Practica 4ª: Verificación De Características Del MOSFET Y Polarización 1

PRACTICA #4ª
VERIFICACIÓN DE CARACTERÍSTICAS DEL MOSFET Y
POLARIZACIÓN
Breayann Ortiz Aldana, Brandon Emilio Gonzalez

breayanortiz@javeriana.edu.co gonzalez.brandon@javeriana.edu.co
Pontificia Universidad Javeriana
Bogotá D.C
2019


III. PROCEDIMIENTO

Resumen – En este documento se desarrolla la práctica 4ª de la

asignatura dispositivos electrónicos, esencialmente haciendo
1. Uso Del Trazador De Curvas Para La
énfasis en las características básicas del MOSFET, como su
comportamiento respecto a la temperatura. También se Caracterización De Un MOSFET.
reconocen las curvas características, y la dependencia en una
etapa de amplificación. Identifique los terminales del MOSFET 2N7000. Para esto, es
posible utilizar la hoja de especificaciones del componente.
Índice de Términos – amplificación, Curva característica,
MOSFET.

I. INTRODUCCIÓN

En este documento se llevará a cabo el desarrollo de la

practica 4ª. La finalidad de esta practica es reconocer el
funcionamiento de un transistor MOSFET, de diferentes
formas, una de ellas es por medio de la curva característica
que posee el MOSFET. Fig. 1 MOSFET 2N7000

Gate: Drain: Source:

II. OBJETIVOS La grafica observada en el trazador de curvas se encuentra en

el apartado de anexos.

 Comprender el funcionamiento de un transistor PI-1. ¿Qué valor aproximado posee Vds cuando el MOSFET
MOSFET. se encuentra en el límite entre tríodo y saturación?

 Observar las curvas características de un MOSFET. VDS = 1,2 V

 Observar la dependencia de las características de
polarización de una etapa amplificadora MOSFET,
con el cambio del dispositivo por otro de la misma
referencia.
 Observar la variación con la temperatura de la
corriente de polarización en una etapa con MOSFET
PI-2. Teniendo en cuenta que, en la región de saturación, la
corriente Id se estabiliza respecto al voltaje Vds, y en la región
tríodo éstos valores varían casi de forma lineal ¿en cuál región
utilizaría un MOSFET para realizar una etapa de amplificación
y en cuál un circuito de conmutación? Justifique su respuesta.
Para una etapa de amplificación seria conveniente utilizar un
MOSFET en la región de saturación, debido a que se
controlaría la ganancia del transistor con el voltaje VGS. Para
un circuito de conmutación en la región de triodo ya que los
cambios al variar VGS son más abruptos.

2. Análisis De Estabilidad De Los MOSFET En

 Polarización, Análisis DC.
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3. Variación De La Corriente Con La Temperatura

PIII-1.¿Qué cambio nota en la corriente de polarización del

circuito? ¿Coincide el resultado con lo asegurado en las
preguntas previas?

Fig. 2 Estabilidad con el cambio de MOSFET.

IV. CONLUSIONES
Mida los voltajes y corrientes de polarización en el Circuito 1
y escríbalos en la Tabla 1.
 Es muy importante ver el comportamiento de dispositivos
ID VD VS VG Valores
como el MOSFET, frente al cambio de temperatura, ya
Medidos
que con esta información es posible definir qué problemas
Calculados
podría presentar. Esencialmente la temperatura esta
Tabla #1. Tabla con los datos medidos en el laboratorio
presente en todas las consideraciones que se tiene a la
hora de fabricar un circuito, así que si se sabe el
PII-1. Explique las posibles diferencias entre los valores comportamiento frente a la temperatura se podrá
medidos y los calculados establecer rangos de funcionamiento.

Mida los voltajes y corrientes de polarización en el Circuito 2

y escríbalos en la Tabla 2

ID VD VS VG Valores
Medidos
Calculados
Tabla #2. Tabla con los alores medidos en el laboratorio.

PII-2. Explique las posibles diferencias entre los valores

medidos y calculados
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V. ANEXOS
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Característica del 2N7000 Curva ID-VDS