uNtvERstDAD MAyoR DE sAN nNonÉs

FAcULTAD DE INGENIenfR
rlecmó¡llcn ,- éÉsfioN rt t zo12
rNcENlen[R
ETN -s03 (LABORATORTO N"2)
TIEMPO DE DESARROLLO DEL EXAMETVi'OO MINUTOS

t
l.- Para el circuito de la figurá Calcular la ganancia d
y la impedancia de entrada. Sí Rs=100Q, Re=S O,Rz=50
k O., R1=J0O f ii, Rc='S k A, n.=1 ¡ 92,
Vcc=15 V, Vss=0,7 V y F=100. I
2.- Hallar la ir¡pedancia de entrada, la ganancia de tensión, y la impedancia
de salida del amplificador
de la fígura 2.'
3.- Para el circuito de la figura 3.
a) calcular los puntos de trabajo lco,Vceo y graficar la recta de carga.
b) Calcular los factores de estabilidad Sr.ro y Sur..
4.'Para el ciicuito de la figura 3. Calcular la impeOancia de entrada, la ganancia de tensión, y
la
impedancia de salida.

K-l ur.{/V:
YP: zv

Fig.2.

8c
10te

+
É= i00
Vgs =0,? \,¡

I fi¡t
100f¡
%' X¡ 5tO
'ft.¡s'r
800f)

Fie.3.
ETN-s03
Página L

I
 UNIVERSIDAD MAYOR DE SAN ANDRÉS
FACULTAD DE INGENIERíA
INGENIERíA ELECTRÓNICA _ GESTIÓN II / 2011
ETN .503 (LABORATORTO No1 )
TIEMPO DE DESARROLLO DEL EXAMEN:45 MINUTOS

1.- Se dispone de un transformador con una salida en el secundario Vr=5cos(314t). Diseñar un

circuito para alimentar un grabador de microcontrolador que necesita un voltaje de entrada de 12lVl
Y Ir-rur=20OmA.
2.- Par el circuito de la figura 1. Dibujar el voltaje*de salida.

Figura 1
3.- Diseñe un circuito utilizand.o diodos zener y diodos de unión pn y resistores tal que, al aplicar la
señal de entrada Vi entregue una salida Vo como se muestra en la figura 2.

Figura 2

4.- Determinar un circuito para obtener una aproximación lineal le la función que se muestra
en la figura 3.
(-
--16-é I.
]
f¡.: qJ -F R,-_
.O
I :oo i \¡- ^¿v
\_ l¡
+^*-u
\

.l_
ru \nr Yl t_
r-- Y
L \s
2
-_ ¿ Y-
t
-;- ?V
-¡-*o ll
,I )
r
u* - Z*J- , - rr'- :
I
- (oo,,--
z*.
*i
\--
t-*,:"!
-

\
h- -\ t =\- Y1

ETN-503
R,,. t1¡//{3 ?(> Fn - F"r P¡
Pt¡ I *,
 UNIVERSIDAD MAYOR DE SAN ANDRÉS
FACULTAD DE INGENIERÍA
INGENIERÍA ELECTRÓNICA - GESTIÓN II/ 2012
ETN .503 (LABORATORto N"1)
TIEMPO DE DESARROLLO DEL EXAMEN: 90 MTNUTOS

1.- El circuito de la figura tiene una tensión Vi=O,1coitw"tl

a) Hallar Ia tensión de reposo del diodo y la corriente del diodo (Diodo de silicio).
b) Determinar la resistencía dinámica del diodo.
c) Calcular Vo

2.- ) Determinar VL, IL,Iz e IR para la red mostrada. Si RL=180ohm

b) repita el inciso a) si Rl:470ohm
c) Determine e1 valor de R.L que establecerá 1as condiciones de potencia máxim a para el diodo
Zener. Rs

RL VL

Fzntax=4flünrW

3.' se dispone de un transformador con salida en el secundario v,=gcos(3141). Diseñar una fuente de
alimentación para alimentar una carga que necesita un voltaje de entrada de 7[Vj en el cual la
corriente de carga puede variar entre 12[mA] y 100[mA].
4.- Determinar un circuito para obtener una aproximacién lineal le la función que se muestra en la
figura
i(tXmAl

vlvl

ETN-503 Página 1
 UNIVERSIDAD MAYOR DE SAN ANDRÉS
FACULTAD DE INGENIERíA
INGENIERIA ELECTRÓNICA - GESTIÓN II / 2011
ETN .503 (LABORAToRIO No2)
TIEMPO DE DESARROLLO DEL EXAMEN:45 MINUTOS

1.- Realizar un análisis sobre las curvas características de salida para los transistores BIPOLARES y
UNIPOLARES, en los unipolares considere un JFET, MOSFET DEL TIPO DECREMENTAL y UN
MOSFET DEL TIPO INCREMENTAL. Describa diferencias y características entre todos estos.

2.- Para el circuito de la figura 1. Calcular lco y Vceo para el transistor de silicio. Si: a) V*r=2¡y1 b)
Vaa=1OVI
3.- Para el circuito de la figura 2. Calcular lco, Vceo y graficar la recta de carga.

d= 50
VcEsar=O.1 V

Fisura 1
Fisura 2

4.- En el circuito de la figura 3, se tiene un FET de canal n. Determinat lpq y Ve5q.

5.- Determinar V65 y Vps para el transistor E-MOSFET de Ia figura 4.

Fisura 3 Fieura 4

ETN.5O3 Página 1"

 PARALELO: I NOTA:
ler Examen Frevio
ETN - 5S3 A
1,fr
NOMBRE Y APELLIDOS:

ila.,,td Calcin.r c kan,.\ i 6Algacs

PREG{JNTA 1: lEncierre en un circula Ia resnuesta correcta

rectificadores con filtrado de condensador, se obtiene mejor factor de ondulación cuando:
L.1-) En los
La capacidadlé1 filtro y la b) La capacidad delfiltro es c) La capacidad del filtro y la d) Ninguna
resistencia.{y'carga son alta y la resistencia de carga resistencia de carga son
es baja bajas

L.2 ) En los rectificadores de onda completa con transformador (el de dos diodos y el de puente de diodos), tomando la
misma tensión en el primario del transformador, la corriente que atraviesa los diodos isuponer diodos ideales):

a) Es el doble en el puente @ Es el doble en e,l, y' d) Ninguna

de diodos rectificador con dffi iodos
1.3) En un circuito regulador por Zener sin carga (RL)=), si la resistencia en serie d inuye, la corriente zener:
a)disminuye b) se mantiene constante d) es igual alvoltaje dividido
entre las dos resistencia
1.4) El voltaje de la carga en un regulador zener es aproximadamente constante cuando el diodo zener está:
e)^epe+a+:*1e--enJ+-. €Éien d€--. sin po!a+í:ar
ruptura
PREGUNTA 2:
Construir un circuito lineal por tramos, como se muestra en la FIGURA 1, en base a para obtener una
lCa a relación I ImAl vs. V lVolt

"q
u,/ NT
ft! VL

Vz=l-0V
P¿nr¿x=40OnrW

FIGURA I ITIGtJItA 2
PREGUNTA 3: En el circuito mostrado en la Figura 2:
a) Determinar Vr, Ir, Iz e In para la red mostrada. Si IL:170 [O]
nF b) Dctcrminar Vr.. Il., 17 c I¡1para la red mostrada. Si &.:480 [()]
c) Determine el valor de RL que establecerá las condiciones de potencia máxima para el diodo Zener.
U)
 UNIVERSIDAD MAYOR DE SAN ANDRÉS
FACULTAD DE INGENIERÍA
TNGENIERÍA ELEcTRóNrcA _ éEaiidN n /
2012
-s03 (LABORAToRtO N"6)
__ llry
TIEMPO DE DESARROLLO DEL EXAMEN:'OO Nr¡lUros

1.- Calcule la potencia de entrada,lapotenciadesalidaylaeficien"iáffi

para un voltaje de entrada que produce una corriente figura 1,
de 1OmA. calcule tamnién ra potencia disipada
por el transistor.

2) Para el circuito de la figura 2 Rr=6¡¿. Si los valores de los componentes de circuito producen una
corriente de base cd de 6mA y la señal de entrada(V¡) procluce una excursión de corriente de base de
4mA. Calcular la eficiencia del amplificador y la potencía disipada por el transistor.

3) Para cl circuito clo la figura 3.

a) Calcrrlar el rendimierrto y la potencia disipada por cada transistor para una entrada de .l2Vrms.
b) Si la señal de entrada se incrementa para brindar ta máxima salida sirr distorsión. Calcule el
rendirniento y la potencia disipacla por cada transistor.

ri'r'N-503.*-€ Págirra 1
 UNIVEI]SIDAD MAYOR DE SAN ANDRÉS
FACULTAD DE INGENIERIA
INGENIERIA ELECTRÓNICA - GESTIÓN II/ 2012
ETN -503 (LABORATORTO N"7 y LABORATOR¡O NoB)
TIEMPO.DE DESARROLLO DEL EXAMEN:60 MTNUTOS

1.- Analizar ol circuito dc la Figura 1. Hallar la expresión de i,

2.- Si Vi(t)= l0nrcos(100n) graficar la fornra de onda del voltaje cle salida Vo.(Figura 2)

tlr
A
r-----14^, r-\AA-t
ó
L-.-aft 1D>-I--i I'a

I:
(,,

to
1t
Cugr

F
:
I;igura I I'-igura 2

3.- Analizar el circuito de la Figura 3. Hallar la expresión

de i,

Á-1 R.r
i\b¡o.'
-R: Rr

Figura 3

ETN-503
Página 1

t.