Consideraciones de Diseño para un Mando de

Motor Puente H de Canal N de Bajo Voltaje

Prepared by: Wayne Chavez
Discrete Applications Engineering
Translated by: Miguel Ticona

INTRODUCCION

En mandos de motor de bajo voltaje, es práctica común usar medios puentes de MOSFET
complementarios para simplificar el diseño de mando de compuerta. Sin embargo, el FET de canal
P dentro del medio puente generalmente tiene una resistencia más alta o es más grande y es más
costoso que el FET de canal N. La solución alternativa es diseñar en un medio puente de canal N.
El medio puente de canal N usando silicio es más eficiente, mientras minimiza ruidos de la
conducción y costos de dispositivos de potencia. El intercambiar para tomar ventaja de dispositivos
de canal N se encuentra en el incremento de la complejidad de diseño del mando de compuerta.
Minimizar la complejidad del mando compuerta en un mando de motor CC escobillado con un
puente H completamente de canal N es el enfoque de esta nota. Además, son discutidas las
consideraciones de diseño, ruptura de diodo y corriente shoot-through y las soluciones de circuito
son dadas. El resultado del diseño es la evaluación de la tarjeta DEVB151 mostrado en la figura1.
DEVB151 se centra en un MPM3017 de canal N, puente H y circuitería diseñados para conectar
dispositivos de potencia dentro del MPM3017 a salidas del microprocesador. La tarjeta conduce
motores de 24 voltios a 48 voltios y puede manejar 8 amperios continuos de corriente de motor.
Una descripción detallada de la tarjeta de evaluación es presentada dentro de esta nota de
aplicación.

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CONSIDERACIONES DE DISEÑO

Voltaje del mando de compuerta del lado alto

Usando medio puente de canal-N requiere circuitería que produzca voltaje encima el voltaje del
tren de motor y cambie el transistor superior a encendido. Un método de conseguir esta tarea es
usar una bomba de carga. La bomba de carga mostrada en la figura 2 proporciona un voltaje más
grande que 12 voltios por encima el tren del motor a todas las velocidades del motor, A diferencia
del enfoque de condensador bootstrap, y es menos costoso que un mando de compuerta con
transformador aislado.

Un oscilador, dos capacitores y dos diodos son todos los componentes necesarios para
construir una bomba de carga. El inversor MC34151, es configurado como un oscilador con C7 y
R28 determinando la frecuencia. La acción de la bomba de carga es como sigue. C10 carga arriba
el tren de voltaje menos la caída en un diodo cuando la salida del C.I. esta bajo. Cuando la salida
del CI cambia a alto, C10 vacía la carga dentro C9. El ciclo se repite constantemente. En estado
estable, el voltaje a través C9 es el voltaje que oscila de la salida del CI menos la caída en dos
diodos. Este voltaje esta en serie con el tren de voltaje, +B, y la suma es suficiente para mandar el
FET del lado alto.
Las pérdidas de voltaje en la bomba de carga son desde la caída en directo en los diodos y el
voltaje de oscilación en la salida del CI. Para minimizar la caída de voltaje en los diodos, son
implementados diodos Schottky. La perdida en la oscilación de voltaje a la salida del CI es
dependiente sobre el nivel de corriente que la bomba de carga esta solicitada a soportar. Por
ejemplo, si la bomba de carga esta para soportar 50 mA, la oscilación en la salida del CI disminuye
por aproximadamente 2 V. Esto es de especial preocupación cuando opera desde una fuente de
voltaje menos que 15V. El voltaje de mando de compuerta se compromete cuando opera desde un
suministro de voltaje de menos que 15 voltios el cual resulta en incrementar la disipación de
potencia.

Mando de compuerta del lado alto

Ahora que el voltaje Boost (de aumento) está disponible para los FETs del lado alto, se
necesita un medio de conmutación de este voltaje a la compuerta. Juntos el MDC1000A y una
fuente de corriente conmutada, mostrado en Figure 3, logran este requisito.
El MDC1000A, un dispositivo de apagado MOS turn off (MTO), es muy útil en las aplicaciones
de FET de lado alto. Descarga la capacitancia de compuerta a fuente rápidamente y contiene un

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regulador zener para la protección de compuerta. Para cargar la capacitancia de compuerta a
fuente, el MTO pasa la corriente a la compuerta del FET. Cuando el voltaje de compuerta a fuente
llega al voltaje del regulador zener, la corriente es desviada a través del zener. Cuando la fuente de
corriente es cambiado a apagado, un resistor interno al MTO jala hacia abajo el ánodo del diodo
en serie. Después de que el voltaje de ánodo cae aproximadamente una caída de diodo, el SCR
interno dispara, descargando la capacitancia de compuerta a fuente. El resistor de compuerta en
serie, R19, limita la rapidez de la descarga de la compuerta y por lo tanto determina el tiempo de
apagado. Se mostrara después que este resistor también tiene un papel de clave en solucionar los
asuntos dinámicos de la unidad de mando de motor.

La fuente de corriente usado con el MTO consta de un transistor PNP, Q1, y resistores R15 y
R16. El tiempo de encendido del FET es determinado por la corriente atribuida a una fuente. La
corriente de referencia es la corriente de colector del transistor que cambia el nivel, Q2, y es fijado
por el resistor R10. La corriente de referencia es establecida cuando la salida de la compuerta
NAND es 0 lógico. La corriente de referencia, aunque pequeño, debe ser soportada por la bomba
de carga.

Mando de compuerta del lado bajo

El diseño del mando de compuerta del lado bajo, como se muestra en Figure 4, es
relativamente simple comparado con el lado alto. El MC34151, usado antes como un oscilador en
la bomba de carga, es un circuito integrado diseñado específicamente para mandar la compuerta

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de un MOSFET de potencia. La entrada para este dispositivo puede ser unos 5 voltios lógicos nivel
de señal tomada de un micro controlador. El MC34151 es capaz de suministrar y sumir
aproximadamente 1.5 amperios. Por lo tanto, para limitar la corriente en la compuerta y controlar el
tiempo de encendido, se necesita un resistor, R22, entre el IC y FET. Un resistor adicional, R23,
en serie con un diodo, D8, es puesto en paralelo con R22 para implementar un rápido tiempo de
apagado. La necesidad para separar tiempos de encendido y apagado se pondrá clara cuando las
características dinámicas sean explicadas.

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Asuntos dinámicos

En adición a los diseños estáticos del mando de compuerta, más desafíos difíciles de diseño
dinámicos deben ser dirigidos. Estos asuntos incluyen ruptura de diodo y corriente shoot-through.
Una descripción de estos asuntos y soluciones son como siguen.
Un mando de motor con modulación de ancho de pulso es generalmente un modo continuo de
sujetar la carga inductiva - i.e. - la corriente circula continuamente a través de la inductancia.
Referenciando al circuito simplificado de medio - puente de la Figure 5, la corriente a través del
motor aumenta cuando Q2 es ON y va libremente a través del diodo interno de Q1 cuando Q2 es
cambiado a OFF.
Cuando Q2 se enciende otra vez, la carga almacenada dentro del diodo de Q1 debe ser
limpiada. La corriente resultante del drenador de Q2 es mostrada en la forma de onda de
encendido de la Figure 6.

El primer pico de corriente en la Figure 6 aparece como la corriente desde el tren a tierra,
evitando el motor. Esta corriente tiene dos componentes. El primero es la esperada corriente de
recuperación contraria del diodo interno de Q1. El segundo es dv/dt generado por la corriente
shoot-through.
Características de recuperación contraria del despreocupado diodo son la raíz de los retos del
sistema de diseño requerido. En lo referente a la Figure 6, la recuperación inversa del diodo
intrínseco del FET tiende a ser completamente violento; tb es mucho más corto que ta, Ellos siguen
esa di/dt durante tb es más grande que durante ta, y si es incontrolablemente alto, llaman al
comportamiento imprevisible y los picos de voltaje no deseados. Además, VDS cae muy
rápidamente durante tb. Haciendo referencia a la Figure 5, el dv/dt creado durante tb se junta
completamente a la capacitancia de compuerta a drenador del FET superior. Una corriente
proporcional a dv/dt y a CDG fluye a través la impedancia de compuerta del FET de arriba,
desarrollando un voltaje de compuerta a surtidor, y cambian el FET a ON. El resultado es corriente
desde el suministro a tierra a través del medio puente llamado corriente shoot-through.
Corrientes shoot-through y de recuperación inversa evitan el motor y por lo tanto solamente
contribuyen a la disipación de potencia. Los otros efectos secundarios no deseados constan de
EMI y el desempeño impredecible del mando de compuerta di/dt altos actuando sobre pistas y

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inductancia apartada del trazo del PCB. Sin embargo, el control de ruptura del diodo y corriente
shoot-through se consigue por emplear una estrategia de impedancia en el mando de compuerta.
La impedancia compuerta a fuente del FET superior como se muestra en la Figura 5, controla el
voltaje desarrollado a través de la compuerta a fuente durante tb y por lo tanto controla la corriente
shoot-through. Una impedancia baja obviamente minimizaría la corriente shoot-through, pero ahí
existe un valor que deja pasar una parte óptima de corriente shoot-through. Esta impedancia puede
ser ajustada hasta que la forma de onda de encendido parece ser críticamente amortiguado. El
FET está conduciendo cuando el diodo se está rompiendo. Si la corriente total es dominada por la
condición de FET, la ruptura aguda del diodo es escondido. El resultado producido es una
característica de recuperación más suave.
La impedancia de encendido de compuerta del FET inferior de modulación de ancho de pulso
de la Figure 5 también tiene un papel clave en ablandar la característica de recuperación inversa.
Esta impedancia coloca el positivo di/dt durante ta. La carga almacenada en el diodo
despreocupado es una función de aplicar di/dt y como ta se hace más corto, el diodo de rompe
más gravemente. Esto implica que la impedancia de encendido de compuerta debe ser puesta a un
valor que creará un positivo di/dt manejable y permita emprender la estrategia de controlar la
ruptura del diodo.
Un incremento en la disipación de potencia es sacrificado para una forma de onda de encendido
más deseable. Considerando los problemas que surgen con el incontrolable di/dts, como EMI,
picos de voltaje, la posible oscilación en el encendido, y posiblemente una gran cantidad de
disipación de potencia, el hacer un cambio a apagado es ventaja para el diseñador.

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 Condensadores adicionales de desacoplamiento a través de cada medio puente suministran la
corriente de alta frecuencia para la recuperación inversa. Cualquier pico agudo de voltaje creado
durante la recuperación inversa es aplanado y se mantienen desde la propagación al otro medio
puente creando el ruido no deseado. Éstos condensadores de desacople deben ser físicamente
colocados tan cerca del medio puente como sea posible.
La disposición de PCB es también una consideración de diseño muy importante. Debe tenerse
cuidado para minimizar la inductancia de fuente y cualquier inductancia apartada en el camino de
alta corriente. Esto se hace manteniendo los trazos de alta corriente tan amplios como cortos sean
posibles. Otra regla para seguir es que los trazos de tierra de baja corriente o trazo deben
conectarse al trazo de alta corriente a un punto de tierra. Típicamente los surtidores de los
transistores de potencia son usadas como el punto de aterramiento. Si se usa resistores sensores
de corriente, las guías que terminan a tierra deben ser el punto central de aterramiento.
Los desafíos de diseño dinámicos son solucionados sólo empleando una estrategia de
impedancia de mando de compuerta. Las diferentes impedancias de compuerta en las Figuras 2 y
3 son optimizadas para controlar el encendido di/dt, corriente shoot-through y ruptura de diodo. El
apagado rápido de los FETs inferiores minimiza los ruidos de conmutación de apagado.

DESCRIPCIÓN DE LA TARJETA

La tarjeta de evaluación DEVB151 fue diseñado para ser un componente básico electrónico
que conecta un micro controlador a un motor. Esta tarjeta traduce señales lógicas HCMOS, toman
esas señales de un microprocesador o micro controlador, cambiando la potencia hacia el motor.
DEVB151 puede conducir un motor de CC escobillado en ambas direcciones o conducir una fase
de un motor stepper. Cuatro entradas a la tarjeta controlan las compuertas de FETs arreglados en
puente - H. Las salidas de la tarjeta incluyen terminales + y - para el motor y terminales de sensor
de corriente para cada medio puente. Solo una fuente de poder de voltaje es todo lo que se
requiere para operar la tarjeta. Una trama de serigrafía y un esquema del circuito completo son
mostrados en Figures 7 y 8, respectivamente. El contenido de la tarjeta es listado en la tabla1.
Todas las entradas de control y salidas de sensor de corriente están en el lado izquierdo de la
tarjeta. Cada entrada A TOP, A BOT, B TOP, y B BOT corresponde a un similar etiquetado del FET
de potencia y tiene lógica positiva. Por ejemplo, cuando B TOP es 1 lógico su transistor
correspondiente está encendido. Para prevenir una accidental conducción simultánea de cualquier
medio puente (A TOP=A BOT=1 o B TOP=B BOT=1), fue añadida circuitería de protección al
diseño. Las compuertas NAND acopladas en cruz desactivan el transistor inferior cuando el
transistor superior está encendido. Este plan de protección tiene otra ventaja. Entradas A BOT y B
BOT puede ser conectado conjuntamente y compartir la misma señal de PWM. La lógica de los
transistores superiores determina qué transistor inferior es el ancho de pulso modulado. Los
resistores y zeners son adiciones a las entradas de la tarjeta para impedir el daño estático de las
puertas de NAND. Las entradas de NAND son directamente compatibles con lógica de 5 voltios
HCMOS y constituyen una interfaz directa para micro controladores y microprocesadores.

Los voltajes hacia los terminales de salida A CS y B CS son la representación de la corriente a

través de cada medio puente, respectivamente. La corriente es relacionada con el voltaje presente
en estas unidades terminales por una proporción de 100 amperios por voltio. Para incorporar un
sensor de voltaje de única corriente, puede ser instalado, jumper J1. Esto conecta los resistores
sensores de corriente desde cada medio puente juntos. En este caso, el voltaje hacia A CS o B
CS es relacionado con la corriente por una proporción de 200 amperios por voltio. La
representación de voltaje de las corrientes en estas unidades terminales es muy ruidosa. Para
obtener un voltaje censado limpio, se recomienda un filtro pasa bajo antes de la muestra. La
terminal CS GND es la tierra para la salida del sensor de corriente. A lo largo de esta tierra, dos

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terminales más son etiquetados con tierra. Uno es usado para la pista de tierra del micro
controlador y el otro está disponible como un punto de prueba de instrumento. Todas las
conexiones de potencia están sobre el lado derecho de la tarjeta. El poder para la tarjeta es llevado
a las terminales de + B y GND. Las salidas de poder para el motor son las terminales + M y – M.
El corazón de DEVB151 es el MPM3017. El MPM3017 está formado por cuatro MOSFETs de
potencia de canal N que tienen clasificación RDS (on) de 40 mili ohmios máximo, un voltaje de
falla de 60 voltios. El resto de las especificaciones operativas son puestas en una lista en la tabla2.
La aplicación del DEVB151 es mostrada en la diagrama de la figura9. Un micro controlador de 8
bit, como el MC68HC11, puede ser programado fácilmente para generar las señales requeridas
para operar esta tarjeta de evaluación. Este micro controlador contiene un reloj de propósito
general usado para llevar a cabo las tareas intensivas de tiempo de generar una señal de PWM.
Las compuertas de NAND acopladas en cruz en las entradas de DEVB151 admiten el uso de
solamente una señal de PWM. Las señales de dirección sólo pueden ser productos de un puerto
paralelo disponible. En Figure 9, dos bits del puerto B son usados como las señales de dirección, y
el pin 6 del puerto A, es la salida que lleva la señal de PWM.

CONCLUSIONES

Medio puente de canal N incrementa el rendimiento de sistemas de mando de motor sobre esos
medios puentes complementarios. Sin embargo, los asuntos dinámicos del diseño se quedan
constantes para ambas topología. Corriente Shoot-through y ruptura de diodo son manejados por
soluciones de circuito relativamente simples. Estas soluciones de circuito provienen de la
optimización de las impedancias de compuerta para separar las velocidades de encendido y

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apagado. El voltaje adicional requerido para manejar la mitad superior de los medios puentes de
canal N por encima del voltaje de motor se obtiene de una bomba de carga.
DEVB151 es más usado eficientemente si los transistores inferiores son el ancho de pulso
modulado en vez de los transistores superiores. Los transistores de arriba pueden ser el ancho de
pulso modulado, sin embargo, debido a las limitaciones del mando de compuerta de lado alto, la
velocidad de encendido del FET de arriba es más lento que los FETs inferiores. La velocidad de
encendido lento lleva a mayor ruido de conmutación.

Las pérdidas en la circuitería de bomba de carga limitan el voltaje de suministro bajando hasta
15 voltios, por lo tanto DEVB151 no direcciona si presenta 12 voltios. Sin embargo, implementar un
voltaje triplicado, una bomba de cargo modificada, admitirá la operación hasta 12 voltios.
Mirando al DEVB151 como un componente básico entre un micro controlador y un motor, la
tarjeta se conserva simple y es protegido del mal uso accidental. DEVB151 solamente necesita un
solo origen de voltaje desde el que se proporcionan diferentes niveles de voltaje a varios
dispositivos internos. Las compuertas NAND acopladas en cruz prohíben al usuario de destruir
accidentalmente los transistores de potencia en la tarjeta. Todas entradas y salidas están
claramente etiquetadas y son bastante explicativos por sí mismos.

REFERENCIAS

1) Berringer, Ken, “One-Horsepower Off-Line Brushless Permanent Magnet Motor Drive,” Power
Conversion and Intelligent Motion, June 1990

2) Schultz, Warren, “Interfacing Microcomputers to Fractional Horsepower Motors,” Motorola

Application Note AN1300

3) Schultz, Warren, “Drive Techniques for High Side N-Channel MOSFETs,” Power Conversion and
Intelligent Motion, June 1987

4) Motorola Power MOSFET Transistor Data, DL135 Rev 3, 1989

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