IGBT

se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este

dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de
efecto campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación
del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y
un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitación
del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las características de conducción son
como las del BJT.
Transistor bipolar de puerta aislada o Transistor
IGBT

Modulo de tres transistores IGBT, modelo

CM1200HC-66H de Mitsubishi para una
máxima capacidad de 3300V/1200A

Tipo semiconductor

Principio de Efecto campo y

funcionamiento transporte de
portadores

Invención Yamagami y Akakiri

(1968)

Símbolo electrónico
 Terminales Puerta (G), colector (C)
y emisor (E)

[editar datos en Wikidata]

Los transistores IGBT han permitido desarrollos que no habían sido viables hasta
entonces, en particular en los variadores de frecuenciaasí como en las aplicaciones
en máquinas eléctricas, convertidores de potencia, domótica y Sistemas de
Alimentación Ininterrumpida, entre otras aplicaciones.

Índice

HistoriaEditar
Los japoneses Yamagami y Akakiri, propusieron en 1968 un dispositivo de cuatro
capas alternas semiconductoras P-N-P-N cuyo funcionamiento fuera controlado
mediante una estructura de "puerta" de semiconductor de óxido metálico (MOS), sin
acción regenerativa. Esta patente fue concedida en 1972 bajo el código 47-21739.[1]
Este modo de operación fue reportado experimentalmente por vez primera en 1978
en un rectificador controlado de silicio (SCR) por Scharf y Plummer, quienes no
persiguieron la comercialización de sus ideas sobre el dispositivo.[2]El modo de
operación descrito por ambos investigadores también fue descubierto de manera
experimental por J. Jayant Baliga, en 1979, en un dispositivo al que llamó
"dispositivo MOSFET con surco vertical con la región de drenaje reemplazada por una
región de ánodo de tipo P".[3] Plummer solicitó una patente para el dispositivo que
propuso en 1978.[4]
Un dispositivo idéntico, fue inventado por Hans W. Becke y Carl F. Wheatley quienes
presentaron una solicitud de patente en 1980, y que se denominaron "MOSFET de
potencia con una región de ánodo".[5]Esta patente ha sido llamada "la patente seminal
del transistor bipolar de puerta aislada." [6] En la patente se afirmó que "ninguna
acción de tiristores se produce en todas las condiciones de funcionamiento del
dispositivo." Esto significa sustancialmente que el dispositivo exhibe operación de
IGBT sin enclavamiento a lo largo de todo el rango de funcionamiento del dispositivo.
CaracterísticasEditar

Sección de un IGBT.

El transistor IGBT es adecuado para velocidades de conmutación de hasta 100 kHz y

ha sustituido al BJT en muchas aplicaciones. Es usado en aplicaciones de altas y
medias energía como fuente conmutada, control de la tracción en motores y cocina de
inducción. Grandes módulos de IGBT consisten en muchos dispositivos colocados en
paralelo que pueden manejar altas corrientes del orden de cientos de amperios con
voltajes de bloqueo de 6.000 voltios.
Se puede concebir el IGBT como un transistor Darlington híbrido. Tiene la capacidad
de manejo de corriente de un bipolar pero no requiere de la corriente de base para
mantenerse en conducción. Sin embargo las corrientes transitorias de conmutación de
la base pueden ser igualmente altas. En aplicaciones de electrónica de potencia es
intermedio entre los tiristores y los MOSFET. Maneja más potencia que los segundos
siendo más lento que ellos y lo inverso respecto a los primeros.

Circuito equivalente de un IGBT.

Este es un dispositivo para la conmutación en sistemas de alta tensión. La tensión de

control de puerta es de unos 15 V. Esto ofrece la ventaja de controlar sistemas de
potencia aplicando una señal eléctrica de entrada muy débil en la puerta.
 Véase tambiénEditar
 Transistor
 Transistor de unión bipolar (BJT)
 Transistor de efecto campo (MOSFET)
 Transistor Darlington

ReferenciasEditar
1. ↑ Ching Tee, Elizabeth Kho; Hölke, Alexander; Pilkington, Steven John; Pal, Deb Kumar; Liang
Yew, Ng; Zainal Abidin, Wan Azlan Wan (noviembre-diciembre de 2012). «A Review of
techniques used in Lateral Insulated Gate Bipolar Transistor (LGTB)». OSR Journal of Electrical
and Electronics Engineering (en inglés) (International Organization of Scientific
Research) 3 (1): 38. ISSN 2278-1676. Consultado el 28 de abril de 2016.
2. ↑ Baliga, B. Jayant (2015). The IGBT Device: Physics, Design and Applications of the Insulated
Gate Bipolar Transistor(1 edición). Elsevier. p. 12. ISBN 9781455731435. Consultado el 29 de
abril de 2016.
3. ↑ «The insulated gate rectifier (IGR): A new power switching device». IEEE Xplore 28.
1982. doi:10.1109/IEDM.1982.190269. Consultado el 29 de abril de 2016.
4. ↑ «Patent US4199774: Monolithic semiconductor switching device» (en