Practica No.

1
El Diodo Semiconductor, principio de
funcionamiento
Diego J. Cando, IEEE

Resumen — Este informe presenta el desarrollo de una -Comprobar el principio de funcionamiento de un diodo
práctica de Electrónica analógica en la cual se comprobó el semiconductor, empleando un software de simulación.
funcionamiento de un diodo semiconductor específicamente
B. Marco teórico.
del diodo 1N4148, para esto se construyó y midió 2 circuitos
electrónicos uno en donde el diodo se polarizo en forma
directa y otro donde diodo fue polarizado en forma inversa 1.-El diodo:
además se comparó con la hoja de Datasheet del diodo y
una simulación en el programa (Proteus) previamente El diodo semiconductor, con aplicaciones en todo el basto
realizado. mundo de la electrónica, se crea uniendo un material tipo n a
un material tipo p, en otras palabras la unión de un portador
Index Terms — Datasheet,Regulador de voltaje variable. mayoritario de electrones con un portador mayoritario de
huecos [1].
I.INTRODUCTION
Los semiconductores son dispositivos cuya conductividad
varía entre la de un conductor y la de un aislante, este
dispositivo es el más básico existente en los circuitos
electrónicos pero fundamental a la hora de crear dispositivos
más sofisticados.
Los materiales semiconductores que se utilizan para crear
estos dispositivos pueden ser de dos clases de un solo cristal y
compuesto,en los semiconductores de un solo cristal se
encuentra tanto el germanio (Ge) como el silicio (Si),aunque
en la actualidad la construcción del diodo depende de las
Fig. 1. Símbolo de un diodo
características que se le quiera dar al mismo.
Los diodos pueden tener 3 tipos de polarizaciones las cuales
II. DESARROLLO son:
A. Objetivos
1.1-Sin polarización (V=0v)
1. Objetivos generales.- Sin ninguna polarización aplicada a través de un diodo
semiconductor, el flujo neto de carga en una dirección es cero.
- Determinar el principio de funcionamiento de un diodo En otras palabras, la corriente en condiciones sin polarización
semiconductor, mediante la graficación de su curva es cero [2].
característica, a partir de valores obtenidos de
mediciones.

2. Objetivos Específicos.-

-Emplear el catálogo u hojas características para un

diodo semiconductor.

Esta práctica fue realizada en el campus central de la Universidad de Cuenca

ubicada en Av. 12 de Abril y Av. Loja (Cuenca-Ecuador)
D. J. Cando (e-mail: cts1g.candodiego@gmail.com). Fig. 2. Funcionamiento del diodo sin polarización.

1.2-Polarizacion directa (V>0v)

-Conectar adecuadamente los instrumentos de medición
de tensión e Intensidad. Es cuando la corriente que circula por el diodo sigue la ruta
de la flecha (la del diodo), o sea del ánodo al cátodo.
Cuando una tensión positiva se aplica al lado P y una
negativa al lado N, los electrones en el lado N son empujados
al lado P y los electrones fluyen a través del material P más
allá de los límites del semiconductor. De igual manera los
huecos en el material P son empujados con una tensión
negativa al lado del material N y los huecos fluyen a través
del material N [2].
Fig. 3. Funcionamiento del diodo en polarización directa.
1.3.-Polarizacion inversa (V<0v)
Es cuando la corriente en el diodo desea circular en sentido
opuesto a la flecha (la flecha del diodo), o sea del cátodo al
ánodo. Cuando una tensión positiva se aplica al lado N y una
negativa al lado P, los electrones en el lado N son empujados
al lado N y los huecos del lado P son empujados al lado P.
Este fenómeno hace que sea más difícil el flujo de portadores
de uno a otro tipo de material, y por lo tanto establecer un
flujo de corriente es más difícil, pero el número de portadores
minoritarios no cambia hacia la región de agotamiento. A esta
corriente que existe bajo las condiciones de polarización
inversa se le denomina corriente de saturación inversa 𝐼𝑠 [1]
[2].
Fig. 4. Funcionamiento del diodo en polarización Inversa.
2.- Curva característica de diodo semiconductor
La forma de funcionamiento de un diodo común de silicio
se puede apreciar observando la curva característica que se
crea cuando se polariza, bien de forma directa, o bien de
forma inversa. En ambos casos la curva gráfica muestra la
relación existente entre la corriente y la tensión o voltaje que
se aplicada a los terminales del diodo [3].
Fig. 5. Curva característica del diodo de silicio.
2.1.-Tension umbral:
En la región directa, la tensión a partir de la cual la
corriente empieza a incrementarse rápidamente se denomina
tensión umbral del diodo, que es igual a la barrera de
potencial, en el caso del diodo de silicio la tensión umbral es
de 0.7(v) [3].
2.2.-Region de avalancha Zener
Si se aplica un voltaje negativo alto(voltaje del Zener) dará
como resultado un cambio drástico en las características de la
curva, a esta parte de la gráfica se le conoce como región
Zener y para lograrlo se debe dar un voltaje mayor al voltaje
de Zener.
El voltaje de Zener es aquel que produce un cambio drástico
en la corriente haciendo que esta crezca muy rápidamente.
[1].
Fig. 6. Región de avalancha Zener.
C. Practica
1.-MaterialesMateriales: Fuente Variable de CC, Protoboard,
Voltímetro CC, Miliamperímetro CC, Diodo 1N4148,
Resistencia 220Ω, Cables de conexión.
2.-Procedimiento
a) Completar los valores de la Tabla I, de acuerdo a las
especificaciones de la hoja característica del diodo
semiconductor 1N4148
TABLA I
CARACTERÍSTICAS DEL DIODO SEMICONDUCTOR 1N4148
 DIODO 1N4148

VT 0.720 – 1 V

ID 5 – 100 mA

25 nA – 5uA
IS
f(Vz)
75 – 100
VZENER
f(corriente)

b) Armar el circuito de la Figura 1 Fig. 8. Diodo polarización Inversa.

TABLA III
VS, VD, E I MEDIDOS EN EL CIRCUITO DE LA FIGURA 1

Vs(V) Vd(V) Is(mA)

2,2 2,245 0
3 3,037 0
4,1 4,15 0
4,93 4,93 0
5,9 5,97 0
Fig. 7. Diodo polarización directa.
e) Graficar la curva característica del diodo de acuerdo a los
c) Variar el voltaje de la fuente de acuerdo a los valores valores obtenidos en las mediciones en los puntos c) y d).
sugeridos de la Tabla II.
TABLA II
VS,VD E I MEDIDOS EN EL CIRCUITO DE LA FIGURA 1

Vs (V) Vd (V) I (mA)

2 0,693 5,84
2,2 0,704 6,5
2,5 0,711 7,44
2,6 0,719 8,64
3 0,726 10,12
3,3 0,735 11,6
3,8 0,744 13,75
Fig. 9. Curva característica del diodo 1N4148.
4,1 0,749 14,98
5 0,764 19,02
f) Completar la Tabla IV, empleando la ecuación
característica de un diodo semiconductor de Silicio.
6 0,774 23,21
7 0,786 27,89
8,9 0,804 36,27

11 0,818 46 Considere temperatura ambiente de 25°C. NOTA: Para el

valor de Is tomar la media aritmética de los valores obtenidos
en (d).
TABLA IV
d) Armar el circuito de la Figura 2. Realizar las mediciones ID CALCULADO
correspondientes y completar la Tabla III. Para los valore
sugeridos de Vs. VD (V)
Vs (V) ID (mA)

-5 -4.99 -1.00E-08
 -4 -4.07 -1.00E-08
-3 -3.01 -1.00E-08
-2 -2.02 -1.00E-08
-1 -1.02 -1.00E-08
0 0 -1.00E+00
0.1 0.08 0,00E+00
0.2 0.20 4.65E-07
0.3 0.29 5.19E-06
0.4 0.42 2.98E-05 Fig. 10. Simulación (Proteus) Polarización inversa Voltaje fuente variable
(Vs) 75V.
0.5 0.47 4.13E-04
0.6 0.50 1.96E-04
0.7 0.53 5,82E-04

g) Comparar y analizar los resultados obtenidos en los puntos

c), d) y f)
En el punto c) se observa el diodo en polarización directa y
que ya ha sobrepasado la tensión umbral, que en el diodo
1N4148 es de 0.7V, se observa que a medida que se sube el
voltaje te la fuente variable el voltaje de diodo aumenta de
igual forma la intensidad del diodo aunque en forma más
lenta que el de la intensidad.
En el punto d) se observa el diodo en polarización inversa se
nota que mientras que el diodo no sobrepase el voltaje Zener
la intensidad del diodo será semejante a 0 A y el voltaje del
mismo será el igual que el de la fuente variable (
Vs)
En el punto f) se observa matemáticamente lo que no se midió
en la práctica pero que era evidente, esto es que mientras que
el diodo este en polarización directa y el voltaje de la fuente
variable no supere la tensión umbral la intensidad del diodo
será semejante a 0A y el voltaje del diodo será el mismo que
el de la fuente variable.
Así pues se compara los 3 puntos y se logra tener datos
suficientes para una gráfica completa de la curva
característica del diodo 1N4148.
h) Armar el circuito de la fig. 2. Ajustar el voltaje de la fuente
al valor del Voltaje Zener del diodo 1n4148 indicado en su
hoja de especificaciones y hacer 5 incrementos de 5V.
(Ej: Vz=200V, 205V, 210V, 215V, 220V, 225V). En cada uno
de estos incrementos, ¿El voltaje del diodo VD varía
significativamente? Explique por qué.
El voltaje del diodo no varía significativamente puesto que
hemos llegado al voltaje Zener, en este punto el diodo
funciona como un estabilizador mientras que la corriente
crece muy rápidamente
TABLA V
MEDICIÓN DESPUÉS DE DAR VOLTAJE ZENER
Fig. 11. Simulación (Proteus) Polarización inversa Voltaje fuente variable (Vs)
100V.
III. CONCLUSIONES
En esta práctica se concluyó que:
:
-El diodo en polarización directa:
Mientras que el voltaje de la fuente variable no supere la
tensión umbral en el caso del diodo 1N4148
aproximadamente 0.7v en el dispositivo no existirá
intensidad o será casi nula pasados los 0.7v aproximadamente
el diodo entrara en funcionamiento y la intensidad crecerá al
grado que crezca el voltaje de la fuente variable, además de
esto el voltaje del diodo también crecerá pero en menor grado
respecto al crecimiento de la intensidad.
-El diodo en polarización inversa:
En polarización inversa la intensidad es casi nula si se mide
con un multímetro que solamente tenga su rango de medición
hasta microamperios su medición será de 0A, con respecto al
voltaje del diodo este será el mismo que el voltaje de la fuente
variable, pero una vez llegado al voltaje Zener en el caso del
diodo 1N4148 de 75v el diodo empieza a funcionar como
estabilizador mientras que la corriente crece muy
rápidamente.
-Simuladores

Vs(v) 75 80 85 90 95 100 Los simuladores como los multímetros tienen diferencias

respectó a sus medidas aunque no varían mucho
Vd(v) 75 75,6 75,6 75,6 75,7 75,7
 IV. RECOMENDACIONES VI. REFERENCIAS

-Practicar el uso del multímetro antes de realizar la practica Note: Internet websites are not permitted as references in archival
-Tener cuidado a la hora de medir intensidades por lo general publications because they are subject to change. (Make sure this sentence is
removed from the submitted paper.) Authors need to use the format and style
una mala medición estropearía el amperímetro del of the reference list exactly as:
multímetro. [1] Robert L. Boylestad, Louis Nashelsky., 10 ed, Electrónica: Teoría de
Circuitos y Dispositivos Electrónicos, Pearson. México, 2009:
V. ANEXOS [2] Karen Conde, Electrónica, Características y funcionamiento del diodo,
Tomado el [15-03-17], de:
https://condekaren.wordpress.com/2014/03/26/caracteristicas-y-
funcionamiento-del-diodo/
[3] Unicrom, Electrónica, Diodo semiconductor. Tomado el [15-03-
17],de:http://unicrom.com/diodo-semiconductor/

VII. B IOGRAFÍA

Diego J. Cando. Nació en la ciudad de Cuenca-

Ecuador. Graduado en la escuela Carlos Crespi
posteriormente curso sus estudio en el colegio Técnico
Salesiano de donde se graduó como bachiller Técnico
industrial especialización Mecatrónica. Estudiante de
Ingeniería en Sistemas en la Universidad de Cuenca desde
el 2014 cambiándose a Ingeniería Eléctrica en el año
2016.
Fig. 12. Simulación (Proteus) Polarización directa Voltaje fuente variable (Vs)
2.2V.

Fig. 13. Voltaje fuente variable (Vs) 2.2V.

Fig. 13. Circuito de diodo 1N4148 polarización inversa (Vs) 2.2V.