TRANSISTORES FET

El transistor bipolar es un dispositivo muy versátil y de gran uso, pero presenta un gran
inconveniente. Sin el uso de un gran número de componentes, su impedancia de entrada
es relativamente baja. Esta característica presenta inconvenientes al diseñador, cuando
la etapa de entrada o alimentación requiere ver una alta resistencia. Aquí es donde el
transistor de efecto de campo (FET) tiene una cabida perfecta, pues su impedancia de
entrada es del orden de Megaohms. Además presenta menos ruido interno que el
transistor bipolar.
La diferencia básica entre los dos tipos de transistores es el hecho de que el transistor
BJT es un dispositivo controlado por corriente, mientras que el transistor JFET es un
dispositivo controlado por voltaje. En cada caso, la corriente del circuito de salida está
controlado por un parámetro del circuito de entrada, en un caso se trata de un nivel de
corriente y en el otro de un voltaje aplicado.
De la misma manera que existen transistores bipolares npn y pnp, hay transistores de
efecto de campo de canal-n y canal-p. Sin embargo, es importante considerar que el
transistor. BJT es un dispositivo bipolar; el prefijo bi indica que el nivel de conducción es
una función de dos portadores de carga, los electrones y los huecos. El FET es un
dispositivo unipolar que depende únicamente de la conducción o bien, de electrones
(canal-n) o de huecos (canal-p).

Entre los transistores FET (Field Effect Transistor) podemos distinguir dos
grandes tipos:

*Transistor de Efecto de Campo de Unión: JFET (Junction Field Effect Transistor)

* Transistor de Efecto de Campo Metal - Óxido - Semiconductor: MOSFET (Metal Oxide
Semiconductor Field Effect Transistor)
Transistor de Efecto de Campo de Unión: JFET (Junction Field
Effect Transistor)

Estructura
Un transistor de efecto campo (FET) típico está formado por una barrita de material p ó
n, llamada canal, rodeada en parte de su longitud por un collar del otro tipo de material
que forma con el canal una unión p-n.
En los extremos del canal se hacen sendas conexiones óhmicas llamadas
respectivamente sumidero (d-drain) y fuente (s-source), más una conexión llamada
puerta (g-gate) en el collar.
Las terminales del FET son conocidas como: Drenaje (drain), compuerta (gate) y fuente
(source). La región que está comprendida entre las dos porciones de semiconductores
que forman la compuerta, recibe el nombre de canal. Este puede ser tipo N o tipo P,
mientras que la compuerta está hecha del material opuesto.

La figura muestra el croquis de un FET con canal N

La estructura y representación esquemática del JFET es la sig:

 Símbolos

Como podemos observar, la diferencia en el símbolo entre ambos tipos reside en el

sentido de la flecha del terminal de puerta (G). En el JFET de canal n el terminal de puerta
se representa con una flecha entrante al dispositivo, mientras que en el de canal p es
saliente. Recordar que el sentido de la flecha indica el sentido de circulación de la
corriente si la unión pn correspondiente estuviera polarizada en directa.

Zonas de Operación
  La región óhmica

Se da para valores de VDS inferiores al de saturación, es decir, cuando VDS ≤ VGS –

VGSoff. Para estos valores de tensión el canal se va estrechando de la parte del
drenador, principalmente, hasta llegar al estrangulamiento completo para VDSsat.
En esta zona el transistor se comporta aproximadamente como una resistencia variable
controlada por la tensión de puerta, sobre todo para valores pequeños de VDS, ya que
a medida que nos aproximamos al valor de VDSsat, y para cada valor de VGS se va
perdiendo la linealidad debido al estrechamiento del canal que se aproxima al cierre.
En la siguiente figura, la tensión de estrangulamiento separa las dos regiones principales
de funcionamiento del JFET.
La región casi horizontal es la región activa. La parte casi vertical de la curva de drenador
por debajo del punto de estrangulamiento es la región óhmica.
  La región de saturación

Cuando la tensión de puerta es mucho mayor que VGS, la polarización mediante divisor
de tensión puede fijar un punto Q estable en la región activa. Si se dispone de tensiones
de alimentación positiva y, puede emplearse un circuito de polarización de fuente con
dos alimentaciones para anular las variaciones de VGS y configurar un punto Q estable.
Si las tensiones de alimentación no son muy altas, puede emplearse la polarización de
fuente para obtener un punto Q estable.
La autopolarización sólo se utiliza con amplificadores de pequeña señal, ya que el punto
Q es menos estable que con otros métodos de polarización.
Los amplificadores JFET tienen que tener un punto Q en la región activa. A causa del
amplio rango de valores de los parámetros del JFET, no podemos utilizar la polarización
de puerta. En su lugar, tenemos que emplear otro método de polarización.
La técnica de análisis que se utilice dependerá del nivel de precisión que se necesite.
Por ejemplo, para realizar un análisis preliminar y localizar averías en los circuitos de
polarización, con frecuencia basta con emplear valores ideales y aproximaciones del
circuito.

Autopolarización

La siguiente figura (a) muestra un circuito de autopolarización. Dado que la corriente de

drenador fluye a través de la resistencia de fuente RS, existe una tensión entre la fuente
y tierra dada por:
VS = IDRS
Como VG es cero,
VGS = -IDRS
Esta expresión establece que la tensión puerta-fuente es igual a la tensión que cae en la
resistencia de fuente con signo negativo. Básicamente, el circuito crea su propia
polarización utilizando la tensión en RS para polarizar la puerta en inversa.
La figura (b) muestra el efecto de las diferentes resistencias de fuente. Existe un valor
medio de RS para el que la tensión puerta-fuente es igual a la mitad de la tensión de
corte. Una aproximación para esta resistencia media es:
RS = RDS
Esta ecuación establece que la resistencia de fuente tiene que ser igual a la resistencia
óhmica del JFET. Cuando esta condición se satisface, VGS es aproximadamente la
mitad de la tensión de corte y la corriente de drenador es aproximadamente igual a un
cuarto de IDSS.

EJEMPLO 1:
  La región de corte
Se corresponde con el eje horizontal de la gráfica. En esta zona la corriente ID = 0 con
independencia del valor VDS. Esto se da para valores de VGS ≤ VGSoff, donde el canal
está completamente cerrado.

Técnicas de polarización de cada zona de operación

Para el funcionamiento más habitual, los transistores de canal n se polarizan aplicando

una tensión positiva entre drenador y fuente (VDS) y una tensión negativa entre puerta y
fuente (VGS). De esta forma, la corriente circulará en el sentido de drenador a fuente. En
el caso del JFET de canal p la tensión VDS a aplicar debe ser negativa y la tensión VGS
positiva, de esta forma la corriente fluirá en el sentido de la fuente hacia el drenador.
Para explicar el funcionamiento, de forma cualitativa, del transistor JFET vamos a
aplicarle las tensiones VGS y VDS tal y como se han indicado anteriormente y
recordando que nos estamos centrando en los JFET de canal n. (Solo basta con invertir
las polaridades de las fuentes para que lo tratado aplique al JFET canal P.
 Polarización en la región óhmica
El JFET puede polarizarse en la región óhmica o en la región activa. Cuando está
polarizado en la región óhmica, el JFET es equivalente a una resistencia. Cuando está
polarizado en la región activa, el JFET se comporta como una fuente de corriente. La
polarización de puerta es el método empleado para polarizar un JFET en la región
óhmica.
Polarización de puerta
La Figura siguiente (a) muestra un circuito de polarización de puerta. Se aplica una
tensión de puerta negativa de –VGG a la puerta a través de la resistencia de polarización
RG, lo que produce una corriente de drenador que es menor que IDSS. Cuando la
corriente de drenador fluye a través de RD, se fija una tensión de drenador de:

La polarización de puerta es el peor método para polarizar un JFET en la región activa,

ya que el punto Q es muy inestable.
Saturación fuerte
Aunque no es adecuada para la polarización en la región activa, la polarización de puerta
es perfecta para configurar la polarización en la región óhmica, ya que la estabilidad del
punto Q no es importante. La Figura anterior (c) muestra cómo polarizar un JFET en la
región óhmica. El extremo superior de la recta de carga en continua tiene una corriente
de saturación de drenador de:

Para garantizar que un JFET está polarizado en la región óhmica, todo lo que tenemos
que hacer es VGS=0 y:

El símbolo << significa “mucho menor que”. Esta ecuación dice que la corriente de
saturación de drenador tiene que ser mucho menor que la corriente máxima de drenador.
Por ejemplo, si un JFET tiene IDSS = 10 mA, la saturación fuerte se producirá si VGS =
0 e ID (sat) = 1 mA.
EJEMPLO 2:
  Polarización en la región de saturación
En esta zona es donde el transistor amplifica y se comporta como una fuente de corriente
gobernada por VGS. Los amplificadores JFET tienen que tener un punto Q en la región
activa. A causa del amplio rango de valores de los parámetros del JFET, no podemos
utilizar la polarización de puerta. En su lugar, tenemos que emplear otro método de
polarización.
Autopolarización
EJEMPLO 3:
Polarización mediante divisor de tensión
La figura siguiente (a) muestra un circuito de polarización mediante divisor de tensión. El
divisor de tensión genera una tensión de puerta que es una fracción de la tensión de
alimentación. Restando la tensión puerta-fuente, obtenemos la tensión en la resistencia
de fuente:

Dado que VGS es negativa, la tensión de fuente será ligeramente mayor que la tensión
de puerta. Si dividimos esta tensión de fuente entre la resistencia de fuente, obtenemos
la corriente de drenador:

Cuando la tensión de puerta es grande, las variaciones de VGS de un JFET al siguiente

se pueden despreciar.
Idealmente, la corriente de drenador es igual a la tensión de puerta dividida entre la
resistencia de fuente. En consecuencia, la corriente de drenador es casi constante para
cualquier JFET, como se muestra en la figura (b).
La figura (c) muestra la recta de carga en continua. En un amplificador, el punto Q tiene
que encontrarse en la región activa. Esto significa que VDS tiene que ser mayor que
IDRDS (región óhmica) y menor que VDD (corte).
Cuando se dispone de una tensión de alimentación elevada, la polarización mediante
divisor de tensión puede proporcionar un punto Q estable.
EJEMPLO 4:

 Polarización en la región de corte

Se corresponde con el eje horizontal de la gráfica. En esta zona la corriente ID = 0 con
independencia del valor VDS. Esto se da para valores de VGS ≤ VGSoff, donde el canal
está completamente cerrado.
En esta región la intensidad entre drenador y fuente es nula (ID=0). En este caso, la
tensión entre puerta y fuente es suficientemente negativa que las zonas de inversión
bloquean y estrangulan el canal cortando la corriente entre drenador y fuente. En las
hojas técnicas se denomina a esta tensión como de estrangulamiento o pinch-off y se
representa por VGS (off) o Vp.
Transistores de efecto de campo metal óxido semiconductor
(MOSFET)
El MOSFET (metal-oxide semiconductor FET, FET metal-óxido semiconductor) tiene una
fuente, una puerta y un drenador. Sin embargo, el MOSFET se diferencia del JFET en
que la puerta está aislada del canal. Por esta razón, la corriente de puerta es aún más
pequeña que en un JFET. El MOSFET a veces se denomina IGFET (insulated-gate FET,
FET de puerta aislada).
Existen dos clases de MOSFET, el tipo que opera en modo de vaciamiento y el tipo que
opera en modo de enriquecimiento. El MOSFET en modo de enriquecimiento se usa
tanto en circuitos discretos como en circuitos integrados. En circuitos discretos, se aplica
principalmente a circuitos de conmutación de potencia, lo que significa suministrar y
bloquear corrientes grandes. En circuitos integrados, se aplica fundamentalmente en
circuitos de conmutación digitales, el proceso básico que hay detrás de las modernas
computadoras.
Estructura
Entre los dispositivos más importantes derivados de la estructura MOS se encuentra el
transistor de efecto de campo conocido como MOSFET (Metal Oxide Semiconductor
Field-Effect Transistor).
Un dispositivo cuyo funcionamiento se basa en el efecto de campo eléctrico superficial.
El MOSFET (figura siguiente) consiste en un substrato de silicio tipo P dentro del cual
hay dos regiones difundidas tipo N, llamadas surtidor (Source-S) y drenador (Drain-D).
La región entre el surtidor y el drenador está bajo la influencia de un contacto de metal,
llamado compuerta (Gate-G). Sí se aplica un voltaje positivo intenso a la compuerta, la
región de la superficie del substrato tipo P puede ser invertida, esto inducirá un canal tipo
N conectando el surtidor y el drenador. La conductividad de este canal puede ser
modulada variando el voltaje de compuerta.
La estructura MOS se compone de dos terminales y tres capas: Un SUBSTRATO de
silicio, puro o poco dopado p o n, sobre el cual se genera una capa de OXIDO DE SILICIO
(SiO2) que posee características dieléctricas o aislantes. Por último, sobre esta se coloca
una capa de METAL (Aluminio o polisilicio), que posee características conductoras. En
la parte inferior se coloca un contacto óhmico, como se muestra en la figura siguiente.

Vamos a ver que existen dos tipos de transistores MOSFET.

1. MOSFET de acumulación o de enriquecimiento
2. MOSFET de deplexión o empobrecimiento

 MOSFET de acumulación

Estructura
Para un MOSFET de canal n, partimos de una zona de material semiconductor tipo p en
la que aparecen dos zonas tipo n+ con contactos metálicos a los terminales de drenador
y fuente. La zona roja representada corresponde a una capa de material aislante, en este
caso óxido de silicio. Por tanto, si nos fijamos en el terminal de puerta, vemos como
tenemos una zona metálica (correspondiente al contacto óhmico) una zona de óxido y
una zona de semiconductor. Es precisamente debido a esta estructura de dónde le viene
el nombre al dispositivo de Metal – Óxido – Semiconductor (MOS). Además, este
dispositivo tendría un cuarto terminal, el terminal del Sustrato (SS), aunque
habitualmente éste se encuentra conectado a la fuente.
A diferencia del JFET, las zonas de carga de espacio no juegan un papel primordial en
el funcionamiento del dispositivo.
 Símbolos

Notar dos aspectos significativos del símbolo, en primer lugar que el terminal de puerta
no tiene conexión con el resto de terminales, ya que tal y como hemos visto
anteriormente, está aislado eléctricamente del resto del dispositivo. En segundo lugar
que los terminales de drenador y fuente están unidos a través de una línea discontinua,
esta línea hace referencia al canal que se va a formar. De nuevo, la flecha indica el
sentido en que circularía la corriente en el caso de que la unión pn estuviera polarizada
en directa.
 Polarización

Los transistores MOSFET de acumulación de canal n se polarizan aplicando una tensión

positiva entre drenador y fuente (VDS) y una tensión positiva entre puerta y fuente (VGS).
De esta forma, la corriente circulará en el sentido de drenador a fuente. En el caso del
MOSFET de acumulación de canal p la tensión VDS a aplicar debe ser negativa y la
tensión VGS negativa, de esta forma la corriente fluirá en el sentido de la fuente hacia el
drenador.
 MOSFET de deplexión

Estructura básica
Como podemos observar, la estructura básica para un MOSFET de deplexión es similar
al caso del de acumulación, con la importante diferencia de que en este caso disponemos
de un canal inicial realizado en el proceso de fabricación del dispositivo.
Símbolos

MOSFET de deplexión canal n

MOSFET de deplexión canal p

Polarización
Los transistores MOSFET de deplexión de canal n se polarizan aplicando una tensión
positiva entre drenador y fuente (VDS) y una tensión entre puerta y fuente (VGS) que
puede ser negativa o positiva. De esta forma, la corriente circulará en el sentido de
drenador a fuente. En el caso del MOSFET de acumulación de canal p la tensión VDS a
aplicar debe ser negativa y la tensión VGS positiva o negativa, de esta forma la corriente
fluirá en el sentido de la fuente hacia el drenador.

Zona de Operación:

Zona de corte o de no conducción.

Se corresponde con el eje horizontal de la gráfica. En esta zona la corriente ID = 0 con
independencia del valor VDS. Esto se da para valores de VGS ≤ VT, donde el canal no
está completamente formado.

Zona óhmica o de no Saturación.

Se da para valores de VDS inferiores al de saturación, es decir, cuando VDS ≤ VGS -
VT Para estos valores de tensión el canal se va estrechando de la parte del drenador,
principalmente, hasta llegar al estrangulamiento completo para VDSsat.
En esta zona el transistor se comporta aproximadamente como una resistencia variable
controlada por la tensión de puerta, sobre todo para valores pequeños de VDS, ya que
a medida que nos aproximamos al valor de VDSsat, y para cada valor de VGS se va
perdiendo la linealidad debido al estrechamiento del canal que se aproxima al cierre.
Zona de saturación o de corriente constante.
Esta zona se da para valores VDS > VDSsat. Ahora la corriente ID permanece invariante
frente a los cambios de VDS y sólo depende de la tensión VGS aplicada. En esta zona
el transistor se comporta como una fuente de corriente controlada por la tensión de puerta
VGS.
Zona de ruptura.
Un transistor MOSFET puede romper por dos motivos. Bien porque se perfora el
dieléctrico cuando la tensión VGS supera una determinado valor que vendrá determinado
por el aislante, o bien porque en la unión pn del lado del drenador (polarizada en inversa)
se supera el valor de la tensión de ruptura de dicha unión, dado que esta unión está
polarizada con una tensión inversa de valor VDS la ruptura se producirá cuando VDS ≥
Vr con independencia del valor de VGS, por tanto en la zona de ruptura todas las distintas
curvas en función de VGS se juntan en una única.

Técnicas de polarización de cada zona de operación.

 Polarización en la región de Tríodo u óhmica

En la Figura siguiente (a), la corriente de saturación de drenador en este circuito es:

y la tensión de corte de drenador es VDD. La figura (b) muestra la recta de carga en

continua entre una corriente de saturación ID (sat) y una tensión de corte VDD.
Cuando VGS = 0, el punto Q se encuentra en el extremo inferior de la recta de carga en
continua.
Cuando VGS= VGS (on), el punto Q se encuentra en el extremo superior de la recta de
carga. Cuando el punto Q se encuentra por debajo del punto de prueba Q prueba, como
se muestra en la figura (b), el dispositivo está polarizado en la región óhmica. Dicho de
otra manera, un MOSFET está polarizado en la región óhmica cuando se satisface la
siguiente condición:
La Ecuación es importante, ya que nos informa de si un E-MOSFET está
funcionando en la región activa o en la región óhmica. Dado un circuito EMOS, podemos
calcular la corriente ID (sat). Si ID (sat) es menor que ID (on) cuando VGS =VGS (on),
sabemos que el dispositivo está polarizado en la región óhmica y es equivalente a una
resistencia pequeña.

EJEMPLO 5: