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Diseño Microlectrónico – Trabajo

Rubén Berdomás - 1236906

I. AMPLIFICADOR FUENTE COMÚN CON TRANSISTOR MOS EN

CONFIGURACIÓN DIODO COMO CARGA

E N este trabajo se analizará un amplificador realizado con

transistores MOS y seguidamente un espejo de corriente.

Para ello lo primero que se deberá realizar será la modelización

de nuestro amplificador en Pspice. Se utilizará para los
transistores el modelo que se puede encontrar en el material de
soporte. Para editarlo se cogerá el model MBreakD3 y se
modificará mediante Edit Pspice model (Ilustración 1).
Ilustración 2. Circuito Amplificador.

Una vez realizado el circuito se pasa a hacer la simulación para

el análisis en DC. Para ello se querrá realizar un barrido de
tensión para la V2 que se puede ver en la Ilustración 2. Se
establecen un barrido de [0-5] V con pasos de 0.01V como se
puede ver en la Ilustración 3.

Ilustración 1. PSpice model para transistor CMOS.

También se modificaran los valores dimensionales de los

Ilustración 3. Parámetros Simulación DC.
transistors estableciendo:
Una vez establecidos los parámetros para la simulación se
𝑊𝑊𝑁𝑁 40𝜇𝜇𝜇𝜇 𝑊𝑊𝑁𝑁2 10𝜇𝜇𝜇𝜇 procede a simular. Y se observa la salida del circuito
= ; = (1)
𝐿𝐿𝑁𝑁 5𝜇𝜇𝜇𝜇 𝐿𝐿𝑁𝑁2 5𝜇𝜇𝜇𝜇 (Ilustración 3).

Utilizando una Vdd = 5V y una capacidad de carga CLoad = 20

pF ose obtiene el circuito que se puede observar en la
Ilustración 2.

Ilustración 4. Salida de nuestro amplificador.

Se sabe que el transistor M2, siempre se encontrará en

saturación debido a que drenador y puerta están conectados.
Para analizar el transistor M1 se mirará la gráfica de salida que
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se ha obtenido en la Ilustración 4 y se dterminará el estado del 𝑊𝑊2 𝑊𝑊1 (𝑉𝑉0 )2

transistor en cada momento de la curva. [𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 − 𝑉𝑉0 − 𝑉𝑉𝑇𝑇 ] = �(𝑉𝑉𝐺𝐺𝐺𝐺 − 𝑉𝑉𝑇𝑇 )𝑉𝑉𝑂𝑂 − � (6)
𝐿𝐿2 𝐿𝐿1 2

La gráfica corresponde a la Vout del circuito amplificador, pero (𝑉𝑉𝑉𝑉)2

a su vez se puede decir que es Vds del transistor M1. Además
nuestro barrido de voltaje se ha hecho para V2, que también
podemos decir que es Vgs del transistor M1. Por lo tanto,
sabiendo que para dejar de estar en corte tiene que:
𝑉𝑉𝐺𝐺𝐺𝐺 ≥ 𝑉𝑉𝑇𝑇 (2)
Y que para que se encuentre en saturación tiene que:ç
𝑉𝑉𝐷𝐷𝐷𝐷 ≥ (𝑉𝑉𝐺𝐺𝐺𝐺 − 𝑉𝑉𝑇𝑇 ) (3)
2 ⋅ [5 − 𝑉𝑉0 − 0,942] = 8 �(4 − 0,942)𝑉𝑉0 − � (7)
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Y mediante WolframAlpha, se obtiene que Vo tiene un valor de
0.322 V que no es exactamente el valor de la gráfica pero si
muy parecido.
El rango en que los dos transistores trabajan en saturación se
puede ver en la Ilustración 5, ya que el segundo transistor
siempre esta en saturación y el segundo solo en el momento
indicado en dicha gráfica.

Para encontrar Vt, se mira la Ilustración 1, donde se encuentra Nos interesa trabajar en la zona en que ambos están en
el modelo del transistor y se puede ver que Vto = 0.942 V. Para saturación debido a que la salida será más lineal que en las otras
la segunda condición (3), establecemos en la gráfica V2-0.942. zonas.

Para calcular la ganancia en esta zona, simplemente se coge un

punto de la zona de saturación y se calcula el pendiente de la
misma (Ilustración 7).

Ilustración 5. Estado del transistor M1.

Se pasa a ver los valores máximos y mínimos. Para ello se

utiliza el cursor y se indican en la misma gráfica (Ilustración 6).
Ilustración 7. Ganancia Amplificador.

En el punto escogido tenemos una entrada de Vin = 1.328 V y

una Vout = 3.197 V. Por lo tanto para calcular la ganancia:

𝑉𝑉0
𝐺𝐺 = 20 log � � = 17.57 (8)
𝑉𝑉𝑖𝑖

Para el análisis AC lo primero que se deberá realizar es

Ilustración 6. Máximo y mínimo gráficamente.
Como se puede ver, el máximo se encuentra en 4.791 V y el
mínimo se puede ver en 0.459 V.
polarizar los transistores al punto que se ha considerado óptimo.
Para obtener una salida lineal se había especificado que fuera
en el momento en que los dos estuvieran en saturación, por lo
tanto se puede escoger el punto de trabajo seleccionado para el
cálculo de la ganancia.

Para comprobar el mínimo análiticamente, se igualan las Una vez polarizado se establecen los parámetros para la
corrientes de ambos transistores, teniendo en cuenta que M1 se simulación de barrido de frecuencia (Ilustración 8).
encuentra en estado lineal, y que M2 se encuentra en saturación.
Para ello, se tiene el valor Vt = 0.942. También se suponge una
V2 de 4 V.

𝑊𝑊1 (𝑉𝑉𝐷𝐷𝐷𝐷 )2
𝑀𝑀2 ⇒ Lineal ⇒ 𝐼𝐼𝐷𝐷 = 𝜇𝜇𝜇𝜇𝜇𝜇𝜇𝜇 ⋅ �(𝑉𝑉𝐺𝐺𝐺𝐺 − 𝑉𝑉𝑇𝑇 )𝑉𝑉𝐷𝐷𝐷𝐷 − � 4)
𝐿𝐿1 2

𝑊𝑊2
M2 ⇒ 𝑆𝑆𝑆𝑆𝑆𝑆𝑆𝑆𝑆𝑆𝑆𝑆𝑆𝑆𝑆𝑆ó𝑛𝑛 ⇒ 𝐼𝐼𝐷𝐷 = 𝜇𝜇𝐶𝐶𝑜𝑜𝑜𝑜 [𝑉𝑉 − 𝑉𝑉𝑇𝑇 ]2 (5)
𝐿𝐿2 𝐺𝐺𝐺𝐺
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Ilustración 12. Ancho de Banda.

Ilustración 8. Parámetros Simulación AC. Como se puede ver en las ilustraciones, el ancho de banda es de
452 KHz y el GBW = 13.925 dB.
Con estos valores se grafica la ganancia como:

𝑉𝑉0
𝐺𝐺 = 20 log � � (9) Para buscar la función de transferencia, debemos dibujar
𝑉𝑉𝑖𝑖 nuestro en pequeña señal, y tendría la forma que se puede ver
en la Ilustración 13.
Y se obtiene la gráfica que se puede ver en la Ilustración 9.

Ilustración 13. Pequeña Señal 1.

Se puede simplificar sumando todas las capacidades en

Ilustración 9. Ganancia en AC. paralelo. Al ser CLoad considerablemente mayor a las demás,
se puede aproximar a una capacidad de valor CLoad
(Ilustración 14).

Ilustración 10. Fase AC. Ilustración 14. Pequeña señal 2.

De esta gráfica se obtendra la ganancia en la banda de paso, y

el ancho de banda total, que será el momento en que la ganancia 𝑉𝑉0
caiga 3dB respecto de la ganancia en la banda de paso (𝑉𝑉𝐼𝐼 − 𝑉𝑉0 ) ⋅ 𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑑𝑑1 + 𝑉𝑉𝑖𝑖 ⋅ 𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠1 = 𝑔𝑔𝑚𝑚1 𝑉𝑉𝑖𝑖 + + 𝑉𝑉0 ⋅ 𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠(10)
𝑅𝑅
(Ilustración 11 y 12).
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𝑉𝑉𝑖𝑖 (𝑠𝑠(𝐶𝐶𝐶𝐶𝑑𝑑1 + 𝐶𝐶𝐶𝐶𝑠𝑠1 ) − 𝑔𝑔𝑚𝑚1 ) = 𝑉𝑉0 � + 𝑠𝑠(𝐶𝐶𝐿𝐿 + 𝐶𝐶𝐶𝐶𝐶𝐶)� (11)
𝑅𝑅
1
𝑉𝑉𝑖𝑖 𝑠𝑠 +
𝑅𝑅𝐶𝐶𝐿𝐿
𝐻𝐻(𝑠𝑠) = = (12)
𝑉𝑉0 𝑆𝑆 − � 𝑔𝑔𝑚𝑚1
�
𝐶𝐶𝐶𝐶𝑑𝑑1 + 𝐶𝐶𝐶𝐶𝑠𝑠1

Donde R = rds1//(1/gm2).

Ilustración 11. GBW. Por lo tanto, a partir de la función de transferencia, se puede

saber que el polo, que a su vez marcará el ancho de banda, será
el siguiente:

1 𝑔𝑔𝑚𝑚2
𝐵𝐵𝐵𝐵 ≈ ⋅ (13)
2𝜋𝜋 𝐶𝐶𝐶𝐶
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1 𝑔𝑔𝑚𝑚1
𝐺𝐺𝐺𝐺𝐺𝐺 ≈ ⋅ (14)
2𝜋𝜋 𝐶𝐶𝐿𝐿

Como última simulación se realizará el análisis en transitorio.

Para ello se establecerán unos nuevos parámetros de simulación
que se pueden ver en la Ilustración 15.

Ilustración 17. Modelo Transistor PMOS.0

Ilustración 15. Parametros Simulacion Transitorio. Se representa el circuito del espejo de corriente en PSpice de la
siguiente manera:

Una vez obtenidos estos parámetros, graficamos tanto la salida

como la entrada para ver si hemos conseguido amplificar.

Ilustración 16. Simulación transitorio.

Como se puede observar en la gráfica, obviamente el valor de
Vout está amplifciado respecto al de Vin, con la única
diferencia que está invertido. Cuando en Vin tenemos un
minimo en Vout un máximo y viceversa.
II. ESPEJO DE CORRIENTE BASADO EN TRANSISTORES MOS
Ilustración 18. Circuito Espejo de Corriente
Se pasa a hacer un barrido en DC del valor BIAS del circuito
de espejo de corriente. Además se realizará este barrido para los
valores R de [1k, 10k, 100k, 500k] Ohms. Para realizar esto, se
establecerán los parámetros de la simulación como se puede ver
en las Ilustraciones 18 y 19.

Para realizar el análisis del espejo de corriente, lo primero que

deberemos es establecer el modelo PSpice para nuestro
transistor. El modelo que se utilizará se puede ver en la
Ilustración 17.

Ilustración 19. Parametros barrido espejo de corriente 1.

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Ilustración 20. Parametros simulacion espejo de corriente 2.

Una vez implementados estos parámetros de simulación se

procede a representar la intensidad que pasa por el transistor
M3 como corriente de salida (Ilustración 21).

Ilustración 21. Gráfica corriente salida.

Se puede ver, como ha medida que nuestra BIAS es más grande,

la corriente de salida se va haciendo más pequeña para todas las
resistencias llegando a ser 0.

A medida que la resistencia va siendo más pequeña la corriente

que pasa por el transistor M3 es mayor. Sin embargo a partir de
3 V de BIAS se puede decir que la corriente es 0.