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3 de junio de 2019
INDICE
I. Introducción……………………………………………………….
II. Conductividad eléctrica……………………………………….
III. Estructura de bandas de los sólidos…………………….
IV. Conductividad en los metales y aleaciones………….
V. Semiconductores……………………………………………….
VI. Conductividad en materiales iónicos………………….
VII. Aislantes y propiedades dieléctricas……………………
VIII. Polarización dieléctrica……………………………………….
IX. Bibliografía………………………………………………………….
INTRODUCCIÓN
Por ejemplo, la densidad del agua disminuye cuando la temperatura sube, en consecuencia
la conductividad eléctrica aumenta.La conductividad eléctrica se da a través del agua
potable, del agua del mar y del agua desionizada.
La conductividad eléctrica del suelo se puede ver afectada según la calidad del agua utilizada
en el desarrollo de actividades agrícolas o relacionadas al suelo.
Estructura de bandas de los solidos
Ejemplo:
El metal litio, cuya configuración electrónica es:
presenta una orbital 1s lleno con (2e), una orbital 2ssemilleno (1e) y los orbitales 2p (vacíos).
Conductividad térmica
La propiedad que caracteriza la capacidad de un material para trasportar calor es la
conductividad térmica, y se define por la expresión: q = - (3) ,donde q representa el flujo
de calor que atraviesa la unidad de área (perpendicular a la dirección del flujo de calor) por
unidad de tiempo, es la conductividad térmica y dT/dx es el gradiente de temperatura a
través del medio conductor. Las unidades de q y son: W/m2 y W/m-k respectivamente. El
Cu y sus aleaciones son muy buenos conductores del calor puesto que exhiben un número
elevado de electrones libres que participan en la conducción térmica. En la tabla 1 siguiente
se dan las conductividades térmicas de varios metales comunes. Sus valores están
comprendidos entre 20 y 400 W/m-k.
Color
El cobre y ciertas aleaciones de cobre se utilizan con fines decorativos solo, o cuando un
color y acabado particular se combina con una propiedad mecánica o física deseable de la
aleación.
Facilidad de fabricación
Con el cobre y sus aleaciones se pueden conformar piezas con una amplia variación de
formas y dimensiones. Para esto, se utilizan distintos procesos de fabricación, tanto a alta
como a baja temperatura, como ser el laminado, la extrusión, la forja, el estampado, el
estirado, etc, sin el menor inconveniente. La mayoría de los países del mundo emplean
aleaciones base cobre para acuñar sus monedas ya que estos materiales pueden, para fines
decorativos, pulidos, texturados, plateados o recubiertos. También pueden ensamblarse
por diversos procesos mecánicos y soldarse por procesos tradicionales (soldering y brazing).
La selección del proceso de soldadura esta gobernado por los requerimientos del servicio,
además de la configuración de la unión, el espesor de los componentes y la composición de
la aleación.
Aleaciones que forman campos de solución sólida
Los elementos aleantes más compatibles con el cobre son aquellos que forman campos de
solución sólida. Estos campos incluyen a todos los elementos que conforman familias de
aleaciones de la Tabla 3, más el manganeso. El endurecimiento en estos sistemas de
aleaciones es más que suficiente como para poder fabricar por conformado diversas piezas
sin tener la preocupación de la fragilidad asociada a segundas fases o compuestos. El latón
de cartuchería es un ejemplo típico de este grupo de aleaciones. Esta aleación contiene un
30% de Zn en cobre y no exhibe fase , excepto en ocasiones excepcionales donde se
segrega una pequeña cantidad de fase . Normalmente, la fase desaparece después de
un recocido. Siempre que no haya elementos perjudiciales, tales como el Fe, la relación
entre el trabajo en frío y el crecimiento de grano se puede reproducir muy fácilmente en la
práctica.
Aleaciones de cobre-níquel y níquel-plata (alpaca)
Las aleaciones de cobre-níquel (C70100 a C72950) se encuentran en el extremo final del
sistema de Cu-Ni binario rico en cobre que también incluye el Monel (67Ni-30Cu); además,
sus propiedades son similares a las aleaciones ricas en níquel. Las monedas de cobre están
entre los materiales más resistentes a la corrosión y térmicamente estable de todas las
aleaciones de cobre, y son prácticamente inmunes a la SCC. Al igual que las aleaciones a
base de níquel, las monedas de cobre muestran una alta resistencia a la oxidación en vapor
y aire húmedo. Su resistencia se conserva bien en temperaturas elevadas. Aleaciones de
bajo níquel (2-4% Ni) se utilizan en forma de tiras o flejes para producir productos eléctrico-
electrónicos, donde se necesita una buena resistencia mecánica, estabilidad térmica, y
conformabilidad. Las aleaciones C70600 (10% de Ni), C72200 (16% de Ni, más hierro y
cromo) y C71500 (30% Ni) son en su mayoría producidas con forma de tubos para
condensadores en los buques y centrales eléctricas. Las varillas y placas son utilizadas para
una 14 variedad de productos marinos, incluyendo válvulas, bombas y además resisten muy
bien al “fouling” en cascos de buques y plataformas petrolíferas y/o plataformas de gas en
alta mar.
APLICACIONES
Problema.
1) Una chimenea de hormigón armado con diámetro interior D2 = 800 mm, diámetro
exterior D3 = 1300 mm, debe ser revestida por dentro con refractario. Determinar el espesor
del revestimiento y la temperatura T3 de la superficie exterior de la chimenea, partiendo de
la condición de que las pérdidas de calos de un metro de la chimenea no excedan de 2000
W/m, y de que la temperatura T2 de la superficie interior de la pared de hormigón armado
no supere 200 °C. La temperatura de la superficie interior del revestimiento es de T 1= 425
°C; el coeficiente de conductividad térmica de revestimiento es K1 = 0.5 W/m°C; el
coeficiente de conductividad térmica del hormigón es K2 = 1.1 W/m°C.
SEMICONDUCTORES
Los semiconductores son elementos que tienen una conductividad eléctrica inferior a la de
un conductor metálico pero superior a la de un buen aislante. El semiconductor más
utilizado es el silicio, que es el elemento más abundante en la naturaleza, después del
oxígeno. Otros semiconductores son el germanio y el selenio.Los átomos de silicio tienen su
orbital externo incompleto con sólo cuatro electrones, denominados electrones de
valencia. Estos átomos forman una red cristalina, en la que cada átomo comparte sus cuatro
electrones de valencia con los cuatro átomos vecinos, formando enlaces covalentes. A
temperatura ambiente, algunos electrones de valencia absorben suficiente energía
calorífica para librarse del enlace covalente y moverse a través de la red cristalina,
convirtiéndose en electrones libres. Si a estos electrones, que han roto el enlace covalente,
se les somete al potencial eléctrico de una pila, se dirigen al polo positivo.
Cuando un electrón libre abandona el átomo de un cristal de silicio, deja en la red cristalina
un hueco, que con respecto a los electrones próximos tiene efectos similares a los que
provocaría una carga positiva. Los huecos tienen la misma carga que el electrón pero con
signo positivo.
- Los electrones libres son portadores de carga negativa y se dirigen hacia el polo positivo
de la pila.
- Los huecos son portadores de carga positiva y se dirigen hacia el polo negativo de la pila.
- Al conectar una pila, circula una corriente eléctrica en el circuito cerrado, siendo constante
en todo momento el número de electrones dentro del cristal de silicio.
- Los huecos sólo existen en el seno del cristal semiconductor. Por el conductor exterior sólo
circulan los electrones que dan lugar a la corriente eléctrica.
Semiconductores P y N
• Impurezas trivalentes. Son elementos cuyos átomos tienen tres electrones de valencia en
su orbital exterior. Entre ellos se encuentran el boro, el galio y el indio.
Cuando un elemento con cinco electrones de valencia entra en la red cristalina del silicio,
se completan los cuatro electrones de valencia que se precisan para llegar al equilibrio y
queda libre un quinto electrón que le hace mucho mejor conductor. De un semiconductor
dopado con impurezas pentavalentes se dice que es de tipo N.
Aplicaciones
Uno de los principales elementos de un circuito integrado son los transistores. Estos
dispositivos cumplen la función de proporcionar una señal de salida (oscilatoria, amplificada
o rectificada) según una señal de entrada específica.
Además, los semiconductores también son el material primario de los diodos utilizados en
circuitos electrónicos para permitir el paso de la corriente eléctrica en un solo sentido.
Así, los electrones y los huecos de ambas zonas se cruzan y se complementan donde sea
necesario.
Ejemplo.
El semiconductor más utilizado en la industria electrónica es el silicio (Si). Este material está
presente en los dispositivos que conforman los circuitos integrados que forman parte de
nuestro día a día.
Las aleaciones de germanio y silicio (SiGe) son empleadas en circuitos integrados de alta
velocidad para radares y amplificadores de instrumentos eléctricos, como por ejemplo,
guitarras eléctricas.
Problema.
Problema.
SOLUCIÓN:
Precisamente por ser iónicos es por lo que no conducen la corriente eléctrica en estado
sólido. Sus estructuras cristalinas implican que los iones ocupan posiciones fijas que no
permiten que esos iones se puedan mover libremente, lo que es necesario para conducir
la corriente eléctrica.
AISLANTES Y PROPIEDADES DIELECTRICAS
En los materiales aisladores de la corriente eléctrica, son varios los índices que cuantifican
y cualifican su elección para el diseño de elementos aisladores. Estos son: resistividad,
constante dieléctricas, rigidez dieléctrica, factores de pérdida y calidad. Evidentemente,
otras propiedades interesantes que completan el cuadro calificador de estos materiales
serían las características resistentes, térmicas y contra la degradación.
Problema
Se tiene una fuente que emite un haz de luz no polarizada, con intensidad Io y longitud de
onda λ = 600nm (rojo). Se arma un dispositivo que consiste en dos polarizadores cruzados
(sus ejes de polarizaci´on son perpendiculares) con una l´amina retardadora entre medio de
ellos. Se hace incidir el haz sobre uno de los polarizadores (que llamaremos polarizador de
entrada). Se pide calcular la intensidad de luz a la salida del dispositivo para las siguientes
configuraciones: a) El eje ´optico de la l´amina de media onda es paralelo al eje de
polarizaci´on del polarizador de entrada. b) El eje ´optico de la l´amina forma un ´angulo de
45 ◦ con el eje de polarizaci´on del polarizador de entrada. Ahora se hace incidir un haz de
luz no polarizada con intensidad I1 y longitud de onda λ = 450nm (azul) superpuesto al haz
inicial, sobre la configuraci´on descripta en el punto anterior. c) ¿Qu´e longitud de onda se
observa a la salida del dispositivo? d) ¿C´omo se debe ubicar el eje de transmisi´on del
polarizador de salida para observar la otra longitud de onda? Datos de la l´amina: no = 1,
594, ne = 1, 599 (´ındice de refracci´on del eje ´optico), espesor d = 180µm
Bibliografia