APELLIDOS Y NOMBRES MATRICULA

Palomino Prado, Fabrizzio 17190125

CURSO TEMA
POLARIZACION Y ESTABILIZACION DEL
Circuitos Electrónicos I - TRANSISTOR BIPOLAR

Laboratorio

INFORME FECHAS NOTA

NUMERO REALIZACION ENTREGA

PREVIO 6 16-06-19 19-06-19

GRUPO PROFESOR
Mg. Celso Ysidro Gerónimo
Jueves 4PM-6PM (2019-I)
Huamán
 CIRCUITOS ELECTRONICOS I | INFORME PREVIO

UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS

INFORME PREVIO N° 6
POLARIZACION Y ESTABILIZACION DEL
TRANSISTOR BIPOLAR

I. INFORME PREVIO

1. Determinar los valores teóricos de funcionamiento del circuito

mostrado en la figura 6.1.
2. Realizar el análisis de funcionamiento en corriente alterna del circuito
anterior en corriente alterna.
3. Determinar los valores teóricos de funcionamiento del circuito
mostrado en la figura 6.1.
4. Realizar el análisis de funcionamiento en corriente alterna del circuito
anterior en corriente alterna.

-Resistores

R1 = 47KΩ/56 KΩ, R2 = 22KΩ/3.3 KΩ,

Rc = 1.2KΩ/3.3KΩ, RL = 10KΩ/1 KΩ, Re = 1 KΩ

-Condensadores

Ci = 10uF, Co = 22uF, Ce = 100uF

I. Determinar los valores teóricos de funcionamiento del circuito mostrado en la

figura 6.1.
 CIRCUITOS ELECTRONICOS I | INFORME PREVIO

Donde:
𝑉𝐶𝐶 ∗ 𝑅2 𝑅 ∗ 𝑅2
𝑉𝐵𝐵 = ; 𝑅𝐵 =
𝑅 + 𝑅2 𝑅 + 𝑅2

Hallamos los valores máximos de 𝐼𝐶 y 𝑉𝐶𝐸 :

𝑉𝐶𝐶 12 𝑉
𝐼𝐶𝑚𝑎𝑥 = = ≅ 5.45 𝑚𝐴 ; 𝑉𝐶𝐸𝑚𝑎𝑥 = 𝑉𝐶𝐶 = 12 𝑉
𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 1.2 𝐾Ω + 1𝑘 Ω

𝑉𝐶𝐶 ∗ 𝑅2 (12 𝑉) ∗ (22 𝐾Ω)

𝑉𝐵𝐵 = = ≅ 3.82 𝑉 ;
𝑅1 + 𝑅2 47 𝐾Ω + 22 𝐾Ω
𝑅1 ∗ 𝑅2 (47 𝐾Ω) ∗ (22 𝐾Ω)
𝑅𝐵 = = ≅ 14.985 𝐾Ω
𝑅1 + 𝑅2 47 𝐾Ω + 22 𝐾Ω

SABEMOS:

𝑅𝐶 = 1.2 𝐾Ω ; 𝑅𝐸 = 1𝑘 Ω ; 𝑉𝐵𝐸 ≅ 0.7 𝑉 (Silicio) ; 𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 ; 𝐼𝐶 ≅ 𝐼𝐸 ; 𝛽 = 400

En la malla 1:
𝐼𝐶
𝑉𝐵𝐵 = 𝑅𝐸 ∗ 𝐼𝐶 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝑅𝐵 ∗ 𝐼𝐵 ; 𝐼𝐵 =
𝛽
𝑅𝐵
𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 = 𝐼𝐶 (𝑅𝐸 + )
𝛽
𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 3.82 𝑉 − 0.7 𝑉
𝐼𝐶𝑄 = = ≅ 3.119 𝑚𝐴
𝑅 14.99 𝐾Ω
𝑅𝐸 + 𝐵 1𝑘 Ω +
𝛽 400

En la malla 2:

𝑉𝐶𝐶 = 𝐼𝐶 ∗ (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) + 𝑉𝐶𝐸

𝑉𝐶𝐸𝑄 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶𝑄 ∗ (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) = 12 𝑉 − (3.119 𝑚𝐴) ∗ (2.2 𝐾Ω) ≅ 5.138 𝑉

Hallamos 𝐼𝐵 y 𝑉𝐸 :

𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 3.82 𝑉 − 0.7 𝑉

𝐼𝐵 = = ≅ 7.5 µ𝐴
𝑅𝐵 + (𝛽 + 1)𝑅𝐸 14.99 𝐾Ω + (401) ∗ (1𝑘 Ω)
𝑉𝐸 = 𝐼𝐶𝑄 ∗ 𝑅𝐸 = (3.119 𝑚𝐴) ∗ (1𝑘 Ω) ≅ 3.119 𝑉

Valores (R1=47KΩ) Ic(mA) Ie(mA) Ib(uA) Vce Vbe Ve

Teóricos 3.119 3.126 7.5 5.138 0.7 3.119
Simulados 3.04 3.04 8.62 5.313 0.652 3.044
 CIRCUITOS ELECTRONICOS I | INFORME PREVIO

CIRCUITO EQUIVALENTE DE LA FIGURA 6.1 CON SUS MEDIDAS SIMULADAS EN

MULTISIM

FIGURA 6.1 Y SUS VALORES SIMULADOS EN MULTISIM

 CIRCUITOS ELECTRONICOS I | INFORME PREVIO

II. Realizar el análisis de funcionamiento en corriente alterna del circuito anterior

en corriente alterna.

Para el análisis en alterna se tomara en consideración que los condensadores estarán

en corto circuito y la fuente DC se pondrá también en corto circuito.

Con el modelo equivalente del transistor haremos el análisis en alterna del circuito.

Donde Bre’ se calcula:

Bre’ = 25mV/Ic (DC)

BASE COLECTOR

EMISOR

ENTRADA SALIDA
 CIRCUITOS ELECTRONICOS I | INFORME PREVIO

RI = R1//R2

R1 = 47k//22k
R1= 14.985k ohmio

Bre’ = 25mV/Ic (DC)

Bre’ = 400 x 25/3.04

Bre’= 3288

RS = RC//RL

RS = 1.2k//10k
RS = 1.07K ohmio

Para calcular la ganacia de voltaje se desarrolla lo siguiente:

Av = Vo/Vi

Vo = ic x Rs

Vi = ib x Bre’

Av = ic x Rs / ib x Bre’

ic / ib = B

Av = Rs / Bre’

Av = 1070 / 3288
Av = 0.325

Vo = 0.325 x 17.68 (mv)

Vo = 5.746mv

Podemos apreciar que el voltaje de salida es menor al de la entrada, esto

debido a que Rs es menor que Bre’
 CIRCUITOS ELECTRONICOS I | INFORME PREVIO

III. Determinar los valores teóricos de funcionamiento del circuito mostrado en la

figura 6.1.

Donde:
𝑉𝐶𝐶 ∗ 𝑅2 𝑅 ∗ 𝑅2
𝑉𝐵𝐵 = ; 𝑅𝐵 =
𝑅 + 𝑅2 𝑅 + 𝑅2

Hallamos los valores máximos de 𝑉𝑏𝑏 𝑦 𝑅𝑏

𝑉𝐶𝐶 ∗ 𝑅2 (12 𝑉) ∗ (3.3 𝐾Ω)

𝑉𝐵𝐵 = = ≅ 0.667𝑉 ;
𝑅1 + 𝑅2 56 𝐾Ω + 3.3 𝐾Ω
𝑅1 ∗ 𝑅2 (56 𝐾Ω) ∗ (3.3𝐾Ω)
𝑅𝐵 = = ≅ 3.116 𝐾Ω
𝑅1 + 𝑅2 56 𝐾Ω + 3.3 𝐾Ω

SABEMOS:

𝑅𝐶 = 3.3 𝐾Ω ; 𝑅𝐸 = 1𝑘 Ω ; 𝑉𝐵𝐸 ≅ 0.56 𝑉 ; 𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 ; 𝐼𝐶 ≅ 𝐼𝐸 ; 𝛽 = 200

En la malla 1:
𝐼𝐶
𝑉𝐵𝐵 = 𝑅𝐸 ∗ 𝐼𝐶 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝑅𝐵 ∗ 𝐼𝐵 ; 𝐼𝐵 =
𝛽
𝑅𝐵
𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 = 𝐼𝐶 (𝑅𝐸 + )
𝛽
𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 3.82 𝑉 − 0.56𝑉
𝐼𝐶𝑄 = = ≅ 0.107𝑚𝐴
𝑅 3.116𝐾Ω
𝑅𝐸 + 𝐵 1𝑘 Ω +
𝛽 200

En la malla 2:
 CIRCUITOS ELECTRONICOS I | INFORME PREVIO

𝑉𝐶𝐶 = 𝐼𝐶 ∗ (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) + 𝑉𝐶𝐸

𝑉𝐶𝐸𝑄 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶𝑄 ∗ (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) = 12 𝑉 − (0.105𝑚𝐴) ∗ (4.3𝐾Ω) ≅ 11.65 𝑉

Hallamos 𝐼𝐵 y 𝑉𝐸 :

𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 0.667 − 0.56 𝑉

𝐼𝐵 = = ≅ 0.480 𝑢𝐴
𝑅𝐵 + (𝛽 + 1)𝑅𝐸 3.116 𝐾Ω + (201) ∗ (1𝑘 Ω)
𝑉𝐸 = 𝐼𝐶𝑄 ∗ 𝑅𝐸 = (0.107 𝑚𝐴) ∗ (1𝑘 Ω) ≅ 106.24𝑚 𝑉

Valores (R1=56KΩ) Ic(mA) Ie(mA) Ib(uA) Vce Vbe Ve

Teóricos 0.1075 0.1085 0.476 11.65 0.56 106.24m
Simulados 0.107 0.108 0.482 11.535 0.552 107.98m

CIRCUITO EQUIVALENTE DEL TRANSISTOR SIMULADO EN MULTISIM

 CIRCUITOS ELECTRONICOS I | INFORME PREVIO

CIRCUITO INICIAL DEL TRANSISTOR CON VALORES SIMULADOS

IV. Realizar el análisis de funcionamiento en corriente alterna del circuito

anterior en corriente alterna.

Procedemos a realizar lo mismo al igual que en el número 2 del circuito

anterior.
 CIRCUITOS ELECTRONICOS I | INFORME PREVIO

Vi(mVpp) Vo(vpp) Av Vi Vo(vpp) Av Vo Av

Sin Sin Sin Ce Sin Ce
distorsión distorsión
Teórico 49.8mV 0.996 5.7 5.8 1.01 49.2mV 0.984
50 Simulado 51.9mV 1.038 5.7 5.8 1.01 51.6mV 1.032
Medido
Teórico 25.3mV 0.503 5.9 3.06 0.51 25mV 0.5
Con Simulado 26.4 mV 0.528 5.9 3.06 0.51 26.4mV 0.528
RL=1KΩ
Medido