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M
FACULTAD DE ING. ELECTRÓNICA, ELÉCTRICA Y DE TELECOMUNICACIONES
CURSO TEMA
NUMERO
17 DE OCTUBRE 24 DE OCTUBRE
GRUPO 3 PROFESOR
TRANSISTOR BIPOLAR
Un transistor bipolar está formado por dos uniones pn en
contraposición. Físicamente, el transistor está constituido
por tres regiones semiconductoras denominadas emisor,
base y colector. Existen 2 tipos de transistores bipolares,
los denominados PNP. A partir de este punto nos
centramos en el estudio de los transistores bipolares NPN,
siendo el comportamiento de los transistores PNP
totalmente análogo.
CONDICIONES DE FUNCIONAMIENTO
Las condiciones normales de funcionamiento de un transistor NPN se dan cuando
el diodo B-E se encuentra polarizado en directa y el diodo B-C se encuentra
polarizado en inversa. En esta situación gran parte de los electrones que fluyen del
emisor a la base consiguen atravesar ésta, debido a su poco grosor y débil dopado,
y llegar al colector.
Re=330Ω
Rc=1kΩ
R1=56KΩ
R2= 22KΩ.
Vcc= -12v
(R1+P1)×R2
Rb = (R1+P1)+R2
R2×Vcc
V = (R1+P1)+R2
VBE= 0.2v β = 30
TABLA 2
(Para P1 = 0 Ω y R1 = 56k Ω)
Hallando el Rb: Hallando Ic:..( Ic = Ib×β)
R1×R2
Rb = Ic = (-311.241 µA)(30)
R1+R2
56K×22K Ic = -9.337 mA
Rb = (56+22)K
Valores
IC(mA.) Ib(uA.) Β VCE(v.) VBE(v.) VE(v.)
(R1= 56K Ω)
-3.5846
Teóricos -9.337 -311.241 30 0.521v 0.2
TABLA 3
(Para P1 = 0 Ω y R1 = 68k Ω)
Hallando el Rb:
R1×R2
Rb = R1++R2 Hallando Ic:..( Ic = Ib×β)
Ic = (-116.71 µA) (40)
68K×22K
Rb = (68+22)K
Ic = -4.668mA
Rb = 16.623k Ω
Hallando VCE: (Ic+Ib = Ie)
Hallando el V: Vcc= Ic×Rc + VCE + Ic×Re
R2×Vcc
V= R1+R2 VCE=Vcc – (Ic+Ib)Re-IcRc
22k×(−12) VCE = -12 – (-4.668×10−3 −
V=
(68+22)𝑘 116.71𝑥10−6 )330+4.668×10−3 × 103
−2.934−(0.2) VE = V - VBE
Ib=16.623×103 +(30+1)330
VE = - 2.934 – (0.2)
Ib = -116.71 µA
VE = -3.134 v
Valores
IC(mA.) Ib(uA.) β VCE(v.) VBE(v.) VE(v.)
(R1= 68K Ω)
Hallando el V:
R2×Vcc
V = R1+P1+R2
22k×(−12)
V = (56+100+22)𝑘
V = -1.483 v
Hallando Ib:
V−VBE
Ib=Rb+(β+1)Re
−1.483−(0.2)
Ib=19.2808×103 +(30+1)330
Ib = -57.03 µA
VCE = -9.901 v
(Para P1 = 250K Ω y R1 = 56k Ω)
Hallando el V:
R2×Vcc
V = R1+P1+R2
22k×(−12)
V = (56+250+22)𝑘
V = -0.8048 v
Hallando Ib:
V−V
BE
Ib=Rb+(β+1)Re
−0.8048−(0.2)
Ib=20.524×103 +(30+1)330
Ib = -32.67 µA
Ic = -0.981 mA
Rb =
(R1+P1)×R2 Vcc= Ic×Rc+VCE+(Ic+Ib)×Re
R1+P1+R2
306K×22K
VCE=Vcc – Ic×Rc-(Ic+Ib)×Re
Rb = (56+250+22)K
VCE = -12 – (-0.981×10−3 )×1000-(-
VCE = -10.684 v
(Para P1 = 500K Ω y R1 = 56k Ω)
Hallando el V:
R2×Vcc
V = R1+P1+R2
22k×(−12)
V = (56+500+22)𝑘
V = -0.4567 v
Hallando Ib:
V−V
BE
Ib=Rb+(β+1)Re
−0.4567−(0.2)
Ib=21.162×103 +(30+1)330
Ib = -20.92 µA
Vcc= Ic×Rc+VCE+(Ic+Ib)×Re
556K×22K
Rb = (56+500+22)K
VCE=Vcc – Ic×Rc-(Ic+Ib)×Re
Rb = 21.162k Ω
VCE = -12 – (-0.628×10−3 )×1000-(-
VCE = -11.372 v
(Para P1 = 1M Ω y R1 = 56k Ω)
Hallando el V:
R2×Vcc
V = R1+P1+R2
22k×(−12)
V = (56+1000+22)𝑘
V = -0.245 v
Hallando Ib:
V−V
BE
Ib=Rb+(β+1)Re
−0.245−(0.2)
Ib=21.551×103 +(30+1)330
Ib = -14.002 µA
VCE = -11.437 v
Procedemos a llenar la tabla con los datos teóricos obtenidos: