OBJETIVO

1. Analizar e implementar un circuito de polarización para JFET.

2. Analizar e implementar un amplificador usando JFET.

TRABAJO PREPARATORIO

1) Consultar sobre MOSFET características y ventajas.

Características eléctricas del JFET

- El JFET de canal n está constituido por una barra de silicio de material

semiconductor de tipo n con dos regiones (islas) de material tipo p situadas a
ambos lados, (p. ej.2N4416).
- La polarización de un JFET exige que las uniones p-n estén inversamente
polarizadas. En un JFET de canal n, o NJFET, la tensión de drenador debe ser
mayor que la de la fuente para que exista un flujo de corriente a través de
canal. Además, la puerta debe tener una tensión más negativa que la fuente
para que la unión p-n se encuentre polarizado inversamente.
- Por ello, en el JFET intervienen como parámetros: ID (intensidad drain o
drenador a source o fuente), VGS (tensión gate o puerta a source o fuente) y
VDS (tensión drain o drenador a source o fuente). Se definen cuatro regiones
básicas de operación: corte, lineal, saturación y ruptura.

Ventajas

- Son dispositivos controlados por tensión con una impedancia de entrada muy
elevada (107 a 1012 ohmios).
- Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT.
- Los FET son más estables con la temperatura que los BJT.
- Los FET son más fáciles de fabricar que los BJT pues precisan menos pasos y
permiten integrar más dispositivos en un CI.
- Los FET se comportan como resistencias controlados por tensión para valores
pequeños de tensión drenaje-fuente.
- La alta impedancia de entrada de los FET les permite retener carga el tiempo
suficiente para permitir su utilización como elementos de almacenamiento.
- Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes
grandes.

2) Revisar las hojas de datos de al menos 4 MOSFETS y presentar un cuadro con

los valores de los parámetros más importantes.

Tabla de valores característicos de los FETs

Numeració VDS (off) VGS(típico IDSS máx.
n máx. )
SI4466DY -20[v] -2.5[v] 13.5[mA
]
IRF8252 -25[v] -3.5[v] 25[mA]
FDS6630A -30[v] -1.5[V] 6.5[mA]
IRF7455 -30[v] -2.5[v] 15[mA]
MMFT3055 -60[v] ----- 1.7[mA]
E
3) Consultar la hoja de datos del JFET J304.

4) Consultar sobre el voltaje de pinch-off y como calcularlo.

- VP (Pinch-Off Voltage): es la tensión de estrangulamiento del canal. Al igual

que IDSS, presenta fuertes dispersiones en su valor.

5) Consultar sobre la representación en AC de JFET y MOSFET.

JFET

MOSFET
6) Consultar sobre las configuraciones de
amplificación que tiene el JFET y MOSFET.

JFET
- FUENTE COMÚN

- DRENAJE COMÚN

- COMPUERTA COMÚN
 MOSFET
- FUENTE COMÚN

- DRENAJE COMÚN

- COMPUERTA COMÚN
7) Resolver el siguiente circuito en DC y AC, dibujar los voltajes de salida:
FIGURA 1

I DSS =20 [mA ]

V P =−8[ V ]

V GS 2
−V GS
2920
=20 m 1−
2
( −8 )
0.91V GS +15.6 V GS +58.4=0
V GS 1=−5.53 (V ) V GS 2=−11.56 ( V )

V GSQ=−5.53 ( V )
2

(
I DQ=20 m 1−
−5.53
−8 )
=1.90(mA )
V G=0 (V ) V S=1.90 m∗2920=5.55(V )
V D =−1.90∗5.6+ 24=13.36 (V ) V DS=13.36−5.55=7.81(V )
−2∗20 m −1.54∗5.6 ∥10
gm=
−8 ( ∗ 1− )
−5.53
−8
=1.54 mS Av=
1+1.54∗0.22
=−4.13
V inp =0.2 (V ) V op =4.13∗0.2=0.826 ( V )

FIGURA 2
 I DSS =20 [mA ]
V P =−8[V ]

2
V
(30∗56 k
1.056 k ) (
−V GS =11.2 1− GS
−8 )
2
0.17 V GS +3.8 V GS+ 9.61=0
V GS 1=−2.92 ( V )
V GS 2=−18.79 (V )

V GSQ=−2.92(V )
−2.92 2
(
I DQ=20 m 1−
−8) =8.06 ( mA )
V G=1.6 (V ) V S =8.06∗0.56=4.51(V )
V D =−8.06∗1.8+30=15.50 ( V ) V DS =15.50−4.51=10.99(V )
−2∗20 m
gm=
−8 (
∗ 1−
−2.92
−8 )
=3.175 mS Av=−3.175∗1.8 ∥10=−4.84
V inp =0.3 ( V ) V op=4.84∗0.3=1.45 ( V )

FIGURA 3

I DSS =20 [mA ]

V P =−8[V ]

V GS 2
−V GS
2.2 k (
=20 m 1−
2
−8)
0.68 V GS + 12V GS + 44=0
V GS 1=−5.24 ( V )
V GS 2=−12.21 ( V )
2
V GSQ=−5.24 ( V ) I DQ=20 m 1− (−5.24
−8 ) =2.38(mA )
V G=0 (V ) V S=2.38∗2.2=5.24 (V )
V D =10 ( V ) V DS =10−5.24=4.76(V )
−2∗20 m
gm=
−8 (
∗ 1−
−2.92
−8 )
=3.175 mS Av=1
V inp =0.150 ( V ) V op=1∗0.150=0.150 ( V )

8) Realizar las simulaciones de los circuitos presentados en Proteus.

FIGURA 1
FIGURA 2

FIGURA 3
9) Presentar los voltajes de polarización.

BIBLIOGRAFÍA

- Sánchez, P. (2018). Dispositivos Eléctrónicos. [en cuaderno]. Escuela

Politécnica Nacional. Quito-Ecuador.

- Labcenter Electronics. (1989-2017). Proteus 8 Profesional.

- Transistores de Efecto de Campo [Online]. Disponible en:

https://ocw.ehu.eus/pluginfile.php/2728/mod_resource/content/1/electro_gen/te
oria/tema-7-teoria.pdf

- Sánchez, T. (2013). ELECTRÓNICA: DISPOSITIVOS Y APLICACIONES.

Escuela Politécnica Nacional. Quito-Ecuador.

- DatasheetCatalog. Disponible en: http://www.datasheetcatalog.com