Trabajo de investigación unidad 1

Semiconductores de Potencia
Juan Castañeda Morales
Instituto Tecnológico de Toluca

21 de Septiembre de 2018

Tensión inversa de pico de trabajo (VRW M ): es

la que puede ser soportada por el dispositivo de
Diodos de potencia forma continuada, sin peligro de entrar en ruptura
por avalancha.
Introducción
Tensión inversa de pico repetitivo (VRRM ): es la
Uno de los dispositivos más importantes de que puede ser soportada en picos de 1 ms, repeti-
los circuitos de potencia son los diodos, aunque dos cada 10 ms de forma continuada.
tienen las siguientes limitaciones: son dispositivos
unidireccionales, no pudiendo circular la corriente Tensión inversa de pico no repetitiva (VRSM ):
en sentido contrario al de conducción. El único es aquella que puede ser soportada una sola vez
procedimiento de control es invertir el voltaje en- durante 10 ms cada 10 minutos o más.
tre ánodo y cátodo.
Tensión de ruptura (VBR ): si se alcanza, aun-
Los diodos de potencia se caracterizan porque que sea una sola vez, durante 10ms el diodo puede
en estado de conducción, deben ser capaces de so- destruirse o degradar las caracterı́sticas del mis-
portar una alta intensidad con una pequeña caı́da mo.
de tensión. En sentido inverso, deben ser capaces
de soportar una fuerte tensión negativa de ánodo Tensión inversa contı́nua (VR ): es la tensión
con una pequeña intensidad de fugas. contı́nua que soporta el diodo en estado de blo-
El diodo responde a la ecuación: queo.
qV
I = IS (e KT − 1) Parámetros en conducción

Intensidad media nominal (IF (AV ) ): es el valor

medio de la máxima intensidad de impulsos sinu-
suidales de 180o que el diodo puede soportar.

Intensidad de pico repetitivo (IF RM ): es aque-

lla que puede ser soportada cada 20 ms , con una
duración de pico a 1 ms, a una determinada tem-
peratura de la cápsula (normalmente 25o ).

Gráfica del diodo Intensidad directa de pico no repetitiva (IF SM ):

es el máximo pico de intensidad aplicable, una vez
La curva caracterı́stica será la que se puede ver cada 10 minutos, con una duración de 10 ms.
en la parte superior, donde:
Intensidad directa (IF ): es la corriente que cir-
VRRM : tensión inversa máxima cula por el diodo cuando se encuentra en el estado
VD : tensión de codo. de conducción.

Parámetros en bloqueo Modelos estáticos del diodo

1
 Modelos estáticos del diodo Tiempo de recuperación inverso
ta (tiempo de almacenamiento): es el tiempo
Los distintos modelos del diodo en su región que transcurre desde el paso por cero de la inten-
directa (modelos estáticos) se representan en la fi- sidad hasta llegar al pico negativo.
gura superior. Estos modelos facilitan los cálculos
a realizar, para lo cual debemos escoger el modelo tb (tiempo de caı́da): es el tiempo transcurrido
adecuado según el nivel de precisión que necesite- desde el pico negativo de intensidad hasta que
mos. ésta se anula, y es debido a la descarga de la ca-
Estos modelos se suelen emplear para cálculos a pacidad de la unión polarizada en inverso. En la
mano, reservando modelos más complejos para práctica se suele medir desde el valor de pico nega-
programas de simulación como PSPICE. Dichos tivo de la intensidad hasta el 10 por ciento de éste.
modelos suelen ser proporcionados por el fabri-
cante, e incluso pueden venir ya en las librerı́as trr (tiempo de recuperación inversa): es la su-
del programa. ma de ta y tb .

Caracterı́sticas dinámicas Qrr : se define como la carga eléctrica desplazada,

y representa el área negativa de la caracterı́stica
de recuperación inversa del diodo.
Tiempo de recuperación inverso
di
: es el pico negativo de la intensidad.
El paso del estado de conducción al de bloqueo dt
en el diodo no se efectúa instantáneamente. Si un Irr : es el pico negativo de la intensidad.
diodo se encuentra conduciendo una intensidad
IF , la zona central de la unión P-N está satu-
rada de portadores mayoritarios con tanta mayor La relación entre tb /ta es conocida como factor
densidad de éstos cuanto mayor sea IF . Si median- de suavizado ”SF”.
te la aplicación de una tensión inversa forzamos Si observamos la gráfica podemos considerar Qrr
la anulación de la corriente con cierta velocidad por el área de un triángulo:
di
, resultará que después del paso por cero de la
dt
corriente existe cierta cantidad de portadores que
cambian su sentido de movimiento y permiten que
el diodo conduzca en sentido contrario durante un 1
Qrr = trr X IRRM
instante. 2
La tensión inversa entre ánodo y cátodo no se Ecuación de Qrr (1)
establece hasta después del tiempo ta (llamado
tiempo de almacenamiento), en el que los porta-
dores empiezan a escasear y aparece en la unión De donde :
la zona de carga espacial. La intensidad todavı́a
tarda un tiempo tb (llamado tiempo de caı́da) en
pasar de un valor de pico negativo (IRRM ) a un
valor despreciable mientras van desapareciendo el dIf
IRRM = Xta
exceso de portadores. dt
Ecuación de IRRM (2)

2
Influencia del trr en la conmutación

Si el tiempo que tarda el diodo en conmutar

no es despreciable:
PT (AV ) = Uo XIM + Ief2 XR
-Se limita la frecuencia de funcionamiento.
-Existe una disipación de potencia durante el tiem- Ecuación de PT (AV ) (3)
po de recuperación inversa. Para altas frecuencias,
por tanto, debemos usar diodos de recuperación
rápida.
Generalmente el fabricante integra en las ho-
jas de caracterı́sticas tablas que indican la poten-
Factores de los que depende trr :
cia disipada por el elemento para una intensidad
conocida.
-A mayor IRRM menor trr .
Otro dato que puede dar el fabricante es curvas
-Cuanta mayor sea la intensidad principal que
que relacionen la potencia media con la intensi-
atraviesa el diodo mayor será la capacidad alma-
dad media y el factor de forma (ya que el factor
cenada, y por tanto mayor será trr .
de forma es la intensidad eficaz dividida entre la
Tiempo de recuperación directo intensidad media).

Potencia inversa de pico repetitiva (PRRM )

Es la máxima potencia que puede disipar el

dispositivo en estado de bloqueo.

Potencia inversa de pico no repeptitiva

(PRSM )

Similar a la anterior, pero dada para un pulso

único
Tiempo de recuperación directo

tf r (tiempo de recuperación directo): es el Principales causas de sobreintensidades

tiempo que transcurre entre el instante en que la
tensión ánodo-cátodo se hace positiva y el instan- La causa principal de sobreintensidad es, na-
te en que dicha tensión se estabiliza en el valor turalmente, la presencia de un cortocircuito en la
VF . carga, debido a cualquier causa. De todos modos,
Este tiempo es bastante menor que el de recu- pueden aparecer picos de corriente en el caso de
peración inversa y no suele producir pérdidas de alimentación de motores, carga de condesadores,
potencia apreciables. utilización en régimen de soldadura, etc.
Estas sobrecargas se traducen en una elevación
de temperatura enorme en la unión, que es inca-
Potencia máxima disipable (Pmáx ) paz de evacuar las calorias generadas, pasando de
forma casi instantánea al estado de cortocircuito
Es un valor de potencia que el dispositivo pue-
(avalancha térmica).
de disipar, pero no debemos confundirlo con la
potencia que disipa el diodo durante el funciona-
miento, llamada ésta potencia de trabajo.
Transistores BJT de potencia
Potencia media disipada (PAV )
El funcionamiento y utilización de los transis-
Es la disipación de potencia resultante cuando tores de potencia es idéntico al de los transistores
el dispositivo se encuentra en estado de conduc- normales, teniendo como caracterı́sticas especiales
ción, si se desprecia la potencia disipada debida a las altas tensiones e intensidades que tienen que
la corriente de fugas. soportar y, por tanto, las altas potencias a disipar.
Se define la potencia media (PAV ) que puede disi-
par el dispositivo, como : Existen tres tipos de transistores de potencia:

3
-Bipolar.
-Unipolar o FET (Transistor de Efecto de
Campo).
-IGBT.
Una limitación importante de todos los dispo-
sitivos de potencia y concretamente de los transis-
tores bipolares, es que el paso de bloqueo a con-
ducción y viceversa no se hace instantáneamente,
sino que siempre hay un retardo (ton , tof f ).
Las causas fundamentales de estos retardos son
las capacidades asociadas a las uniones colector -
base y base - emisor y los tiempos de difusión y
recombinación de los portadores.
Se define como la tensión de ruptura Colector-
Emisor, a una especificada corriente de colector,
con una resistencia conectada entre base y emi-
sor, cuyo valor debe ser especificado; En este caso
la corriente de base real es negativa.
Tensión de ruptura colector-emisor con la
base en corto con el emisor.
Se define como la tensión de ruptura Colector-
Emisor, medida a una especificada corriente de co-
lector, con la base cortocircuitada con el emisor.
Al igual que el caso anterior aquı́ también la co-
rriente de base es negativa.

Parámetros máximos Tensión de ruptura colector-emisor con

aplicación de tensión inversa
Corriente máxima del colector: Es un parámetro
absoluto que depende principalmente de la solidez
Se define como la tensión de ruptura Colector-
fı́sica del transistor. Por lo general esta limitado
Emisor, medida a una especificada corriente, con
por la fusión de las conexiones internas.
la aplicación de un valor especificado de polariza-
ción inversa entre Base y Emisor.
Tensiones de ruptura
Tensión de ruptura colector-emisor con
Tensión de ruptura colector-base con resistencia y tensión entre base y emisor
emisor abierto
Se define como la tensión de ruptura Colector-
El tercer subı́ndice indica la condición del ter-
Emisor, medida a una especificada corriente de co-
cer terminal no indicado, en este caso el emisor lector, con la juntura Emisor-Base polariza da di-
que se indica esta abierto, O = Open = Abierto. recta o inversamente con una especificada tensión
A veces se interpreta la O como cero, referida a o corriente. En caso de especificar tensión deberá
corriente cero y como la forma de asegurarlo es también especificarse la resistencia equivalente en
abriendo el terminal de emisor la interpretación serie con la fuente de tensión de base. No obstan-
aunque errónea resulta equivalente. Se define co- te que en esta definición se habla de polarización
mo la tensión de ruptura entre Colector y Base, a directa o inversa, por lo general la polarización es-
una especificada corriente de colector, con el emi- pecificada para la base es inversa, ya que normal-
sor abierto. mente este parámetro se utiliza para evaluar la
capacidad de un transistor para soportar tensión
Tensión de ruptura colector-emisor con entre Colector y Emisor en el caso de conmutación
base abierta de conducción (Saturación) al corte, momento en
el cual es común la aplicación de una tensión in-
Se define como la tensión de ruptura Colector- versa para reducir el tiempo de almacenamiento.
Emisor, medida a una especificada corriente de
Colector, con la base abierta. Tensión de ruptura emisor-base con el
El valor de esta tensión de ruptura es mucho me- colector abierto
nor que la correspondiente a colector base que res-
pondı́a a una simple tensión de ruptura de una Se define como la tensión de ruptura entre
juntura. En este caso la corriente de fuga de co- Emisor y Base, con el colector abierto. Corres-
lector, forzada hacia el emisor por la condición de ponde a la tensión de ruptura de la juntura Base-
base abierta, se ve multiplicada por ( ?+l ) efecto Emisor polarizada inversamente.
que anticipa la avalancha. En general siempre es:

Tensión de ruptura colector-emisor con

resistencia entre base y emisor Curvas de primera ruptura

4
 La primera ruptura o avalancha primaria es un
fenómeno puramente eléctrico. Cuando se supera
un determinado valor de campo eléctrico en la jun-
tura, los electrones son arrancados y comienza la
avalancha.
En la siguiente grafica también puede verse grafi-
cada la hipérbola de potencia máxima.
Es importante observar que la primera ruptura no
produce un daño irreversible en el transistor a me-
nos que se supere la curva de potencia máxima.
Curva de potencia máxima
Hipérbola de potencia máxima
En la gráfica anterior también puede verse gra-
ficada la hipérbola de potencia máxima.
Cuando se supera la capacidad de disipación del
dispositivo, la temperatura se eleva por encima
de la temperatura de fusión de la juntura y esta
se quema. Produciéndose en el transistor un daño
irreversible.
Segunda ruptura (Second Breakdown -
SB) o avalancha secundaria
La 1ra, ya estudiada, consiste en un fenómeno
eléctrico que se manifiesta al alcanzarse un deter-
minado valor del campo aplicado a la juntura.
La 2da en cambio es un fenómeno netamente
térmico que se origina en la concentración de
corriente en alguna zona del transistor dentro del
ancho activo de la base. Esta concentración, de co-
rriente produce un calentamiento localizado, que
puede, o no estabilizarse. Si no se estabiliza, da
lugar a un proceso de embalamiento térmico que
incrementa la concentración conduciendo en defi-
nitiva a la fusión del cristal en un punto.
La manifestación exterior de este fenómeno se
aprecia como una brusca disminución de la ten-
sión Colector-Emisor a valores muy inferiores a las
tensiones de ruptura y sostenimiento (se estima
5
entre 5 y 30V). Dada la caracterı́stica fundamen-
talmente térmica del proceso es evidente que la
primera dependencia que podemos enunciar para
la 2da ruptura es con la temperatura ambiente,
aumentando su susceptibilidad con el aumento de
la misma.
Como se comprenderá, este fenómeno es destruc-
tivo quedando el transistor inutilizado, siendo esta
otra diferencia fundamental entre la 1ra y 2da rup-
tura, dado que la ruptura en avalancha por si mis-
ma no presume la existencia de una degradación
de caracterı́sticas o inutilización del transistor.
Segunda ruptura con polarización directa
base-emisor
Este fenómeno se lo asocia con un desequili-
brio térmico en el sentido transversal en la zona
de base. Debido a la circulación de la corriente a
lo largo de la base debajo de la zona de emisor, se
produce una caı́da de tensión, con el consiguiente
campo eléctrico asociado, que concentra los filetes
de corriente de base en las zonas laterales, con la
consiguiente concentración de la corriente de co-
lector, que se ha tratado de esquematizar en la
figura siguiente.
Esta distribución marginal de las corrientes de ba-
se debido a las diferencias de polarización entre la
periferia y el centro, con la consecuente concentra-
ción de corriente de colector, produce la genera-
ción de puntos calientes. En estos puntos calientes
la tensión de la juntura base-emisor disminuye con
la temperatura (Coeficiente de.-2 a -2,5 mV/◦ C),
lo que favorece un aumento de corriente de base en
esa zona, con su consecuente aumento de corriente
de colector y ası́ sucesivamente.
Segunda ruptura con polarización inversa
base-emisor
Cuando se utiliza un transistor en aplicaciones
de conmutación y en especial aquellas con carga
inductiva, a los efectos de reducir principalmente
el tiempo de almacenamiento y el tiempo de caı́da
de la corriente, es común la aplicación de una ten-
sión inversa Base-Emisor que genera una corriente
IB2 (Inversa) que puede llegar a valores mayores
que la corriente directa IB1 pero por perı́odos muy
cortos. en este caso el sentido de la circulación de
la corriente dentro y fuera de la base se invierte, la
caı́da de tensión y el campo asociado también, y en
lugar de producirse la concentración de corriente
en la periferia de la base, la misma se produce en
su parte central. Los razonamientos son similares Tensión de ruptura drenaje-fuente
a los citados en polarización directa. V(BR)DSS
Se define como la tensión de ruptura entre Dre-
MOSFET naje y Fuente con una especificada corriente de
Drenaje y con la Compuerta en corto con la fuen-
Los problemas que vienen presentando los te.
transistores bipolares o BJT, como son la corrien-
Tensión máxima (absoluta)
te que soportan y la dependencia de la tempera-
compuerta-fuente
tura a la que se ven sometidos, unas veces por
su emplazamiento, otras por un mal trazado y la Es un valor máximo que depende directamen-
mas evidente, el efecto llamado de avalancha. Es- te del espesor de la capa dieléctrica, normalmente
tas evidencias, han llevado a que se sustituyan por oxido de silicio, y con su pureza, de tal forma que
otros transistores más avanzados, hasta la llegada en la misma no se exceda el máximo campo eléctri-
de los MOSFET. co permitido. En caso que se produzca la ruptura,
Las ventajas que presentan este tipo de transistor, el efecto de perforación del dieléctrico es destruc-
han llevado a que ocupen un lugar importante den- tivo y por lo tanto irreversible. Un valor tı́pico en
tro de la industria, desplazando a los viejos BJT transistores de potencia es de +-20V, no obstan-
a otros fines. Los MOSFET de potencia son muy te algunos fabricantes recomiendan no exceder el
populares para aplicaciones de baja tensión, baja valor de 10V en operación continua.
potencia y conmutación resistiva en altas frecuen- Recordemos que el transistor MOS debido a su
cias, como fuentes de alimentación conmutadas, conformación netamente capacitiva a la entrada
motores sin escobillas y aplicaciones como robóti- (Compuerta), posibilita la acumulación de energı́a
ca, CNC y electrodomésticos. eléctrica con el desarrollo de tensiones altas como
La mayorı́a de sistemas como lámparas, motores, paso previo a su destrucción, por lo que su mani-
drivers de estado sólido, electrodomésticos, etc. puleo y conexión en el circuito exige procedimien-
utilizan dispositivos de control, los cuales contro- tos muy cuidadosos.
lan el flujo de energı́a que se transfiere a la carga. Los transistores MOS de potencia originales in-
Estos dispositivos logran alta eficiencia variando cluı́an un diodo zener como elemento de protección
su ciclo de trabajo para regular la tensión de sa- de la compuerta. Tal diodo zener se conformaba
lida. Para realizar la parte de conmutación, exis- con la tensión de ruptura inversa de la juntura
ten varios dispositivos semiconductores, a conti- base-emisor de un transistor difundido dentro del
nuación se muestra una tabla con algunos de ellos. conjunto del MOS. La presencia de tal diodo altera
La siguiente es una tabla comparativa de las di- las condiciones de entrada de compuerta, además
versas capacidades entre potencia y velocidad de de generarse problemas ante la aplicación de ten-
conmutación de los tipos de dispositivos. siones inversas a la misma superiores a 0,6V.
Los transistores modernos resultan mucho más ro-
Parámetros máximos bustos, presentando además una capacidad a la
entrada mucho mayor que los MOS de señal o
Corriente de drenaje
CMOS, que los hace menos susceptibles al daño.
Por lo general se especifican dos valores: El peligro normalmente proviene de las descar-
El primero es la Corriente máxima continua de gas electrostáticas originadas por el fenómeno tri-
Drenaje, por arriba de la cual se produce un so- boeléctrico.
brecalentamiento y destrucción del transistor que El transporte y manipuleo de los dispositivos MOS
por lo general se origina en el montaje del mismo, debe realizarse con ciertas precauciones. El trans-
conexiones terminales, etc. en forma similar al co- porte debe efectuarse en estuches antiestáticos o
mentado para transistores bipolares. espuma conductiva.
El otro valor es Corriente de Drenaje Máxima Resistencia en conducción drenaje-fuente,
pu1sante, considerado para un pulso infinitesimal RDS(ON ) (Drain-Source ON Resistance)
y depende además de las conexiones internas (me-
talizaciónes), de la potencia máxima disipable y Suele denominarse también como Resistencia
de la resistencia del canal RDS(ON ) que comenta- Estática. Se define formalmente como la resis-
remos luego. tencia Drenaje-Fuente en condiciones de conduc-
ción, medida a valores especificados de tensión

6
Compuerta-Fuente y corriente de Drenaje.
Es evidente que la RDS(ON ) limita eléctrica-
mente la máxima corriente y determina la disipa-
ción de potencia del transistor, con lo cual intro-
duce también una limitación térmica del disposi-
tivo a la circulación de la corriente. Además del
dato de RDS(ON ) , para un punto determinado de
operación, los manuales proveen la curva de ID =
f (VGS )VDS , VDS esta dado como parámetro en
estas curvas (que se corresponde con la VDS (ON ),
al igual que la temperatura. Esto permite deducir
el valor deseado de la relación:
VDS (ON )
RDS(ON ) =
ID
Ecuación de RDS(ON ) (4)
Tensión drenaje-fuente en conducción
(VDS (ON ))
Los diseñadores acostumbrados a manejar los
cálculos en transistores bipolares basados en el da-
to de VCEsat no compatibilizan con el uso de la
resistencia del canal, por lo que algunos manuales
y en alguna de sus hojas de caracterı́sticas, in-
corporan el dato de la tensión Drenaje-Fuente en
condiciones de conducción para diversas corrientes
de Drenaje. Prácticamente todos los fabricantes la
especifican para una tensión Compuerta-Fuente de
10 V Como es obvio, de no contar con el dato pue-
de utilizarse la fórmula:
VDS (ON ) = RDS (ON )ID
Ecuación VDS (ON ) (5)
Reiterando la aclaración de que debe utilizar-
se la resistencia de canal que corresponde a esa
corriente.
Diodo inverso
La forma constructiva generalizada de los
MOS de potencia hace que exista inherentemen-
te un diodo entre fuente y drenaje, según puede
observarse en la figura siguiente y que no opera
7
en condiciones normales de circulación de la co-
rriente, pero que puede ser usado en substitución,
por ejemplo, del Free-Wheel diodo. No obstante
este uso está limitado a que el tiempo derecupera-
ción inversa de este diodo resulte suficiente para
la aplicación deseada.
No en todas las hojas de datos se encuentran sus
especificaciones que por otra parte no difieren en
nada a los datos normales de cualquier diodo utili-
zado en aplicaciones de conmutación. Por ello nos
referiremos muy sucintamente a sus caracterı́sti-
cas.
MOSFET Canal N
Corriente continua de drenaje inversa IDR
Se define como el máximo valor de la corrien-
te continua directa del diodo a una especificada
temperatura de cápsula o ambiente.
Corriente de drenaje pulsante inversa
IDRM
Valor máximo de pico de la corriente inversa
para operación en régimen de pulso. El ciclo de
trabajo considerado es normalmente el mismo que
el especificado para el transistor.
Tensión de conducción directa del diodo
Se define como la tensión directa del diodo en-
tre Fuente y Drenaje en el estado de conducción.
La corriente directa IF , la tensión VGS y la tem-
peratura de la juntura deben ser especificadas.
Referencias
[1] El Transistor en Circuitos de Potencia. Au-
tor: Ing. Alberto C. Galiano
[2] Circuitos de Potencia de Estado Sólido. Ma-
nual para proyectistas /SP-52 RCA. Editorial
Arbo.
[3] Bakshi, U.A.; Godse, A.P. (2007) ?8.2 The
depletion mode MOSFET?. Electronic Cir-
cuits ISBN 978-81-8431-284-3.
[4] 1960 ? Metal Oxide Semiconductor (MOS)
Transistor Demonstrated?: John Atalla and
Dawon Kahng fabricate working transistors
and demonstrate the first successful MOS
field-effect amplifier (issued in 1963).
[5] The Silicon Engine — 1948 ? Conception of
the Junction Transistor?. ComputerHistory-
Museum (2007).