El Rectificador

Controlado de Silicio
(SCR).
Electrónica Industrial.
 SCR.
Objetivos.
 Identificar el símbolo esquemático.
 Conocer el circuito equivalente.
 Explicar la curva característica del SCR y
definir los parámetros de operación del
mismo.
 Definir conmutación forzada.
 SCR.
El SCR (silicon controlled rectifier) es un dispositivo de 4 capas
de material semiconductor en orden pnpn.
Dispositivo de 3 terminales.
 Ánodo.
 Cátodo.
 Compuerta (Gate).
Tiene 2 estados posibles de operación de forma análoga al
diodo de 4 capas.
 Modo encendido, en donde el SCR actúa idealmente como un
corto circuito entre el ánodo y cátodo (resistencia pequeña al
flujo de corriente).
 Modo apagado, el SCR actúa idealmente como un circuito abierto
entre el ánodo y cátodo (resistencia muy grande al flujo de
corriente).
 SCR.
Símbolo estructura Símbolo
básica. esquemático.
 SCR.
Encapsulados típicos.
 SCR.
Circuito equivalente de la estructura pnpn del SCR.
 SCR.
Encendido del SCR.
 Cuando la corriente en la compuerta (IG), es cero, el dispositivo
actúa como un diodo de 4 capas en el estado de apagado.
o La muy alta resistencia al flujo de corriente se considera como un
circuito abierto.
 SCR.
 Cuando se aplica un pulso de disparo positivo de corriente a la
compuerta, ambos transistores se encienden (el ánodo debe ser mas
positivo que el cátodo).
 IB2 enciende a Q2 y crea una tra-
yectoria para IB1 hacia el colector
de Q2, por lo que Q1 enciende.
 SCR.
La corriente en el colector de Q1 proporciona una corriente
adicional en la base de Q2, de tal forma que Q2 permanece en
conducción una ves que el pulso de disparo desaparece de la
compuerta.
 Acción regenerativa, Q2 mantiene
la conducción en saturación de Q1
al proporcionar una trayectoria
para IB1; a su vez, Q1 mantiene la
conducción en saturación de Q2
al proporcionar IB2.
 SCR.
Del mismo modo que el diodo de 4 capas, un SCR también
puede encenderse sin que se active la compuerta.
 Incrementando el voltaje entre ánodo y cátodo a un valor que
supere el volteje de ruptura en directa VBR.
 SCR.
El voltaje de ruptura en directa se reduce a medida que IG se
incrementa por encima de 0V.
 Cuando IG alcanza cierto nivel el SCR enciende a voltajes muy
bajos entre el ánodo y el cátodo, de modo que la corriente de
compuerta controla el voltaje de ruptura en directa VBR.
 SCR.
Apagado del SCR.
 Una vez que el pulso de disparo cesa, el SCR
permanece en estado de conducción (encendido),
motivo por el cual no se puede volver a disparar.
 Existen 2 métodos de poder llevar la corriente de
ánodo IA por debajo de la corriente de retención IH.
 Interrupción de la corriente en el ánodo
 Conmutación forzada.
 SCR.
Interrupción de la corriente en el ánodo.
 La corriente en el ánodo puede ser interrumpida mediante una
configuración de conmutación momentánea en serie o paralelo.
o Configuración serie, reduce a cero la IA.
o Configuración paralelo, reduce IA a un valor por debajo de IH.
 SCR.
Conmutación forzada.
 Básicamente el método requiere obligar momentáneamente a la
corriente que circula por el SCR a que lo haga en dirección
opuesta a la de conducción en directa, de tal modo que la IA se
reduzca por debajo de IH.
 SCR.
Características y valores nominales de un SCR.
 Voltaje de ruptura en directa, VBR(F) , Éste es el voltaje al cual el SCR
entra a la región de conducción en directa. El valor de VBR(F) es
máximo cuando IG=0.
 Corriente de retención, IH Éste es el valor de la corriente en el
ánodo por debajo del cual el SCR cambia de la región de
conducción en directa a la región de bloque en directa. El valor se
incrementa con valores decrecientes de IG y es máximo con IG=0.
 Corriente de disparo en la compuerta, IG Éste es el valor de la
corriente en la compuerta necesario para cambiar el SCR de la
región de bloqueo en directa a la región de conducción en directa
en condiciones específicas.
 SCR.
 Corriente en directa promedio, IF(prom) Ésta es la corriente máxima
en forma continua en el ánodo (cd) que el dispositivo puede
soportar en el estado de conducción en condiciones específicas.
 Región de conducción en directa Esta región corresponde a la
condición encendido del SCR en la que la corriente fluye del
ánodo al cátodo gracias a la muy baja resistencia del SCR.
 Región de bloqueo en directa y en inversa estas regiones
corresponden a la condición de apagado del SCR en la que la
corriente que fluye del ánodo al cátodo es bloqueada por el
circuito abierto efectivo del SCR.
 Voltaje de ruptura en inversa, VBR(R) Este parámetro especifica
el valor de voltaje en inversa del cátodo al ánodo al cual el
dispositivo irrumpe en la región de avalancha y comienza a
conducir en exceso, de la misma forma que un diodo de unión pn.
 SCR.
Aplicación: Control de activación y desactivación de la
corriente.
 SCR.
Ejemplo: Determine la corriente de disparo en la compuerta y
la corriente en al ánodo cuando el interruptor, SW1, se cierra
momentáneamente. Considere VAK=0.2 V, VGK=0.7 V e IH= 5
mA.
 Si VA se reduce a 12 V, ¿El SCR enciende?
 SCR.
Aplicación: Control de potencia de media onda.
 Aplicación bastante utilizada en el control de potencia en CA
como variación de intensidad luminosa de lámparas, calentadores
eléctricos y motores electicos.
 SCR.
R1 limita la corriente hacia la compuerta.
R2 ajusta el nivel de disparo para el SCR.
 Ajustando R2 se puede hacer que el SCR se dispare en cualquier
punto del semiciclo positivo de la forma de onda de CA (entre 0°
y 90°).
Cuando el SCR se dispara cerca del inicio del ciclo
(aproximadamente 0°), el SCR conduce aproximadamente
durante 180°, proporcionando potencia máxima a la carga.
 SCR.
Cuando se dispara cerca del pico del semiciclo positivo (90°),
el SCR conduce durante aproximadamente 90° y se suministra
menos potencia a la carga.
 Recuerda que ajustando R2 se puede hacer que ocurra el disparo
en cualquier parte de estos dos extremos (0° y 90°), y por
consiguiente podemos suministrar una cantidad variable de
potencia a la carga.
 SCR.
Cuando la entrada de CA se vuelve negativa, el SCR se apaga y
no conduce hasta que el punto de disparo en el siguiente
semiciclo positivo.
 El diodo impide que el voltaje de CA negativo se aplique ala
compuerta del SCR.
 SCR.
El ángulo de disparo es determinado por R2.
 Si R2 es de valor bajo, la corriente de compuerta será lo
suficientemente grande para disparar el SCR. Por lo tanto, el
ángulo de disparo será pequeño y la corriente de carga promedio
será grande.
 Si R2 es alta, el voltaje de alimentación debe se más alto para
suministrar suficiente corriente a la compuerta del SCR y
dispararlo, esto incrementa el ángulo de disparo y reduce la
corriente promedio suministrada a la carga.
 El propósito de R1 es mantener cierta resistencias fija en la
terminal de la compuerta aun cuando R2 es cero.
o Se necesita proteger a la compuerta del SCR contra corrientes
excesivas.
o R1 también determina al ángulo mínimo de disparo.
 SCR.
Este circuito tiene una desventaja, y es que el ángulo de
disparo de SCR solo se puede controlar de 0° a 90°.
 Vemos que IG apenas alcanza a
IGT (Corriente de compuerta mínima
para disparar el SCR).
 Bajo esta circunstancia el SCR se dis-
para a 90° dentro del semiciclo.
 Si IG fuera un poco más pequeña, el
SCR no se dispararía en lo absoluto.
 Si IG fuera un poco mas grande, en
ese caso IG alcanza a IGT relativa-
mente mas rápido dentro del semi-
ciclo, lo que ocasiona que el SCR
se dispare antes.
 SCR.
Ejemplo: En la siguiente figura se asume que la alimentación
es de 115 Vrms, IGT=15 mA, y que R1= 3 kΩ. Se pretende que el
ángulo de disparo sea de 90°. ¿A que valor se debe ajustar
R2?.
 SCR.
Ejemplo. Si la resistencia de carga es de 40 Ω y la alimentación
del circuito es de 115 Vrms, ¿Qué tanta potencia promedio se
consume en el SCR cuando el ángulo de disparo es de 0°?
Suponga que el voltaje directo a través del SCR es constante
de 1.5 V cuando se enciende.