Transistor

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Transistor
Transistorer (cropped).jpg
El tamano de un transistor guarda relacion con la potencia que es capaz de manejar
Tipo Semiconductor
Invencion John Bardeen, Walter Houser Brattain y William Bradford Shockley (1947)
Simbolo electronico
BJT symbol NPN.svg
Terminales Emisor, base y colector
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El transistor es un dispositivo electronico semiconductor utilizado para entregar
una senal de salida en respuesta a una senal de entrada. Cumple funciones de
amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El termino ��transistor�� es la
contraccion en ingles de transfer resistor (��resistor de transferencia��).
Actualmente se encuentra practicamente en todos los aparatos electronicos de uso
diario tales como radios, televisores, reproductores de audio y video, relojes de
cuarzo, computadoras, lamparas fluorescentes, tomografos, telefonos celulares,
aunque casi siempre dentro de los llamados circuitos integrados.

Indice
1 Historia
2 Funcionamiento
3 Tipos de transistor
3.1 Transistor de contacto puntual
3.2 Transistor de union bipolar
3.3 Transistor de efecto de campo
3.4 Fototransistor
4 Transistores y electronica de potencia
5 Construccion
5.1 Material semiconductor
6 El transistor bipolar como amplificador
6.1 Emisor comun
7 Diseno de una etapa en configuracion emisor comun
7.1 Base comun
7.2 Colector comun
8 El transistor bipolar frente a la valvula termoionica
9 Vease tambien
10 Referencias
11 Bibliografia
12 Enlaces externos
Historia
Articulo principal: Historia del transistor

Replica del primer transistor en actividad, que hoy pertenece a la empresa Lucent
Technologies
El fisico austro-hungaro Julius Edgar Lilienfeld solicito en Canada en el ano
19251? una patente para lo que el denomino "un metodo y un aparato para controlar
corrientes electricas" y que se considera el antecesor de los actuales transistores
de efecto campo, ya que estaba destinado a ser un reemplazo de estado solido del
triodo. Lilienfeld tambien solicito patentes en los Estados Unidos en los anos
19262? y 1928.3?4? Sin embargo, Lilienfeld no publico ningun articulo de
investigacion sobre sus dispositivos ni sus patentes citan algun ejemplo especifico
de un prototipo de trabajo. Debido a que la produccion de materiales
semiconductores de alta calidad no estaba disponible por entonces, las ideas de
Lilienfeld sobre amplificadores de estado solido no encontraron un uso practico en
los anos 1920 y 1930, aunque acabara de construir un dispositivo de este tipo.5?
En 1934, el inventor aleman Oskar Heil patento en Alemania y Gran Bretana6? un
dispositivo similar. Cuatro anos despues, los tambien alemanes Robert Pohl y Rudolf
Hilsch efectuaron experimentos en la Universidad de Gottingen, con cristales de
bromuro de potasio, usando tres electrodos, con los cuales lograron la
amplificacion de senales de 1 Hz, pero sus investigaciones no condujeron a usos
practicos.7?Mientras tanto, la experimentacion en los Laboratorios Bell con
rectificadores a base de oxido de cobre y las explicaciones sobre rectificadores a
base de semiconductores por parte del aleman Walter Schottky y del ingles Nevill
Mott, llevaron a pensar en 1938 a William Shockley que era posible lograr la
construccion de amplificadores a base de semiconductores, en lugar de tubos de
vacio.7?

Desde el 17 de noviembre de 1947 hasta el 23 de diciembre de 1947, los fisicos

estadounidenses John Bardeen y Walter Houser Brattain de los Laboratorios Bell8?
llevaron a cabo diversos experimentos y observaron que cuando dos contactos
puntuales de oro eran aplicados a un cristal de germanio, se produjo una senal con
una potencia de salida mayor que la de entrada.9? El lider del Grupo de Fisica del
Estado Solido William Shockley vio el potencial de este hecho y, en los siguientes
meses, trabajo para ampliar en gran medida el conocimiento de los semiconductores.
El termino "transistor" fue sugerido por el ingeniero estadounidense John R.
Pierce, basandose en dispositivos semiconductores ya conocidos entonces, como el
termistor y el varistor y basandose en la propiedad de transrresistencia que
mostraba el dispositivo.10? Segun una biografia de John Bardeen, Shockley habia
propuesto que la primera patente para un transistor de los Laboratorios Bell debia
estar basado en el efecto de campo y que el fuera nombrado como el inventor.
Habiendo redescubierto las patentes de Lilienfeld que quedaron en el olvido anos
atras, los abogados de los Laboratorios Bell desaconsejaron la propuesta de
Shockley porque la idea de un transistor de efecto de campo no era nueva. En su
lugar, lo que Bardeen, Brattain y Shockley inventaron en 1943 fue el primer
transistor de contacto de punto, cuya primera patente solicitaron los dos primeros
nombrados, el 17 de junio de 1946,11?a la cual siguieron otras patentes acerca de
aplicaciones de este dispositivo.12?13?14? En reconocimiento a este logro,
Shockley, Bardeen y Brattain fueron galardonados conjuntamente con el Premio Nobel
de Fisica de 1956 "por sus investigaciones sobre semiconductores y su
descubrimiento del efecto transistor".15?

En 1948, el transistor de contacto fue inventado independientemente por los fisicos

alemanes Herbert Matare y Heinrich Welker, mientras trabajaban en la Compagnie des
Freins et Signaux, una subsidiaria francesa de la estadounidense Westinghouse.
Matare tenia experiencia previa en el desarrollo de rectificadores de cristal de
silicio y de germanio mientras trabajaba con Welker en el desarrollo de un radar
aleman durante la Segunda Guerra Mundial. Usando este conocimiento, el comenzo a
investigar el fenomeno de la "interferencia" que habia observado en los
rectificadores de germanio durante la guerra. En junio de 1948, Matare produjo
resultados consistentes y reproducibles utilizando muestras de germanio producidas
por Welker, similares a lo que Bardeen y Brattain habian logrado anteriormente en
diciembre de 1947. Al darse cuenta de que los cientificos de Laboratorios Bell ya
habian inventado el transistor antes que ellos, la empresa se apresuro a poner en
produccion su dispositivo llamado "transistron" para su uso en la red telefonica de
Francia.16?El 26 de junio de 1948, Wiliam Shockley solicito la patente del
transistor bipolar de union17? y el 24 de agosto de 1951 solicito la primera
patente de un transistor de efecto de campo,18? tal como se declaro en ese
documento, en el que se menciono la estructura que ahora posee. Al ano siguiente,
George Clement Dacey e Ian Ross, de los Laboratorios Bell, tuvieron exito al
fabricar este dispositivo,19?cuya nueva patente fue solicitada el 31 de octubre de
1952.20? Meses antes, el 9 de mayo de ese ano, el ingeniero Sidney Darlington
solicito la patente del arreglo de dos transistores conocido actualmente como
transistor Darlington.21?
El primer transistor de alta frecuencia fue el transistor de barrera de superficie
de germanio desarrollado por los estadounidenses John Tiley y Richard Williams de
Philco Corporation en 1953,22?capaz de operar con senales de hasta 60 MHz.23? Para
fabricarlo, se uso un procedimiento creado por los ya mencionados inventores
mediante el cual eran grabadas depresiones en una base de germanio tipo N de ambos
lados con chorros de sulfato de indio hasta que tuviera unas diez milesimas de
pulgada de espesor. El Indio electroplateado en las depresiones formo el colector y
el emisor.24?El primer receptor de radio para automoviles que fue producido en 1955
por Chrysler y Philco; uso estos transistores en sus circuitos y tambien fueron los
primeros adecuados para las computadoras de alta velocidad de esa epoca.25?26?

El primer transistor de silicio operativo fue desarrollado en los Laboratorios Bell

en enero 1954 por el quimico Morris Tanenbaum.27?El 20 de junio de 1955, Tanenbaum
y Calvin Fuller, solicitaron una patente para un procedimiento inventado por ambos
para producir dispositivos semiconductores.28? El primer transistor de silicio
comercial fue producido por Texas Instruments en 1954 gracias al trabajo del
experto Gordon Teal quien habia trabajado previamente en los Laboratorios Bell en
el crecimiento de cristales de alta pureza.29? El primer transistor MOSFET fue
construido por el coreano-estadounidense Dawon Kahng y el egipcio Martin Atalla,
ambos ingenieros de los Laboratorios Bell, en 1960.30?31?

Funcionamiento
El transistor consta de tres partes dopadas artificialmente (contaminadas con
materiales especificos en cantidades especificas) que forman dos uniones bipolares:
el emisor que emite portadores, el colector que los recibe o recolecta y la
tercera, que esta intercalada entre las dos primeras, modula el paso de dichos
portadores (base). A diferencia de las valvulas, el transistor es un dispositivo
controlado por corriente y del que se obtiene corriente amplificada. En el diseno
de circuitos a los transistores se les considera un elemento activo,32?a diferencia
de los resistores, condensadores e inductores que son elementos pasivos.33?

De manera simplificada, la corriente que circula por el colector es funcion

amplificada de la que se inyecta en el emisor, pero el transistor solo gradua la
corriente que circula a traves de si mismo, si desde una fuente de corriente
continua se alimenta la base para que circule la carga por el colector, segun el
tipo de circuito que se utilice. El factor de amplificacion o ganancia logrado
entre corriente de colector y corriente de base, se denomina Beta del transistor.
Otros parametros a tener en cuenta y que son particulares de cada tipo de
transistor son: Tensiones de ruptura de Colector Emisor, de Base Emisor, de
Colector Base, Potencia Maxima, disipacion de calor, frecuencia de trabajo, y
varias tablas donde se grafican los distintos parametros tales como corriente de
base, tension Colector Emisor, tension Base Emisor, corriente de Emisor, etc. Los
tres tipos de esquemas(configuraciones) basicos para utilizacion analogica de los
transistores son emisor comun, colector comun y base comun.

Modelos posteriores al transistor descrito, el transistor bipolar (transistores

FET, MOSFET, JFET, CMOS, VMOS, etc.) no utiliza la corriente que se inyecta en el
terminal de base para modular la corriente de emisor o colector, sino la tension
presente en el terminal de puerta y gradua la conductancia del canal entre los
terminales de Fuente y Drenaje. Cuando la conductancia es nula y el canal se
encuentra estrangulado, por efecto de la tension aplicada entre Compuerta y Fuente,
es el campo electrico presente en el canal el responsable de impulsar los
electrones desde la fuente al drenaje. De este modo, la corriente de salida en la
carga conectada al Drenaje (D) sera funcion amplificada de la tension presente
entre la compuerta y la fuente, de manera analoga al funcionamiento del triodo.

Los transistores de efecto de campo son los que han permitido la integracion a gran
escala disponible hoy en dia; para tener una idea aproximada pueden fabricarse
varios cientos de miles de transistores interconectados, por centimetro cuadrado y
en varias capas superpuestas.

Tipos de transistor

Distintos encapsulados de transistores.

Transistor de contacto puntual
Llamado tambien "transistor de punta de contacto", fue el primer transistor capaz
de obtener ganancia, inventado en 1947 por John Bardeen y Walter Brattain. Consta
de una base de germanio, semiconductor para entonces mejor conocido que la
combinacion cobre-oxido de cobre, sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas
metalicas que constituyen el emisor y el colector. La corriente de base es capaz de
modular la resistencia que se ��ve�� en el colector, de ahi el nombre de transfer
resistor. Se basa en efectos de superficie, poco conocidos en su dia. Es dificil de
fabricar (las puntas se ajustaban a mano), fragil (un golpe podia desplazar las
puntas) y ruidoso. Sin embargo convivio con el transistor de union debido a su
mayor ancho de banda. En la actualidad ha desaparecido.

Transistor de union bipolar

Articulo principal: Transistor de union bipolar

Diagrama de Transistor NPN

El transistor de union bipolar (o BJT, por sus siglas del ingles bipolar junction
transistor) se fabrica sobre un monocristal de material semiconductor como el
germanio, el silicio o el arseniuro de galio, cuyas cualidades son intermedias
entre las de un conductor electrico y las de un aislante. Sobre el sustrato de
cristal se contaminan en forma muy controlada tres zonas sucesivas, N-P-N o P-N-P,
dando lugar a dos uniones PN.

Las zonas N (en las que abundan portadores de carga Negativa) se obtienen
contaminando el sustrato con atomos de elementos donantes de electrones, como el
arsenico o el fosforo; mientras que las zonas P (donde se generan portadores de
carga Positiva o ��huecos��) se logran contaminando con atomos aceptadores de
electrones, como el indio, el aluminio o el galio.

La tres zonas contaminadas, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la
letra intermedia siempre corresponde a la region de la base, y las otras dos al
emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la
base, tienen diferente contaminacion entre ellas (por lo general, el emisor esta
mucho mas contaminado que el colector).

El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor dependera de dichas

contaminaciones, de la geometria asociada y del tipo de tecnologia de contaminacion
(difusion gaseosa, epitaxial, etc.) y del comportamiento cuantico de la union.

Transistor de efecto de campo

-Simbolo del transistor JFET, en el que se indican: drenador, surtidor y compuerta

El transistor de efecto de campo de union (JFET), fue el primer transistor de
efecto de campo en la practica. Lo forma una barra de material semiconductor de
silicio de tipo N o P. En los terminales de la barra se establece un contacto
ohmico, tenemos asi un transistor de efecto de campo tipo N de la forma mas basica.
Si se difunden dos regiones P en una barra de material N y se conectan externamente
entre si, se producira una puerta. A uno de estos contactos le llamaremos surtidor
y al otro drenador. Aplicando tension positiva entre el drenador y el surtidor y
conectando la puerta al surtidor, estableceremos una corriente, a la que llamaremos
corriente de drenador con polarizacion cero. Con un potencial negativo de puerta al
que llamamos tension de estrangulamiento, cesa la conduccion en el canal.

El transistor de efecto de campo, o FET por sus siglas en ingles, que controla la
corriente en funcion de una tension; tienen alta impedancia de entrada.

Transistor de efecto de campo de union, JFET, construido mediante una union PN.
Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el que la compuerta
se aisla del canal mediante un dielectrico.
Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS significa Metal-Oxido-
Semiconductor, en este caso la compuerta es metalica y esta separada del canal
semiconductor por una capa de oxido.
Fototransistor
Articulo principal: Fototransistor
Los fototransistores son sensibles a la radiacion electromagnetica en frecuencias
cercanas a la de la luz visible; debido a esto su flujo de corriente puede ser
regulado por medio de la luz incidente. Un fototransistor es, en esencia, lo mismo
que un transistor normal, solo que puede trabajar de 2 maneras diferentes:

Como un transistor normal con la corriente de base (IB) (modo comun);

Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de
corriente de base. (IP) (modo de iluminacion).
Transistores y electronica de potencia
Con el desarrollo tecnologico y evolucion de la electronica, la capacidad de los
dispositivos semiconductores para soportar cada vez mayores niveles de tension y
corriente ha permitido su uso en aplicaciones de potencia. Es asi como actualmente
los transistores son empleados en conversores estaticos de potencia, controles para
motores y llaves de alta potencia (principalmente inversores), aunque su principal
uso esta basado en la amplificacion de corriente dentro de un circuito cerrado.

Construccion
Material semiconductor
Caracteristicas del material semiconductor
Material
semiconductor Tension directa
de la union
V @ 25 ��C Movilidad de electrones
m2/(V��s) @ 25 ��C Movilidad de huecos
m2/(V��s) @ 25 ��C Maxima
temperatura de union
��C
Ge 0.27 0.39 0.19 70 a 100
Si 0.71 0.14 0.05 150 a 200
GaAs 1.03 0.85 0.05 150 a 200
Al-Si 0.3 ? ? 150 a 200
Los primeros transistores bipolares de union se fabricaron con germanio (Ge). Los
transistores de Silicio (Si) actualmente predominan, pero ciertas versiones
avanzadas de microondas y de alto rendimiento ahora emplean el compuesto
semiconductor de arseniuro de galio (GaAs) y la aleacion semiconductora de silicio-
germanio (SiGe). El material semiconductor a base de un elemento (Ge y Si) se
describe como elemental.

Los parametros en bruto de los materiales semiconductores mas comunes utilizados

para fabricar transistores se dan en la tabla adjunta; estos parametros variaran
con el aumento de la temperatura, el campo electrico, nivel de impurezas, la
tension, y otros factores diversos.

La tension directa de union es la tension aplicada a la union emisor-base de un

transistor bipolar de union con el fin de hacer que la base conduzca a una
corriente especifica. La corriente aumenta de manera exponencial a medida que
aumenta la tension en directa de la union. Los valores indicados en la tabla son
las tipicos para una corriente de 1 mA (los mismos valores se aplican a los diodos
semiconductores). Cuanto mas bajo es la tension de la union en directa, mejor, ya
que esto significa que se requiere menos energia para colocar en conduccion al
transistor. La tension de union en directa para una corriente dada disminuye con el
aumento de la temperatura. Para una union de silicio tipica, el cambio es de ?2.1
mV/��C.34? En algunos circuitos deben usarse elementos compensadores especiales
(sensistores) para compensar tales cambios.

La densidad de los portadores moviles en el canal de un MOSFET es una funcion del

campo electrico que forma el canal y de varios otros fenomenos tales como el nivel
de impurezas en el canal. Algunas impurezas, llamadas dopantes, se introducen
deliberadamente en la fabricacion de un MOSFET, para controlar su comportamiento
electrico.

Las columnas de movilidad de electrones y movilidad de huecos de la tabla muestran

la velocidad media con que los electrones y los huecos se difunden a traves del
material semiconductor con un campo electrico de 1 voltio por metro, aplicado a
traves del material. En general, mientras mas alta sea la movilidad electronica, el
transistor puede funcionar mas rapido. La tabla indica que el germanio es un
material mejor que el silicio a este respecto. Sin embargo, el germanio tiene
cuatro grandes deficiencias en comparacion con el silicio y arseniuro de galio:

Su temperatura maxima es limitada.

Tiene una corriente de fuga relativamente alta.
No puede soportar altas tensiones.
Es menos adecuado para la fabricacion de circuitos integrados.
Debido a que la movilidad de los electrones es mas alta que la movilidad de los
huecos para todos los materiales semiconductores, un transistor bipolar n-p-n dado
tiende a ser mas rapido que un transistor equivalente p-n-p. El arseniuro de galio
tiene el valor mas alto de movilidad de electrones de los tres semiconductores. Es
por esta razon que se utiliza en aplicaciones de alta frecuencia. Un transistor FET
de desarrollo relativamente reciente, el transistor de alta movilidad de electrones
(HEMT), tiene una heteroestructura (union entre diferentes materiales
semiconductores) de arseniuro de galio-aluminio (AlGaAs)-arseniuro de galio (GaAs),
que tiene el doble de la movilidad de los electrones que una union de barrera GaAs-
metal. Debido a su alta velocidad y bajo nivel de ruido, los HEMT se utilizan en
los receptores de satelite que trabajan a frecuencias en torno a los 12 GHz. Los
HEMT basados en nitruro de galio y nitruro de galio aluminio (AlGaN/GaN HEMT)
proporcionan una movilidad de los electrones aun mayor y se estan desarrollando
para diversas aplicaciones.

Los valores de la columna de Maximo valor de temperatura de la union han sido

tomados a partir de las hojas de datos de varios fabricantes. Esta temperatura no
debe ser excedida o el transistor puede danarse.

Los datos de la fila Al-Si de la tabla se refieren a los diodos de barrera de

metal-semiconductor de alta velocidad (de aluminio-silicio), conocidos comunmente
como diodos Schottky. Esto esta incluido en la tabla, ya que algunos transistor
IGFET de potencia de silicio tienen un diodo Schottky inverso "parasito" formado
entre la fuente y el drenaje como parte del proceso de fabricacion. Este diodo
puede ser una molestia, pero a veces se utiliza en el circuito del cual forma
parte.

El transistor bipolar como amplificador

El comportamiento del transistor se puede ver como dos diodos (Modelo de Ebers-
Moll), uno entre base y emisor, polarizado en directo y otro diodo entre base y
colector, polarizado en inverso. Esto quiere decir que entre base y emisor
tendremos una tension igual a la tension directa de un diodo, es decir 0,6 a 0,8 V
para un transistor de silicio y unos 0,4 para el germanio.

Lo interesante del dispositivo es que en el colector tendremos una corriente

proporcional a la corriente de base: IC = �� IB, es decir, ganancia de corriente
cuando ��>1. Para transistores normales de senal, �� varia entre 100 y 300. Existen
tres configuraciones para el amplificador transistorizado: emisor comun, base comun
y colector comun.

Emisor comun

Emisor comun.
La senal se aplica a la base del transistor y se extrae por el colector. El emisor
se conecta al punto de tierra (masa) que sera comun, tanto de la senal de entrada
como para la de salida. En esta configuracion, existe ganancia tanto de tension
como de corriente. Para lograr la estabilizacion de la etapa ante las variaciones
de la senal, se dispone de una resistencia de emisor, (RE) y para frecuencias
bajas, la impedancia de salida se aproxima a RC. La ganancia de tension se expresa:

{\displaystyle G_{V}=-{\frac {R_{C}}{R_{E}}}} {\displaystyle G_{V}=-{\frac {R_{C}}

{R_{E}}}}

El signo negativo, indica que la senal de salida esta invertida con respecto a la
senal de entrada.

Si el emisor esta conectado directamente a masa, la ganancia queda expresada de la

siguiente forma:

{\displaystyle G_{V}=-{\frac {R_{C}}{R_{e}}}} {\displaystyle G_{V}=-{\frac {R_{C}}

{R_{e}}}}

Como la base esta conectada al emisor por un diodo polarizado en directo, entre
ellos se puede suponer que existe una tension constante, denominada {\displaystyle
V_{BE}} {\displaystyle V_{BE}} y que el valor de la ganancia (��) es constante. Del
grafico adjunto, se deduce que la tension de emisor es:

{\displaystyle V_{E}=V_{B}-V_{BE}} {\displaystyle V_{E}=V_{B}-V_{BE}}

Y la corriente de emisor:

{\displaystyle I_{E}={\frac {V_{E}}{R_{E}}}={\frac {V_{B}-V_{BE}}{R_{E}}}}

{\displaystyle I_{E}={\frac {V_{E}}{R_{E}}}={\frac {V_{B}-V_{BE}}{R_{E}}}}.

La corriente de emisor es igual a la de colector mas la de base:

{\displaystyle {\begin{aligned}I_{E}&=I_{C}+I_{B}\\&=I_{C}+{\frac {I_{C}}

{\beta }}\\&=I_{C}\left(1+{\frac {1}{\beta }}\right)\\\end{aligned}}}
{\displaystyle {\begin{aligned}I_{E}&=I_{C}+I_{B}\\&=I_{C}+{\frac {I_{C}}
{\beta }}\\&=I_{C}\left(1+{\frac {1}{\beta }}\right)\\\end{aligned}}}

Despejando la corriente de colector:

{\displaystyle I_{C}={\frac {I_{E}}{1+{\frac {1}{\beta }}}}} {\displaystyle

I_{C}={\frac {I_{E}}{1+{\frac {1}{\beta }}}}}

La tension de salida, que es la de colector se calcula asi:

{\displaystyle {\begin{aligned}V_{C}&=V_{CC}-I_{C}R_{C}\\&=V_{CC}-R_{C}*{\frac
{I_{E}}{1+\displaystyle {\frac {1}{\beta }}}}\end{aligned}}} {\displaystyle
{\begin{aligned}V_{C}&=V_{CC}-I_{C}R_{C}\\&=V_{CC}-R_{C}*{\frac {I_{E}}
{1+\displaystyle {\frac {1}{\beta }}}}\end{aligned}}}

Como �� >> 1, se puede aproximar:

{\displaystyle 1+{\frac {1}{\beta }}=1} {\displaystyle 1+{\frac {1}{\beta }}=1}

y, entonces es posible calcular la tension de colector como:

{\displaystyle {\begin{aligned}V_{C}&=V_{CC}-R_{C}I_{E}\\&=V_{CC}-R_{C}*{\bigg (}
{\frac {V_{B}-V_{BE}}{R_{E}}}{\bigg )}\\&={\bigg (}V_{CC}+R_{C}{\frac {V_{BE}}
{R_{E}}}{\bigg )}-R_{C}{\frac {V_{B}}{R_{E}}}\end{aligned}}} {\displaystyle
{\begin{aligned}V_{C}&=V_{CC}-R_{C}I_{E}\\&=V_{CC}-R_{C}*{\bigg (}{\frac {V_{B}-
V_{BE}}{R_{E}}}{\bigg )}\\&={\bigg (}V_{CC}+R_{C}{\frac {V_{BE}}{R_{E}}}{\bigg )}-
R_{C}{\frac {V_{B}}{R_{E}}}\end{aligned}}}

La parte entre parentesis es constante (no depende de la senal de entrada), y la

restante expresa la senal de salida. El signo negativo indica que la senal de
salida esta desfasada 180�� respecto a la de entrada.

Finalmente, la ganancia es expresada como:

{\displaystyle {\begin{aligned}G_{V}&={\frac {V_{C}}{V_{B}}}\\&=-{\frac {R_{C}}

{R_{E}}}\end{aligned}}} {\displaystyle {\begin{aligned}G_{V}&={\frac {V_{C}}
{V_{B}}}\\&=-{\frac {R_{C}}{R_{E}}}\end{aligned}}}

La corriente de entrada, {\displaystyle I_{B}={\frac {I_{E}}{1+\beta }}}

{\displaystyle I_{B}={\frac {I_{E}}{1+\beta }}}, si {\displaystyle \beta >>1}
{\displaystyle \beta >>1} puede expresarse como sigue:

{\displaystyle {\begin{aligned}I_{B}&={\frac {I_{E}}{\beta }}\\&={\frac {V_{E}}

{R_{E}\beta }}\\&={\frac {V_{B}-V_{BE}}{R_{E}\beta }}\end{aligned}}} {\displaystyle
{\begin{aligned}I_{B}&={\frac {I_{E}}{\beta }}\\&={\frac {V_{E}}
{R_{E}\beta }}\\&={\frac {V_{B}-V_{BE}}{R_{E}\beta }}\end{aligned}}}

Suponiendo que {\displaystyle V_{B}>>V_{BE}} {\displaystyle V_{B}>>V_{BE}}, podemos

escribir:

{\displaystyle I_{B}={\frac {V_{B}}{R_{E}\beta }}} {\displaystyle I_{B}={\frac

{V_{B}}{R_{E}\beta }}}

Al dividir la tension y corriente en la base, la impedancia o resistencia de

entrada queda como:

{\displaystyle {\begin{aligned}Z_{in}&={\frac {V_{B}}{I_{B}}}\\&={\frac {V_{B}}

{\displaystyle {\frac {V_{B}}{R_{E}\beta }}}}\\&=R_{E}\beta \end{aligned}}}
{\displaystyle {\begin{aligned}Z_{in}&={\frac {V_{B}}{I_{B}}}\\&={\frac {V_{B}}
{\displaystyle {\frac {V_{B}}{R_{E}\beta }}}}\\&=R_{E}\beta \end{aligned}}}

Para tener en cuenta la influencia de frecuencia se deben utilizar modelos de

transistor mas elaborados. Es muy frecuente usar el modelo en pi.

Diseno de una etapa en configuracion emisor comun

Recta de carga de un transistor en configuracion de emisor comun

Amplificador de emisor comun

Recta de carga

Esta recta se traza sobre las curvas caracteristicas de un transistor que

proporciona el fabricante. Los puntos para el trazado de la misma son:
{\displaystyle Ic={\frac {Vcc}{Rc+Re}}} {\displaystyle Ic={\frac {Vcc}{Rc+Re}}} y
la tension de la fuente de alimentacion {\displaystyle Vcc} {\displaystyle Vcc}
En los extremos de la misma, se observan las zonas de corte y de saturacion, que
tienen utilidad cuando el transistor actua como interruptor. Conmutara entre ambos
estados de acuerdo a la polarizacion de la base.

La eleccion del punto Q, es fundamental para una correcta polarizacion. Un criterio

extendido es el de adoptar {\displaystyle Vce={\frac {Vcc}{2}}} {\displaystyle
Vce={\frac {Vcc}{2}}}, si el circuito no posee {\displaystyle Re} {\displaystyle
Re}. De contar con {\displaystyle Re} {\displaystyle Re} como es el caso del
circuito a considerar, el valor de {\displaystyle Vce} {\displaystyle Vce} se
medira desde el colector a masa.

El punto Q, se mantiene estatico mientras la base del transistor no reciba una

senal.

Ejercicio

Procederemos a determinar los valores de {\displaystyle

Rc(R3),Re(R4),R1,R2,Zin,Zo\,y\ Gv} {\displaystyle Rc(R3),Re(R4),R1,R2,Zin,Zo\,y\
Gv}

Datos: {\displaystyle Vcc=20V,Icq=10mA,Vceq=8V,\beta =100} {\displaystyle

Vcc=20V,Icq=10mA,Vceq=8V,\beta =100}

{\displaystyle V_{E}={\frac {1}{10}}V_{CC}={\frac {1}{10}}20=2V} {\displaystyle

V_{E}={\frac {1}{10}}V_{CC}={\frac {1}{10}}20=2V}

{\displaystyle \mathbf {\mathbb {R} } _{E}={\frac {V_{E}}{I_{E}}}\approxeq {\frac

{V_{E}}{I_{C}}}={\frac {2V}{10mA}}=200\Omega } {\displaystyle \mathbf {\mathbb
{R} } _{E}={\frac {V_{E}}{I_{E}}}\approxeq {\frac {V_{E}}{I_{C}}}={\frac {2V}
{10mA}}=200\Omega }

Esta aproximacion se admite porque {\displaystyle \beta \gg 10} {\displaystyle

\beta \gg 10}

{\displaystyle \mathbf {\mathbb {R} } _{C}={\frac {V_{RC}}{I_{C}}}={\frac {V_{CC}-

V_{CE}-V_{E}}{I_{C}}}={\frac {20V-8V-2V}{10mA}}=1K\Omega } {\displaystyle \mathbf
{\mathbb {R} } _{C}={\frac {V_{RC}}{I_{C}}}={\frac {V_{CC}-V_{CE}-V_{E}}
{I_{C}}}={\frac {20V-8V-2V}{10mA}}=1K\Omega }

{\displaystyle V_{B}=V_{BE}+V_{E}=0.7V+2V=2.7V} {\displaystyle V_{B}=V_{BE}

+V_{E}=0.7V+2V=2.7V}

Para que el circuito opere en una zona de eficacia, la corriente a traves del
divisor de voltaje {\displaystyle R_{1}} {\displaystyle R_{1}} y {\displaystyle
R_{2}} {\displaystyle R_{2}}, debe ser mucho mayor que la corriente de base; como
minimo en una relacion 10:1

{\displaystyle \mathbf {\mathbb {R} } 2\leq {\frac {1}{10}}\beta {R_{E}}={\frac {1}

{10}}(100)(0.2K\Omega )=2k\Omega } {\displaystyle \mathbf {\mathbb {R} } 2\leq
{\frac {1}{10}}\beta {R_{E}}={\frac {1}{10}}(100)(0.2K\Omega )=2k\Omega }

{\displaystyle V_{B}={\frac {R_{2}}{R_{1}+R_{2}}}V_{CC}} {\displaystyle

V_{B}={\frac {R_{2}}{R_{1}+R_{2}}}V_{CC}} utilizando el valor de {\displaystyle
V_{B}} {\displaystyle V_{B}} obtenido anteriormente

{\displaystyle V_{B}=2.7V={\frac {(2k\Omega )(20V)}{R_{1}+2k\Omega }}}

{\displaystyle V_{B}=2.7V={\frac {(2k\Omega )(20V)}{R_{1}+2k\Omega }}}
{\displaystyle \quad \therefore \quad } {\displaystyle \quad \therefore \quad }
{\displaystyle \mathbf {\mathbb {R} } 1={\frac {(2k\Omega )(20V)}{2.7V}}-
(2k\Omega )=12.8k\Omega } {\displaystyle \mathbf {\mathbb {R} } 1={\frac {(2k\Omega
)(20V)}{2.7V}}-(2k\Omega )=12.8k\Omega }

La resistencia dinamica del diodo en la juntura del emisor {\displaystyle r_{e}}

{\displaystyle r_{e}}, se calcula tomando el valor del voltaje termico en la misma,
y esta dado por: {\displaystyle r_{e}={\frac {V_{T}}{I_{E}}}\approxeq {\frac
{V_{T}}{I_{C}}}={\frac {26mV}{10mA}}=2.6\Omega } {\displaystyle r_{e}={\frac
{V_{T}}{I_{E}}}\approxeq {\frac {V_{T}}{I_{C}}}={\frac {26mV}{10mA}}=2.6\Omega }

Con este valor, se procede a calcular la ganancia de voltaje de la etapa;

{\displaystyle G_{V}=-{\frac {R_{C}}{r_{e}}}=-{\frac {1K\Omega }{2.6\Omega }}=-385}
{\displaystyle G_{V}=-{\frac {R_{C}}{r_{e}}}=-{\frac {1K\Omega }{2.6\Omega }}=-385}

No se toma en cuenta {\displaystyle R_{E}} {\displaystyle R_{E}} ya que el emisor

se encuentra a nivel de masa para la senal por medio de {\displaystyle C_{E}}
{\displaystyle C_{E}}, que en el esquema se muestra como {\displaystyle C_{3}}
{\displaystyle C_{3}}; entonces, la impedancia de salida {\displaystyle Z_{O}}
{\displaystyle Z_{O}}, toma el valor de {\displaystyle R_{C}} {\displaystyle R_{C}}
si el transistor no tiene carga. Si se considera la carga {\displaystyle R_{L}}
{\displaystyle R_{L}}, {\displaystyle Z_{O}} {\displaystyle Z_{O}} se determina por
{\displaystyle \mathbf {\mathbb {Z} } _{O}={\frac {1}{{\frac {1}{R_{C}}}+{\frac {1}
{R_{L}}}}}} {\displaystyle \mathbf {\mathbb {Z} } _{O}={\frac {1}{{\frac {1}
{R_{C}}}+{\frac {1}{R_{L}}}}}} considerando que {\displaystyle R_{L}}
{\displaystyle R_{L}} tiene el valor {\displaystyle 5K\Omega } {\displaystyle
5K\Omega }, {\displaystyle \mathbf {\mathbb {Z} } _{O}={\frac {1}{{\frac {1}
{1K\Omega }}+{\frac {1}{5K\Omega }}}}=830\Omega } {\displaystyle \mathbf {\mathbb
{Z} } _{O}={\frac {1}{{\frac {1}{1K\Omega }}+{\frac {1}{5K\Omega }}}}=830\Omega }

Al considerar la {\displaystyle R_{L}} {\displaystyle R_{L}}, la ganancia de

tension se ve modificada: {\displaystyle G_{V}=-{\frac {830\Omega }{2.6\Omega }}=-
319} {\displaystyle G_{V}=-{\frac {830\Omega }{2.6\Omega }}=-319}

La impedancia de entrada en la base del transistor para el ejemplo, esta dada por
{\displaystyle Z_{b}=r_{e}\beta =(2.6)(100)=260\Omega } {\displaystyle
Z_{b}=r_{e}\beta =(2.6)(100)=260\Omega }

Mientras que la impedancia de entrada a la etapa, se determina: {\displaystyle

\mathbf {\mathbb {Z} } _{i}={\frac {1}{{\frac {1}{R_{1}}}+{\frac {1}{R_{2}}}+{\frac
{1}{Z_{b}}}}}={\frac {1}{{\frac {1}{12.8k\Omega }}+{\frac {1}{2k\Omega }}+{\frac
{1}{260\Omega }}}}=226\Omega } {\displaystyle \mathbf {\mathbb {Z} } _{i}={\frac
{1}{{\frac {1}{R_{1}}}+{\frac {1}{R_{2}}}+{\frac {1}{Z_{b}}}}}={\frac {1}{{\frac
{1}{12.8k\Omega }}+{\frac {1}{2k\Omega }}+{\frac {1}{260\Omega }}}}=226\Omega }

La reactancia de los capacitores no se ha tenido en cuenta en los calculos, porque

se han elegido de una capacidad tal, que su reactancia {\displaystyle
X_{C}\rightarrow 0} {\displaystyle X_{C}\rightarrow 0} en las frecuencias de
senales empleadas.

Base comun

Base comun
La senal se aplica al emisor del transistor y se extrae por el colector. La base se
conecta a las masas tanto de la senal de entrada como a la de salida. En esta
configuracion se tiene ganancia solo de tension. La impedancia de entrada es baja y
la ganancia de corriente algo menor que uno, debido a que parte de la corriente de
emisor sale por la base. Si anadimos una resistencia de emisor, que puede ser la
propia impedancia de salida de la fuente de senal, un analisis similar al realizado
en el caso de emisor comun, da como resultado que la ganancia aproximada es:
 {\displaystyle {\displaystyle G_{V}={\frac {R_{C}}{R_{E}}}}}

{\displaystyle {\displaystyle G_{V}={\frac {R_{C}}{R_{E}}}}}

La base comun se suele utilizar para adaptar fuentes de senal de baja impedancia de
salida como, por ejemplo, microfonos dinamicos.

Colector comun

Colector comun
La senal se aplica a la base del transistor y se extrae por el emisor. El colector
se conecta a las masas tanto de la senal de entrada como a la de salida. En esta
configuracion se tiene ganancia de corriente, pero no de tension que es ligeramente
inferior a la unidad. La impedancia de entrada es alta, aproximadamente ��+1 veces
la impedancia de carga. Ademas, la impedancia de salida es baja, aproximadamente ��
veces menor que la de la fuente de senal.

El transistor bipolar frente a la valvula termoionica

Antes de la aparicion del transistor, eran usadas las valvulas termoionicas. Las
valvulas tienen caracteristicas electricas similares a la de los transistores de
efecto campo (FET): la corriente que los atraviesa depende de la tension en el
terminal llamado rejilla. Las razones por las que el transistor reemplazo a la
valvula termoionica son varias:

Las valvulas necesitan tensiones muy altas, del orden de las centenas de voltios,
que son peligrosas para el ser humano.
Las valvulas consumen mucha energia, lo que las vuelve particularmente poco utiles
para el uso con baterias.
El peso: El chasis necesario para alojar las valvulas y los transformadores
requeridos para su funcionamiento sumaban un peso importante, que iba desde algunos
kilos a decenas de kilos.
El tiempo medio entre fallas de las valvulas termoionicas, el cual es muy corto
comparado con el de los transistores, sobre todo a causa del calor generado.
Retardo en el arranque: Las valvulas presentan una cierta demora en comenzar a
funcionar, ya que necesitan estar calientes para establecer la conduccion.
El efecto microfonico: Muy frecuente en las valvulas a diferencia de los
transistores, que son intrinsecamente insensibles a el.
Tamano: Los transistores son mas pequenos que las valvulas. Aunque existe
unanimidad sobre este punto, conviene hacer una salvedad: en el caso de
dispositivos de potencia, estos deben llevar un disipador, de modo que el tamano
que se ha de considerar es el del dispositivo (valvula o transistor) mas el del
disipador. Como las valvulas pueden funcionar a temperaturas mas elevadas, la
eficiencia del disipador es mayor en ellas que en los transistores, con lo que
basta un disipador mucho mas pequeno.
Los transistores trabajan con impedancias bajas, o sea con tensiones reducidas y
corrientes altas; mientras que las valvulas presentan impedancias elevadas y por lo
tanto trabajan con altas tensiones y pequenas corrientes.
Costo: Los transistores costaban menos que las valvulas, desde su lanzamiento
inicial y se conto con la promesa de las empresas fabricantes de que su costo
continuaria bajando (como de hecho ocurrio) con suficiente investigacion y
desarrollo.
Como ejemplo de todos estos inconvenientes se puede citar a la primera computadora
digital, llamada ENIAC, la cual pesaba mas de treinta toneladas y consumia 200
kilovatios, suficientes para alimentar una pequena ciudad, a causa de sus
aproximadamente 18 000 valvulas, de las cuales algunas se quemaban cada dia,
necesitando una logistica y una organizacion importantes para mantener este equipo
en funcionamiento.

El transistor bipolar reemplazo progresivamente a la valvula termoionica durante la

decada de 1950, pero no del todo. En efecto, durante los anos 1960, algunos
fabricantes siguieron utilizando valvulas termoionicas en equipos de radio de gama
alta, como Collins y Drake; luego el transistor desplazo a la valvula de los
transmisores pero no del todo en los amplificadores de radiofrecuencia. Otros
fabricantes de instrumentos electricos musicales como Fender, siguieron utilizando
valvulas en sus amplificadores de audio para guitarras electricas. Las razones de
la supervivencia de las valvulas termoionicas son varias:

Falta de linealidad: El transistor no tiene las caracteristicas de linealidad a

alta potencia de la valvula termoionica, por lo que no pudo reemplazarla en los
amplificadores de transmision de radio profesionales y de radioaficionados sino
hasta varios anos despues.[cita requerida]
Generacion de senales armonicas: Las senales armonicas introducidas por la falta de
linealidad de las valvulas resultan agradables al oido humano, como demuestra la
psicoacustica, por lo que son preferidos por los audiofilos.
Sensibilidad a explosiones nucleares: El transistor es muy sensible a los efectos
electromagneticos de las explosiones nucleares, por lo que se siguieron utilizando
valvulas termoionicas en algunos sistemas de control y comando de aviones caza de
fabricacion sovietica.[cita requerida]
Manejo de altas potencias: Las valvulas son capaces de manejar potencias muy
grandes, a diferencia de la que manejaban los primeros transistores; sin embargo a
traves de los anos se desarrollaron etapas de potencia con multiples transistores
en paralelo capaces de conseguir manejo de potencias mayores.
Veanse tambien: Valvula termoionica y Transistor bipolar.
Vease tambien
Historia del transistor
Quiteron
Semiconductor
Transistor de aleacion
Transistor de pelicula delgada
Transistor de union bipolar
Transistor IGBT
Transistor uniunion
Valvula termoionica
Datasheet
Referencias
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