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Transistor
Transistorer (cropped).jpg
El tama�o de un transistor guarda relaci�n con la potencia que es capaz de manejar
Tipo Semiconductor
Invenci�n John Bardeen, Walter Houser Brattain y William Bradford Shockley (1947)
S�mbolo electr�nico
BJT symbol NPN.svg
Terminales Emisor, base y colector
[editar datos en Wikidata]
El transistor es un dispositivo electr�nico semiconductor utilizado para entregar
una se�al de salida en respuesta a una se�al de entrada. Cumple funciones de
amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El t�rmino �transistor� es la
contracci�n en ingl�s de transfer resistor (�resistor de transferencia�).
Actualmente se encuentra pr�cticamente en todos los aparatos electr�nicos de uso
diario tales como radios, televisores, reproductores de audio y video, relojes de
cuarzo, computadoras, l�mparas fluorescentes, tom�grafos, tel�fonos celulares,
aunque casi siempre dentro de los llamados circuitos integrados.
�ndice
1 Historia
2 Funcionamiento
3 Tipos de transistor
3.1 Transistor de contacto puntual
3.2 Transistor de uni�n bipolar
3.3 Transistor de efecto de campo
3.4 Fototransistor
4 Transistores y electr�nica de potencia
5 Construcci�n
5.1 Material semiconductor
6 El transistor bipolar como amplificador
6.1 Emisor com�n
7 Dise�o de una etapa en configuraci�n emisor com�n
7.1 Base com�n
7.2 Colector com�n
8 El transistor bipolar frente a la v�lvula termoi�nica
9 V�ase tambi�n
10 Referencias
11 Bibliograf�a
12 Enlaces externos
Historia[editar]
Art�culo principal: Historia del transistor
R�plica del primer transistor en actividad, que hoy pertenece a la empresa Lucent
Technologies
El f�sico austro-h�ngaro Julius Edgar Lilienfeld solicit� en Canad� en el a�o
19251? una patente para lo que �l denomin� "un m�todo y un aparato para controlar
corrientes el�ctricas" y que se considera el antecesor de los actuales transistores
de efecto campo, ya que estaba destinado a ser un reemplazo de estado s�lido del
triodo. Lilienfeld tambi�n solicit� patentes en los Estados Unidos en los a�os
19262? y 1928.3?4? Sin embargo, Lilienfeld no public� ning�n art�culo de
investigaci�n sobre sus dispositivos ni sus patentes citan alg�n ejemplo espec�fico
de un prototipo de trabajo. Debido a que la producci�n de materiales
semiconductores de alta calidad no estaba disponible por entonces, las ideas de
Lilienfeld sobre amplificadores de estado s�lido no encontraron un uso pr�ctico en
los a�os 1920 y 1930, aunque acabara de construir un dispositivo de este tipo.5?
En 1934, el inventor alem�n Oskar Heil patent� en Alemania y Gran Breta�a6? un
dispositivo similar. Cuatro a�os despu�s, los tambi�n alemanes Robert Pohl y Rudolf
Hilsch efectuaron experimentos en la Universidad de G�ttingen, con cristales de
bromuro de potasio, usando tres electrodos, con los cuales lograron la
amplificaci�n de se�ales de 1 Hz, pero sus investigaciones no condujeron a usos
pr�cticos.7?Mientras tanto, la experimentaci�n en los Laboratorios Bell con
rectificadores a base de �xido de cobre y las explicaciones sobre rectificadores a
base de semiconductores por parte del alem�n Walter Schottky y del ingl�s Nevill
Mott, llevaron a pensar en 1938 a William Shockley que era posible lograr la
construcci�n de amplificadores a base de semiconductores, en lugar de tubos de
vac�o.7?
Funcionamiento[editar]
El transistor consta de tres partes dopadas artificialmente (contaminadas con
materiales espec�ficos en cantidades espec�ficas) que forman dos uniones bipolares:
el emisor que emite portadores, el colector que los recibe o recolecta y la
tercera, que est� intercalada entre las dos primeras, modula el paso de dichos
portadores (base). A diferencia de las v�lvulas, el transistor es un dispositivo
controlado por corriente y del que se obtiene corriente amplificada. En el dise�o
de circuitos a los transistores se les considera un elemento activo,32?a diferencia
de los resistores, condensadores e inductores que son elementos pasivos.33?
Los transistores de efecto de campo son los que han permitido la integraci�n a gran
escala disponible hoy en d�a; para tener una idea aproximada pueden fabricarse
varios cientos de miles de transistores interconectados, por cent�metro cuadrado y
en varias capas superpuestas.
Tipos de transistor[editar]
Las zonas N (en las que abundan portadores de carga Negativa) se obtienen
contaminando el sustrato con �tomos de elementos donantes de electrones, como el
ars�nico o el f�sforo; mientras que las zonas P (donde se generan portadores de
carga Positiva o �huecos�) se logran contaminando con �tomos aceptadores de
electrones, como el indio, el aluminio o el galio.
La tres zonas contaminadas, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la
letra intermedia siempre corresponde a la regi�n de la base, y las otras dos al
emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la
base, tienen diferente contaminaci�n entre ellas (por lo general, el emisor est�
mucho m�s contaminado que el colector).
El transistor de efecto de campo, o FET por sus siglas en ingl�s, que controla la
corriente en funci�n de una tensi�n; tienen alta impedancia de entrada.
Transistor de efecto de campo de uni�n, JFET, construido mediante una uni�n PN.
Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el que la compuerta
se a�sla del canal mediante un diel�ctrico.
Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS significa Metal-�xido-
Semiconductor, en este caso la compuerta es met�lica y est� separada del canal
semiconductor por una capa de �xido.
Fototransistor[editar]
Art�culo principal: Fototransistor
Los fototransistores son sensibles a la radiaci�n electromagn�tica en frecuencias
cercanas a la de la luz visible; debido a esto su flujo de corriente puede ser
regulado por medio de la luz incidente. Un fototransistor es, en esencia, lo mismo
que un transistor normal, solo que puede trabajar de 2 maneras diferentes:
Construcci�n[editar]
Material semiconductor[editar]
Caracter�sticas del material semiconductor
Material
semiconductor Tensi�n directa
de la uni�n
V @ 25 �C Movilidad de electrones
m2/(V�s) @ 25 �C Movilidad de huecos
m2/(V�s) @ 25 �C M�xima
temperatura de uni�n
�C
Ge 0.27 0.39 0.19 70 a 100
Si 0.71 0.14 0.05 150 a 200
GaAs 1.03 0.85 0.05 150 a 200
Al-Si 0.3 � � 150 a 200
Los primeros transistores bipolares de uni�n se fabricaron con germanio (Ge). Los
transistores de Silicio (Si) actualmente predominan, pero ciertas versiones
avanzadas de microondas y de alto rendimiento ahora emplean el compuesto
semiconductor de arseniuro de galio (GaAs) y la aleaci�n semiconductora de silicio-
germanio (SiGe). El material semiconductor a base de un elemento (Ge y Si) se
describe como elemental.
Emisor com�n[editar]
Emisor com�n.
La se�al se aplica a la base del transistor y se extrae por el colector. El emisor
se conecta al punto de tierra (masa) que ser� com�n, tanto de la se�al de entrada
como para la de salida. En esta configuraci�n, existe ganancia tanto de tensi�n
como de corriente. Para lograr la estabilizaci�n de la etapa ante las variaciones
de la se�al, se dispone de una resistencia de emisor, (RE) y para frecuencias
bajas, la impedancia de salida se aproxima a RC. La ganancia de tensi�n se expresa:
El signo negativo, indica que la se�al de salida est� invertida con respecto a la
se�al de entrada.
Como la base est� conectada al emisor por un diodo polarizado en directo, entre
ellos se puede suponer que existe una tensi�n constante, denominada {\displaystyle
V_{BE}} {\displaystyle V_{BE}} y que el valor de la ganancia (�) es constante. Del
gr�fico adjunto, se deduce que la tensi�n de emisor es:
Y la corriente de emisor:
{\displaystyle {\begin{aligned}V_{C}&=V_{CC}-I_{C}R_{C}\\&=V_{CC}-R_{C}*{\frac
{I_{E}}{1+\displaystyle {\frac {1}{\beta }}}}\end{aligned}}} {\displaystyle
{\begin{aligned}V_{C}&=V_{CC}-I_{C}R_{C}\\&=V_{CC}-R_{C}*{\frac {I_{E}}
{1+\displaystyle {\frac {1}{\beta }}}}\end{aligned}}}
{\displaystyle {\begin{aligned}V_{C}&=V_{CC}-R_{C}I_{E}\\&=V_{CC}-R_{C}*{\bigg (}
{\frac {V_{B}-V_{BE}}{R_{E}}}{\bigg )}\\&={\bigg (}V_{CC}+R_{C}{\frac {V_{BE}}
{R_{E}}}{\bigg )}-R_{C}{\frac {V_{B}}{R_{E}}}\end{aligned}}} {\displaystyle
{\begin{aligned}V_{C}&=V_{CC}-R_{C}I_{E}\\&=V_{CC}-R_{C}*{\bigg (}{\frac {V_{B}-
V_{BE}}{R_{E}}}{\bigg )}\\&={\bigg (}V_{CC}+R_{C}{\frac {V_{BE}}{R_{E}}}{\bigg )}-
R_{C}{\frac {V_{B}}{R_{E}}}\end{aligned}}}
Ejercicio
Para que el circuito opere en una zona de eficacia, la corriente a trav�s del
divisor de voltaje {\displaystyle R_{1}} {\displaystyle R_{1}} y {\displaystyle
R_{2}} {\displaystyle R_{2}}, debe ser mucho mayor que la corriente de base; como
m�nimo en una relaci�n 10:1
La impedancia de entrada en la base del transistor para el ejemplo, est� dada por
{\displaystyle Z_{b}=r_{e}\beta =(2.6)(100)=260\Omega } {\displaystyle
Z_{b}=r_{e}\beta =(2.6)(100)=260\Omega }
Base com�n[editar]
Base com�n
La se�al se aplica al emisor del transistor y se extrae por el colector. La base se
conecta a las masas tanto de la se�al de entrada como a la de salida. En esta
configuraci�n se tiene ganancia solo de tensi�n. La impedancia de entrada es baja y
la ganancia de corriente algo menor que uno, debido a que parte de la corriente de
emisor sale por la base. Si a�adimos una resistencia de emisor, que puede ser la
propia impedancia de salida de la fuente de se�al, un an�lisis similar al realizado
en el caso de emisor com�n, da como resultado que la ganancia aproximada es:
{\displaystyle {\displaystyle G_{V}={\frac {R_{C}}{R_{E}}}}}
Colector com�n[editar]
Colector com�n
La se�al se aplica a la base del transistor y se extrae por el emisor. El colector
se conecta a las masas tanto de la se�al de entrada como a la de salida. En esta
configuraci�n se tiene ganancia de corriente, pero no de tensi�n que es ligeramente
inferior a la unidad. La impedancia de entrada es alta, aproximadamente �+1 veces
la impedancia de carga. Adem�s, la impedancia de salida es baja, aproximadamente �
veces menor que la de la fuente de se�al.
Las v�lvulas necesitan tensiones muy altas, del orden de las centenas de voltios,
que son peligrosas para el ser humano.
Las v�lvulas consumen mucha energ�a, lo que las vuelve particularmente poco �tiles
para el uso con bater�as.
El peso: El chasis necesario para alojar las v�lvulas y los transformadores
requeridos para su funcionamiento sumaban un peso importante, que iba desde algunos
kilos a decenas de kilos.
El tiempo medio entre fallas de las v�lvulas termoi�nicas, el cual es muy corto
comparado con el de los transistores, sobre todo a causa del calor generado.
Retardo en el arranque: Las v�lvulas presentan una cierta demora en comenzar a
funcionar, ya que necesitan estar calientes para establecer la conducci�n.
El efecto microf�nico: Muy frecuente en las v�lvulas a diferencia de los
transistores, que son intr�nsecamente insensibles a �l.
Tama�o: Los transistores son m�s peque�os que las v�lvulas. Aunque existe
unanimidad sobre este punto, conviene hacer una salvedad: en el caso de
dispositivos de potencia, estos deben llevar un disipador, de modo que el tama�o
que se ha de considerar es el del dispositivo (v�lvula o transistor) m�s el del
disipador. Como las v�lvulas pueden funcionar a temperaturas m�s elevadas, la
eficiencia del disipador es mayor en ellas que en los transistores, con lo que
basta un disipador mucho m�s peque�o.
Los transistores trabajan con impedancias bajas, o sea con tensiones reducidas y
corrientes altas; mientras que las v�lvulas presentan impedancias elevadas y por lo
tanto trabajan con altas tensiones y peque�as corrientes.
Costo: Los transistores costaban menos que las v�lvulas, desde su lanzamiento
inicial y se cont� con la promesa de las empresas fabricantes de que su costo
continuar�a bajando (como de hecho ocurri�) con suficiente investigaci�n y
desarrollo.
Como ejemplo de todos estos inconvenientes se puede citar a la primera computadora
digital, llamada ENIAC, la cual pesaba m�s de treinta toneladas y consum�a 200
kilovatios, suficientes para alimentar una peque�a ciudad, a causa de sus
aproximadamente 18 000 v�lvulas, de las cuales algunas se quemaban cada d�a,
necesitando una log�stica y una organizaci�n importantes para mantener este equipo
en funcionamiento.