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Ubicacion Optima de Bancos de Capacitores en Sistemas de Potencia
Ubicacion Optima de Bancos de Capacitores en Sistemas de Potencia
EN SISTEMAS D E POTENCIA
TESIS
EN OPCION A L G R A D O D E M A E S T R O EN CIENCIAS
D E LA INGENIERIA ELECTRICA CON
ESPECIALIDAD EN POTENCIA
PRESENTA:
SERGIO ARRIETA TAMEZ
tau
g
S
I< <
o
u
9
£ tí
< Q
ßß ^
w <
a I
<
S
E
H
s en
TM
Z5S53
.M2
FIMB
2002
.2V7
1020147514
UNIVERSIDAD AUTONOMA DE NUEVO LEON
P A C U L T A D DE I N G E N I E R I A M E C A N I C A Y ELECTRICA
DIVISION DE ESTUDIOS DE P O S T G R A D O
T E S I S
TESIS
PRESENTA
SAN N I C O L A S DE L O S G A R Z A , N. L.
TM
ì tt-f*
• h
FONDO
TESIS
UNIVERSIDAD AUTÓNOMA DE NUEVO LEÓN
FACULTAD DE INGENIERÍA MECÁNICA Y ELÉCTRICA
TESIS
PRESENTA
SAN N I C O L Á S DE L O S G A R Z A , N. L. F E B R E R O , 2002
Universidad Autónoma de Nuevo León
Facultad de Ingeniería Mecánica y Eléctrica
Subdirección de Estudios de Postgrado
realizada por el alumno Sergio Arrieta Tamez, matricula 0448954 sea aceptada para su
especialidad en Potencia.
El Comité de Tesis
y V o . Bo.
M. C. Roberto Villarreal Garza
División de Estudios de Postgrado
A MI ESPOSA
A MIS HIJOS
Sergio
Alfredo
Vanessa
RESUMEN
1.- Introducción 1
Referencias 72
Indice de Figuras 74
Apéndice C: Nomenclatura 82
CAPITULO 1
INTRODUCCIÓN
(0.24)(0.65) = 0.156 MW
Los métodos analíticos más recientes son más exactos que los primeros
métodos utilizados, pero requieren de mayor información del sistema eléctrico,
así como de un mayor tiempo de estudio e implementación.
MAX S= K L A L - K C C (1.2)
1.5.-RESUMEN.
XL=XC
jXx
QL
K V S ang(0°)
I S = l Q ang(aprox. -90°)
IC ang(aprox. 90°)
- • K V S ang(0°)
donde:
MVAcap= Potencia trifásica del banco de capacitores en MVA.
MVAcc3f= Potencia de corto-circuito trifásico en el punto de conexión
del banco de capacitores expresada en MVA.
LLI
O
LLI
Q
Q
O
LLI
0.2
Z
LLI
.C
R
LU
O
Q
=)
H
Z
O 0.05
) l
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50
ORDEN DE LA ARMONICA "H"
XLr = Xc r
corL=1/corC
C0r2=1/LC
C0R=±/17LC (2.5)
En la ecuación (2.5) se puede observar que se tienen dos raíces, pero se
toma la de signo positivo para las condiciones reales de operación del sistema
eléctrico.
Como cor= 2n fr
donde:
Xc= reactancia del banco de capacitores a frecuencia fundamental
XL=reactancia equivalente de Thévenin a frecuencia fundamental
en el punto de conexión del banco de capacitores
donde:
2.4.-RESUMEN.
R jXL
referencia
ES
-I XL
-IR
te
•IRCOSOP)
f
ES
7
ER
referencia
lXCSen{(p)
iXLSen(cp)
'lRCos(<p)
N
Z2
SI = Stotal
Z1 + Z 2 ,
Z1 (3.3)
S2 = Stotal
Z1 + Z2
Bus de Bus de
Salida Z1=r1+jX1 Llegada
—• Sl=Pl+jQl
Stotal=S1+S2
S2=P2+jQ2
Z2=r2+jX2
Xr (3.4)
FC(%)= xlOO
XL
51 72
= (3.6)
52 Z1
51 = X2 (3.7)
52 XI
Bus de Bus de
Salida X1=2 p.u. Llegada
—• SI = 1/3 p.u.
S1/S2=0.5
—• S2=2/3 p.u.
X2=1 p.u.
Despejando:
Y9 i
Xl= = =1.11 lp.u
0.9 0.9
la línea 1:
f c = (2 l.lll) = 0 4 4 4 5 = 44450/o
R jhXLi
— M / ^ - m Y U - i É —
. Xci
Zn = R + j h X L i - j
< Xci ^
hs = 7
v XLy
h& = 7[ FC j (3.9)
Donde:
hs= Frecuencia serie de la línea
FC= Factor de compensación serie aplicado a la línea
3.4.-RESUMEN.
1
(Rg + jhXgi)
jh IYoil/2 jh IYCÍI/2
RT + jhXn
YL2 = -
(0
RT + j h X n
W
Y21 = -
RT + jhXn
Y22 = 1 (4.1)
RT + jhXTi
1 Y3
i:
Yi
Y11=Y1+Y3
Y22=Y2+Y3
Y12=-Y3
I Y2
Y21=-Y3
IXc^
RL + jh XL 1 —
jh IYCil/2 jhlYcil/2
Donde:
Yz (1) es la matriz de admitancias nodal sin incluir capacitancias y
calculada a frecuencia fundamental.
Donde:
Rnodal es la matriz de resistencias nodal del sistema eléctrico.
4.8.-RESUMEN.
gsr + jbsr
Isr Is
\ W\a=^/yyyy
1
. Bsh • B s h
W /O
vszes j Ish
i VrZGr
J
2
/
.BshN
Isr = Ish + Is = Vs i + Ysr(Vs-Vr)
v' 2 ,
'.Bshv
Ssr = Vslsr =Vs Ysr(Vs-Vr)+Vs
v 2 ,
Ssr = Vs ( g s r - j b s r ) ( v s * - V r * ) - j B ® h V s *
Ssr = VsZ0s-|(gsr- j b s r ) [ V s z ( - 0 s ) - V r z ( - G r ) ] - j B ® h V s z ( - 8 s ) ¡
2
Ssr = (gsr - j b s r ) ( v s - Vs V r Z 0 s r/) - Jj B s h V s 2
2
.Bsh.. 2
Ssr - jbsr)[vs2 - Vs Vr (Cos 0sr + jSen Gsr) - iJ Vs
2
2
Ssr = (gsr - j b s r ) ( v s - Vs Vr Cos Gsr - j Vs Vr Sen Gsr)- j B s h Vs 2
Como: s=p+jq
Bsh w _ 2 , L 2
qsr = Vs - b s r ( V s - Vs Vr Cos e s r ) - g s r ( V s VrSenGsr) (5.2)
Donde:
5qSr
= - B s h V s - 2 b s r V s + b s r V r C o s 9 s r - g s r VrSenGsr
avs
5qSr
= bsr Vs Cos 9sr - gsr Vs Sen 9sr
5 Vr
5qSr
= -gsr
y
Vs Vr Cos Gsr - bsr Vs Vr Sen Gsr
¿9s
aqsr
= gsr Vs Vr Cos 9sr + bsr Vs Vr Sen Gsr
a9r
aqSr
= -Bsh Vs - bsr Vs
avs
5C
LSR
= Ubsr VVs
/
avr
aqsr
= -g
a
srVs
a9s
aqsr
= gsrVs
a9r
44
Aqsr
= -BshA Vs - bsrÍA
v
Vs - A V r1)
Vs
AqSr
+ (bsr + Bsh) A Vs - bsr A Vr = 0 (5.5)
Vs
Aq12
(1) + (b12 + Bsh1)AV1 - ( b 1 2 ) A V 2 - 0
Aq23
(2) + (b23 + Bsh2)A V2 - (b23)A V3 - 0
1 Aq12 gsr1+jbsr1 2 Aq23 gsr2+jbsr2 3
V1 V2
í
SLACK •_
(YYYÌ— (TYY\
AQ1
V1
AQ2
V2
AQ3
V3 ie
1/2Bsh1 1/2Bsh1 1/2Bsh2 1/2Bsh2
Aq12 0
1 0 b12 + Bsh1 -b12 0
V1 0
0 1 0 b23 + Bsh2 -b23 AQ1
Bsh1 Aq23
1 0 0 0 V1
2 V2
—
Bsh1— Bsh2 A V1 = AQ2
1 1 0 0
2 2 V2
-Bsh2 A V2
0 -1 0 0 AQ3
A V3
V3
1 „ Bsh1
0 1+ -1 0 Aq12 0
M2 b12
1 „ Bsh2 V1 0
0 0 1+ -1 AQ1
b23 b23 Aq23
Bsh1 V2 V1
1 0 0 0
2 A V1 = AQ2
Bsh1 Bsh2
-1 1 0 0 A V2 V2
2 " 2
- Bsh2 A V3 AQ3
0 -1 0 0
2 V3
1 1
Como jb = , entonces = -X y sustituyendo en la matriz:
jX b
Bsh1
X12 0 1+ -1 0 Aq12 0
b12
-1 + Bsh2 V1 0
0 -X23 0 -1 AQ1
b23 Aq23
Bsh1 V2 V1
1 0 0 0
2 A V1
-
AQ2
Bsh1 Bsh2
-1 1 0 0 A V2 V2
2 ~ 2
-Bsh2 A V3 AQ3
0 -1 0 0
V3
elem nodos
(1/j).
Be =Matriz de susceptancias capacitivas conectadas a los nodos y
multiplicada por (1/j) y que deberá incluir bancos de capacitores ya
existentes.
M =Matriz que guarda las relaciones (Bsh/b) de cada elemento y cuyos
valores son muy cercanos a cero.
elem nodos
(-Xelemj^ (A)A V = 0
AQ
+ ( - Bc)A V =
V
Aq AO
U
(A1 v +(Bc)AV (5.9)
VV
(A l ][Xelem]- 1 (A)A V = AQ
+(Bc)A V
V
A t )(YelemXA)A V - + (Bc)A V
(Bl-BC)AV = ^ (5.10)
j(Bnodal)AV = ^ (5.11)
AV =0(Bnodal)]" 1 í AQ ^ (5.12)
V y
En la ecuación (5.12) se observa que el término [j(Bnodal)] -1 representa
una matriz de coeficientes de sensitividad, que multiplicada por las inyecciones
de reactivos en los nodos proporciona los incrementos de voltaje en cada uno de
los nodos del sistema eléctrico.
Donde:
Psr = g s r ( v s 2 - Vs V r C o s 6 s r ) - b s r ( V s V r S e n 9sr)
Donde:
3PL
= 2gsr Vs - 2gsr Vr Cos 9sr
avs
5PL
= 2gsrVr - 2 g s r V s C o s 9 s r
5Vr
api
= 2gsr
y
Vs VrSen9sr
59s
r>Pl
= -2gsr
y Vs VrSenGsr
dQr
Haciendo las aproximaciones Cos Gsr = 1 y Sen 0sr se tiene:
dPl
= 2gsr(Vs - V r )
avs
aPL
= 2gsr(Vr - V s )
5 Vr
dPl
= 0
aes
dPL
= 0
dQr
APu2 = 2gi2(V1 - V 2 ) A V 1 + 2 G I 2 ( V 2 - V L ) A V 2
APL23 - 2 g 2 3 ( V 2 - V 3 ) A V 2 + 2 G 2 3 ( V 3 - V2)AV3
AV3
Acomodando los elementos de la matriz:
A V3
De ésta última matriz se puede obtener una ecuación general que tiene la
siguiente estructura:
AQ
APLelem = 2[(gsr)eiem][(Vs - Vr )elemjA][j(Bnodal)]" 1 (5.17)
V
Donde:
[(gsr)eiem]=Matiiz diagonal con los valores de conductancias de cada una
de las líneas y de dimensión (elementos x elementos).
147514
[Bnodal]=Parte imaginaria de la matriz de admitancias nodal del sistema y
que deberá contener también su respectiva unidad imaginaria "j" para
cada uno de sus elementos. Su dimensión es (nodos x nodos).
+ +
VsZGs VrZ9r
referencia
Donde:
s Rsr + jXsr r
Jnorton
referencia
S Rsr + jXsr r
Js=Jnorton ( ^ ) ( ^ ) Jr=-Jnorton
referencia
Ss = VsJs* (5.21)
Sr = VrJr* (5.22)
Ambas fuentes de potencia estarán formadas por una parte real y otra
imaginaria, por lo que en forma adicional al modelo de potencia reactiva se
requiere un modelo para la potencia real que maneje las inyecciones de potencia
en los nodos. A continuación se presenta el desarrollo del modelo incremental
para la potencia real.
Donde:
apSr
= 2gsr Vs - gsr Vr Cos 9sr - bsr Vr Sen Gsr
aVs
apsr
= - qa s r Vs Cos 9sr - bsr Vs Sen 9sr
aVr
apSr
= qsr
y
Vs Vr Sen Gsr - bsr Vs Vr Cos Gsr
a9s
5psr
= - q s r Vs Vr Sen Gsr + bsr Vs Vr Cos Gsr
a
aGr
Haciendo uso de las aproximaciones Vs « Vr = 1p.u., C o s 9 s r ^ 1 y
Sen8sr = 0 se tiene:
apsr ..
= yg s r V s
avs
apsr .,
= -gsr
y
Vs
avr
5psr
=-bsrVs
aes
apsr
=bsrVs
aer
Apsr = - b s r Vs A 0 s + bsrVs A 9 r
Apsr
= -bsr A 9s + bsr A 9 r
Vs
Apsr
+ b s r A 9 s - b s r A9r = 0 (5.25)
Vs
En la Figura 5.6 se representa un sistema eléctrico de potencia, el cual se
usa como referencia para la construcción del modelo incremental de la potencia
real.
A
1 P12 gsr1+jbsr1 2 Ap23
gsr2+jbsr2
V1 V2
Ap12
(1) + b12 A 91 - b 1 2 A 02 - 0
' V1
Ap23
(2)
v
+ b23 A 92 - b23 A 93 = 0
' V2
1 AP1__ Ap12
V1 ~ V1
AP2_ Ap23_Ap12
V2 "" V2 V1
AP3__Ap23
V3 ' V2
Si se escribe las ecuaciones en forma matricial se tiene lo siguiente:
Ap12 0
1 0 b12 -b12 0 0
V1
0 1 0 b23 -b23 AP1
Ap23
V1
1 0 0 0 0 V2
AP2
-1 1 0 0 0 A01
V2
A02 AP3
0 -1 0 0 0
A93 V3
Ap12 0
-X12 0 1 - 1 0 0
V1
0 -X23 0 1 - AP1
Ap23
V1
1 0 0 0 0 V2
AP2
-1 1 0 0 0 A61
V2
A62 AP3
0 - 1 0 0 0
A03 V3
elem nodos
elem -Xelem A
nodos A* 0 (5.26)
Donde:
(1/j)-
(-Xelem^P +(A)AG = 0
Ap
= [Xelem]" 1 (A)A0 (5.27)
Hv (5.28)
AP
(a 1 Jxeiem]" 1 (A)A0 =
AP
A 1 )(YelemXA)A8 = v
(BL)A0 = ^ P (5.29)
Se puede demostrar que la estructura de la matriz BL es equivalente a
j(Bxnodai) [12], donde Bxnodal es la parte imaginaria de la matriz de admitancias
nodal del sistema la cual es formada sin incluir las capacitancias en derivación
del sistema y que deberá contener también su respectivo factor imaginario "j"
para cada uno de sus elementos. Por lo anterior se tiene que (5.29) se puede
escribir de la siguiente forma:
AP
j(Bxnodal)A9 = (5.30)
V
AP
A 6 = [j ( B x n o d a l ) ]
- 1
(5.31)
V
[j(BXnodal)]" 1 0 AP/IVI
Una vez conocidos los valores de los voltajes y sus ángulos después de
la conexión del capacitor serie, se pueden calcular pérdidas en líneas así como
los flujos de potencia real y reactiva en las mismas. Si lo que se desea es
simplemente ver como se modifican los flujos de potencia real y reactiva en las
líneas, se haría uso de (5.7) y (5.26) despejando para obtener Aq/IVI y Ap/IVI
para cada uno de los elementos.
No. de Nodos = 8
No. ae Lineas = 12
Voltaje del Sistema (KV) = 115
Potencia base del Sistema (MVA) = 100
Potencia de generación en NODO ~ = 30MW+jl0M'v"AR
Lineas (3 Fases A C S R - 7 9 5 K C M 1 hilo de guarda AG-5/16" en estructura
P i l l a i b | s M tty|§
NODO 8
NODO 8
IIS kV 115 kV "3
« 5 64pu 0 952@-3 33[.ii
38 OP 22.00
30J)P 20J3Q -30.0 P -20 OQ 1 77P 0.353Q
-21.IP 11.8Q
NOOO S
115 kV
0 9S2@-3 40pu NODO 5
30 3P 20 SQ • I 77 P -T 120 NODO 3 NODO 4 114 kV
40.DP 20 OQ 115 kV MS kV 0 46;®.2 G4pg
0.054® -3.35[>u 0 948@-3 eipu 21.IP 11 SQ 18 8P 10 1Q
0 «4P 2 42Q 0 434P -0 9030 6 4SP 5.860 -6 48P -6 490 J
•23 .SP -13 5Q 23 8P 13 2Q 10J)P SODO
00 BP 30 00 30ÍP 20 OQ
I •47 8P -27 1Q -26 7P -12 80
NODO 1 NODO 7
115 kV 115 kV
1 COC'csr o 5i2pV
67 9P 39 30 26 OP 11 9Q
15.0P 20.00 48 4P 29 1 0
198P 129Q -3 97 P -0 856Q 30 OP 10 OQ
L±J
[Total genetabon-
COMPENSADOR
0 0 0 0 0 0 0 0
-0.000413 -0.001495 -0.001315 -0.002022 -0.002693 -0.002310 0.001111 -0.001496
(^Líneas) x (#Nodos)
MVAcc3F
hr =
MVAcap
Donde:
Los valores de corto circuito obtenidos de "ASPEN One Liner" para cada
uno de los nodos son:
NODO MVAcc3F
9625.7
2 1715.9
3 1591.0
4 1300.3
5 2014.1
6 1625.3
7 4009.5
553.5
Si se considera una restricción de voltaje de 3% arriba del valor nominal y
una restricción de resonancia de orden 5 o mayor, se puede observar que todos
los nodos cumplen con las dos restricciones, pero el nodo óptimo es el número
ocho ya que en él se produce la máxima reducción de pérdidas para el sistema.
NODO COEFICIENTE
-0.00002137
2 -0.01721760
3 -0.01631399
4 -0.01839386
5 -0.01363399
6 -0.01696507
7 -0.00001055
8 -0.02967334
CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES
[10] J.J. Grainger, W.D. Stevenson Jr., "Análisis de Sistemas de Potencia," Me.
G raw Hill, Inc., 1994, pp. 309-352.
[13] Dr. Alfredo Navarro Crespo, "Corrientes Armónicas," Técnica Salgar, S.A. de
C..V., 1995, pp. 23-24.
Figura Página
del capacitor 13
de conexión 17
5.4 Circuito
en serie equivalente Norton para línea compensada 54
(3.6, 5.6)
| 2 3 7 , 4.41
1 "V | V V V I V I V ' I
,0.0, ' <26.01 (O.o, (12.1.9,- (24.2. 0) „%, \ «.Si.«', 0|
x
' ' '' v - /
;
< /x >
;• x
x •O >
<
> \ / . .
/: f X
,"/ /
> > t-
E S T B U C T U R A tt 1 ( 4 0 0 k v , E S T R U C T U R A S 2 ( 4 0 0 kcv ) E S T R U C T U R A » 3 ( » 0 Kv}
. *{®1.
(o, u.sr- j. - . 9.2)
(0. 9 2 ,
(».!!] ' - (7 Í.7 1) (0. 6.9 f •
(0.16, 4.SJ - | I
Í
(O. 3 » )
(-1.6.3I.3) ;
(0. 01 < " r ^
Í0. 0) - ¡7.1,
T
6) (O. 0 ) > * (81.0)
1
(3.6. 7 61 (1 4,9)
- - L
.¿ 1 t '
(•2.806, 10.84)- |l6 618. 1C (0.6.1l ) ' L^i- :- (0. 3.5)
ESTRUCTURA # 25 (116 kv). Con H G de C C. F. O. Estructura #26. »»'• 116 KV. T»po Lindera ESTRUCTURA n 27 (115 kv). Con H Ci d* C O F.
I fO. 0)
E S T R U C T U R A # 28 ( 1 1 S K V ) .
Aisladores Cantil iver
APÉNDICE B
10 15 20 25 30
C a p a c i d a d del B a n c o de C a p a c i t o r e s ( M V A R )
INCREMENTO DE VOLTAJE Y ORDEN DE RESONANCIA AL
CONECTAR BANCOS DE CAPACITORES SHUNT
(Continuación)
NOMENCLATURA
APÉNDICE C
NOMENCLATURA
V Voltaje
KV Kilovolts
I Corriente
z Impedancia
R Resistencia
L Inductancia
C Capacitancia
X Reactancia
XL Reactancia inductiva
Xc Reactancia capacitiva
Y Admitancia
B Susceptancia
b Susceptancia de la línea
9 Conductancia de la línea
h Orden de la frecuencia
hr Orden de la frecuencia de resonancia
hs Orden de la frecuencia serie
NOMENCLATURA(Continuación)
A Incremento
A Matriz de conectividad
1
A Transpuesta de la matriz de conectividad
PL Potencia de pérdidas
[S] Matriz de sensitividad
J Fuente de corriente
VARs Volts ampere reactivos