ESCUELA SUPERIOR POLITECNICA DE CHIMBORAZO

FACULTAD DE MECANICA
ESCUELA DE INGENIERIA DE MANTENIMIENTO
NOMBRE: Michel Loor CODIGO: 1576

LA PROTECCIÓN DEL SEMICONDUCTOR

Se debe contemplar medios para evitar que sobrepase, entre otras la intensidad, la
tensión y la potencia máximas permitidas por el fabricante en régimen transitorio y en
régimen permanente. (Martinez García & Gualda Gil, 2006)
PROTECCIÓN CONTRA VOLTAJE CON DIODOS DE SELENIO y
VARISTORES DE METAL ÓXIDO
Los diodos de selenio se pueden usar para protección contra sobre voltajes transitorios.
Esos diodos tienen un voltaje de conducción bajo en sentido directo, pero uno bien
definido en sentido inverso. (Muhamad, 1993)

Figura 1. Características del diodo selenio

Figura 2. Diodos de supresión de voltaje

PROTECCIONES CONTRA SOBRECORRIENTE
En los convertidores de potencia se pueden presentar cortocircuitos o fallas, y las
corrientes de falla que resulten deben eliminarse con rapidez. Para proteger los
dispositivos semiconductores se suelen usar fusibles de acción rápida. Al aumentar la
corriente de falla, el fusible se abre y suprime la corriente de falla en pocos
milisegundos. (Muhamad, 1993)
Acción fusible: Los dispositivos semiconductores se pueden proteger escogiendo con
cuidado los lugares de los fusibles, como se ve en la figura. Sin embargo, los fabricantes
de fusibles recomiendan instalar un fusible en serie con cada dispositivo, como se ve en
la figura. (Muhamad, 1993)
 Figura 3. Protección de dispositivos de potencia
La protección individual que proporciona una mejor coordinación entre un dispositivo y
su fusible permite una mejor utilización de las posibilidades del dispositivo, y lo protege
contra fallas por corto (por ejemplo, a través de TI y T4 en la figura). (Muhamad, 1993)

Figura 4. Fusibles de semiconductor

Para seleccionar un fusible es necesario estimar la corriente de falla, para entonces
satisfacer los siguientes requisitos:
1. El fusible debe conducir la corriente nominal del dispositivo en forma continua.
2. El valor admitido de Pt del fusible antes de que desaparezca la corriente de falla debe
ser menor que el valor nominal de Pt del dispositivo que se va a proteger.
3. El fusible debe ser capaz de resistir el voltaje después de la extinción del arco.
4. El voltaje pico de arco debe ser menor que el voltaje pico nominal del dispositivo.
(Muhamad, 1993)

Figura 5. Características corriente-tiempo del dispositivo y el fusible

CIRCUITOS AMORTIGUADORES PARA PROTECCIÓN DE LOS
TRANSISTORES
1. AMORTIGUADOR PARA ENCENDIDO (Figura 1.a)
Reduce las pérdidas del transistor en el encendido, limitando la velocidad de
incremento de la corriente de colector. Al final del período de conducción, RS
permite descargar la energía almacenada en LS y limita el sobrepaso del voltaje.
(Martinez García & Gualda Gil, 2006)
2. AMORTIGUADOR EN PARALELO (Figura 2.b)
Mientras el transistor esté conduciendo, el circuito en paralelo con él estará
deshabilitado. La corriente de carga se divide hacia el condensador al apagarse el
transistor; de este modo, la velocidad de incremento del VCE se reduce. Si el
condensador es grande, el voltaje a través del transistor es bajo durante el
intervalo de apagado, al igual que la potencia disipada; al encender el transistor,
el voltaje a través del condensador es igual al de la fuente y se descarga a través
del transistor; la resistencia limita la corriente de descarga. (Martinez García &
Gualda Gil, 2006)
3. AMORTIGUADOR POLARIZADO (Figura 3.c)
Como la resistencia puede retardar un poco el proceso de apagado, se le coloca
un diodo en paralelo, para polarizar el amortiguador. Durante el apagado, el
condensador está en paralelo con el transistor, porque la resistencia estará siendo
cortocircuitada por el diodo, que estará polarizado directamente. Al encender, el
diodo queda polarizado inversamente y la resistencia limita la descarga del
condensador. (Martinez García & Gualda Gil, 2006)
4. AMORTIGUADOR POLARIZADO EN EL ENCENDIDO Y EN EL
APAGADO.(Figura 4.d)

Figura 6. Redes con amortiguadores a,b,c y d

ENFRIAMIENTO Y DISIPADORES DE CALOR
Debido a las pérdidas en estado activo y por conmutación, dentro del dispositivo de
potencia se genera calor. Este calor se debe transferir del dispositivo a un medio de
enfriamiento, para mantener la temperatura de operación en la unión dentro del
intervalo especificado. Aunque esta transferencia de calor se puede efectuar por
conducción, convección o radiación, lo que más se usa en aplicaciones industriales es la
convección natural (enfriamiento natural) o forzada (enfriamiento forzado) con aire.
Disipador termino que se usa en el ámbito de la evacuación de calor en los componentes
electrónicos. El método que se usa para extraer el calor del componente no es el de
radiación, sino el de convección. Por tanto, al ser el término disipador (que disipa o
extrae el calor) más genérico que el de radiador (que extrae el calor por radiación).
(Martinez García & Gualda Gil, 2006)

Figura 7. Disipador

Bibliografía
Martinez García, S., & Gualda Gil, J. A. (2006). Electronica de potencia componentes,
tpologias y equipos. Madrid: PARANINFO.

Muhamad, R. (1993). Electronica de potencia circuitos, dispositivos y aplicaciones.

Ciudad de mexico: PRENTICE HALL HINSPANOAMERICANAS S.A.