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1 DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS II
Dispositivos Electrónicos II
CURSO 2010-11
Tema
Tema 66
RESPUESTA
RESPUESTA EN
EN
FRECUENCIA
FRECUENCIA DE
DE
AMPLIFICADORES
AMPLIFICADORES
Miguel Ángel Domínguez Gómez

Camilo Quintáns Graña
DEPARTAMENTO DE UNIVERSIDAD DE VIGO ESCUELA TÉCNICA SUPERIOR DE

TECNOLOGÍA ELECTRÓNICA INGENIEROS DE TELECOMUNICACIÓN
DE-
DE-II
RESPUESTA
RESPUESTA EN
EN FRECUENCIA
FRECUENCIA (I)
(I)
INDICE
INDICE
Tema 6: Respuesta en frecuencia
DE-
DE-II
RESPUESTA
RESPUESTA EN
EN FRECUENCIA
FRECUENCIA (I)
(I)
INDICE
INDICE
1. INTRODUCCIÓN
1.1. Circuitos equivalentes
1.2. Objetivo
1.3. Diagramas de Bode
DE-
DE-II
RESPUESTA
RESPUESTA EN
EN FRECUENCIA
FRECUENCIA (I)
(I)
INDICE
INDICE
1. INTRODUCCIÓN
1.2. Objetivo
2. MODELO EN PI DEL TRANSISTOR BIPOLAR

DE-
DE-II
RESPUESTA
RESPUESTA EN
EN FRECUENCIA
FRECUENCIA (I)
(I)
INDICE
INDICE
1. INTRODUCCIÓN
1.2. Objetivo

3. MODELO DEL TRANSISTOR UNIPOLAR EN ALTA FRECUENCIA

DE-
DE-II
RESPUESTA
RESPUESTA EN
EN FRECUENCIA
FRECUENCIA (I)
(I)
INDICE
INDICE
1. INTRODUCCIÓN
1.2. Objetivo

4. RESPUESTA DE LA GANANCIA DE CORRIENTE DE UNA ETAPA EN

EMISOR COMÚN CON SALIDA EN CORTOCIRCUITO
DE-
DE-II
RESPUESTA
RESPUESTA EN
EN FRECUENCIA
FRECUENCIA (I)
(I)
INDICE
INDICE
1. INTRODUCCIÓN
1.2. Objetivo


EMISOR COMÚN CON SALIDA EN CORTOCIRCUITO

EMISOR COMÚN CON CARGA RESISTIVA
DE-
DE-II
INTRODUCCIÓN
INTRODUCCIÓN
1.
1. INTRODUCCIÓN
INTRODUCCIÓN
1.1
1.1CIRCUITOS
CIRCUITOSEQUIVALENTES
EQUIVALENTES
Estudio de las propiedades dinámicas de los amplificadores en pequeña señal

incluyendo las capacidades en el análisis:
Condensadores -> Hacen que la ganancia disminuya

Condensadoresde
deacoplo
acoployydesacoplo
desacoplo
en bajas frecuencias (BF)
Capacidades -> Hacen que la ganancia disminuya

Capacidadesinternas
internasdel
deltransistor
transistor
en alta frecuencia (AF)
BF Frecuencias medias AF
DE-
DE-II
INTRODUCCIÓN
INTRODUCCIÓN
B.F. Frecuencias medias A.F.
Circuitos equivalentes del transistor

a) Frecuencias medias:
- Ignorar las capacidades internas del transistor
- Considerar los condensadores de acoplo y dasacoplo como cortocircuitos
- Considerar la ganancia constante
b) Bajas frecuencias:
- Ignorar las capacidades internas del transistor
- Incluir los condensadores de acoplo y desacoplo
- Si s=jw -> ∞ => aproximar los resultados a frecuencias medias
c) Alta frecuencia:
- Incluir las capacidades internas del transistor
- Considerar los condensadores de acoplo y desacoplo como cortocircuitos
- Si s=jw -> 0 => aproximar los resultados a frecuencias medias
DE-
DE-II
1.2
1.2OBJETIVO
OBJETIVO
INTRODUCCIÓN
INTRODUCCIÓN
Obtener una estimación de la curva de respuesta en frecuencia de un amplificador

mediante un análisis manual aproximado.
-Análisis de cada una de las tres zonas (BF, F. Medias, AF) por separado.
-Utilización de circuitos equivalentes sencillos para los transistores.
Simulación
Simulaciónpor
porordenador
ordenador(ORCAD
(ORCADPSPICE)
PSPICE)
Permite obtener curvas de respuesta en frecuencia de gran precisión.

Análisis
Análisismanual
manualaproximado
aproximado
- Idea de las principales razones físicas de que una curva tenga una
determinada forma.
- Sugiere como mejorar el diseño.

DE-
DE-II
1.3
1.3DIAGRAMAS
DIAGRAMASDE
DEBODE
BODE
INTRODUCCIÓN
INTRODUCCIÓN
Expresión de la ganancia
* Respuesta general
K ⋅ s q (s + z1 )(s + z 2 )L (s + z M )
A( s ) =
(s + p1 )(s + p2 )L (s + pN )
* Para excitación senoidal ω
⎛ jω ⎞⎛ jω ⎞ ⎛ jω ⎞
K P ⋅ ( jω ) ⎜⎜ + 1⎟⎟⎜⎜ + 1⎟⎟ L ⎜⎜ + 1⎟⎟
q
A( jω ) = ⎝ z1 ⎠ ⎝ z2 ⎠ ⎝ zM ⎠
⎛ jω ⎞⎛ jω ⎞ ⎛ jω ⎞
⎜⎜ + 1⎟⎟⎜⎜ + 1⎟⎟ L⎜⎜ + 1⎟⎟
M ⎝ p1 ⎠⎝ p2 ⎠ ⎝ pN ⎠
∏z m
KP = K m =1
N
∏p
n =1
n
DE-
DE-II
INTRODUCCIÓN
INTRODUCCIÓN * En decibelios
M
ω
A( jω ) dB = 20 log K P + 20q log jω + ∑ 20 log j +1 −
m =1 zm
N
ω
− ∑ 20 log j +1
n =1 pn
a) Factor constante
Factor constante
dB KP
- Positivo si |KP| > 1 (Amplificación)
20 log K P 20log|KP|
- Negativo si |KP| < 1 (Atenuación)
0 ω
DE-
DE-II
b) Cero en ω=0
INTRODUCCIÓN
INTRODUCCIÓN
-20 dB si ω=0.1
0 dB si ω=1
20 log ω =
+20 dB si ω=10
+40 dB si ω=100
Pendiente positiva de +20 dB por década
Corta al eje de frecuencias en ω=1
c) Polo en ω=0
+20 dB si ω=0.1
1 0 dB si ω=1
20 log = −20 log ω
ω -20 dB si ω=10
-40 dB si ω=100
Pendiente negativa de -20 dB por década

DE-
DE-II
b) Cero en ω=0
INTRODUCCIÓN
INTRODUCCIÓN Cero en ω=0
-20 dB si ω=0.1
dB jω
0 dB si ω=1
20 log ω =
+20 dB si ω=10
+40 dB si ω=100 +20 dB/dec
0 ω
1
c) Polo en ω=0
+20 dB si ω=0.1
1 0 dB si ω=1
20 log = −20 log ω
ω -20 dB si ω=10
-40 dB si ω=100

DE-
DE-II
b) Cero en ω=0
INTRODUCCIÓN
INTRODUCCIÓN Cero en ω=0
-20 dB si ω=0.1
dB jω
0 dB si ω=1
20 log ω =
+20 dB si ω=10
+40 dB si ω=100 +20 dB/dec
0 ω
1
c) Polo en ω=0
+20 dB si ω=0.1 Polo en ω=0
1 0 dB si ω=1 1/jω
20 log = −20 log ω dB
ω -20 dB si ω=10 0
1
ω
-20 dB/dec
-40 dB si ω=100

DE-
DE-II
d) Cero en ω=|zi|
INTRODUCCIÓN
INTRODUCCIÓN Cero en ω=|zi|
0 dB si ω<<|zi|
ω
dB jω/zi + 1
20 log j +1 ≈ ω
zi 20 log si ω>>|zi|
zi +20 dB/dec
(+20 dB por década)
0 ω
|zi|
Para ω=|zi| => 20log|j+1| ≈ +3 dB
e) Polo en ω=|pk|
1
=
20 log
ω Polo en ω=|pk|
j +1 dB 1/(jω/pk + 1)
pk
0 |pk| ω
0 dB si ω<<|pk|
ω
− 20 log j +1 ≈ ω
-20 dB/dec
pk − 20 log si ω>>|pk|
pk
(-20 dB por década)
Para ω=|pk| => -20log|j+1| ≈ -3 dB

DE-
DE-II
Adición gráfica de diagramas de Bode (módulo)
INTRODUCCIÓN
INTRODUCCIÓN
• Se expresa la función compleja A(s) como cociente de polinomios con

términos constante, ceros o polos en el origen, ceros y polos
Se calcula y representa el término constante KP en dB para ω=1 rad⋅s-1
Se añade el termino cero/polo en el origen: recta de pendiente ±20 dB/dec,

que pasa por (1 rad⋅s-1, Kp)
Se añade la contribución de ceros (ωzn) y polos (ωpm):

- desde la menor frecuencia de corte, en orden creciente de ω

- cada curva no añade cambio hasta la frecuencia de corte (o dB)
Un cero o polo de multiplicidad k, proporciona cambios de pendiente de

±20⋅k dB/dec
DE-
DE-II
Expresión de la ganancia (fase)
INTRODUCCIÓN
INTRODUCCIÓN
* Para excitación senoidal ω
⎛ jω ⎞⎛ jω ⎞ ⎛ jω ⎞
K P ⋅ ( jω ) ⎜⎜ + 1⎟⎟⎜⎜ + 1⎟⎟ L ⎜⎜ + 1⎟⎟
q
A( jω ) = ⎝ z1 ⎠ ⎝ z2 ⎠ ⎝ zM ⎠
⎛ jω ⎞⎛ jω ⎞ ⎛ jω ⎞
⎜⎜ + 1⎟⎟⎜⎜ + 1⎟⎟ L⎜⎜ + 1⎟⎟
⎝ p1 ⎠⎝ p2 ⎠ ⎝ pN ⎠
* En grados
M
⎡ω ⎤ N ⎡ω ⎤
Φ[ A( jω )] = Φ c + q ⋅ 90º + ∑ arctg ⎢ ⎥ − ∑ arctg ⎢ ⎥
m =1 ⎣ z m ⎦ n =1 ⎣ pn ⎦
0 si Kp≥0
Φc =
180º si Kp<0
DE-
DE-II
* Aproximación asintótica
INTRODUCCIÓN
INTRODUCCIÓN
arctg 0 = 0º si ω<<a
⎡ω ⎤
arctg ⎢ ⎥ ≈ arctg ∞ = 90º si ω>>a
⎣a⎦ arctg [1] = 45º si ω=a
Polo en ω=ωp
⎡ 0,1⋅ a ⎤
= 5,7º
dB
arctg ⎢ ⎥
⎣ a ⎦ 0 0,1 ωp ωp 10 ωp ω
⎡10 ⋅ a ⎤
arctg ⎢ ⎥ = 84,3º
⎣ a ⎦ -20
fase
- Zm suma 90º en dos décadas 0,1 ωp ωp 10 ωp ω

0º
- pn resta 90º en dos décadas

-45º
-90º
13
DE-
INTRODUCCIÓN
DE-II
Tema 6: Respuesta en frecuencia INTRODUCCIÓN

* Ejemplo
DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS II
DE-
DE-II
2.
2. MODELO
MODELO EN
EN PI
PI DEL
DEL TRANSISTOR
TRANSISTOR
TRANSISTOR
DEL TRANSISTOR
PI
EN PI
MODELO EN
Modelo de Giacoletto
MODELO
DEL
Para frecuencias f<< 1/τB, siendo τB el tiempo medio de tránsito de los minoritarios
a través de la base, el comportamiento del transistor puede ser representado por
este modelo:
DE-
DE-II
B’ ≡ base interna del transistor (no accesible)
TRANSISTOR
DEL TRANSISTOR
PI
EN PI
rbb’ Resistencia de dispersión de base (100 Ω)
Representa la resistencia óhmica desde B’ al contacto externo B
MODELO EN
rb’e Resistencia de la unión base-emisor (1 kΩ)

MODELO
Representa la corriente de recombinación en la base ante el

exceso de minoritarios inyectados
DEL
rce Resistencia de salida (80 kΩ)

Resistencia de salida debida al aumento de IC con VCE
(modulación de la anchura de la base)
rb’c Resistencia de realimentación interna por efecto Early (4 MΩ)
Tiene en cuenta el efecto Early (modulación de la anchura de la
base al variar VCB)
Cb’e Capacidad de la unión base-emisor
Bajo polarización directa coincidirá con la capacidad de difusión
de la unión base-emisor (100 pF)

Cb’c Capacidad de la unión colector-base
Coincide prácticamente con la capacidad de transición de la
unión colector-base (3 pF)
gm Transconductancia (50 mA/V)
Expresa el hecho físico de que el exceso de minoritarios
inyectados en la base, y por tanto la corriente de colector, es
proporcional a Vbe
IC ⎤
gm = ⎥
Vb 'e ⎦V
ce = 0
DE-
DE-II
3.
3. MODELO
MODELO DEL
DEL TRANSISTOR
TRANSISTOR UNIPOLAR
UNIPOLAR PARA
PARA ALTA
ALTA
TRANSISTOR FRECUENCIA
FRECUENCIA
DEL
TRANSISTOR
MODELO DEL
UNIPOLAR
UNIPOLAR
MODELO
JFET MOSFET
gm 0,1 – 10 mA/V 0,1 – 20 mA/V
rd 0,1 – 1 MΩ 1 – 50 kΩ
Cgs, Cgd 1 – 10 pF 1 – 10 pF
Cds 0,1 – 1 pF 0,1 – 1 pF
DE-
DE-II
Estudio de la ganancia en tensión de una etapa en fuente común
TRANSISTOR
DEL
TRANSISTOR
MODELO DEL
UNIPOLAR
UNIPOLAR
Cgd
MODELO
RD + +
+
vi = vgs Cgs gmvi rd RD vo
+
vo
vi
- - -
-
s ⋅ C gd − g m
(vi − vo ) ⋅ s ⋅ C gd = g m ⋅ vi +
vo
⇒ AV (s ) =
(rd // RD ) ⎛ 1 1⎞
s ⋅ C gd + ⎜⎜ + ⎟⎟
* A frecuencias medias
⎝ RD rd ⎠
AV (s ) = − g m (rd // RD )
* A frecuencias altas
AV -> 1 (el efecto de los condensadores es disminuir la ganancia en alta frecuencia)

DE-
DE-II
GANANCIA
LA GANANCIA
4.
4. RESPUESTA
RESPUESTA DE
DE LA
LA GANANCIA
GANANCIA DE
DE CORRIENTE
CORRIENTE DE
DE
COMÚN
EMISOR COMÚN UNA
UNA ETAPA
ETAPA EN
EN EMISOR
EMISOR COMÚN
COMÚN CON
CON SALIDA
SALIDA EN
UNA
EN
DE UNA
CORTOCIRCUITO
CORTOCIRCUITO
DE CORRIENTE DE
EN EMISOR
CORRIENTE
DE LA
Análisis de la ganancia en corriente inherente al transistor en función de la frecuencia.

El análisis con salida en cortocircuito asegura que se reflejen las limitaciones del
RESPUESTA DE
dispositivo, por si mismo, independientemente de los componentes externos del

RESPUESTA
ETAPA EN
transistor.
ETAPA
* Circuito equivalente
DE
rbb’ Cb’c
B’
B + C
Ii
vb’e rb’e Cb’e gmvb’e rce IL
E -
E
rbb’ B’
B + C
Ii
vb’e rb’e Cb’e+ Cb’c gmvb’e IL
E -
E
DE-
DE-II
rbb’
B’
ETAPA
B
GANANCIA
DE CORRIENTEDE UNA ETAPA
LA GANANCIA
+ C
COMÚN
EMISOR COMÚN Ii
vb’e rb’e Cb’e+ Cb’c gmvb’e IL
UNA
DE LA
CORRIENTEDE
E -
E
EN EMISOR
RESPUESTA DE
RESPUESTA
⎡1 ⎤
I i = vb 'e ⎢ + s(Cb 'e + Cb 'c )⎥
EN
− gm
⎣ rb 'e ⎦ Ai (s ) =
DE
+ s(Cb 'e + Cb 'c )

1
I L = − g m ⋅ vb 'e rb 'e
− gm − h fe − h fe
Ai ( f ) = = =
+ j 2πf (Cb 'e + Cb 'c ) 1 + j 2πf (Cb 'e + Cb 'c ) ⋅ rb 'e ⎛ f ⎞
1
rb 'e 1 + j ⎜⎜ ⎟⎟
hfe= gm ⋅ rb’e
⎝ fβ ⎠
1
fβ =
2π (Cb 'e + Cb 'c ) ⋅ rb 'e
DE-
DE-II
h fe
ETAPA Ai =
GANANCIA
LA GANANCIA
2
El módulo de la ganancia de corriente es: ⎛ f ⎞
COMÚN
EMISOR COMÚN
1 + ⎜⎜ ⎟⎟
UNA
⎝ fβ ⎠
DE LA
CORRIENTEDE
EN EMISOR
RESPUESTA DE
h fe
f = f β → Ai =
RESPUESTA
Si Por lo que fβ representa la

frecuencia de corte a –3 dB
EN
2
( para RL = 0 )
DE
Si f << f β → Ai = h fe
( BF )
¿A qué frecuencia |Ai|=1?

A esa frecuencia se le llama fT (frecuencia de transición) y su valor es:

2
⎛ fT ⎞ Como fT>>fβ se puede despreciar el 1 y el resultado
1 + ⎜ ⎟ = h fe Aproximado sería:
⎜f ⎟
⎝ β⎠
fT gm gm
≈ h fe ⇒ fT ≈ f β ⋅ h fe = ≈
fβ 2π (Cb 'e + Cb 'c ) 2πCb 'e
DE-
DE-II
− h fe
ETAPA Ai ≈
GANANCIA
LA GANANCIA
Ai se puede expresar en función de fT en vez de fβ:
f
1 + jh fe
COMÚN
EMISOR COMÚN
UNA
fT
DE LA
CORRIENTEDE
EN EMISOR
RESPUESTA DE
fT depende de la corriente de El diagrama de Bode de la

RESPUESTA
polarización de colector presentando ganancia de corriente

un máximo. Valores típicos:
EN
fβ = 1,6 MHz
DE
fT = 80 MHz |Ai| dB
|pk|
fT (MHz)
hfe
300
3 dB
200
100
IC (mA) 0
f
1 10 100 fβ fT
DE-
DE-II
DE
GANANCIA DE
COMÚN
5.
5. RESPUESTA
RESPUESTA DE
DE LA
LA GANANCIA
GANANCIA DE
DE CORRIENTE
CORRIENTE DE
DE
CORRIENTE EN EMISOR COMÚN
UNA
UNA ETAPA
ETAPA EN
EN EMISOR
EMISOR COMÚN
COMÚN CON
CON CARGA
LA GANANCIA
RESISTIVA
CARGA RESISTIVA
CARGA
RESISTIVA
RESISTIVA
EMISOR
DE LA
CON CARGA
EN
RESPUESTA DE
CORRIENTE
RESPUESTA
CON
rbb’ Cb’c
B’
B + C
Ii IL
vb’e rb’e Cb’e gmvb’e rce RL
E -
E
DE-
DE-II
DE
GANANCIA DE
Teorema de Miller
COMÚN
CORRIENTE EN EMISOR COMÚN En muchos circuitos, una impedancia Z puentea la entrada y la salida de un amplificador,
LA GANANCIA
RESISTIVA
CARGA RESISTIVA
dando como resultado una compleja función de ganancia difícil de obtener y de interpretar.
EMISOR
RS V1 Z V2
DE LA
CON CARGA
EN
RESPUESTA DE
VS
CORRIENTE
gmV1 ZL
RESPUESTA
Z1
CON
El teorema de Miller origina un circuito de polos aislados con aproximadamente la misma

frecuencia de corte superior que el amplificador original
+
Z I1 I2 +
+ +
V1 I1 I2 V2 V1 Z1 Z2 V2
<=>
- -
- -
Z Z V2
Z1 = Z2 = K=
1− K 1−
1 V1
K
Ganancia de Miller
DE-
DE-II
+
DE
GANANCIA DE Z I1 I2 +
COMÚN
CORRIENTE EN EMISOR COMÚN + +
V1
LA GANANCIA
RESISTIVA
CARGA RESISTIVA V1 I I2 V2 <=> Z1 Z2 V2
1
- -
EMISOR
- -
Z Z V2
Z1 = Z2 = K=
1− K 1
DE LA
1− V1
CON CARGA
EN
K
RESPUESTA DE
CORRIENTE
RESPUESTA
V1 − V2 V1 Z ⋅ V1 Z Z
= ⇒ Z1 = = =
CON
Z Z1 V1 − V2 1 − V2 1 − K
En efecto: V1
V2 − V1 V2 Z ⋅ V2 Z Z
= ⇒ Z2 = = =
Z Z2 V2 − V1 1 − 1 1 − 1
V
En los circuitos que se van a estudiar: V2 K
1
Z = (impedancia de un condensador)
jω C
K ≅ Ganancia de Miller aproximada -gmRL
(número negativo y grande)
Z L = R L
(carga resistiva)
DE-
DE-II
DE
GANANCIA DE RS V1 Z V2
COMÚN
LA GANANCIA
RESISTIVA
CARGA RESISTIVA
VS gmV1
EMISOR
Z1 ZL
DE LA
CON CARGA
EN
RESPUESTA DE
CORRIENTE
RESPUESTA
CON
RS
CM C
VS gmV1
Z1 RL
⎛ 1⎞
CM = C (1 − K ) C ⎜1 − ⎟ ≈ C
⎝ K⎠
CM ≡ Condensador Miller (muy grande)
(1-K) ≡ Multiplicador Miller o Efecto Miller
Debido al multiplicador Miller, el condensador Miller del circuito de entrada suele ser
responsable de un polo en alta frecuencia a una frecuencia sorprendentemente pequeña
DE-
DE-II
DE
GANANCIA DE
Análisis del circuito equivalente
COMÚN
LA GANANCIA
RESISTIVA
CARGA RESISTIVA
EMISOR
rbb’ Cb’c
B’
B C
DE LA
Ii IL
CON CARGA
EN
RESPUESTA DE
vb’e rb’e Cb’e gmvb’e rce

CORRIENTE
RL
RESPUESTA
CON
E -
E
Aplicando Miller a Z=1/jωCb’c se obtiene:

1
Z1 =
jωCb 'c (1 − K )
1
Z2 =
⎛ 1⎞
j ωC b ' c ⎜ 1 − ⎟
⎝ K⎠
DE-
DE-II
DE
GANANCIA DE
A efectos de análisis el circuito se puede transformar en el siguiente:
COMÚN
LA GANANCIA
RESISTIVA
CARGA RESISTIVA
rbb’
B’
EMISOR
B + C
Ii IL
DE LA
vb’e gmvb’e
CON CARGA
rb’e Cb’e+ Cb’c (1-K) Cb’c (1-1/K)

EN
RL
RESPUESTA DE
CORRIENTE
RESPUESTA
E -
E
CON
Se ha despreciado rce por suponer que RL << rce (válido si RL ≤ 2K)

Si se supone que |K| >> 1, y que su valor no depende de la frecuencia, entonces:
⎛ 1⎞
C b ' c ⎜ 1 − ⎟ ≈ Cb ' c
⎝ K⎠
DE-
DE-II
rbb’
B’
DE
B
GANANCIA DE
COMÚN C
+
Ii IL
LA GANANCIA
RESISTIVA
CARGA RESISTIVA
vb’e rb’e Cb’e+ Cb’c (1-K) gmvb’e Cb’c (1-1/K)
RL
EMISOR
E -
E
DE LA
CON CARGA
EN
RESPUESTA DE
CORRIENTE
Vce
RESPUESTA
K= = − g m ⋅ RL (se toma el valor de BF)

CON
Vb 'e Valores típicos entre 20 y 200

• La entrada produce un polo por efecto de Cb’e+ Cb’c (1-K) cuya constante de tiempo
resulta del orden de cientos de ns
• La salida produce un polo por efecto de Cb’c (1-1/K) ≈ Cb’c cuya constante de tiempo
es del orden de varios ns
El ancho de banda queda limitado por el circuito de entrada

(por lo que queda como entrada después de aplicar Miller)
DE-
DE-II
1
DE
GANANCIA DE
COMÚN
CORRIENTE EN EMISOR COMÚN La frecuencia de corte a – 3 dB es: fH =
2π ⋅ rb 'e ⋅ C
LA GANANCIA
RESISTIVA
CARGA RESISTIVA
C = Cb 'e + Cb 'c (1 + g m ⋅ RL )
EMISOR
DE LA
Deducción de la ganancia de corriente:

CON CARGA
EN
RESPUESTA DE
⎡1 ⎤
CORRIENTE
RESPUESTA
I i = vb 'e ⎢ + s ⋅ C ⎥ I L = − g m ⋅ vb 'e h fe = g m ⋅ rb 'e

CON
⎣ rb 'e ⎦
− g m ⋅ rb 'e ⋅ vb 'e − h fe − h fe
Ai ( f ) = = =
vb 'e (1 + rb 'e ⋅ jω ⋅ C ) 1 + jω ⋅ rb 'e ⋅ C
⎛ f ⎞
1 + j ⎜⎜ ⎟⎟
h fe ⎝ fH ⎠
Ai = Esta expresión es similar a la obtenida para salida en
2
⎛ f ⎞ cortocircuito si cambiamos fβ por fH.
1 + ⎜⎜ ⎟⎟
⎝ fH ⎠ fH < fβ => menor ancho de banda
En todo el cálculo se ha supuesto el amplificador alimentado por un generador ideal

de corriente Ii

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1 DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS II

Miguel Ángel Domínguez Gómez

DEPARTAMENTO DE UNIVERSIDAD DE VIGO ESCUELA TÉCNICA SUPERIOR DE

2. MODELO EN PI DEL TRANSISTOR BIPOLAR

2. MODELO EN PI DEL TRANSISTOR BIPOLAR

3. MODELO DEL TRANSISTOR UNIPOLAR EN ALTA FRECUENCIA

2. MODELO EN PI DEL TRANSISTOR BIPOLAR

3. MODELO DEL TRANSISTOR UNIPOLAR EN ALTA FRECUENCIA

4. RESPUESTA DE LA GANANCIA DE CORRIENTE DE UNA ETAPA EN

2. MODELO EN PI DEL TRANSISTOR BIPOLAR

3. MODELO DEL TRANSISTOR UNIPOLAR EN ALTA FRECUENCIA

4. RESPUESTA DE LA GANANCIA DE CORRIENTE DE UNA ETAPA EN

5. RESPUESTA DE LA GANANCIA DE CORRIENTE DE UNA ETAPA EN

Estudio de las propiedades dinámicas de los amplificadores en pequeña señal

Condensadores -> Hacen que la ganancia disminuya

Capacidades -> Hacen que la ganancia disminuya

B.F. Frecuencias medias A.F.

Circuitos equivalentes del transistor

Obtener una estimación de la curva de respuesta en frecuencia de un amplificador

Permite obtener curvas de respuesta en frecuencia de gran precisión.

- Sugiere como mejorar el diseño.

Pendiente positiva de +20 dB por década

Corta al eje de frecuencias en ω=1

Pendiente negativa de -20 dB por década

Corta al eje de frecuencias en ω=1

+40 dB si ω=100 +20 dB/dec

Corta al eje de frecuencias en ω=1

Pendiente negativa de -20 dB por década

Corta al eje de frecuencias en ω=1

+40 dB si ω=100 +20 dB/dec

Corta al eje de frecuencias en ω=1

+20 dB si ω=0.1 Polo en ω=0

Pendiente negativa de -20 dB por década

Corta al eje de frecuencias en ω=1

Para ω=|pk| => -20log|j+1| ≈ -3 dB

• Se expresa la función compleja A(s) como cociente de polinomios con

Se calcula y representa el término constante KP en dB para ω=1 rad⋅s-1

Se añade el termino cero/polo en el origen: recta de pendiente ±20 dB/dec,

Se añade la contribución de ceros (ωzn) y polos (ωpm):

- desde la menor frecuencia de corte, en orden creciente de ω

Un cero o polo de multiplicidad k, proporciona cambios de pendiente de

⎣a⎦ arctg [1] = 45º si ω=a

- Zm suma 90º en dos décadas 0,1 ωp ωp 10 ωp ω

- pn resta 90º en dos décadas

Tema 6: Respuesta en frecuencia INTRODUCCIÓN

rb’e Resistencia de la unión base-emisor (1 kΩ)

Representa la corriente de recombinación en la base ante el

rce Resistencia de salida (80 kΩ)

de la unión base-emisor (100 pF)

gm 0,1 – 10 mA/V 0,1 – 20 mA/V

AV -> 1 (el efecto de los condensadores es disminuir la ganancia en alta frecuencia)

Análisis de la ganancia en corriente inherente al transistor en función de la frecuencia.

dispositivo, por si mismo, independientemente de los componentes externos del

+ s(Cb 'e + Cb 'c )

Si Por lo que fβ representa la

¿A qué frecuencia |Ai|=1?

A esa frecuencia se le llama fT (frecuencia de transición) y su valor es:

fT depende de la corriente de El diagrama de Bode de la

polarización de colector presentando ganancia de corriente

El teorema de Miller origina un circuito de polos aislados con aproximadamente la misma

vb’e rb’e Cb’e gmvb’e rce

Aplicando Miller a Z=1/jωCb’c se obtiene:

rb’e Cb’e+ Cb’c (1-K) Cb’c (1-1/K)