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UNIVERSIDAD INDUSTRIAL DE SANTANDER

ESCUELA DE INGENIERÍAS ELÉCTRICA, ELECTRÓNICA Y DE TELECOMUNICACIONES
Perfecta Combinación entre Energía e Intelecto
Laboratorio Dispositivos Electrónicos
Laboratorio Dispositivos Electrónicos DIODOS (RECTIFICACIÓN Y FILTRADO)
Sánchez Barajas Angie cód.2132228, Forero Ríos Jonathan David cód.2135183

OBJETIVOS
Conocer las curvas características de los transistores bipolares NPN y PNP.
Encontrar los parámetros de β y 𝑉𝐴, para transistores bipolares NPN y PNP.
Medir las variables de voltajes y corriente en circuitos de polarización de DC.
Determinar zona de saturación y activas en circuitos de polarización para transistores bipolares NPN y
PNP.
.

ACTIVIDADES DE LABORATORIO
IC [mA] VCE [v]
A) CARACTERÍSTICA TRANSISTORES BIPOLARES. 1 0.000 0.014
2 0.032 0.053
3 0.196 0.102
4 0.558 0.150
5 0.837 0.203
6 0.895 0.242
7 0.918 0.348
8 0.922 0.594
9 0.939 2.130
10 0.950 4.118
11 0.962 6.227
Figura1.Circuito del transistor bipolar NPN-Q2N3904
12 0.977 8.11
1.Cuando se coloca la fuete 𝑉2 = 20 [𝑉] se encuentra 13 0.987 9.60
un 𝑉1 = 1[𝑉] para 𝑉𝐶𝐸 = 10[𝑉] 𝑦 𝐼𝐵 = 3.40[𝜇𝐴].
14 0.991 9.98
Para caracterizar el circuito de la figura1 se necesita
hallar 𝛽 𝑦 𝑉𝐴. Inicialmente se toma el punto 14 de la 15 0.994 10.80
tabla 1, 𝐼𝐶 = 0.991[𝑚𝐴] y se divide en IB 16 0.996 11.03
encontrando: 𝛽 = 291.47;para hallar el otro parámetro 17 1.001 11.47
se toma el punto 14 y 15 se halla pendiente y ecuación
18 1.006 12.40
punto pendiente , despejado VCE, su valor absoluto
será 𝑉𝐴 = 280.85 [𝑉]
Tabla1. Datos para caracterización del transistor bipolar
NPN-Q2N3904

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IC [mA] VCE [v]

1 0.000 0.006
2 0.064 0.054
3 0.284 0.102
4 0.613 0.151
5 0.765 0.208
6 0.791 0.274
7 0.798 0.351
8 0.803 0.451
9 0.847 2.081
10 0.888 4.088
11 0.923 6.019
Figura2.Circuito del transistor bipolar PNP- 12 0.962 8.06
Q2N3906 13 0.980 9.02

.Cuando se coloca la fuete 𝑉2 = 20 [𝑉] se 14 0.993 9.58

encuentra un 𝑉1 = 0.9[𝑉] para 𝑉𝐶𝐸 = 15 0.997 9.68
10[𝑉] 𝑦 𝐼𝐵 = 8.11[𝜇𝐴]. Para caracterizar el 16 1.002 9,83
circuito de la figura1 se necesita hallar 𝛽 𝑦 𝑉𝐴. 17 1.005 10.10
Inicialmente se toma el punto 14 de la tabla 1,
𝐼𝐶 = 1.002 [𝑚𝐴] y se divide en IB encontrando: 18 1.0016 10.70
𝛽 = 123.55 para halar el otro parámetro se toma Tabla2. Datos para caracterización del transistor bipolar
el punto 14 y 15 se halla pendiente y ecuación PNP-Q2N3906
punto pendiente , despejado VCE, su valor
absoluto será 𝑉𝐴 = 80.36[𝑉]

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C) CIRCUITO POLARIZACIÓN TRANSISTOR BIPOLAR

Se toman como datos teóricos los obtenidos en la
NPN.
simulación. El circuito cumple las condiciones de zona
activa:

𝑉𝐶𝐸 =1.929 >>0.2𝑉, 𝑉𝐵𝐸≌0.666𝑉, 𝑉𝐶𝐵=0.968>0,

D) CIRCUITO POLARIZACIÓN TRANSISTOR BIPOLAR

PNP.

Figura5.Circuito polarización del transistor bipolar

NPN-Q2N3904

DATOS MEDIDOS SIMULADOS

IC 1.037[mA] 1.012[mA]
IB 4.08 [uA] 4.28 [uA]
VC 5.067 [V] 5.263 [V] Figura6.Circuito polarización del transistor
bipolar PNP-Q2N3906
VB 4.099 [V] 4.000 [V]
VE 3.451 [V] 3.334 [V]
Tabla3.Datos para polarización del transistor
bipolar NPN Q2N3904
DATOS MEDIDOS SIMULADOS
CONDICIONES IC -0.939[mA] -0.935[mA]
MEDIDOS SIMULADOS %ERROR
ZONA ACTIVA IB -2.62 [uA] -3.017 [uA]
VC -5.672 [V] -5.621 [V]
𝛽 254.16 236.45 0.074
VB 0 [V] 0 [V]
VCE 1.616[V] 1.929[V] 0.162
VE 0.626 [V] 0.697 [V]
VBE 0.648[V] 0.666[V] 0.027
Tabla5.Datos para polarización del transistor
VCB 0.968[V] 1.263[V] 0.233 bipolar PNP Q2N3906
Tabla4.Condiciones de zona activa del transistor
bipolar NPN Q2N3904

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CONCLUSIONES:
CONDICIONES
MEDIDOS SIMULADOS %ERROR  Las curvas características de salida
ZONA ACTIVA
muestran la corriente de colector
𝛽 358.396 310.109 0.155 independiente de VCE, si es mayor de
VEC 6.298[V] 6.318 [V] 0.003 0,2 [v].
VEB 0.626[V] 0.697 [V] 0.101  Según la polarización de cada unión, se
obtendrá un modo de trabajo ganancia de
VBC 5.672[V] 5.621 [V] 0.009
corriente diferente
Tabla6.Condiciones de zona activa del transistor
bipolar PNP Q2N3906
 Se corrobora las condiciones de zona activa
𝑉𝐶𝐸>>0.2𝑉, 𝑉𝐵𝐸≌0.6𝑉, 𝑉𝐶𝐵>0, donde el
Se toman como datos teóricos los obtenidos en la BJT se comporta como una fuente
simulación. El circuito cumple las condiciones de zona controlada. (Amplificación).
activa:  Para la zona de saturación se conoce que
𝑉𝐸𝐶= 6.318>>0.2𝑉, 𝑉𝐸𝐵≌0.697𝑉, 𝑉𝐵𝐶=5.621>0 VCE=0.2 y el circuito se comporta como un
interruptor cerrado

los porcentajes de error de las tablas 5 y 6 se encuentran

en el rango de 0.009 a 0.233, un rango aceptable para
esta parte de la práctica.

ANÁLISIS DE RESULTADOS:

El cálculo de β para los circuitos de polarización DC

corresponde con los de caracterización? No
corresponden
¿Depende del circuito de polarización? Si, depende
del circuito de polarización, pues para la práctica de
caracterización las configuraciones son emisor común,
por el contrario, para la práctica de polarización las
configuraciones son distintas
La zona activa (amplificación) de transistores
bipolares ¿de qué depende? Depende principalmente
de (VCE), ya que cuando esta tensión llega a su punto
máximo 0.2, sigue creciendo sin hacer más cambios a
IC y es en ese instante cuando pasa de saturación a
activa

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