BJT de SiC

Este transitor muestran un un conjunto de características deseables en dispositivos de

potencia. El primer transitor bipolar de SiC se informó en IEDM en1977. El BJT de SiC puede
operar a altas temperaturas gracias a la ausencia del oxido en la puerta, soportan altas
tensiones de bloqueo y uno de sus beneficios es que no tiene rotura secundaria como ocurren
en los de Si. Este BJT mostro común emisor de ganancia de corriente de 4 y tensión de ruptura
de 50 V para un área de 200 x 200 μm2 (Fig … ). Sim embargo tardo mas de 10 años en 1993,
para que sea informado el primer BJT que exhibió la ganancia de corriente de 10,4 y 200 V
tensión de ruptura con capacidad de alta temperatura.

Uno de los factores que limito la inserción de los BJT de SiC en el mercado, fue la reducción de
corriente y el aumento de la resistencia de conducción respecto al tiempo.

Fig. (…..) La primera SiC BJT con la ganancia de corriente de 4 y tensión de

ruptura de 50V [40].