VICERRECTORADO DOCENTE Código: GUIA-PRL-001

CONSEJO ACADÉMICO Aprobación: 2016/04/06

Formato: Guía de Práctica de Laboratorio / Talleres / Centros de Simulación

FORMATO DE INFORME DE PRÁCTICA DE LABORATORIO / TALLERES /

CENTROS DE SIMULACIÓN – PARA ESTUDIANTES

CARRERA: Ingeniería Electrónica ASIGNATURA: Electrónica Analógica

ESTUDIANTE: Jeison Jiménez Cruz
NRO. PRÁCTICA: 9 TÍTULO PRÁCTICA: POLARIZACIÓN DEL TRANSISTOR BJT
OBJETIVO ALCANZADO:
- Obtener la curva característica del transistor (malla de ingreso y malla de salida)
- Diseñar, calcular y comprobar el funcionamiento de los siguientes circuitos de polarización del
transistor BJT obteniendo las gráficas de las rectas de carga y puntos de trabajo.
a. Circuito con polarización fija.
b. Circuito con divisor de tensión.
c. Circuito con auto polarización.
d. Circuito con resistencia al emisor.
-
Realizar el esquema del circuito para obtener las curvas características Ib vs Vbe y Ic vs Vce
1. Obtener la curva característica del transistor (malla de ingreso y malla de salida)
El primer objetivo que nos pide la práctica es obtener la curva característica de un transistor BJT, tanto de la malla
de ingreso como de la malla salida, para lo cual nos tenemos que imponer los voltajes 𝑉𝐶𝐶 y 𝑉𝐷𝐷 , al igual que la
corriente 𝐼𝐶 y tambien se deberá de tener en cuenta la beta del transistor, una vez tengamos todos esos datos,
continuamos a resolver las mallas, pero con ciertas condiciones las cuales se verán a continuación

Figura 1. Circuito base para funcionamiento de transistor BJT

Tenemos que:
𝑉𝐶𝐶 = 12𝑉
𝑉𝐷𝐷 = 5𝑉
𝐼𝐶 = 3𝑚𝐴
𝛽 = 190
𝑉𝐶𝐶
Queremos obtener un 𝑉𝐶𝐸 =
2
𝑉𝐶𝐸 = 6𝑉
Con estos datos encontraremos las resistencias 𝑅𝐶 y 𝑅𝐵 necesarias para el circuito
Hallaremos la corriente 𝐼𝐵

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𝐼𝐶
𝐼𝐵 =
𝛽
3𝑚𝐴
𝐼𝐵 =
190
𝐼𝐵 = 15.78𝜇𝐴

Ahora se planteará la malla de entrada

𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝐵 𝑅𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 = 0
𝑉𝐷𝐷 − 𝑉𝐵𝐸
𝑅𝐵 =
𝐼𝐵
5𝑉 − 0.7𝑉
𝑅𝐵 =
15.78𝜇𝐴
𝑅𝐵 = 272.5Ω
𝑉𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑐𝑜𝑚𝑒𝑟𝑐𝑖𝑎𝑙 𝑅𝐵 = 270𝑘Ω

Y la malla de salida
𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶 − 𝑉𝐶𝐸 = 0
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸
𝑅𝐶 =
𝐼𝐶
12𝑉 − 6𝑉
𝑅𝐵 =
3𝑚𝐴
𝑅𝐵 = 2𝑘Ω
𝑉𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑐𝑜𝑚𝑒𝑟𝑐𝑖𝑎𝑙 𝑅𝐶 = 2 𝑑𝑒 1𝑘Ω 𝑒𝑛 𝑠𝑒𝑟𝑖𝑒 = 2𝑘Ω

Entonces el circuito queda así:

Figura 2. Circuito final para funcionamiento de transistor BJT

Se obtendrá la curva característica del transistor de la malla de entrada, es decir, se obtendrá la curva 𝑉𝐵𝐸 vs 𝐼𝐵 ,
para lo cual el voltaje de la fuente 𝑉𝐷𝐷 irá variando, respecto a esa variación se obtendrá una nueva corriente 𝐼𝐵
La ecuación para hallar los valores será la misma de la malla de entrada
𝑉𝐷𝐷 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 =
𝑅𝐵
𝑉𝐷𝐷 − 0.7𝑉
𝐼𝐵 =
270𝑘Ω

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Tabla 1. Resultados obtenidos al variar la fuente 𝑉𝐷𝐷

𝑉𝐷𝐷 𝑉𝐵𝐸 𝐼𝐵
5V 0.7V 15.78𝜇𝐴
4V 0.7V 12.22𝜇𝐴
3V 0.7V 8.518𝜇𝐴
2V 0.7V 4.15𝜇𝐴

Ahora se obtendrá la curva de la malla de salida, de la misma manera que el proceso anterior, la malla de salida
depende de 𝑉𝐶𝐶 , entonces esa fuente es la que va a variar y hallaremos una nueva corriente 𝐼𝐶
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 3𝑚𝐴(2𝑘Ω)
Tabla 2. Resultados obtenidos al variar la fuente 𝑉𝐶𝐶
𝑉𝐶𝐶 𝑉𝐶𝐸 𝐼𝑐
12V 6V 3𝑚𝐴
10V 4V 3𝑚𝐴
8V 2V 3𝑚𝐴
6V 0.1V 3𝑚𝐴

Ib vs Vbe Ic vs Vce
2.00E-05 3.10E-03
3.00E-03
1.50E-05 2.90E-03
2.80E-03
1.00E-05
Ib

Ic

2.70E-03
5.00E-06 2.60E-03
2.50E-03
0.00E+00 2.40E-03
0.64 0.66 0.68 0.7 0.72 0 2 4 6 8
Vbe Vce

Figura 3. Graficas obtenida con los valores de las mallas de ingreso y salida

Realizar los cálculos para cada polarización y su respectiva simulación.

2. Diseñar, calcular y comprobar el funcionamiento de los siguientes circuitos de polarización del
transistor BJT obteniendo las gráficas de las rectas de carga y puntos de trabajo.
a. Circuito con polarización fija.
Para este tipo de configuración nos impondremos los siguientes voltajes y corrientes
𝑉𝐶𝐶 = 12𝑉
𝑉𝐶𝐶
𝑉𝐶𝐸 =
2
𝑉𝐶𝐸 = 6𝑉
𝐼𝐵 = 20𝜇𝐴
𝛽 = 190
𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵
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𝐼𝐶 = 190(20𝜇𝐴)
𝐼𝐵 = 3,8𝑚𝐴
Hallaremos las resistencias 𝑅𝐶 y 𝑅𝐵 necesarias para esta configuración
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸
𝑅𝐵 =
𝐼𝐵
12𝑉 − 0,7𝑉
𝑅𝐵 =
20𝜇𝐴
𝑅𝐵 = 565𝑘Ω
𝑉𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑐𝑜𝑚𝑒𝑟𝑐𝑖𝑎𝑙 𝑅𝐵 = 560𝑘Ω

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸
𝑅𝐶 =
𝐼𝐶
12𝑉 − 6𝑉
𝑅𝐶 =
3.8𝑚𝐴
𝑅𝐶 = 1.57𝑘Ω
𝑉𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑐𝑜𝑚𝑒𝑟𝑐𝑖𝑎𝑙 𝑅𝐶 = 1.6𝑘Ω

Figura 4. Transistor con polarización fija

Figura 5. Corriente Ib, corriente Ic, voltaje Vce simulados.

b. Circuito con divisor de tensión.

Para este tipo de configuración tenemos los siguientes valores
𝑉𝐶𝐶 = 12𝑉
𝑅𝐶 = 10𝑘Ω
𝑅𝐸 = 1.5𝑘Ω
𝑅1 = 39𝑘Ω
𝑅2 = 3.9𝑘Ω
𝛽 = 190

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Hallaremos las corrientes Ic, Ib y el voltaje Vce

Primero hallamos el voltaje 𝑉𝑇𝐻

𝑉𝑐𝑐 𝑅2
𝑉𝑇𝐻 =
𝑅1 + 𝑅2
12𝑉(3.9𝑘Ω)
𝑉𝑇𝐻 =
39𝑘Ω + 3.9𝑘Ω
𝑉𝑇𝐻 = 1,09𝑉

Luego la resistencia 𝑅𝑇𝐻

𝑅1 𝑅2
𝑅𝑇𝐻 =
𝑅1+ 𝑅2
39𝑘Ω(3.9𝑘Ω)
𝑅𝑇𝐻 =
39𝑘Ω + 3.9𝑘Ω
𝑅𝑇𝐻 = 3.54𝑘Ω

Y ahora se hallará la corriente Ib

𝑉𝑇𝐻 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 =
𝑅𝑇𝐻 + (𝛽 + 1)𝑅𝐸
1.09𝑉 − 0.7𝑉
𝐼𝐵 =
3.54𝑘Ω + (190 + 1)1.5𝑘Ω
𝐼𝐵 = 1.3𝜇𝐴

Y la corriente Ic
𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵
𝐼𝐶 = 190(1.3𝜇𝐴)
𝐼𝐶 = 0.24𝑚𝐴

Y por último se hallará el voltaje Vce

𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶 − 𝑉𝐶𝐸 − 𝐼𝐸 𝑅𝐸 = 0
Si 𝐼𝐶 = 𝐼𝐸
𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶 − 𝑉𝐶𝐸 − 𝐼𝐶 𝑅𝐸 = 0
𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) − 𝑉𝐶𝐸 = 0
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 )
𝑉𝐶𝐸 = 12𝑉 − 0.24𝑚𝐴(10𝑘Ω + 1.5𝑘Ω)
𝑉𝐶𝐸 = 9.24𝑉

Figura 6. Transistor con divisor de voltaje

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Figura 7. Corriente Ib, Corriente Ic, Corriente Ie y Voltaje Vce simulados.

c. Circuito con auto polarización.

Para este tipo de configuración tenemos los siguientes valores
𝑉𝐶𝐶 = 12𝑉
𝑅𝐶 = 4.7𝑘Ω
𝑅𝐸 = 1.2𝑘Ω
𝑅𝐵 = 220𝑘Ω
𝛽 = 190
Hallaremos las corrientes Ic, Ib y el voltaje Vce
Primero se hallará la corriente Ib
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 =
𝑅𝐵 + 𝛽(𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 )
12𝑉 − 0.7𝑉
𝐼𝐵 =
220𝑖𝑘Ω + 190(4.7𝑘Ω + 1.2𝑘Ω)
𝐼𝐵 = 8.4𝜇𝐴

Y la corriente Ic
𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵
𝐼𝐶 = 190(8.4𝜇𝐴)
𝐼𝐶 = 1.59𝑚𝐴

Y por último se hallará el voltaje Vce

𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶 − 𝑉𝐶𝐸 − 𝐼𝐸 𝑅𝐸 = 0
Si 𝐼𝐶 = 𝐼𝐸
𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) − 𝑉𝐶𝐸 = 0
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 )
𝑉𝐶𝐸 = 12𝑉 − 1.59𝑚𝐴(4.7𝑘Ω + 1.2𝑘Ω)
𝑉𝐶𝐸 = 2.62𝑉

Figura 8. Transistor con auto polarización.

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Figura 9. Corriente Ib, Corriente Ic, Corriente Ie y Voltaje Vce simulados

d. Circuito con resistencia al emisor.

Para este tipo de configuración tenemos los siguientes valores
𝑉𝐶𝐶 = 12𝑉
𝑅𝐶 = 4.7𝑘Ω
𝑅𝐸 = 1.2𝑘Ω
𝑅𝐵 = 560𝑘Ω
𝛽 = 190
Hallaremos las corrientes Ic, Ib y el voltaje Vce
Primero se hallará la corriente Ib
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 =
𝑅𝐵 + (𝛽 + 1)𝑅𝐸
12𝑉 − 0.7𝑉
𝐼𝐵 =
560𝑘Ω + (190 + 1)1.2𝑘Ω
𝐼𝐵 = 14.3𝜇𝐴

Y la corriente Ic
𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵
𝐼𝐶 = 190(14.3𝜇𝐴)
𝐼𝐶 = 2.72𝑚𝐴

Y por último se hallará el voltaje Vce

𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶 − 𝑉𝐶𝐸 − 𝐼𝐸 𝑅𝐸 = 0
Si 𝐼𝐶 = 𝐼𝐸
𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) − 𝑉𝐶𝐸 = 0
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 )
𝑉𝐶𝐸 = 12𝑉 − 2.72𝑚𝐴(4.7𝑘Ω + 1.2𝑘Ω)
𝑉𝐶𝐸 = 2.5𝑉

Figura 10. Transistor con resistencia al emisor

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Figura 11. Corriente Ib, Corriente Ic, Corriente Ie y Voltaje Vce.

RESULTADO(S) OBTENIDO(S):

Realizar la toma de mediciones y comparar, simulaciones, mediciones y cálculos.

Parte 1 de la practica
Tabla 3. Toma de mediciones malla de entrada
𝑉𝐷𝐷 𝑉𝐵𝐸 𝐼𝐵
5V 0.67V 19.8𝜇𝐴
4V 0.66V 15.3𝜇𝐴
3V 0.65V 10.7𝜇𝐴
2V 0.64V 6.2𝜇𝐴
1V 0.59V 1.8𝜇𝐴
0.5V 0.4V 1𝜇𝐴

VBE vs IB
2.50E-05

2.00E-05
Ib

1.50E-05

1.00E-05

5.00E-06

0.00E+00
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
Vbe

Figura 12. Grafica de los datos obtenidos en la tabla 3.

Tabla 4. Toma de mediciones malla de salida

𝑉𝐶𝐶 𝑉𝐶𝐸 𝐼𝐶
12V 3.2V 4.45𝑚𝐴
11V 2.31V 4.43𝑚𝐴
10V 1.37V 4.40𝑚𝐴
9V 0.46V 4.36𝑚𝐴
8V 0.2V 3.96𝑚𝐴
7V 0.16V 3.47𝑚𝐴
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IC vs VCE
5.00E-03
4.50E-03
4.00E-03
3.50E-03
3.00E-03
2.50E-03
2.00E-03
1.50E-03
1.00E-03
5.00E-04
0.00E+00
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5

Figura 13. Grafica de los datos obtenidos en la tabla 4.

Parte 2 de la practica

a) Polarización fija
𝐶𝑎𝑙𝑐𝑢𝑙𝑎𝑑𝑜 𝑆𝑖𝑚𝑢𝑙𝑎𝑑𝑜 𝑀𝑒𝑑𝑖𝑑𝑜
𝑉𝐶𝐸 6V 6.73V 5.4V
𝑉𝐵𝐸 0.7V 0.68V 0.67V
𝐼𝐶 3.8𝑚𝐴 3.289𝑚𝐴 4.66𝑚𝐴
𝐼𝐵 20𝜇𝐴 20.327𝜇𝐴 20.7𝜇𝐴

b) Divisor de tensión
𝐶𝑎𝑙𝑐𝑢𝑙𝑎𝑑𝑜 𝑆𝑖𝑚𝑢𝑙𝑎𝑑𝑜 𝑀𝑒𝑑𝑖𝑑𝑜
𝑉𝐶𝐸 9.24V 8.578V 8.35V
𝑉𝐵𝐸 0.7V 0.68V 0.6V
𝐼𝐶 0.24𝑚𝐴 0.298𝑚𝐴 0.32𝑚𝐴
𝐼𝐵 1.3𝜇𝐴 2.442𝜇𝐴 1.3𝜇𝐴

c) Auto polarización
𝐶𝑎𝑙𝑐𝑢𝑙𝑎𝑑𝑜 𝑆𝑖𝑚𝑢𝑙𝑎𝑑𝑜 𝑀𝑒𝑑𝑖𝑑𝑜
𝑉𝐶𝐸 2.62V 3V 2.25V
𝑉𝐵𝐸 0.7V 0.66V 0.6V
𝐼𝐶 1.59𝑚𝐴 1.515𝑚𝐴 1.67𝑚𝐴
𝐼𝐵 8.4𝜇𝐴 10.214𝜇𝐴 7.4𝜇𝐴

d) Resistencia al emisor
𝐶𝑎𝑙𝑐𝑢𝑙𝑎𝑑𝑜 𝑆𝑖𝑚𝑢𝑙𝑎𝑑𝑜 𝑀𝑒𝑑𝑖𝑑𝑜
𝑉𝐶𝐸 2.5V 2.75V 2.33V
𝑉𝐵𝐸 0.7V 0.69V 0.68V
𝐼𝐶 2.72𝑚𝐴 1.999𝑚𝐴 3.28𝑚𝐴
𝐼𝐵 14.3𝜇𝐴 15.987𝜇𝐴 14.5𝜇𝐴

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Figura 14. Fotos tomadas a la hora de la toma de mediciones

CONCLUSIONES:
Se pudo observar la curva característica de un transistor BJT variando las fuentes de entrada de cada malla, y se
pudo notar que las curvas obtenidas cumplen con lo estudiado en clases.

Las prácticas de las distintas polarizaciones de transistores nos ayudan a conocer más acerca del funcionamiento
de los mismo, con cada configuración se pudo comprender el distinto comportamiento de los transistores.

The characteristic curve of a BJT transistor can be observed by varying the input sources of each mesh,
and it was possible to notice that the obtained curves comply with the studied ones in classes.

The practices of the different transistor polarizations help us to know more about the operation of the
same, with each configuration could understand the different behavior of the transistors.

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RECOMENDACIONES:
Se recomienda realizar las demás configuraciones de los transistores para poder observar y comprender el
funcionamiento de los transistores, y como siempre es necesario contar con el equipo de seguridad necesario a la
hora de realizar este tipo de prácticas.

It is recommended to make the other configurations of the transistors in order to observe and understand
the operation of the transistors, and since it is always necessary to have the necessary safety equipment
when carrying out this type of practice.

Nombre de estudiante: ______Jeison Jiménez Cruz_______ lunes, 20 enero de 2017 Grupo 11

Firma de estudiante: _______________________________

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