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Electrónica Digital II
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Ambato-Ecuador
UNIVERSIDAD TÉCNICA DE AMBATO
FACULTAD DE INGENIERÍA EN SISTEMAS, ELECTRÓNICA E INDUSTRIAL
PERÍODO ACADÉMICO: MARZO/2017 – SEPTIEMBRE/2017
Es una clase de circuitos digitales construido utilizando resistencias como la red de entrada y la
salida de transistores bipolares (BJTs) como dispositivos de conmutación. RTL es la primera
clase de lógica digital transistorizado circuito utilizado; otras clases incluyen lógica diodo-
transistor DTL y lógica transistor-transistor TTL.[3]
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FACULTAD DE INGENIERÍA EN SISTEMAS, ELECTRÓNICA E INDUSTRIAL
PERÍODO ACADÉMICO: MARZO/2017 – SEPTIEMBRE/2017
Características Eléctricas
Características Eléctricas
Características Eléctricas
Pertenece a la familia de circuitos MSI implementada con tecnología bipolar; es la más rápida
disponible dentro de los circuitos de tipo MSI.
Características Eléctricas
Características Eléctricas
Características Eléctricas
Está constituida por transistores de unión bipolar. Presenta la más alta densidad de integración
bipolar, con mucho menor consumo que TTL. No se necesitan islas de aislamiento y como
muchas de las interconexiones entre elementos se realizan internamente a través de las
regiones P y N de la pastilla de silicio la densidad de circuitos que se pueden obtener superan a
la tecnología MOSFET, es adecuada para integración a gran escala (IGE). [2]
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FACULTAD DE INGENIERÍA EN SISTEMAS, ELECTRÓNICA E INDUSTRIAL
PERÍODO ACADÉMICO: MARZO/2017 – SEPTIEMBRE/2017
Características Eléctricas
Tecnología TTL
Cuatro biestables
S-R
74279
Es una versión de
baja potencia que
consume
aproximadamente
1mW pero a costa
de un retraso de
propagación mucho
mayor.
H - Alta 74H103N Doble F-F- 74H74N Doble F-F Tipo D
velocidad J-K
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FACULTAD DE INGENIERÍA EN SISTEMAS, ELECTRÓNICA E INDUSTRIAL
PERÍODO ACADÉMICO: MARZO/2017 – SEPTIEMBRE/2017
Con un
requerimiento de
consumo de
potencia mucho
menor.
ALS - Schottky 74F112M SMD 74ALS74 SSMD
Avanzada de Doble F-F J-K Doble F-F tipo D
bajo consumo
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FACULTAD DE INGENIERÍA EN SISTEMAS, ELECTRÓNICA E INDUSTRIAL
PERÍODO ACADÉMICO: MARZO/2017 – SEPTIEMBRE/2017
74ALS373M SMD
Octal D F-F. 3 State
74ALS27M SMD
Triple NOR. 3 In.
74LS74M SMD
Doble F-F Tipo D
F Rápido 74F164N S/R Serial 74F112N Doble F-F 74F175 Cuádruple F-F / D c/Clear
In-Paralel Out J-K
HCT - Alta velocidad, niveles lógicos compatibles con las partes bipolares
AHC - Advanced CMOS de alta velocidad, tres veces más rápido que HC
ALVC - Bajo voltaje - 1.65 a 3.3 V, Tiempo de Propagación Delay (TPD) 2 nS [7]
Asi se encuentra el
Bibliografía