REGION DE SATURACION CANAL P (PMOS)

 El transistor MOSFET entra en esta zona de funcionamiento cuando la

tensión entre el Drenador y el Surtidor (VDS) supera un valor fijo denominado
tensión de saturación (Vds sat) Drenador-Surtidor; este valor viene
determinado en las hojas características proporcionadas por el fabricante. En
esta zona, el MOSFET mantiene constante su corriente de Drenador (ID),
independientemente del valor de tensión que haya entre el Drenador y el
Surtidor (VDS). Por lo tanto, el transistor equivale a un generador de corriente
continua de valor ID.
 Se produce cuando: Vds > Vgs – Vt
 Se caracteriza por: Ids = Isat = cte
Este comportamiento es una consecuencia de la aparición de un
fenómeno cnocido como ¨estrangulacion de canal ¨ o pinch off.
 Cuando la tensión entre drenador y fuente supera cierto límite, el canal de
conducción bajo la puerta sufre un estrangulamiento en las cercanías del
drenador y desaparece. La corriente que entra por el drenador y sale por la
fuente no se interrumpe, ya que es debida al campo eléctrico entre ambos,
pero se hace independiente de la diferencia de potencial entre ambos
terminales.
 VDS ≥ VGS – VT → Región de saturación

Cuando la tensión entre Drenador y Fuente supera cierto límite, el canal de

conducción, bajo la Puerta sufre un estrangulamiento en las cercanías del Drenador
y desaparece. La corriente entre Fuente y Drenador no se interrumpe, es debido al
campo eléctrico entre ambos, pero se hace independiente de la diferencia de
potencial entre ambos terminales.

En la figura anterior, la parte casi vertical corresponde a la zona óhmica, y la parte

casi horizontal corresponde a la zona activa. El MOSFET de enriquecimiento, puede
funcionar en cualquiera de ellas. En otras palabras, puede actuar como una
resistencia o como una fuente de corriente. El uso principal está en la zona óhmica.
RESISTENCIA EN LA REGIÓN DE SATURACIÓN
En la práctica, al aumentar Vds se ve afectado el punto de pinchoff. La longitud del
canal se reduce (modulación de la longitud del canal). * La corriente Id es
inversamente proporcional a la longitud del canal y aumenta.

λ es un parámetro que depende de la tecnología utilizada y es inversamente

proporcional a la longitud del canal.