Semiconductores extrínsecos tipo n (tipo negativo)

Considérese el modelo de enlace covalente bidimensional para la red cristalina de silicio que se
muestra en la figura 14.21a. Si un átomo de impureza de un elemento del grupo V-A, tal como el
fósforo, sustituye al átomo de silicio, que es un elemento del grupo IV-A, existirá un exceso de
electrones por arriba de los cuatro que se necesitan para el enlace covalente tetraédrico en la retícula
de silicio. Este electrón adicional sólo está ligado débilmente al núcleo de fósforo con carga positiva
y tiene una energía de enlace de 0.044 eV a 27°C. Esta energía es casi 5 por ciento de la que se
requiere para que un electrón de conducción brinque la brecha de energía de 1.1 eV de silicio puro.
Esto es, sólo se requiere 0.044 eV de energía para eliminar el electrón de exceso de su núcleo de
manera que pueda participar en la conducción eléctrica. Cuando está bajo la acción de un campo
eléctrico, el electrón adicional se vuelve un electrón libre disponible para conducción y el restante
átomo de fósforo se ioniza y adquiere una carga positiva (figura 14.21b).

a) La adición de un átomo de impureza de fósforo pentavalente a la red de silicio tetravalente

proporciona un quinto electrón que está unido débilmente al átomo de fósforo base. Sólo una pequeña
cantidad de energía (0.044 eV) hace que este electrón sea móvil y conductor. b) Bajo un campo
eléctrico aplicado el electrón de exceso se vuelve conductivo y es atraído a la terminal positiva del
circuito eléctrico. Con la pérdida del electrón adicional, el átomo de fósforo se ioniza y adquiere una
carga +1.
Los átomos de impureza del grupo V-A como el P, As y Sb cuando se agregan al silicio o germanio,
proporcionan electrones que se ionizan con facilidad para la conducción eléctrica. Puesto que estos
átomos de impureza del grupo V-A donan electrones de conducción cuando están presentes en
cristales de silicio o germanio, reciben el nombre de átomos de impurezas donadoras. Los
semiconductores de silicio o germanio que contienen átomos de impurezas de grupo V reciben el
nombre de semiconductores extrínsecos tipo n ( tipo negativo ) puesto que la mayoría de los
portadores de carga son electrones.
En términos del diagrama de bandas de energía del silicio, el electrón adicional del átomo de
impurezas del grupo V-A ocupa un nivel de energía en la brecha de energía prohibida justo apenas
por debajo de la banda de conducción vacía, como se muestra en la figura 14 . 22. Tal nivel de energía
se denomina nivel de donador, puesto que éste es proporcionado por un átomo de impurezas donador.
Un átomo de impurezas donador del grupo V-A, luego de perder su electrón adicional, se ioniza y
adquiere una carga positiva. Los niveles de energía para los átomos donadores de impurezas del grupo
V-A Sb, P y As en el silicio se muestran en la figura 14.23.

Diagrama de bandas de energía para un semiconductor extrínseco tipo n que demuestra la posición
del nivel de donador para el electrón adicional de un elemento del grupo V-A como el P, As y Sb que
está contenido en la red cristalina de silicio (figura 14 . 21a). Los electrones en el nivel de energía del
donador requieren sólo una pequeña cantidad de energía (∆E=Ec−Ed) para excitarlos a la banda de
conducción. Cuando el electrón adicional en el nivel del donador salta a la banda de conducción, un
ion inmóvil positivo queda detrás.