑧(𝑚á𝑥) + 𝐼𝐿 ) ∗ 𝑅𝑠 + 𝑉𝑧

𝑉𝐸(𝑚𝑖𝑛) = (𝐼𝑧(𝑚𝑖𝑛) + 𝐼𝐿 ) ∗ 𝑅𝑠 + 𝑉𝑧

Desarrollo de ejercicios
Diagramas

Diagrama 1. Polarización de un diodo

Dentro del diagrama se muestra un diodo en la polarización directa, además de su función como
un interruptor, ya que en este estado se comporta idealmente como un cortocircuito, los
electrones del lado N son repelidos por el terminal negativo de la fuente y de igual forma los
huecos del lado P, en la región de unión se encuentran una gran cantidad de portadores de
corriente que pueden pasar la barrera de potencial y combinarse mutuamente permitiendo el
paso de corriente.

Diagrama 2. Proceso de análisis de circuitos rectificadores con diodos

El diagrama explica el proceso para el análisis de un circuito rectificador de onda mediante el

uso de diodos, se explican los pasos necesarios para calcular voltaje, corriente, factores de
forma y rizado de una forma ordenada y secuencial.
 Diagrama 3. Elementos del diodo y aplicaciones

En Diagrama 3 se explica los materiales de los cuales está compuesto un diodo, como lo son los
de tipo P y los de tipo N, además de algunos conceptos básicos que describen su composición y
comportamiento además se observa las aplicaciones más frecuentes que se realizan mediante el
cambio de alguno de los materiales de un diodo para generar una amplia gama de
funcionalidades.
Cronograma de Actividades
Aportes
 Circuito Rectificador de media onda en Proteus

Figura 8. Circuito básico de rectificación de media onda

𝑉𝑖𝑛 = 110𝑉

110
𝑉𝑟𝑚𝑠 = = 77,78 𝑉
√2

Figura 9. Rectificación de media onda vista con un osciloscopio

Conclusiones
 El diodo semiconductor es un elemento electrónico muy utilizado dentro del ensamblaje de
circuitos sencillos, microchips y dentro de la industria, debido a la amplia variedad de
propiedades y aplicaciones que brinda al diseñador.
 A partir de la unión de dos tipos de materiales semiconductores, tipo N y P se logra la
formación de un diodo, el cual por las características propias de cada uno de estos hace que
su comportamiento pueda ser de un circuito abierto o un cortocircuito.
 Existen dos posibles configuraciones para un diodo: polarización directa, los terminales
positivos y negativos de la fuente de alimentación corresponden a los terminales positivos y
negativos del diodo permitiendo el paso de corriente; y polarización inversa, los terminales
de la fuente se conectan de forma contraria a los terminales del diodo causando una
obstrucción y evitando el paso de corriente.
 Las principales aplicaciones del diodo se encuentran en circuitos rectificadores de ondas
senoidales, donde mediante la aplicación de estos se puede convertir la corriente alterna en
continua; además con la utilización de un diodo zener es posible la implementación de un
circuito estabilizador de voltaje.

Recomendaciones
 Antes de comenzar cualquier elemento o dispositivo electrónico es necesario revisar su hoja
de datos en la se indican especificaciones técnicas de fabricación y valores máximos o
mínimos de funcionamiento.
 Probar con anterioridad la polaridad de un diodo, se lo puede realizar mediante la
visualización de una línea en el cátodo del diodo, en caso de no existir dicha línea, se puede
realizar esta acción mediante la aplicación de un multímetro en la función de continuidad.
 Esquematizar previamente el diseño del circuito en el cual se integrará el diodo con el fin de
evitar confusiones o un mal funcionamiento, esta práctica además proporciona de un medio
fácil para la corrección de errores en caso de existir alguno.

Bibliografía

[1] L. Cuesta, A. Padilla y F. Remiro, Electronica Analógica, Madrid: McGraw Hill, 1991.

[2] C. Ibarra, S. Medina y A. Bernal, «Implementación de un laboratorio virtual para el estudio

de dispositivos electrónicos,» Revista Iberoamericana de Tecnología en Educación y
Educación en Tecnología, nº 2, pp. 62-70, 2007.

[3] O. Suarez, D. Stone, C. Kailhofer y L. Casper, «Caracterización de diodos comerciales y

experimentales», Journal of Materials Education, vol.24. n° 2, pp. 267-278, 2002.