Versión: 01

Octubre 2017
TRABAJO FINAL GRUPO: 2
ELECTRÓNICA I

TRABAJO FINAL
INFORMACION GENERAL
1.1 FECHA (Noviembre/ 14/ 2017):
1.2 DEPARTAMENTO: Atlántico

1.3 TEMA: Estructura y operación física del MOSFET de tipo enriquecimiento (Estructura
del dispositivo, operación sin voltaje aplicado a la compuerta, creación de un canal para
la circulación de corriente)

1.4 DATOS DE AUTORES:

Nombre completo: Andres Mauricio Noguera SIlvera
Correo electrónico: silveramauricio012334@gmail.com

Nombre completo: Jhon Mauricio Leguizamon rodriguez

Correo electrónico: jhonleguizamon17@outlook.com

CONTENIDO DEL INFORME

Tabla de contenido.

1. Resumen .......................................................................................................... 1
2. Introducción .................................................................................................................. 2
3. Objetivos.......................................................................................................... 3
4. Cuerpo de trabajo ........................................................................................... 4
4.1. Definición Transistor
MOSFET……………………………………………….3
4.2. Estructura y operación física del MOSFET de tipo
enriquecimiento…4
4.3. MOSFET tipo enriquecimiento de canal p
4.4. Característica de salida
4.5. MÁXIMA TENSIÓN PUERTA-FUENTE
4.6. REGIONES DE OPERACIÓN.
4.7. Operación sin voltaje aplico a la compuerta
4.8. Creación de un canal para la circulación de corriente
4.9. Aplicación de los MOSFET tipo enriquecimiento
4.10. Sensor térmico de un solo mosfet DC para la extracción de
frecuencia central del amplificador de RF

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4.11. Transistores de efecto de campo con efecto de túnel de doble puerta

de metal basados en mosfet: enfoque analítico 2D. ............................... 5
5. CONCLUSIONES
6. BIBLIOGRAGIA................................................................................................ 6

1. Resumen.

Transistor de efecto de campo metal – oxido – semiconductor o MOSFET es

un transistor electrónico el cual normalmente es utilizado para amplificar las
señales electrónicas

Este es un dispositivo el cual tiene cuatro terminales llamados. Fuente (source),

puerta (gate), drenaje (drain), sustrato (Bulk). Este cuarto se puede encontrar
muy poco pues generalmente el sustrato está conectado internamente al
terminal de la fuente por tal razón podemos encontrar dispositivos mosfet de
solo tres terminales.

Un transistor mosfet es un amplificador separador el cual es casi ideal ya que el

graduador que está aislado puede significar que la resistencia de entrada se
aproxima a infinito.

2.3  Palabras claves. Mosfet de enriquecimiento, transistor, amplificador

1. 2. Introducción.

En el siguiente trabajo hablaremos acerca del transistor mosfet, para ser más
específicamente del mosfet de enriquecimiento, mostraremos como está
conformado, hablaremos de sus características y de su estructura, la operación de
este sin voltaje aplicado en la compuerta y sobre la creación de un canal para que
circule corriente.

El MOSFET de enriquecimiento es usado usualmente en microprocesadores y

memoria de computadores y funcionan como interruptor.

El termino enriquecimiento hace referencia al incremento de conductividad eléctrica

que se produce debido a un aumento que hay en la cantidad de portadores de cargar

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en la región correspondiente al canal, que también es conocida como la zona de

inversión. [1]

3. Objetivos
En este trabajo tenemos como objetivo adquirir el conocimiento del que es un
transistor mosfet, centrándonos mosfet de enriquecimiento, conocer su función,
estructura física, operación sin voltaje aplicado en la compuerta, y como
identificarlos

4. Cuerpo de trabajo.

4.1 Definición Transistor MOSFET.

Los transistores son dispositivos semiconductores con tres terminales, que se pueden
utilizar en una multitud de aplicaciones que van desde amplificador de señales hasta El
transistor de efecto de campo tiene su nombre gracias a su operación física. Este tiene un
mecanismo de control de corriente que se basa en un campo eléctrico establecido por un
voltaje aplicado. En un transistor FET la corriente solo se conduce por un portador
(electrones) y depende del canal (canal n o canal p). El mosfet es un transistor de efecto de
campo semiconductor de óxido metálico que se ha hecho muy popular. [2]

4.2. Estructura y operación física del MOSFET de tipo enriquecimiento.

El transistor de efecto de campo MOSFET más utilizado es del tipo enriquecimiento. La

estructura básica del MOSFET tipo empobrecimiento de canal n, se forma de un material p
con una base de silicio y se conoce como sustrato. Como con el MOSFET tipo
empobrecimiento, el sustrato en ocasiones se conecta internamente a la terminal fuente, en
tanto que en otros casos se pone a la disposición una curva terminal para el control externo
de su nivel de potencial.

La fuente y el drenaje se conectan mediante contactos metálicos a regiones tipo n dopadas,

pero no hay un canal entre las dos regiones tipo n dopadas. Ésta es la diferencia principal
entre la construcción de los MOSFET tipo empobrecimiento y en el tipo enriquecimiento: la
ausencia de un canal como componente construido del dispositivo. Este fue fabricado en
un sustrato tipo de silicio que da un apoyo físico al dispositivo. Tiene dos regiones tipo n y
se identifican como n fuente y n dren, y estas se crean en el sustrato.

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El cuerpo del transistor tiene contactos para la fuente, la región del dren y el sustraído, a
esto se le conoce como el cuerpo y así aparece con cuatro terminales que son: la terminal
de la compuerta (G), el terminal del dren (D), el terminal de la fuente (s) y el terminal de
sustrato o cuerpo (B). Bajo el terminal de Puerta existe una capa de óxido (SiO2) que impide
prácticamente el paso de corriente a su través; por lo que, el control de puerta se establece
en forma de tensión. La calidad y estabilidad con que es posible fabricar estas finas capas
de óxido es la principal causa del éxito alcanzado con este transistor, además, este
transistor ocupa menos volumen que un transistor BJT, por lo que tiene una mayor
integración.

Cuando la tensión que se aplica es positiva en el terminal de puerta de un MOSFET de tipo

N, se crea un campo eléctrico bajo la capa de óxido que incide sobre el espacio del
semiconductor P. Este campo lo que hace es que, atrae a los electrones hacia la superficie,
bajo la capa de óxido, repeliendo los huecos hacia el sustrato. Si el campo eléctrico es muy
intenso se logra crear una región en la superficie con muchos electrones (canal N), y permite
que la corriente fluya de la Fuente al Drenado. Ahora, cuanto mayor sea la tensión de Puerta
(Gate) mayor será el campo eléctrico y, por tanto, la carga en el canal. Una vez creado el
canal, la corriente se origina, aplicando una tensión positiva en el Drenador (Drain) respecto
a la tensión de la Fuente (Source). [3] [4] [5]

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Figura 1. Escritura física del MOSFET tipo enriquecimiento [6]

4.3 MOSFET tipo enriquecimiento de canal p.

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Figura 2. Características y curva de transferencia de MOSFET tipo P [2]

La construcción de un MOSFET tipo enriquecimiento de canal p se observa en la figura 3

y es a la inversa del MOSFET tipo n. Es decir, ahora hay un sustrato tipo n y regiones tipo
n dopadas bajo las conexiones del drenaje y la fuente. Las terminales no cambian, pero
todas las polaridades del voltaje y las direcciones de la corriente se invierten. Las
características de drenaje aparecerán como se muestra en la figura 2, con niveles
crecientes de corriente a consecuencia de los valores cada vez más negativos de VGS.
Las características de transferencia serán la imagen de espejo (con respecto al eje ID) de
la curva de transferencia de la figura 2, con ID incrementándose a una con los valores
cada vez negativos de VGS más allá de VT. [2]

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Figura 3. Estructura del MOSFET enriquecimiento tipo p. [2]

4.4 Característica de salida

La corriente del drenador está controlada por la tensión en la puerta y esto sucede cuando
Vgs es mayor que Vgs (th). El MOSFET de enriquecimiento puede funcionar en una zona
óhmica y una zona activa, ósea, puede actuar como una fuente de corriente o como
resistencia. El principal uso es en la zona óhmica. El transistor no tendrá flujo de corriente
en el drenado si Vgs es mayor que Vgs (th). Entonces, a partir de ahí la corriente que pasa
por el drenado se incrementara rápidamente hasta que alcanza la corriente de saturación
Id.

Entonces si pasamos más allá de ese punto el dispositivo va a estar polarizado en la región
óhmica, por lo tanto, ID no va a poder crecer, aunque Vgs crezca. [3] [4]

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Figura 4. Curva característica de un MOSFET de canal n.[7]

4.5 MÁXIMA TENSIÓN PUERTA-FUENTE

El MOSFET tiene una delgada capa de dióxido de silicio que funciona como aislante, por lo
que impide la corriente de puerta para voltajes tanto positivas como negativas. En su
mayoría los MOSFET tienen diodos Zener internos que lo protegen, y estos se encuentran
en paralelo con la puerta y fuente. Puesto que la capa de aislamiento es tan delgada esta
se destruye fácilmente con una tensión puerta-fuente excesiva. Incluso si lo tocáramos con
las manos un MOSFET puede depositar suficiente carga estítica para que exceda la Vgs.
Nunca se deben conectar ni desconectar, mientras estén conectados a una fuente de
alimentación. En conclusión, estos dispositivos MOSFET son delicados y se destruyen con
facilidad, y se tienen que manejar cuidadosamente. [4] [8]

4.6 REGIONES DE OPERACIÓN.

Cuando se induce un canal y Vds aumenta, el canal se encoge en el lado del drenador, ya
que en la puerta - canal en ese punto la diferencia de potencial es más baja. Por lo tanto,
mientras exista el canal estará en región óhmica y el dispositivo tendrá baja resistencia.
Aquí veremos las diferentes operaciones del MOSFET, las cuales se pueden dividir en tres

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regiones diferentes (Depende de las tensiones en sus terminales). Un MOSFET de

enriquecimiento de canal n tienes las siguientes regiones: región corte, región óhmica y
región de saturación.

Cuando Vgs < Vt en transistor está en la región de corte. Cuando el transistor se encuentre
en la región de corte el MOSFET trabajara como un circuito abierto, entre la fuente y el
drenador. En esta región de acuerdo con el modelo básico del transistor, el dispositivo se
encuentra apagado. Y como entre la fuente y el drenador no hay conducción, el MOSFET
se comporta como un switch abierto.

Cuando un MOSFET está polarizado en la región óhmica, el valor de Rds(on) viene dado
𝑉𝑑𝑠
por la ecuación: Rds= 𝐼𝑑 (1).

Este estará en la región óhmica siempre que VGS > Vt y VDS < ( VGS – Vt ). En esta región
equivale a una resistencia variable conectada entre el drenador y la fuente. El valor de esta
resistencia depende del valor entre la puerta y la fuente Vgs. En los MOSFET se evita
polarizarlo en la zona activa. La tensión de entrada toma siempre un valor alto o bajo.

Por último, la región de saturación. El MOSFET estará en esta región, cuando VGS >
Vt y VDS > ( VGS – Vt ). El MOSFET entrara en esta zona cuando la tensión entre el
drenador y fuente Vds supere un valor fijo llamado tensión de saturación. En esta zona, el
transistor mantiene una corriente constante en el drenado Id, sin importar el valor de tensión
entre Vds. Si se encuentra en esta región funcionara como una fuente de corriente. [8] [9]

4.7 Operación sin voltaje aplico a la compuerta

Si no se aplica una tensión a la compuerta, este se forma como dos diodos conectados en
serie entre el drenaje y la fuente. Si están conectada espalda con espalda estos impiden el
paso de la corriente del drenaje a la fuente cuando se aplica un voltaje. Sin voltaje se forma
como dos diodos (espalda con espalda) y quedan formados por una unión pn entre el canal
n del dren y el sustrato tipo p, y el otro diodo se forma de una unión pn entre el sustrato tipo
p y el canal n de la fuente.

Un transistor MOSFET de tipo enriquecimiento tiene una conductividad que mejora cuando
su tensión en la puerta es mayor que la tensión umbral.

Si tenemos una tensión de puerta nula, la corriente en la fuente y el drenador es nula. Y si

tenemos una tensión de puerta nula, entonces la corriente de fuente y el drenador también
es nula. Para obtener corriente la única forma es mediante una tensión en la puerta. Se le
llama tensión umbral cuando el voltaje Vgs es mínima y crea una capa de inversión de tipo
n), simbolizada por Vgs (th) por su nombre en inglés (threshold voltage)). Cuando Vgs es
menor que VGS (th) la corriente de drenador el nula. Pero cuando VGS es mayor que VGS

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(th), una capa tipo n conecta de la fuente al drenador y la corriente en el drenador es grande.
[4] [5]

4.8 Creación de un canal para la circulación de corriente

Si se conecta la fuente y el drenador a tierra, como se observa en la figura 3, y se aplica un

voltaje positivo a la compuerta. Si la fuente está a tierra, el voltaje de la compuerta se ve
reflejado en la compuerta y fuente (Vgs). Cuando se aplica el voltaje positivo en la
compuerta, ocasiona que los electrones libres (huecos libres) positivamente cargando sean
repelidos de la región del canal (sustrato bajo la compuerta). En la región de agotamiento
queda poblada con carga negativas y estas cargas están descubierta porque los huecos
fueron empujados abajo del sustrato. Por esta razón, el voltaje positivo de la compuerta trae
electrones de la región n del dren y la fuente hacia la región del canal.

Una región n se conecta a las regiones de la fuente y el dren cuando un número suficiente
de electrones están cerca de la superficie del sustrato bajo la compuerta. Si se aplica una
tensión positiva entre la fuente y el dren, circula una corriente por la región n inducida, que
es llevada por electrones móviles. Por esta razón la región n forma un canal para la corriente
entre el dren y la fuente.

Ahora si se aplica un voltaje positivo entre la fuente y la compuerta no se producirá ninguna

conducción entre ellos, porque la compuerta está físicamente aislada del semiconductor.
Pero, si en esta se aplica una tensión en la compuerta se va a producir una acumulación de
electrones, producto de la atracción generada por la diferencia de potencial. Y si al quitar el
voltaje entre la compuerta y la fuente (VGS) es claro afirmar, que la conducción desaparece
inmediatamente al desaparecer el canal. Entonces de lo anterior ya dicho el tamaño del
canal dependerá del nivel de tensión aplicado a la compuerta, por lo tanto, mientras mayor
sea, más electrones habrá en el canal, condicionando así la corriente que puede circular.
[5] [10] [11]

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Figura 5. Transistor para la creación de un canal [5]

4.9 Aplicación de los MOSFET tipo enriquecimiento

Uso del MOSFET basado en la monitorización directa de p53 (proteína supresora de

tumores) en suero enriquecido.

Se utilizó el transistor de efecto de campo semi conductor de efecto metálico (MOSFET),

en la interacción biomolecular entre el ADN y la proteína p53 fue medido usando un
MOSFET modificado con ADN de fuerza iónica fisiológica.

En este caso fue utilizado el mosfet ya que como la compuerta está aislada del canal por el
cual n y p, esto hace que fluya desde la fuente hasta el desagüe, siendo así un tipo especial
de FET (transistor de efecto de campo).

El mosfet por su estructura es un dispositivo de corriente controlado por voltaje funcional.

En respuesta a los analitos biológicos, la compuerta controla el flujo de los portadores a
través del canal conductor por debajo del óxido de la compuerta al cambiar la forma y
longitud del canal gracias a sus excelentes propiedades eléctricas. Es un crucial para un
buen biosensor. [12]

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4.10 Sensor térmico de un solo mosfet DC para la extracción de frecuencia central

del amplificador de RF

Se ha llevado a cabo investigaciones sobre un chip térmico de baja potencia y pequeña

señal para la gestión térmica de circuitos de baja potencia de baja potencia y una pequeña
área para la gestión térmica de circuitos integrados digitales.

En cuanto al sensor térmico en el chip el dispositivo más simple que se puede emplear pude
ser utilizar un diodo o un transistor ya sea BJT o un MOSFET.

Los sensores térmicos que están basados en mosfet tienen una sensibilidad térmica mayor
en inversiones fuertes y requieren un área de diseño más pequeña por lo que los hace
ideales para el trabajo pues esto último es esencial para lo que se quiere.

Esta investigación arrojo que el sensor térmico propuesto, el cual se basa en un solo mosfet
conectado a diodos requiere un área muy baja y por lo tanto esto quiere decir que tiene un
impacto muy bajo en el diseño de un micro chip. [13]

4.11 Transistores de efecto de campo con efecto de túnel de doble puerta de metal
basados en mosfet: enfoque analítico 2D

Fueron utilizados transistores dobles con efecto de túnel de doble puerta de metal basado
en mosfet

Mediante la ecuación de poisson se puede calcular los efectos del grosor de la película
delgada y de la tensión en la compuerta, el campo eléctrico y los efectos que tiene el grosor
de la película delgada en la corriente que circula por el túnel.

En esta investigación fue muy importante las ventajas del mosfet y del transistor de efecto
de campo de túnel para combinarlos entre si empleando un electrodo adicional sobre la
región n positiva y una región p positiva, lo que hace que la estructura mosfet se comporte
como un transistor de efecto de campo túnel. [14]

5. Conclusiones

Los MOSFET de tipo enriquecimiento son unos de los dispositivos que cambio en el mundo
y pueden tener muchos usos uno de ellos como una resistencia controlada por tensión,
también aplicados a otras áreas no solo en la electrónica, El MOSFET de enriquecimiento
se basa principalmente en la creación de un canal entre el drenado y la fuente, cuando se
aplica un voltaje a la compuerta.

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PAGINAS FINALES:

6. Bibliografía
7.
[1]Boylestad, R. L. (2009). Electrónica: Teoría de Circuitos electronicos 6ed .
Pearson.
[2] Boylestad, R. L. (2009). Electrónica: Teoría de Circuitos electronicos10ed .
Pearson.

[3]esimerobotica.tripod. (s.f.). esimerobotica. Obtenido de MOSFET2:

http://esimerobotica.tripod.com/MOSFET2.pdf
[4]Malvino, A. P. (2000). PRINCIPIOS DE LECTRONICA. McGRAW-
HILYINTERAMERICANA DE ESPANA, S. A. U. .
[5]Sedra, A. S. (2000). Circuitos Microelectricos. Oxford University Press Mexico.
[6]Martínez., Á. L. (s.f.). transistoresweb. Obtenido de rabfis15:
http://rabfis15.uco.es/transistoresweb/Tutorial_General/MOSFET.html
[7]mgimenez. (s.f.). Labc.usb. Obtenido de Labc.usb:
http://www.labc.usb.ve/paginas/mgimenez/EC1113/Contenido/clase18.pdf
[8]Themeisle. (s.f.). el-transistor-mosfet. Obtenido de WordPress:
https://www.diarioelectronicohoy.com/blog/el-transistor-mosfet
[9]García., V. (03 de Agosto de 2012). hispavila. Obtenido de hispavila:
http://hispavila.com/total/3ds/atmega/mosfets.html
[10]smartdreams. (s.f.). smartdreams. Obtenido de smartdreams:
http://smartdreams.cl/transistores-mosfet-como-interruptores-de-potencia/
[11]wikipedia. (13 de Abril de 2017). wikipedia. Obtenido de wikipedia:
https://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_efecto_de_campo_metal-
%C3%B3xido-semiconductor#Aplicaciones
[12]Ferran Reverter a, ,. X. (2017). Sensors and Actuators A: Physical.
[13]Yunkwang Oh, T. T.-S. (2016). Metal oxide semiconductor field-effect
transistor (MOSFET)-based. Revista de Química Industrial e Ingeniería.
[14]Orouji, Z. R. (2017). Transistores de efecto de campo con efecto de túnel de
doble puerta de metal basados en MOSFET: un enfoque analítico 2-D.
Superredes y microestructuras.
1.
2. Anexos
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