Tema2 DispositSC PDF

TEMA 2.
DISPOSITIVOS
http://www.tech-faq.com/wp-content/uploads/images/integrated-circuit-layout.jpg
IEEE 125 Aniversary: http://www.flickr.com/photos/ieee125/with/2809342254/
María Jesús Martín Martínez : mjmm@usal.es 1

TEMA 2. DISPOSITIVOS
2. Diodo de Unión (Unión P-N).
ees.wikispaces.com
www.esacademic.com
3. Transistor Bipolar de Unión (BJT).
4. Transistor de Efecto de Campo Metal-Oxido-

Semiconductor (MOSFET).
5. Diodo emisor de luz (LED).
6. Ejercicios propuestos
upload.wikimedia.org
erenovable.com

TEMA 2. DISPOSITIVOS 2.2. DIODO DE UNIÓN
2. El diodo de unión:
Es el dispositivo más sencillo y básico. Consiste en un
semiconductor con impurificación no homogénea:
Un lado dopado con impurezas aceptadoras (Tipo P).
En el otro son impurezas donadoras (Tipo N).
Tiene dos terminales externos (dos metales):
Ánodo (conectado a la región P)
Cátodo (conectado a la región N)
http://www.circuitstoday.com/semiconductor-diodes-and-diode-symbol
Generalmente el cátodo se conecta a tierra, y se

aplica al ánodo una tensión V
Si la tensión aplicada entre terminales V=0 La unión
está en equilibrio.
Si la tensión aplicada entre terminales es diferente de
cero Diodo polarizado
Si la tensión V>0 Polarización directa
Si la tensión V>0 Polarización inversa
http://romux.com/projects/electronics/monolithic-ic-component-fabrication

2.a. La unión PN en equilibrio (V=0)

En el SC tipo P existen muchos huecos y pocos electrones, y en el SC tipo N hay
muchos electrones y muy pocos huecos.
A temperatura ambiente, los huecos
de la zona p pasan por difusión hacia
la zona n y los e- de la zona n pasan a
la zona p.
La difusión crea un exceso de carga

negativa (electrones) en el lado P y
exceso de carga positiva (huecos) en
el lado N.
Debido a estos excesos de carga se

crea, un campo eléctrico que produce
corrientes de desplazamiento, que
compensan a las de difusión Dando
lugar a corriente total nula.
en.wikipedia.org/wiki/P-n_junction En equilibrio I = In + Ip =0

2.a. La unión PN en equilibrio (V=0)
en.wikipedia.org/wiki/P-n_junction

2.b. La unión PN polarizada (V ≠ 0)
En polarización Directa:
El potencial aplicado externo se opone al campo I
eléctrico que limita la difusión Disminuye el efecto
del arrastre) y aumenta la difusión de portadores. V>0
De electrones del lado N al P P N
De huecos del lado P al N
El resultado es una corriente neta elevada de
portadores mayoritarios hacia donde son
minoritarios.
En polarización Inversa:
V<0
El potencial externo refuerza el campo eléctrico de
arrastre. P N

Las componentes de difusión son nulas.
Aumentan las componentes de arrastre (trasladan
x
los minoritarios): son corrientes muy pequeñas I=0
que puede considerarse despreciables.

2.b. La unión PN polarizada (V ≠ 0)
Directa Inversa
ees.wikispaces.com ees.wikispaces.com
Explicación interactiva del funcionamiento del diodo

http://www-g.eng.cam.ac.uk/mmg/teaching/linearcircuits/diode.html

2.b. Unión PN polarizada. Curva Caracteristica (I-V)

Analíticamente se puede encontrar una relación entre la corriente que circula por el
mismo y la tensión externa que se aplica:
k BT VT(300 K) = 25.85 mV
VT =
qe kB (Cte de Boltzmann) = 1.38·10-23 JK-1
 V
VT   eV
KB T 
I = I0  e − 1 = I 0  e − 1 VT : denominado potencial térmico
   
I0: Corriente inversa de saturación (pocos nA)
En polarización directa: V>0 podemos I

admitir que la exponencial es muy superior al “1” Curva analítica
eV
KB T
I = I0 e
I0
En polarización inversa: V<0 podemos
despreciar la exponencial frente al “1”. V
Inversa Directa
I = − I0
Característica estática (I-V) del diodo


La característica I-V de un diodo real es
ligeramente diferente:
Curva REAL
I
La corriente en inversa es prácticamente nula.
En directa existe un voltaje umbral Vγ, que es una VR Vγ

polarización mínima que hay que aplicar para que la
unión esté en directa Característica desplazada V
hacia la derecha.
Inversa Directa
Para polarizaciones muy elevadas en inversa
(inferiores a –VR) aparecen fenómenos de
multiplicación de portadores la corriente se hace Característica REAL estática
muy elevada (I-V) del diodo


Influencia de la temperatura
ees.wikispaces.com

2.c. Comparativas de Curvas I-V de diodos reales
Ge: mejor en conducción i [mA]

i [mA]
Si: mejor en corte 30 Ge
1 Si
Ge Si
V [Volt.] V [Volt.]
-0.25 0 0.25 0.5 -4 0 1
i [µ
µA] i [pA]
V [Volt.] V [Volt.]
-0.5 0 -0.5 0
Ge Si
-0.8 -10 www.uniovi.es/ate/manuel

2.d. Diodo Zener
Si la tensión de polarización inversa VR

en la que se produce el fenómeno de
conducción por avalancha es pequeña I
(en módulo) hablamos del diodo Zener Tensión
Tensión
Para una tensión inversa dada, llamada
Zener
Zener
tensión Zener, ésta se mantiene
constante aunque la corriente varíe. Vz
En polarización directa funciona como un V
diodo normal.
Su símbolo circuital:
FFI-UPV.es

TEMA 2. DISPOSITIVOS 2.2.b Modelado DIODO DE UNIÓN
I. Curva Caracteristica (I-V). Modelos
1ª aproximación: diodo ideal I

En el modelo del diodo ideal se
equipara éste a un cortocircuito o a un
circuito abierto, según cómo esté
conectado.
V
DIRECTA INVERSA
R R
I I
I
FFI-UPV.es FFI-UPV.es

2ª aproximación lineal
Se considera que el diodo conduce sin resistencia I
por encima de la tensión umbral, y no conduce por
debajo de la misma. Esto equivale a considerar un
diodo como un interruptor o un diodo ideal en serie
con un receptor.
VO= 0.3 V para el diodo de Ge
VO= 0.7 V para el de Si.

VO V
DIRECTA
R=1kΩ R=1kΩ
Vf = 6V Vf = 6V
I VO=0.7 V
V f − VO 6 − 0.7
I I= = = 5.3 mA
R 1k
FFI-UPV.es


3ª aproximación lineal
La 3ª aproximación es un diodo ideal con
una resistencia en serie y una fuente de
tensión.
0,15
0,15 V = Vo + IRd
DIRECTA Rd = ∆V/∆I
I (mA)
I (mA)
R=1kΩ ∆I
0,05
0,05
∆V
Vf = 6V I IoI
o
0,2 0,4 0,6VO 0,8
-0,05
-0,05
Vf (V)
V (V)
R=1kΩ FFI-UPV.es
Vf = 6V I V f − VO 6 − 0.7
Rd = 500 Ω I= = = 3.5 mA
VO=0.7 V R 1000 + 500
I I
Solo tensión
de codo
Ideal Ge = 0.3
Si = 0.6
V V
I I
Curva real
(simuladores,
Tensión de codo y
Resistencia directa análisis gráfico)
V V
www.uniovi.es/ate/manuel

Ejercicios propuestos.
D. Pardo, et al. 1999



TEMA 2. DISPOSITIVOS 2.2.b DIODO DE UNIÓN
UE
2.e. PRACTICA Nº 1. Laboratorio
Rectificador de media onda Baja frecuencia
VR =is.R iS
VD
iS
+
UE R VR
ViD
S
VR =is.R I
Visualización de la característica
I-V de un diodo real VR Vγ
Curva REAL
V
VD
TEMA 2. DISPOSITIVOS 2.3. TRANSISTOR BIPOLAR DE UNIÓN (BJT)
3. El transistor bipolar de unión:
a. Introducción
Los transistores son:
Dispositivos de tres terminales

La corriente o la tensión en un terminal
(terminal de entrada)
Controla el flujo de la corriente entre los ees.wikispaces.com
otros dos terminales.

Colector
Emisor
bellsystemmemorial.com
Base
www.alcatel-lucent.com
bellsystemmemorial.com

b. Tipos de transistores bipolares
Emisor Base Colector
Emisor Colector
P N P
Base
Emisor Base Colector
Emisor Colector
N P N
Base
Base poco dopada
Emisor más dopado que colector

c. Tensiones y corrientes
Las corrientes entre terminales dependen de las tensiones que se apliquen. Para un
transistor NPN y tomando el terminal de emisor como referencia de tensión (el más usual):
VBE= VB – VE
IC
C VCE= VC- VE
IB VCE
B C Aplicando la ley de Kirchoff (corrientes que entran =
corrientes que salen):
IE= IB + IC
VBE IE E
E Se puede calcular la relación entre las corrientes de
colector y de base:
βF : factor de ganancia en corriente I C = β F I B + (1 + β F ) I C 0 ≈ β F I B

βF : 150-200 en transistores comerciales Indica que la corriente de colector es proporcional
a la de base

c. Características de salida de un transistor NPN
La representación gráfica de la ecuación anterior:
IB = 80 µA

IC ( mA)
Región de saturación
IB = 60 µA
Región activa
IB = 40 µA Región de corte
IB = 20 µA Ruptura
IB = 0 µA
FFI-UPV.es
VCE (V)
I C = (1 + β F ) I C 0

d. Línea de carga: Cálculo del punto de operación

Si un transistor trabaja dentro de un circuito Se dice que el transistor está polarizado.
El conjunto de fuentes de tensión y resistencias se le denomina RED DE POLARIZACIÓN
Para resolverlo, se deben cumplir:
Las características de salida
Las ecuaciones de las mallas del circuito en que se encuentre:
VBE ≈ 0,7 V
β = 100
RC =1 kΩ VBB= VBE + IB RB
VBB − VBE 2 − 0,7
IB = = = 81,25 µA
RB=16 kΩ RB 16000
IC
Ic = βIB = 8,125 mA
VBB = 2 V
VCE
IB VBE VCC=10 V VCC=VCE+ IC RC Línea de carga
VCE = VCC - IC RC =
10 - 8,125 = 1,875 V
FFI-UPV.es

d. Línea de carga: Cálculo del punto de operación (II)

Punto de Operación Estacionario: Ic = 8,125 mA
I B = 81,25 µA
VCE = 1,875 V
IC
VCC Q IB4
RC
VBB (V) VCE (V) Ic (mA) IB (µA)
Q IB3 0,7
0,8
10
9,375
0
0,625
0
6,25
Corte
0,9 8,75 1,25 12,5
Región activa
1 8,125 1,875 18,75
IB2 lí n 1,2 6,875 3,125 31,25
ea 1,4 5,625 4,375 43,75
de 1,6 4,375 5,625 56,25
ca 1,8 3,125 6,875 68,75
IB1 rg
a 2 1,875 8,125 81,25
Q 2,2
2,3
0,625
0
9,375
10
93,75
100 Saturación
VCE
FFI-UPV.es VCC = 10 V

d. Línea de carga: Cálculo del punto de operación (III)
Ejercicio 4.

Ejercicio 6.

Ejercicio 7.

e. BJT en aplicaciones analógicas: Amplificador.

Para variaciones sobre el POE (amplificación de señales variables en el tiempo) debemos
tener en cuenta:
Que entre base y emisor tenemos una unión en directa.
En colector las variaciones de corriente son proporcionales a la corriente de base.
El conjunto de fuentes de tensión y resistencias se le denomina RED DE POLARIZACIÓN
Cuando usemos el BJT en un circuito como amplificador sustituiremos su símbolo por un
“circuito equivalente” y el análisis resultará muy sencillo.
VCC
Sedra/Smith 2004
I C (t ) Circuito equivalente de pequeña señal:

RC RB ib RC
B C
C +
vi (t ) vbe ic
RB B
rπ β F ⋅ ib
vi (t ) I B (t ) VCE (t )
VBE (t ) E − E
VBB
π y β (ganancia) son los parámetros del circuito.

rπ

Ejercicio 5.

TEMA 2. DISPOSITIVOS 2.4. TRANSISTOR MOSFET
a. Estructura de un transistor MOSFET

La corriente ID entre el contacto de fuente y el de drenador (la conductancia
o resistencia del semiconductor), puede ser modulada:
http://en.wikipedia.org/wiki/File:MOSFET_functioning_body.svg
Mediante la variación de tensión en

el electrodo de “puerta”.
El electrodo de puerta está aislado
eléctricamente del Silicio mediante
un óxido (SiO2).
Transistor MOSFET de Canal N (NMOSFET)
El transistor de efecto de campo se comporta como un interruptor controlado por tensión,

donde el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no corriente entre drenador
y fuente.

b. Tipos de transistores MOSFET
Metal
S G D S G D
Óxido
Semiconductor
n n p p
p n
Metal FFI-UPV.es
Tipo N Tipo P
Formado por una placa de metal y un semiconductor, separados por una zona de
óxido del semiconductor - por ejemplo SiO2 - de unos 100 nm de espesor.
Dos regiones dopadas de dopaje contrario al semiconductor que forma el substrato.
Posee tres electrodos:
Puerta, gate en inglés, simbolizado con G; que se conecta a la placa metálica.

La corriente en la puerta es nula siempre
Fuente (Source) y drenador (Drain), ambos simétricos, que se internan en el sustrato.

d. Modo de operación : tensión umbral
Característica de transferencia
Existe un potencial en la puerta mínimo que
debe superarse para que la corriente de
drenador sea distinta de cero:
Por debajo del valor umbral (VGS<VT) no hay

carga en el canal No hay conducción
no hay corriente. ID=0.
Para valores de (VGS>VT) . Aparece la capa

de inversión Es posible la conducción
entre fuente y drenador
VT=valor de en el que comienza a haber una
corriente no nula de drenador.
Valores típicos de VT: 0.3 to 0.8 volts.
www.romux.com
c. Transistor MOSFET: símbolo circuital

Diferentes transistores MOSFET: signos de corriente en terminales,
tensiones en terminales, etc.

d. Comparación de características de salida de BJT y MOSFET

En la forma las características de los MOSFETs son análogas a las de los BJTs.
Eje x Eje y
BJT: tensión entre emisor y colector (VCE) BJT: corriente de colector (IC)
MOSFET: tensión entre fuente y drenador (VDS) MOSFET: corriente de drenador (ID)
Sin embargo, la diferencia está en el tercer terminal o terminal de control:

BJT: controla la corriente de base
MOSFET: controla la tensión de puerta.
BJT MOSFET
IB = 80 µA
IC ( mA)

IB = 60 µA
IB = 40 µA
IB = 20 µA
IB = 0 µA
FFI-UPV.es
VCE (V)
e. Cálculo del Punto de Operación Estacionario (POE)

Polarización. Análisis de la recta de carga.
Igual que ocurre en el BJT, debemos polarizar el

MOSFET para tener entre sus terminales unas
diferencias de potencial y unas corrientes
determinadas.
Sedra/Smith 2004
laimbio08.escet.urjc.es/

d. Línea de carga: Cálculo del punto de operación (II)
Ejercicio 8.

e. MOSFET en aplicaciones analógicas: Amplificador.

Igual que en el caso del BJT, para variaciones sobre el POE (amplificación de señales
variables en el tiempo) debemos tener en cuenta:
Si aplicamos un incremento ∆VGS en la tensión de puerta, provocará un incremento fijo en la

corriente de drenador: ∆ ID.
∆I D
Podemos definir el parámetro TRANSCONDUCTANCIA: gm =
∆ VGS
Cuando usemos el MOSFET en un circuito como amplificador sustituiremos su símbolo por

un “circuito equivalente” y el análisis resultará muy sencillo.
Sedra/Smith 2004
V DD Circuito equivalente de pequeña señal:
I D (t ) RD
G D
RD
D vi (t )
+ iD
G
vGS g m v GS
−
vi (t ) V DS (t ) S
VGS (t ) S
VGG

TEMA 2. DISPOSITIVOS 2.5. DIODO LED
a. Diodo emisor de luz: LED

V>0
Como hemos estudiado, en una Unión P-N,
en polarización Directa: P N
Aumenta la difusión de portadores (desde
donde son mayoritarios, hasta donde son
minoritarios).
En torno a la unión, aparecen unos excesos
de portadores, que serán mayores cuanto más
polarización en directa se aplique.
El exceso de portadores va a dar lugar

PROCESOS DE RECOMBINACIÓN:
Tiene lugar una radiación de los electrones

(al pasar de la BC a la BV) que pasa al
exterior como radiación : fotones de
energía: hυ =GAP
El color de la luz del LED lo marca el

GAP del semiconductor.
Este proceso se denomina

Electroluminiscencia http://micro.magnet.fsu.edu/primer/lightandcolor/ledsintro.html


Luego un LED es un dispositivo que consume energía eléctrica y nos devuelve
energía electromagnética.
http://static.howstuffworks.com/gif/led-diagram.jpg
http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/7/7c/PnJunction-LED-E.PNG
Cuando hay suficiente voltaje en directa aplicado entre extremos de la unión fluye la
corriente:
Los electrones (y huecos) pasan de la región n (p) a la región p (n) por difusión
El LED se asemeja a un diodo normal, pero con importantes diferencias:
Un empaquetado transparente permitiendo que la energía (luz en el espectro del
visible o el IR) pase a su través.
Area de la unión P-N muy grande.

Longitudes de onda de interés: Espectro electromagnético
Imagen de dominio público

b. Color de la luz de un LED
Para poder crear dispositivos en el rango del visible ha sido necesario

“fabricar” semiconductores con gaps elevados.
sensores y procesado IR
térmico
visible comunicación
0.4 0.7 1.6 λ (µm)

c
f =
λ
UV NIR MIR
3 1.6 0.8 hν (eV) ε = hυ

SiC GaP GaAs Si Ge
Eg (eV)
b. Color de la luz de un LED

Para poder crear dispositivos en el rango del visible ha sido necesario
“fabricar” semiconductores con gaps elevados.
IR
térmico
http://micro.magnet.fsu.edu/primer/lightandcolor/ledsintro.html http://micro.magnet.fsu.edu/primer/lightandcolor/ledsintro.html

c. Aplicaciones de los LEDs

Los diodos infrarrojos (IRED) se emplean desde mediados del siglo XX en
mandos a distancia de televisores (hoy por hoy su uso se ha generalizado en
general para aplicaciones de control remoto).
Fuentes de luz para aplicaciones de comunicaciones

de fibra óptica
Los LEDs se emplean con profusión:

Indicadores de estado (encendido/apagado)
Dispositivos de señalización (de tránsito, de emergencia, etc.)
http://es.wikipedia.org/wiki/Led
Paneles informativos (uno de los mayores del mundo, del NASDAQ,
36,6 metros de altura y está en Times Square, Manhattan).

c. Aplicaciones de los LEDs

Calculadoras
Alumbrado de pantallas LCD de
teléfonos móviles
Agendas electrónicas, etc.
Fotodetectores para lecturas de
códigos de barras.
Displays de 7 segmentos
http://alcancepublicitario.com/LED_Displays.jpg
Display LEDs para aplicaciones numéricas y

alfanuméricas (a): Aplicación numérica de 7 barras
http://www.robotroom.com/PWM/DisplayBrightnessLameSchematic.gif

d. LASER Semiconductor
Si en vez de usar una unón p-n, se utiliza una
estructura semiconductora de heterouniones,
podemos crear un LASER.
Cuando se inventó en 1960, se denominaron como

"una solución buscando un problema a resolver".
Desde entonces se han vuelto omnipresentes.
Las propiedades más importantes:

Corriente umbral
Eficiencia
Potencia
Rapidez
“Monocromáticidad”
Estabilidad
Fiabilidad
http://farm5.static.flickr.com/4122/4755943633_c35273a350_o.jpg

d. Aplicaciones del LASER

El tamaño de los láseres varía ampliamente
Diodos láser microscópicos
Láser de cristales de neodimio (tamaño similar al de un
campo de fútbol): investigación sobre armas nucleares u
otros experimentos físicos con altas densidades de
energía
En bastantes aplicaciones, los beneficios de los

láseres se deben a sus propiedades físicas:
la coherencia
la alta monocromaticidad
la capacidad de alcanzar potencias extremadamente
altas.
Ejemplo: un haz láser altamente coherente puede ser enfocado http://es.wikipedia.org/wiki/L%C3%A1ser

a unos pocos nanómetros. Esta propiedad permite al
láser:
Grabar gigabytes de información en las microscópicas
cavidades de un DVD o CD.
También permite a un láser de media o baja potencia alcanzar intensidades muy altas y usarlo
para cortar, quemar o incluso sublimar materiales.
Se pueden encontrar en miles de variadas aplicaciones en

cualquier sector de la sociedad actual:
Industrial
Sistemas de alineamiento o localización (posicionamiento)
Detección de bordes y medida de distancias.
Mecanizado, soldadura o sistemas de corte.
Tratamientos de calor para endurecimiento o recocido de superficies en
metalurgia o en chasis de automóviles.
http://www.mtiinstruments.com/img/images/MicrotrakSpecDiagrams3Fig3.jpg
Aplicaciones de diodos láser de alta potencia

http://images.industrial.omron.eu
http://blog.photonic-products.com/wp-content/uploads/2007/11/laser_engraving_big.jpg


Científico:
Contadores de partículas, Dispersión de luz, Análisis químicos,
Física atómica
Médico:
Métodos de diagnóstico, Análisis de sangre
Posicionamiento de pacientes en sistemas de captación de
imágenes médicas.
Como instrumento de corte y cauterización o para realizar
fotocoagulación.
La electrónica de consumo
Tecnologías de la información (informática)
Artes gráficas: impresoras láser y equipos de oficinas
http://es.wikipedia.org/wiki/Disco_compacto
http://optima-prec.com/images/ldo.jpg
Referencias
Pardo Collantes, Daniel; Bailón Vega, Luís A., “Elementos de
Electrónica”.Universidad de Valladolid. Secretariado de Publicaciones e
Intercambio Editorial.1999.
http://www.esacademic.com/pictures/eswiki/68/Diode-photo.JPG
http://ees.wikispaces.com/diodos
http://en.wikipedia.org/wiki/P-n_junction
http://www-g.eng.cam.ac.uk/mmg/teaching/linearcircuits/diode.html
http://www.circuitstoday.com/semiconductor-diodes-and-diode-symbol
http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/6/64/Electronic_component_tran
sistors.jpg
http://www.uniovi.es/ate/manuel (Manuel Rico Secades, Javier Ribas Bueno).
Area de tecnología electrónica. Universidad de Oviedo.
Universidad de Oviedo. Area de tecnología Electrónica (ATE). Departamento de
Ingeniería Eléctrica, Electrónica, de Computadores y de Sistemas. Area de
Tecnologia Electrónica. www.ate.uniovi.es/354/Trans01.ppt
http://erenovable.com/wp-content/uploads/2010/12/VarianteLED.jpg
http://www.alcatel-lucent.com/wps/portal/BellLabs
www.bellsystemmemorial.com/belllabs_transistor.html
Jose Antonio Gómez Tejedor. Apuntes Fundamentos Físicos de la Informática
(FFI). Universidad Politécnica de Valencia.
http://personales.upv.es/jogomez/ffi.html

Referencias
Microelectronic Circuits - Fifth Edition Sedra/Smith. Copyright  2004 by
Oxford University Press, Inc.
http://en.wikipedia.org/wiki/File:MOSFET_functioning_body.svg
www.romux.com/_files/image/projects/electronics/e-mosfet-tranfer-
characteristics-218x300.jpg
http://romux.com/projects/electronics/monolithic-ic-component-fabrication
http://laimbio08.escet.urjc.es/assets/files/docencia/AFE/Tema5FETAFE0910.pdf
http://www.tech-faq.com/wp-content/uploads/images/integrated-circuit-layout.jpg
http://static.howstuffworks.com/gif/led-diagram.jpg
http://alcancepublicitario.com/LED_Displays.jpg
http://www.robotroom.com/PWM/DisplayBrightnessLameSchematic.gif
http://es.wikipedia.org/wiki/L%C3%A1ser
Computer desktop encyclopedia.
http://farm5.static.flickr.com/4122/4755943633_c35273a350_o.jpg
http://es.wikipedia.org/wiki/Disco_compacto
http://optima-prec.com/images/ldo.jpg

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TEMA 2.

IEEE 125 Aniversary: http://www.flickr.com/photos/ieee125/with/2809342254/

María Jesús Martín Martínez : mjmm@usal.es 1

2. Diodo de Unión (Unión P-N).

3. Transistor Bipolar de Unión (BJT).

4. Transistor de Efecto de Campo Metal-Oxido-

5. Diodo emisor de luz (LED).

María Jesús Martín Martínez : mjmm@usal.es 2

Generalmente el cátodo se conecta a tierra, y se

María Jesús Martín Martínez : mjmm@usal.es 3

2.a. La unión PN en equilibrio (V=0)

La difusión crea un exceso de carga

Debido a estos excesos de carga se

María Jesús Martín Martínez : mjmm@usal.es 4

2.a. La unión PN en equilibrio (V=0)

María Jesús Martín Martínez : mjmm@usal.es 5

2.b. La unión PN polarizada (V ≠ 0)

María Jesús Martín Martínez : mjmm@usal.es 6

Explicación interactiva del funcionamiento del diodo

María Jesús Martín Martínez : mjmm@usal.es 7

2.b. Unión PN polarizada. Curva Caracteristica (I-V)

En polarización directa: V>0 podemos I

María Jesús Martín Martínez : mjmm@usal.es 8

2.b. Unión PN polarizada. Curva Caracteristica (I-V)

En directa existe un voltaje umbral Vγ, que es una VR Vγ

María Jesús Martín Martínez : mjmm@usal.es 9

2.b. Unión PN polarizada. Curva Caracteristica (I-V)

María Jesús Martín Martínez : mjmm@usal.es 10

2.c. Comparativas de Curvas I-V de diodos reales

Ge: mejor en conducción i [mA]

María Jesús Martín Martínez : mjmm@usal.es 11

2.d. Diodo Zener

Si la tensión de polarización inversa VR

María Jesús Martín Martínez : mjmm@usal.es 12

I. Curva Caracteristica (I-V). Modelos

1ª aproximación: diodo ideal I

María Jesús Martín Martínez : mjmm@usal.es 13

I. Curva Caracteristica (I-V). Modelos

VO= 0.3 V para el diodo de Ge

VO= 0.7 V para el de Si.

María Jesús Martín Martínez : mjmm@usal.es 14

I. Curva Caracteristica (I-V). Modelos

I. Curva Caracteristica (I-V). Modelos

María Jesús Martín Martínez : mjmm@usal.es 16

D. Pardo, et al. 1999

María Jesús Martín Martínez : mjmm@usal.es 17

D. Pardo, et al. 1999

María Jesús Martín Martínez : mjmm@usal.es 18

D. Pardo, et al. 1999

María Jesús Martín Martínez : mjmm@usal.es 19

Rectificador de media onda Baja frecuencia

3. El transistor bipolar de unión:

Los transistores son:

Dispositivos de tres terminales

María Jesús Martín Martínez : mjmm@usal.es 21

3. El transistor bipolar de unión:

María Jesús Martín Martínez : mjmm@usal.es 22

3. El transistor bipolar de unión:

b. Tipos de transistores bipolares

Emisor Base Colector

María Jesús Martín Martínez : mjmm@usal.es 23

βF : factor de ganancia en corriente I C = β F I B + (1 + β F ) I C 0 ≈ β F I B

María Jesús Martín Martínez : mjmm@usal.es 24

Puerta, gate en inglés, simbolizado con G; que se conecta a la placa metálica.

Fuentes de luz para aplicaciones de comunicaciones

Los LEDs se emplean con profusión:

Paneles informativos (uno de los mayores del mundo, del NASDAQ,