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2 OBJETIVOS
RESUMEN: El presente informe tiene como
finalidad evidenciar los resultados teóricos obtenidos en
Realizar el montaje del circuito denominado como
la práctica de laboratorio sobre transistores bipolar BJT
‘’Puente H’’ utilizando la herramienta ISIS de Proteus y la
mediante el montaje de un plano electrónico conocido
herramienta Protoboard y de esta forma poder
como ‘’Puente H’’, utilizando dos métodos; el primer
evidenciar la aplicación y el funcionamiento de los
método es la simulación operando el software ISIS de
transistores bipolares y su relación con otros
Proteus, y el segundo método es haciendo un montaje
componentes electrónicos como las resistencias, diodos
en físico con la herramienta electrónica Protoboard.
y motores.
Luego de realizar los respectivos montajes se pudo
evidenciar el adecuado funcionamiento de los
componentes electrónicos utilizados tales como
transistores, resistencias, diodos, pulsadores y motor; 3 MARCO TEORICO
así como sus posibles desperfectos, permitiendo de esta
forma entender por qué las aplicaciones de estos Un diodo semiconductor está constituido por una
componentes son importantes en un ámbito tecnológico unión P-N, añadiéndole un terminal de conexión a cada
y en especial computacional. uno de los contactos metálicos de sus extremos y una
cápsula que aloja todo el conjunto, dejando al exterior
PALABRAS CLAVE: Diodo rectificador, resistencia, los terminales que corresponden al ánodo (zona P) y al
transistor. cátodo (zona N), el diodo deja circular corriente a través
suyo cuando se conecta el polo positivo de la batería al
ánodo, y el negativo al cátodo, y se opone al paso de la
1 INTRODUCCIÓN misma si se realiza la conexión opuesta. Esta propiedad
puede utilizarse para realizar la conversión de corriente
alterna en continua, proceso denominado rectificación.
Este informe incluye evidencias del uso de
transistores bipolares en el montaje del circuito en físico
Un transistor es un componente electrónico
a través de una Protoboard y en simulación mediante el
semiconductor utilizado para entregar una señal de
software ISIS de Proteus, además presenta las
salida en respuesta a una señal de entrada. Cumple
observaciones obtenidas en el montaje del circuito
funciones de amplificador, oscilador, conmutador o
denominado ‘’Puente H’’, basado en el conocimiento
rectificador. El término «transistor» es la contracción en
teórico recibido en formación por parte de los
inglés de transfer resistor (resistor de transferencia).
instructores de electrónica.
Actualmente se encuentra en todos los aparatos
electrónicos de uso diario tales como radios, televisores,
reproductores de audio y video, relojes de cuarzo,
computadoras, lámparas fluorescentes, tomógrafos,
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Transistor Bipolar BJT
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teléfonos celulares, aunque casi siempre dentro de los dos al emisor y al colector que, si bien son del mismo
llamados circuitos integrados. tipo y de signo contrario a la base, tienen diferente
contaminación entre ellas (por lo general, el emisor está
El transistor consta de tres partes dopadas mucho más contaminado que el colector).
artificialmente (contaminadas con materiales específicos
en cantidades específicas) que forman dos uniones Una resistencia es un componente electrónico
bipolares: el emisor que emite portadores, el colector diseñado para introducir una resistencia eléctrica
que los recibe o recolecta y la tercera, que está determinada entre dos puntos de un circuito eléctrico y
intercalada entre las dos primeras, modula el paso de limitar el paso de la intensidad de corriente y el voltaje.
dichos portadores (base).
Un motor DC de alta velocidad destaca por ser
El transistor de unión bipolar (o BJT, por sus siglas silencioso, su pequeño tamaño y reducido consumo de
del inglés bipolar junction transistor) se fabrica sobre un voltaje.
mono cristal de material semiconductor como el
germanio, el silicio o el arseniuro de galio, cuyas
cualidades son intermedias entre las de un conductor 4 SIMULACION
eléctrico y las de un aislante. Sobre el sustrato de cristal
se contaminan en forma muy controlada tres zonas
sucesivas, N-P-N o P-N-P, dando lugar a dos uniones Para la simulación del circuito ‘’Puente H’’
PN. utilizamos el software ISIS de la herramienta Proteus en
Las zonas N (en las que abundan portadores de su versión Proteus 8.6 Professional la cual nos permitió
carga negativa) se obtienen contaminando el sustrato de forma sencilla esquematizar y simular el circuito a
con átomos de elementos donantes de electrones, como analizar, favoreciéndonos además la obtención de los
el arsénico o el fósforo; mientras que las zonas P (donde resultados numéricos; para el montaje en físico
se generan portadores de carga positiva o «huecos») se utilizamos una Protoboard además de los componentes
logran contaminando con átomos aceptadores de electrónicos: 2 resistencias de 1k, 4 resistencias de 4,7k,
electrones, como el indio, el aluminio o el galio. 2 transistores 3906 PNP y 4 transistores 3904 NPN, 2
Las tres zonas contaminadas, dan como resultado pulsadores, 4 diodos de 407 y 1 motor DC de 12 voltios.
transistores PNP o NPN, donde la letra intermedia
siempre corresponde a la región de la base, y las otras
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Transistor Bipolar BJT
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5 CALCULOS TEORICOS
6 OBSERVACIONES
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Transistor Bipolar BJT
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8 CONCLUSIONES