Sumario CORRIENTE ALTERNA. Definiciones, fasores y filtros. SEMICONDUCTORES. Definiciones, unién p-n, polarizacién directa e inversa. DIODOS. Introduccién, curva caracteristica y tipos. TRANSISTORES. Transistor bipolar, transistor FET, transistor MOSFET. RECTIFICADORES. Definiciones y tipos de rectificadores. OSCILADORES. Introduccidn, definiciones, tipos de osciladores. Oscilador de fase PLL. REALIMENTACION. Definicién, realimentacién positiva y negativa, tipos. AMPLIFICADOR DIFERENCIAL. Introduccién, usos, andlisis. AMPLIFICADOR OPERACIONAL. Definici6n, caracteristicas, circuitos con amplificadores operacionales. OPTOELECTRONICA. Introduccién, aplicaciones, dispositivos optoelectrénicos. ELECTRONICA DE POTENCIA. Definiciones, tipos de dispositivos.CORRIENTE ALTERNA INTRODUCCION La corriente alterna se produce me- diante induecién magnética en genera- dores de corriente alterna. Hoy en dia la corriente alterna es la mas utilizada en todo ef mundo, esto se debe a que puede transportarse a grandes distancias con tensiones muy elevadas y corrien- tes bajas con lo que se reducen con: derablemente las perdidas en forma de calor. Ades una vez Hegado ef mo- mento se puede transformar a tensio- nes y corrientes adecuadas para su uso cotidiano. En [a actualidad en Espaia al igual que en Europa y en la préctica totali- dad del mundo la potencia eléctrica su- ministrada tiene una frecuencia de 50 Hz, aungue esta es distinta en los Esta- dos Unidos ya que alli la potencia tiene una freeuencia de 60 Hz. Corriente Continua (C.C.) Corriente Altera (C.A) Los valores de la tensién y la inten- sidad varian a lo largo de un ciclo y el valor que tienen en cada instante se Ila- ma valor instantineo, dicho valor se puede calcular segin las siguientes ecuaciones: v= Vnaxsen Qnf) Inaxsen nf) En primer lugar se debe hacer notar que el tema de corriente alterna est dedicado al estudio de circuits alimen- tados por fuentes sinusoidales, para te- ner una idea clara de como afectan es- tas fuentes al funcionamiento de las dis- tintas partes de un circuito se va a rest- mir las caracteristicas y relaciones en- tre la tensi6n y la intensidad de los ele- mentos pasivos. Definiciones importantes en corriente alterna, Frenctnt prendere estos Framers que son Frecuen- CB cia: Namero de ciclos completos deC.A. que ocurren en la unidad de tiem. po. Namero de veces que una corriente alterna cambia de polaridad en I segun- do. La unidad de medida es el Hertz (Hz). De esta forma si en nuestro hogar tenemos una tensién de 220 V 50 Hz, significa que dicha tensién habré de cambiar su polaridad 50 veces por se- undo. Fase: Es la fraccién de ciclo trans- currido desde el inicio del mismo, su simbolo es la letra griega .6 Periodo: Es el tiempo que tarda en producirse un ciclo de C.A. completo se denomina T. En nuestro ejemplo de una tensidn de 220 V 50 Hz su periodo es de 20 mseg, La relacién entre la frecuencia y el periodo es f=1/T Valor instanténeo: Valor que toma la tensién en cada instante de tiempo. Valor méximo: Valor de la tension cen cada «crestay 0 «valle» de la sefial, Vator medio: Media aritmética de todos los valores instantineos de la se~ al en un perfodo dado, Valor eficaz: Valor eficaz de una ‘magnitud es igual al valor maximo de esa magnitud dividida por /7, siem= pre que nuestra magnitud varie sinu- soidalmente. Si no se produce una va- jacidn sinusoidal se puede calcular mediante wef LO a Una definicién generalizada dice que el valor eficaz.es el que produce el mismo efecto que la sefial C.C. equiva- lente. Valor pico a pico: Valor de tensién que va desde el maximo al minimo o de una «cresta» a un «valle, 3. ELECTRONICA EN TRES PASOS A continuacién se muestran estos conceptos representados en una onda alterna. — Velices ¥ pico apico Fig.1 Onda altorna y sus valores Un factor que aparece en alterna es la impedancia (Z). Tiene el mismo papel en el circuito de c.a que R en el cireuito de c.c, esto es, oftecer una oposicién al paso de la c.a. Se mide en Ohmios. Z depende de la frecuencia y siem- pre se verifica que Z > R A partir de esta definicién se propo- ne otro concepto Iamado admitancia siendo la inversa de la admitancia: Y= WZ A continuacién se estudia el com- portamiento de los distintos componen- tes en corriente alterna, Corriente alterna en una resistencia Se vaa suponerel siguiente circuito para explicar las earacteristicas. Circuito de corriente alterna con resisten- la y su caracteristica LV La caida de tensién a través de la resistencia sera:ELECTRONICA EN TRES PASOS Va=IR Recordamos aqui la expresién de la fuerza electromottiz, (fem) que viene dada por la expresién: 2 [lng Sent +S ) des Ia fase y tendremos la libertad para escoger cualquier valor puesto que depende simplemente de la eleccién del origen de tiempos. Por comodidad ele- giremos d= p/2 con lo que tendremos: € Cina COS OE Volviendo a nuestro cireuito y resol- viéndolo I Sas COS@t ennuestro caso ta intensidad seré méxima cuando el cos e Rye yr imusiocta Tes definitiva: La intensidad eficaz que circula por la resistencia ser Ima le Partiendo de esta corriente podemos definir la potencia media disipada en una resistenci P= TR Corriente alterna en bobinas y condensadores El comportamiento de bobinas y condensadores funcionando en corrien- te alterna es muy distinto al que tenian cen corriente continua. En el caso con- creto del condensador en continua se cortocircuitaba el sistema una vez car~ gado el dispositivo, ahora tenemos que ese mismo condensador se carga y se descarga continuamente, Esta diferen- cia es extrema cuando la frecuencia es muy grande ya que el condensador casi ro impide la eirculacién de la corrien- te. En el caso de la bobina, en conti- nua, presenta una resistencia inaprecia- ble por lo que su presencia es poco im- portante, Sin embargo en corriente al- terna presenta una fuerza contraelectro- motriz dependiente de la frecuencia. En resumen, para corriente alterna: Sw sen 2aft = 2af Lg: COS 2nft = 2xf L ly, COSut = af Lyx, Sen(at + > nla opas este resulta-| ‘resin vo, eel do muestral “eames que Ta eaie\ ores da de ten- sién en una bobina adelanta a la corrien- teen 90°. BOBINAS ‘Tenemos el siguiente circuito: Circuito de corriente alterna con una bobina y su caracteristica I-V ‘Vamos a realizar un estudio similar al desarrollado en el circuito en el que aparece la resistencia. ‘Aplicando las reglas de mallas de Kirchhoff obtenemos: O=e-V ademas, T= Imax SENOL donde V es el valor de la fem de la bobina realizamos los siguientes céleu- los: di; e=L—+iR dt pero E] valor maximo que puede alean- zar un seno es la unidad, por tanto: eux = 20 FL bane dividiendo ambos miembros por raiz de 2, e=(2af)I Al grupo de factores (2 xf L)se de ‘nomina reactancia inductiva 0 induc~ tancia del circuito (X), Asi la ecuacién queda: e = /, en la cual ax) X= a CONDENSADORES Para el easo conereto de los conden- sadores el estudio es muy similar al rea- lizado para las bobinas. Para este estu- dio consideramos el circuito: Circuito de corriente alterna con un con- densador y su caracteristica IVAplicando las reglas de mallas de Kirchhoff obtenemos: ademas; Lax “SEN t donde V es el valor de la fem del condensador repitiendo los célculos anteriores para el circuito Hlegamos a las siguientes conclusions: Q ay CoS n = = c = despejando; O=eyyyC-cosot asi para obtener la intensidad: dQ =O yyy Csenot WP Man para senw' Zyyux = °C nax€ luego la corriente se podré escribir: 1 = [yx COS(@t + /2) Asi pues Ia eaida de tensién en un condensador esta retrasada respecto ‘ala corriente en 90°, Para ferminar la explicacién tendre- mos la definicidn de reactancia capa- citiva que se extrae de la ultima expre- sién: Tryye = Oe yyC = SH m= Sa ae eee “oe FASORES. Para una descripeién completa del andlisis de circuitos de cortiente alter- nna no debemos olvidar la definicién y explicacién de los fasores. Definicién Un fasor es un vector rotatorio bidimensional que represen- ta las relaciones de fase entre las. ten- siones aplicadas a las resistencias, bo- binas y condensadores dentro de un cir cuito de corriente alterna. Estos fasores giran en sentido anti- horario con una frecuencia angular "w" que es la frecuencia angular de corrien- te. Tenemos varios fasores que utiliza- remos en nuestro analisis de circuitos: V, Serd el fasor que representa Ia tensidn aplicada a la resistencia V, Sera el fasor que representa la tension aplicada al condensador V,, Seri el fasor que representa la fensién aplicada a la bobina 1 Seri el fasor que representa la corriente Los fasores resuelven los valores {nstanténeos de Ia tensién y la corrien- te en alterna asi como el desfase entre ellos. En los diagramas de fasores el ‘médulo del fasor constituye la ampli- tud de la cantidad, mientras que la pro- yeccién sobre el eje vertical nos da el valor instantineo de esa cantidad . Ana- liticamente un fasor se puede conside~ rar como un complejo. E] mayor problema es conocer stu ‘médulo (valor de la magnitud) y el ar- gumento (Angulo que forma con el eje X positive). Todo nlimero complejo puede ser representado de tres formas distintas: Bindmica, Trigonométrica y Polat. MODULO de un niimero complejo zs la longitud del vector que lo repre~ senta, ARGUMENTO de un complejo es cl Angulo que forma el vector con el eje real Forma Binér Sea un fasor y de componentes (a,b) vendrd expresado por: v=atjb donde a y b son ntimeros reales y sla unidad imaginaria (j=/—1 ) El médulo se expresa por ELECTRONICA EN TRES PASOS | F | osimplemente v. Su valor se calcula: vase yelargumento @ se calcula: 4 = arctag — 9 eT Forma trigonométriea: a= Vv-cos@ b=v-seng por lo tanto A=v(cos@ +jseng ) Forma Polar: El complejo esta dado por su médu- lo y argument. Y se presenta por: yee Propiedades de los niimeros comple- jos: Aplicaciones de los nimeros com- plejos al caleulo de cireuitos de ca. « Resistencia R: En las resistencias no existe desfase entre la tension y la corriente y solo tie- ne parte real por lo que la impedancia viene dada nor: Za-R © Autoindueeién L: Las bobinas producen un adelanto de 90° de la tensién sobre la corriente, solo tiene parte imaginaria y su impe- dancia es: Zi ike Siendo la Reactancia Induetiv X,=0-LELECTRONICA EN TRES PASOS * Capacidad Se produce un retraso de 90° de la tension, respecto a Ja intensidad, solo tiene parte imaginaria y de signo nega tivo, su impedancia es: Xe Siendo la Reactancia Capacitiva: La suma de las tres impedancias sera: Z=R + j(X,—Xe) Diagrama de fasores COMO SOLUCIONAR UN CIRCUITO MEDIANTE ANALISIS FASORIAL 1 Tener el diagrama del circuito pro- blema con sus datos 2.Convertir el circuito cambiando las fuentes, corrientes y voltajes a va- lores fasoriales. Donde lo mas impor- tante es la forma general del voltaje: V(t) = Vayu sen (wt + 6) w= frecuencia angular = desfase en (°) 3.Convertir los elementos de los cir- cuitos @ impedancias 0 admitancias, usando la frecuencia angular de la fuen- te que alimenta del citcuito, Si hay fuen- tes de distintas frecuencia o varias fuen- tes es necesario aplicar el principio de superposicién (un cileulo para cada fuente), teniendo en cuenta que si cam- bia la frecuencia cambia la impedancia de los elementos 4, Resolver el cireuito, 0 sea, obte- ner las respuestas necesarias aplicando cualquier combinacién de los métodos que se usan en DC para resistencias (equivalente serie, equivalente parale- lo, divisor de voltaje 0 corriente, The- venin, Norton, Mallas, Nodos, super- posicién, leyes de Ohm y Kirchhof") Los edleulos se hacen siempre con nii- ‘meros complejos. Es mas sencillo su- ‘mar impedancias en serie y admitancias en paralelo y estar cambiando de impe- dancia a admitancia. 5.Las respuestas como fasores se transforman a respuestas en el dominio del tiempo. KSte lo sates te EJEMPLO ( ¢ecquio' Ejenplo explicate sobre facores En el siguiente circuito se va a cal- cular la corriente en el condensador, el Voltaje en el bobina y las potencias apa- rente y activa de todo el circuito. CZ es el argumento de! nimero complejo en forma polar) | oovsenon' om % Lo primero es pasar a polar Ia ex- presién de la tension V,=100-sen( 101) & ¥,=100.20° Caleular impedancias para frecuen- cias de la fuente o = 10%! 1 year OMe or =32 fol =} wf) 04H =) 4290 Circuito para andlisis fasorial: a6 La corriente en el condensador se puede hallar: Aplicando la ley de Ohm: » 10 ZZ." Teecomya 16" “AM 1, =60.290°A El voltaje en la bobina se puede ha- Har por divisor de voltgje: y, Lette 00 Zr 140.290" 30 +40 ZetZi yee. 0" 4000250" Eth, 3a 4a 4001 200" + 9 AE) - s0 20 90° — 53,1" 5O.253.P ete eaal V, = 80V 2 36" Las respuestas obtenidas se pasan al dominio del tiempo. Te 604 ZI & i.= 6A Sen(104 + 90°) Vi, =807 290 & v, ~ 80V > Sen(10r +360) Como se conoce el voltaje de la fuente, para hallar la potencia necesi- tamos calcular toda la corriente que consume el citeuito, podemos hallar la impedancia equivalente del circuito y con la Ley de Ohm hallar la corriente total, 0 podemos caleular la corriente que va por la rama RL y sumaria a la corriente del condensador. De la segunda forma: Le 00. or ins6.0 [soz Zq-Z,+Z, QZ 31° Corriente en la rama RL: aot zor 53,0") In, = 204.2 ~ 53,1 Aplicando la Ley de corrientes de Kirchhoff: h + ex = OOALIO + 2042 ~53,1°Se transforma a cartesianas para su- mar las corrientes: To 0+ 60) In =12 = 164 p= po0d + 126A 12 phd = 4564078" En el dominio del tiempo: 45,64 + sen(10t + 74, 7) ‘Como el valor usado en la fuente es el valor pico, la respuesta de 45.6. es la corriente pico, para calcular las potencias se necesitan los valores efectivos: wor)? = 70.77 a= 84 p44 ve Potencia aparente del circuito S= Vago Lg = TW + 32,244 =2279,1 VA Potencia efectiva del cireuito : P=Vo' Ig" cos q q esl Angulo de fase entre el volta- je y la corriente, el dngulo del voltaje es 0° y el de la comriente es 74.7°, en- tonces: P=70.9V 32.244 c0s(74, 7) = 607.517 PRINCIPIO DE SUPERPOSICION Una vez-estudiadas la corriente con- tinua y la corriente alterna se debe va- lorar ia posibilidad de que en algin ci cuito se puedan presentar generadores de los dos tipos de corriente y para re- solver este problema se define el prin- cipio de superposicién. El principio de superposicién esta- blece que la ecuacién para cada gene- rador independiente puede calcularse por separado, y entonces las ecuacio- nes (0 los resultados) pueden acumu- larse para dar el resultado total. Cuan- do se use este principio de superposi- cién la ecuacién para cada generador se calcula con los otros generadores (si son de tensién: se cortocircuitan; y si son de corriente se dejan en circuito abierto). Las ecuaciones para todos los generadores se acumulan para obtener la respuesta final. A continuacién se muestra un ejemplo explicativo sobre este principio. Ejemplo de superposicion En primer hugarse calcula la tension de salida Vg, proporcionada por el generador V,, suponiendo que el gene- rador V, es un cortocircuito. A esta ten- sidn asi calculada la lamaremos V,, (cuando V, = 0) Seguidamente se calcula la tensién de salida Vy , proporcionada por el generador V,, suponiendo que el gene- rador V, es un cortocircuito. A esta ten- sidn asi calculada la llamaremos V,, (cuando V, =0) El valor de Vo sera igual a la suma de los valores V,, + V,, obtenidos ante- riormente TVA CIRCUITOS RESONANTES Un eireuito de resonancia esté com- puesto por una resistencia un conden- sador y una bobina conectados a una corriente alterna, Hay dos tipos de cit- cuitos resonantes; uno es el cireuito re- sonantes serie y el otro es el circuito resonante paralelo. Cuando a Ia entra a del circuito se le aplica una frecuen- cia el circuito reaccionard de una for- ma distinta, como ya se explicé ante- Para que la oseilacién de = un circuito LC nose amortigte, es trarle una energia exterior cuya tension tenga la misma frecuencia que la fre- cuencia propia del circuito, a esta fre- cuencia se la conoce con el nombre de 7. ELECTRONICA EN TRES PASOS frecuencia de resonancia. Cuando la frecuencia erece la reac tancia de la bobina aumenta, mientras que para el condensador disminuye, CIRCUITO RESONANTE SERIE LC La resonancia se describe breve- mente como un estado que existe cuan- do la reactancia induetiva y la reactan- cia capacitiva de un circuito en serie LCR son iguales. Cuando esto sucede, ambas reactancias se anulan y la impe- dancia de cireuito es igual a la resisten- cia, Por lo tanto la corriente encuentra oposicién solamente en la resistencia y si la resistencia es relativamente baja, puede fluir corrientes muy grandes. Sin embargo debe recordarse que ambas reactancia se anulan entre si solo por lo que se respecia a la oposicién de la co- rriente. Contindan presentes en circui~ to y , debido a la magnitud de la co- rriente que fluye cuando son iguales, cexisten cafdas de tensién muy elevadas encllas, Las dos caracteristieas por las que se identifica la resonancia en un circu to en serie LCR son baja impedaneia y corriente elevada, Xe =X, Circuito resonante serie Elcircuito resonante serie se emplea para eliminar la frecuencia de resonan- ‘cia de una mezcla de frecuencias, CIRCUITOS EN PARALELO LC Un circuito en paralelo LC consta de una inductancia y una capacitancia conectadas en paralelo a una fuente de tensién, Por lo tanto, el circuito tiene dos ramas: una inductiva y una capaci tiva en un circuito en paralelo ideal, queELECTRONICA EN TRES PASOS se consideraré aqui que no hay resi tencia en alguna de las ramas, Natural- mente esto es imposible pero en la prac- tica, la resistencia puede ser tan peque- fia, que se haga caso omiso de ella, Los circuitos en paralelo LC pueden tener més de una rama inductiva 0 ca- pacitiva o més de una de cada una de ella . Sin embargo una vez que estos circuitos se reducen a su equivalente de dos ramas, su andlisis es el mismo que el de un circuito en paralelo LC sim- ple, I “y as + ile Circuito resonante paralalo FILTROS Filtros: Un filtro permite transmitir una o mas bandas de frecuencia mien- tras rechaza las seftales que no se ha- len en dichas bandas. Los filtros pueden ser pasivos 0 actives. ~ Pasivos: Estin formados por com- ponentes pasivos R-L-C. ~ Activos: Estin formados por com- ponentes pasivos y componentes acti- ‘vos, como pueden ser TRT y los ampli- ficadores operacionales. Divisién de tos filtros en funcién de la frecuencia: -Paso- bajo: Se lama asi por que solo deja pasar la parte baja de la fie- cuencia, uF | “2nRC - Paso-alto: Solo deja pasar frecuen- cias superiores a un cierto valor espe- cifico. ~ Paso ~ Banda: Este tipo de filtro permite pasar una determinada banda de frecuencias, atemuando fuertemente las frecuencias situada fuera de la ban- da cuestiones. 1 1 = 7GRC, InR,C. : Eee - Filtro rechaza — banda: Rechaza las frecuencias de una banda seleccio- nada jee ben en oe po de itr para elminor lo frecuencie ue NO jrveresa Las caracteristicas mas importantes de los filiros son: Frecuencia de resonancia: Los circuitos oscilantes aciian como una resistencia éhmica cuando entran en resonancia, en esa sittacidn la reac- tancia capacitiva y la induetiva son iguales. 1 2nV LC Ancho de banda y calidad: Es la di- ferencia entre las frecuencias para las que las curvas de resonancia a dismi- nuido en un 70% del valor méximo. Ay=h hi Calidad: Cuanto mayor es la anchu- ra de banda de un circuito oscilante a ‘una determinada frecuencia, tanto me- nor ¢s la calidad de ese citcuito osci- lante. tn Q rr Octava: Se dice que las frecuencias fly £2 estin separadas una octava cuan- Década: Dos frecuencias f1 y £2 tie- nen una separacién de una década de Lig fi Frecuencia de corte: Es ta frecuen- ia a la que se produce una atenuacién de 3db que corresponder una ganan- cia de 0.7. Aqui se proponen unos modelos que se estudiaran més adelante. Filtros activos: Para mejorar el ren- dimiento de las R-C pasivas es preciso atacarles con una impedancia alta en la salida. La primera solucién para mejo- rar el comportamiento de los filtros es utilizar el amplificador operacional en cl montaje del seguidor emisor. —. mHPaso alto practico He Paso alto, Paso alto practico eS pins > yale ee Paso banda practico eft SEMICONDUCTORES Antes de abordar de Ileno el es- tudio de componentes activos, se debe hacer una pequefia introduc- cién sobre su comportamiento inter no, es decir, sobre sus caracteristi- cas fisicas, Este estudio que aqui se expone es solo una pequetia intro- duceién que se puede ampliar en el CD adjunto. Para comenzar el estudio hay «que hablar de los materiales semi- conductores que se utilizan en la actua- lidad para ta fabricaci6n de los distin- tos dispositivos. El material semicon- ductor por excelencia en Ia actualidad es el silicio, aunque también hay otros como el arseniuro de galio (GaAs) que tienen una gran importancia para dis- A] ‘ae Los semiconductores son unos caprichosos y sélo conducen para ciertas condiciones. Apréndetelas, positivos de caracteris- ticas especiales (para Q alta frecuencia, disposi- tivos optoelectronicos,...) el selenio, el germanio, el seleniuro de cine y el teluru- ro de plomo. Las razones principales para el uso del silicio son, la abundancia con la que se encuentra en Ia naturaleza (arena de ccuar70), las facilidades para su manejo y ptocesamiento, ademas de su carac- teristicas eléotricas muy estables. -9- ELECTRONICA EN TRES PASOS INCREMENTO DE LA CONDUC- TIVIDAD EN LOS MATERIALES El incremento de la conductividad provocado por los cambios de tempe- ratura, la luz.o las impurezas se debe al aumento del nimero de electrones con- ductores que transportan la corriente elécttica. En un semiconductor caracteristico © puro como el silicio, los electrones de valencia (0 electrones exteriores) de un dtomo estn emparejados y son com- partidos por otros tomos para formar un enlace covalente que mantiene al cristal unido. Estos electrones de valen- cia no estén libres para transportar co- rriente eléctrica. Para producir electro- nes de conduccién, se utiliza la luz 0 la temperatura, que excita los clectrones de valencia y provoca su liberacién de los enlaces, de manera que pueden transmitir la corriente. Las deficiencias co huecos que quedan contribuyen al flu- jo de la electricidad (se dice que estos huecos transportan carga positiva). Este es el origen fisico del ineremento de Ia conductividad eléctrica de los se- miconduetores a causa de Ia fempe- ratura. El dopado es otra forma de obtener electrones para el transporte de electri- cidad que consiste en aftadir impurezas al semiconductor. La diferencia del ni- mero de electrones de valencia entre el material dopante (tanto si acepta como si confiere electrones) y el material re- ceptor hace que crezca el mimero de electrones de conduccién negativos (tipo 1) 0 huecos positives (tipo p). Eneste momento se puede hacer una clasificacion segiin sea el tipo de mate- ial semiconductor: -Semiconductor intrinseco, formado exclusivamente por étomos de un mismo elemento, es un semicondue- tor puro, es decir, no ha sido dopado con impurezas ni aceptoras ni donado- ras lo que quiere decir que su estructu- ra cristalina es totalmente homogénea. Semiconductor extrinseco, es un ‘material semiconductor puro al que se Ie introducen de forma controlada (do- pado) impurezas donadoras (étomos {que ceden electrones libres} o impute~ELECTRONICA EN TRES PASOS 7as aceptoras (étomos que “generan” un hhueco ') Fig. 1 material semiconductor (S)) dopado ‘con impurezas donadoras (P) Cada dtomo de silicio tiene cuatro electrones de valencia. Se requieren dos para formar el enlace covalente, En el silielo tipo 7, un atomo como el del fosforo (P), con cinco electrones de valencia, reemplaza al silicio y propor- ciona clectrones adicionales. En el sili- clo tipo p, los atomos de tres electro- nes de valencia como el aluminio (Al) provocan tna deficiencia de electrones ‘o huecos que se comportan como elec- trones positivos. Los electrones 0 los huecos pueden conducir la electricidad, Fig.2 Silicio tipo P y silicio tipo NV separa- dos Se pueden introducir ahora algunas caracteristicas importantes de la unién semiconductora - Concentracién volumétrica de portadores libres, esta cantidad es la [.- Para un estudio detallado de este apartado cconsiltese CD adjunto. «que indica si el material tratado es con- ductor, semiconductor 0 aislante - La conductividad eléetrica, que es la capacidad de conducir la corrien- te eléctrica cuando se aplica una dife- rencia de potencial, es una de las pro- piedades fisicas mds importantes. - La movilidad, es la capacidad que tienen los portadores de carga para desplazarse dentro del material semi- conductor. Esta propiedad varia con la temperatura de forma inversamente proporcional, La ecuacién que une es- tas definiciones es: ore gu Donde -c es la conductividad expre- sada en (1/W em) - ces la concentracién volumétrica en cm? ~ qes la carga del electrin que es 1,6:10°C ~ mes la movilidad de los portado- res en A temperaturas muy bajas, los se- miconductores puros se comportan como aislantes. Sometidos a altas tem- peraturas, mezelados con impurezas 0 en presencia de luz, la conductividad de los semiconductores puede aumen- tar de forma espectacular y llegar a al- canzar niveles cereanos a los de los meiales. Antes de definir las ecuaciones que relacionan todos estas coneeptos de dopado, es importante definir unos con- ceptos basicos para la correcta interpre~ tacién del funcionamiento interno del material -Portadores mayoritarios y porta- dores minoritarios, en el caso de un semiconductor tipo n, los eleetrones son ‘mayoritarios y los huecos son minori- tatios, y al contrario sucederd en un se- miconductor tipo p. Semiconductor tipo n=p+N3=p+N, - en el caso de dopado tipo n la eon= centracién de impurezas sera mucho: mayor que la concentracién intrinseca del material luego : -10- n=N, De forma idéntica se obtiene para el semiconductor tipo p PEN, 1n—numero de electrones libres p—numero de huecos = concentracién de impurezas aceptoras en el semiconductor N= concentracién de impurezas donadoras en el semiconductor N5- concentracién de impurezas donadoras ionizadas En un semiconductor is tiene la misma cantidad de electrones que de huecos, por lo tanto: n=p=n, ~ €§ la concentracién intrinseca del material trinseco se INTRODUCCION A LA UNION p-n Justo a partirde este momento se van a unir un semiconductor tipo n con uno tipo p, lo que dari lugar a una unién p-n que es lo que se muestra a conti- nuacién: SOS" [O]Q]o- O- O- 'O'O* |0/O|O- o- o- |e*0*O+ JO/o|o-o- o- Fig. 8 Silicio tipo p y silicio tipo n unides. UNION p-n en equilibrio Una vez producida la unién de los dos semiconductores, los electrones li- bres del semiconductor tipo n, eruzan la unién y se recombinan con los hue- 0s libres del semiconductor tipo p, ast mismo, los huecos libres del p pasan al n para recombinarse, En este proceso de unién de semiconductores extrinse- cos, existirdn las siguientes corrientes de recombinacién: la de electrones que pasa dena p, y la de huecos del p al n. Una vez conseguido el equilibrio, es- tas corrientes ya no existirin teniendo por tanto una corriente nula, Segiin este proceso, la zona n proxi ma a la unién ha perdido electrones y por tanto queda cargada positivamen-te, De igual forma la zona p proxima a Ja unién ha perdido huecos, con lo que queda cargada negativamente. ‘Al quedar la zona n préxima a la unién cargada positivamente, rechaza~ ia los huecos de la zona p que qui ren atravesar Ia unign. Exactamente igual la zona p préxima a la unin im- pedira el paso de los electrones prove- nientes de la zona n, es decir egamos a la conclusién anterior de una unién en equilibrio. A esta zona préxima a la unién me- talirgica en ambos semiconductores se le denomina zona de transicién y es donde se producen los cambios de po- tencial de una zona a otra, donde se acumula la carga eléctrica, y donde se crea el campo eléctrico, Existen varios tipos de uniones para los. dos tipos de semiconductores, se deben tener en cuenta estos tipos de uniones segiin su perfil de concentra~ cién de impurezas. Se pueden dar: = Union abrupta "a" - Union lineal o gradual " - Union real "c" En las siguientes figuras se muestra una unién p-n con sus concentraciones 2 ambos lados de la unién, asi como también los tres tipos de uniones que se pueden dar. Aqui se debe observar que tanto la unién "a" como la"b" son aproximaciones teéricas a la real "c" utilizadas para el estudio tedtico ? =D Fig. 4 concentracién de impurezas en una unién pa Zona P 2 Para mayor informa consiltese CD adjunto. Fig.6 Tipos de uniones a) unién abrupta b) unién gradual c) unién real En la mayoria de los casos se hace un estudio de la unién abrupta o de la gradual de la unién p-n. POLARIZACION DE LA UNION p-n Una unién p-n se puede polarizar en directa (V>0)0 en inversa (V<0).Como se puede ver en las siguientes grificas Pay pole] sb Fig. 6 Polarizaciones de la unién a) directa ) inversa Segiin este polarizada la unién va- riardn sus caracteristicas de una forma otra, A continuacién se hace un breve resumen de los fenémenos que ocurren al polarizar tanto en directa como en inyersa, ademas de introducir algunos nuevos conceptos. En directa nin eae mares) Gh Como se puede apreciar en la fig. 5 existe una diferencia de potencial entre las dos partes del semiconductor, a este potencial se le denomina potencial de contacto. Cuando polarizamos en directa (V>0), se esta apli¢ando un campo ex- terno opuesto al interno Io que tiene ‘como consecuencias: 100mV ae . En esta parte del tema se va intentar explicar, lo mas _detalladamente posi- ble, y de forma cualitativa el fanciona- ‘miento interno de un BUT polarizado en la regi6n activa tipo pnp, de forma ana Joga se realiza el estudio del transistor npn. Componentes de corriente de un transis {or pnp funcionando en ta regién activa Como se puede ver en la figura ten- dremos una corriente de emisor, el que produce el paso de una gran cantidad de huecos desde el emisor al colector por lo tanto aparece una corriente en este sentido, Una parte de estos huecos (minoritarios en la base) se recombinan en la base con electrones presentes que son mayoritarios en esta region. Esta recombinacién hace que se cree una corriente en sentido contrario a la di: reccién de los electrones en la bases» Pero la hora de la fabricacién de BITS se intenta que se produzca la menor re~ combinacién posible en la base hacien- do asta lo mas estrecha posible. En el colector que esta polarizado en inverso atrae los huecos que pasan a la zona de colector credndose asi la corriente Ie. ‘También se producen de forma pa- ralela a la cortiente anterior, la genera~ cién térmica de electrones en la parte del colector que pasan hacia la base creando asi una corriente Ib3. Ademis existe el paso de electrones de la base al emisor que produce tam- ign una nueva corriente Ibl Resumiendo lo que ocurre dentro del BIT polatizado en activa y fijandonos en la figura podemos concluir: le=lep + len Ie=Iep + fen Te un poco mayor que Ie por la recombinacién que se produce en Ia base. Ib = IbL+1b2-1b3 Ib << Ie 6 Te Las principales aplicaciones de un fen Directo actuo como ura fuente de corriente controlada por corviente. tiva son para amplitice dores de sefial lineales y operacionales, porque en esta regién tienen mayor ganancia de seal y menor distorsién. -16- FUNCIONAMIENTO EN SATURA- CION Saturacién, para este funcionamien- to B-E en directa y B-C en directa. La VBE y le VBC tienen tensiones supe- riores 100mV. Vac | aac te vee t - En este caso en la unién C-B se n inyectando huecos desde el colec- tor hacia el emisor que se opone al paso de huecos de emisor /p a colector ex- plicada anteriormente lo que puede pro- ‘vocar bajo determinadas circunstancias, una corriente de emisor negativa. Si- multineamente, y como se ve en la fi- gura, se inyectan una gran cantidad de electrones de la base al colector, al con trario que sucedia en la zona activa. Componentes de corriente de un transis- tor pnp ideal tuncionando en la region de saturacion En conclusién: jepHen b1-+1b2-1b3 como 1b3 ha au- mentado considerablemente pode- mos decir que la corriente de base se hace mucho mayor que en la regién. activa. La corriente de emisor podria ha- cerse negativa, bajo condiciones ade- cuadas, Este tipo de region de polarizacién se utiliza en transistores diseftados paracircuitos légicos donde acttian como conmutadores. FUNCIONAMIENTO EN CORTE Corte se debe dar B-E inversa y B- Cen inversa. La VBE y la VBC tienen tensiones inferiores a 100mV. ars : ‘Aunque pueda parecer contrario a la propia definicién existen corrientes in- ternas en el BIT cuando esta polariza- do en corte. Como se aprecia en la figura tendre- mos una corriente Te generada por elec- trones minoritarios creados térmica- mente en el emisor y que pasan hacia Ta base, Iuego la le sera negativa, Enel colector también se crean elec- trones témicamente aunque en mayor ‘numero que en el emisor, lo que produ- ce una corriente de colector positiva. Estas dos corrientes de emisor y de colector producen una corriente de base negativa. vee tn +) Componentes de corriente de un transis~ tor pnp ideal funcionando en la regién de corte. Se suelen utilizar transistores pola- rizados en corte como conmutadores en circuitos légicos, asociados con transis- tores polarizados en la regién de satu- racién, Tes estes mas import enoireuitor de interface y compatadores Son los de corte y saturecign FUNCIONAMIENTO EN ACTIVA INVERSA. Se da la polarizacién siguiente: B- Een inversa y B-C en directa En este caso Ia polarizacién llega a producir una inversién en el funciona- miento del transistor con respecto a la polarizacién en directa. Asi tendremos que, lep, Ien, Ten Iep son negativas, Ib2 es muy pequefia en comparacién con Ibl ¢ 1b3, ademas IbI e 1b3 también son negativas y Tb3< 0. Componentes de corriente de un transis- tor pnp idea! funcionando en la region ac- tiva inversa EL uso mas frecuente de esta regién de funcionamiento es en cireuitos de logica digital en los que la ganancia de sefial no es un objetivo prioritario, ‘Transistor en conmutacion ao + | 7 ty — a "|. H0v Te] S1kQ Ip J 10 ks am | —w— Figura 5. Estudio del transistor en conmu- tacién. -1- ELECTRONICA EN TRES PASOS El transistor en conmutacién tiene ‘usos variados aunque el mas extendido sea para sistemas digitales en los que se busca conseguir estados diferencia- bles entre si, Seria el caso de buscar el estado en corte y otro en saturacién... ‘Vamos a analizar detenidamente el comportamiento del cireuito de la Fig.5 = Interruptor abierto (posicién 1) Caso ideal 0 0. CORTE (el transistor no con- duce) luego Vy, = 107 Visa = Ver Corte tenemos J-=0 - Interruptor cerrado (posi- cin 2). Caso ideal. V atax= 0 Foxe ‘Tomamos como suposieién zona de saturacién: 1e0 con npn 0 f,<0 con np esta en activa si no se cumplen es- tas. condiciones el transistor esta pola- rizado en saturacién 0 en corte. Supo- ner que se cumple ~Calcular Vce mediante Jc =B y = Se comprueba que Ver 2 Versa (npn) 0 Vcr < Vee, (pnp) porque si no se cumplen las condiciones expues- tas el transistor esta polarizado en sa- turacién. Si se cumplen las condicio- nes se ha comprobado que estamos en activa y los datos obtenidos son correc- tos.ELECTRONICA EN TRES PASOS Pasos a seguir si el transistor esta en saturacién = Suponer saturacion: Vie=Vae, ¥ a=V cen - Caleular Tb Si Ib>0 (npn) 0 1b<0 (pnp) segui- ‘mos en saturacin si esto no se cumple estamos en corte o en saturacién inver- sa, Suponer que se cumplen las condi- ciones. = Caleular Te ~ Si 1e>0 (npn) o le<0 (pnp) segui- ‘mos en saturacién ,si no se cumplen estas condiciones el transistor acta como dos diodos en directa. Suponer las condiciones. = Comprobar Ie<= lb (npn) 0 1c>=BIb (pnp). Si se cumplen las con iviones estamos en saturacién si no se cumplen el transistor esta en Ia zona activa Estos pasos se van a seguir en el guiente ejemplo (Aparecen muchos mas ejemplos en CD adjunto) Ejemplo: Cuales son los voltajes y corrientes, en el siguiente circuito de polarizacién fija: Ry =200K R, K p=100 a” Vang 0 VerVar, 10v -0.7v = 9.3 1, =Ipg = 9.3 / 200K) = 46.5 WA Se calculan corrientes de colector y emisor: Te=B Ly ~10046,5p4=4.65nd Te =1e =4.65mA Se analiza la malla de salida: [PRe>WOR: | Método aproximado, Veo ~ Vac ~ Vee Ve Le" Re~4.65mA 1KQ=4,65y Ve ce Vac ™ Iv 4.650 = 5350 Como consecuencia el diodo BC «queda en inverso: 0.7v 5.359 =~4.650 Vaor¥—Ve= Algunos ejemplos de las distintas configuraciones para el andlisis en continua de los transistores bipolares IMitods exacto | BR ZIOR, | RV oe YR ER, RR | [Rw R, ee, | Vy ~ 07 | “igs @ DR ‘co Tele * Be) Vo Vex Vy roe VyaVa +00 Vo=Ve Vs Ne=do= Vin 009 Re VenVex~ Ie’ Re Vio # Te" Re Ner=VeCOMPORTAMIENTO EN PEQUENA SENAL DEL TRANSISTOR BIT En esta parte se va a considerar al transistor como un amplificador de se- fiales de pequefia amplitud, intentando a su vez creat la minima distorsién po- sible. Para este caso conereto se suele uti- lizar una configuracién de emisor co- min como la que aparece en la Fig. aunque también se describirin las con- figuraciones de base comtin y de co- lector comin, E Fig.6 Esquema de un amplifcador con tran sistor bipolar Para resolver este tipo de circuitos se sigue el siguiente criterio: I- Andlisis de circuito en corriente continua Aqui se obtienen los parémetros ti- picos del transistor, es decir, el punto de trabajo Q (VD, asi como el resto de valores. Para este paso anulamos la fuente de corriente altema y suponemos que los condensadores son un circuito abierto. alterna ‘Se supone en cortocireuito la fuente de corriente continua y suponemos los condensadores cortocircuitados. indlisis de circuito en corriente En este punto debemos diferenciar los parimetros de continua y su nota- cién y los nuevos pardmetros que se van a obtener en pequefla seftal y baja fre~ ccuencia, i, intensidad de base para corrien- tealtema 4. intensidad de colector para co- rriente alterna ig “I+ i, intensidad total debida a la corriente continua mas la alterna El transistor que aparece en la Fig. que esta en el circuito es equivalente a un modelo que aparece a continuacién llamado modelo hibrido. Fig.7 Circuito equivatente del transistor de laFig. 6 Parametros hibridos Mee 7, Resistencia interna del ® diodo base-emisor Ale he = 77 ganancia en corriente * alterna 1 -4u he = Ayg _Banancia inversa de tension h-fle “Fy, admitancia de salida del transistor ELECTRONICA EN TRES PASOS canal se unen a terminales D(drain, dre- naje) y S (Source, fuente), el cinturén se une al terminal G (Gate, compuer- ta). Fig.8 Representacién esquemética de un ispositvo de efecto de campo i Je Fig. 10 Estructura idealizada de un JFET 'o Punlo do estrangulamienio \ | Aproximadamente hovizontal 1 para Uy > Venu Fig & Los tres modelos de configuracion. Emisor comin , base comin y colector comiin 0 seguidor de emisor. ‘TRANSISTORES FET ELFET es un transistor de efecto de ‘campo. Esta formado por una zona de semiconductor n o p que es la parte lla- mada canal, tiene un cinturén 0 estre- chamiento del otro tipo de semiconduc- torn o p segiin sea la primera parte ele- gida en su fabricaci6n, los extremos del -19- El funcionamiento de este tipo de transistor se puede explicar casi en su totalidad en funcién de los electrones que fluyen desde la fuente al drenaje. La fuente recibe este nombre ya que los portadores que contribuyen a la corriente se desplazan desde el exterior hacia la parte interna del semicondue- tor a través de este contacto. El drenador recibe este nombre porque es por este contacto por donde salen los portadores del semiconductorELECTRONICA EN TRES PASOS La puerta, a su vez , recibe este nombre por su accién de control o com- puerta ‘TRANSISTORES MOSFET EIMOSFET es un transitor de efee- to de campo. Un MOSFET es un cor densador MOS que tiene pegados a sus lados dos uniones p-n, estas uniones estan junto a la regién del semicondue- tor en el que el MOS hace de compuer- cc LEE Fig. 12 Representacion esquermética de un transistor MOSFET. I | Yocrcene Fig. 18 Representacién de la caracteristica LV de un MOSFET. El funcionamiento de este disposi- tivo viene definido por el flujo de por- tadores, que entra en el por la fuente (S), salen por el drenaje (D) y estén controlados por la puerta (G). Como se puede comprobar algo parecidoa lo que ocurre en el JFET la diferencia radica en la fabricacién y el funcionamiento interno de los dispositivos, Moser “f CANALN Fig. 14 Representacién dentro del ciroulto do los transistoras FET y MOSFET RECTIFICADORES Se va a realizar aqui una introduc~ cién a.una de las aplicaciones para dio- dos mas comunes como es la rectifiea- cin de una sefal, es decir, et paso de corriente alterna a corriente continua. sks aceasta —— Para poder @ determinar las senales de salida respecto de tas de entrada (altema) se ll > van a introducir aqui ciertos conceptos: Factor de forma, es una relacién eenire el valor eficaz total de una mag- nitud ondulada y su valor medio Ve f v, -Factor de rizado, relacién entre el valor eficaz de la ondulacién exclusi- vamente y su valor medio, Vesont Foot Fy= Estas dos expresiones se relacionan mediante la expresion: Fr=1t Fr Se debe tener en cuenta que la ten- sién de entrada (alterna) seré el valor cficaz. de la tensién entre sus extremos, y que la tensi6n a la salida (continua) serd el valor medio de la tensién. En este caso se van a tratar tres ti- pos de rectificadores: rectificador de media onda, rectificador de onda completa y rectificador mediante puente de diodos. CIRCUITO RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA. El rectificador de media onda gene- ralmente se usa s6lo para aplicaciones de baja corriente, o de alta frecuencia, ‘ya que requiere una capacitancia de fil- trado mayor para mantener el mismo -20- voltaje de rizado que un rectificador de onda completa oe NUN2 220v bo H2 Fig. Rectificador de media onda ho AS Fig, 2 Reprosentacién defo que ocurre con la onda de entrada. V Resolviendo el rectificador de la Fig.1 tenemos: CIRCUITO RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA D 1 NEN2 ve | Sr Fig. 9 Rectiticador de onda complota, Ay. Was Fig.4 Representacién de lo que ocurre con Ja onda de entrada RL =1K, N2=9.NI=I Ahora se resuelve de forma esque- mittica el circuito de la fig.3 como en el caso anterior. Vnu == 3 oo 34sv =Veytenemos segiin la Figura.3 que 345 pero en este caso aunque los datos pa- recen distintos el resultado es el mis- 17.25 =1098 1 Al conectar un condensador en pa- ralelo a la salida la sefal de salida se aproxima mas a una sefial continua, y seré tanto mas lineal cuanto mayor sea la capacidad que se conecte. CIRCUITO RECTIFICADOR CON PUENTE DE DIODOS Mediante el uso de 4 diodos en vez, de 2, este disefio elimina la necesidad de la conexién intermedia del secunda- rio del transformador. La ventaja de no usar dicha conexién es que la tensién en la carga rectificada es el doble que la que se obtendria con el reetifieador de onda completa con 2 diodos. La diferencia més importante es que la tensién inversa que tienen que sopor- tar los diodos es la mitad de la que tie~ nen que soportar los diodos en un rec tificador de onda completa con 2 dio- dos, con Io que se reduce el coste del cireuito, A continua- eltuncionamien 6) i to y el resultado de este rectificador. ‘oscilador es un’ circuito que preduce una Sefal de c.a de une ‘frecuencia especificg, Para comenzar ‘este tema, se va a defi- a nir un oscilador senoi- @B B> A: , puesto que es ese tipo de onda la que mas nos interesa en nuestro estudio. Existen otro tipo de ag > ea z Semiciclo postwo Conducen 02, 03 Abietos D1, D4 Semicilo Negatvo Conducen D1, D4 Abiertos 02, D3 Pg Rrcttcacn poor oe eos ondas también muy utilizadas como la onda cuadrada(funcién de reloj) y Ia onda en forma de sierra Un oseilador senoidal es un com- ponente electrénico formado basica- mente por un amplificador realimenta- do disefiado para que la sefial ala sali- da sea lo mas perfecta posible (onda senoidal). Es decir se busca que la se- fial ala salida solo contenga la frecuen- cia fundamental, los cireuitos pricticos pueden generar aproximaciones razo- nables que resultan adecuadas para la mayor parte de las aplicaciones. Un oseilador es por tanto un ampli- ficador inestable, pero que sélo es ines- table a una frecuencia, Esa serdi su fre- cuencia de oscilacién. El componente activo que se usa como amplificador es, normalmente, un transistor como un FET, un transistor bipolar o un transistor integrado, La frecuencia con la que se opera viene determinada, en la trayectoria de realimentacién, por un circuito apropia~ do o por un cristal. De esta manera se obtienen los distintos tipos de oscila- dores, -21- ELECTRONICA EN TRES PASOS VE VN fN_,. Antes de describir los distintos os- ciladores se debe introducit un concepto baisico para este estudio. Criterio de Barkhausen este crite- rio nos indica las condiciones que debe curmplir el sistema para poder oscilar y darnos asi la onda alternante que bus- camos. -El desplazamiento de fase a través del amplificador y de la red de reali- mentacién debe ser de 360”. -Las ganancias del amplificadory de aed de realimentacién deben ser igua- lesa la unidad, Esias dos condiciones se expresan en el criterio de Barkhausen. En el que Ja expresién T+ ap debe cumplir que 46-1 Este tipo de circuitos osciladores se uusan para: establecer la frecuencia de la portadora, para rechazar frecuencias de arménicos indeseables, para excitar las etapas mezcladoras... en los dist tos componentes utilizados en electrs- nica de comunicaciones.ELECTRONICA EN TRES PASOS TIPOS DE OSCILADORES OSCILADOR DEL TIPO RC Este tipo de oscilador se conoce tam- ign como oscilador de cambio de fase, Son generalmente construidos con un amplificador (FET) seguido de una red R-C que hard el desfasaje necesa- rio en la salida hasta cumplir con la condicién de estar en fase con la entra- da, Esta red tiene el inconveniente de poseer una considerable pérdida de po- tencia, por lo que debe ser recuperada on un amplificador. La frecuencia de oscilacién viene dada por la expresién: condensadores en serie, actian como un solo condensador en lo que se refiere al circuito resonante LC, la derivacién central (la conexibn entre los dos con- densadores) proporciona la rama de rea- limentacién para el emisor del transis- tor, La capacitancia total para este os- cilador se caleula: cue, Ci +6, Eloseilador Hartley es un disposi- tivo de inductancia dividida. Y su is ductancia total viene expresada de la forma: Ly +h, +E 1 poe anol OSCILADOR DEL TIPO LC Dentro de este apartado tenemos dos tipos de osciladores importantes llama- dos oscilador Colpitts y oscilador Har- tley. El oseilador Colpitts es un dispo- sitivo de capacitancia dividida, los dos +E Oscilador Colptis Oscilador Hartley La frecuencia de estos dos tipos de osciladores viene dada porla expresién: 2n-ViC OSCILADOR DE PUENTE DE WIEN En este caso el elemento activo es un amplificador operacional. La frecuencia de oscilacién o de re- sonancia es: 1 2n RC OSCILADOR DE CRISTAL I cristal de cuarz0 esutilizado como componente. de control de la frecuencia de cireuites EI oscilador de G evista sun tipo deos ray cilador que wliza en a Bo @ cealimentacion un cris- tal, normalmente de cuar- 20, por sus mejores caracteristicas a la hora de estabilizar la sefal de frecuen- cia, Por lo tanto se utilizan en sistemas donde la precision de la oscilacién es ‘muy importante como en sistemas eleo- trénicos de navegacién, transmisores y receptores de radio y television, relo- Jes para sistemas de computacicn,... ete oe ee Equivalencia del cristal Cireuito con un cristal €en ls reatimentacion OSCILADOR ENGANCHADO EN FASE PLL El oseilador enganchado en fase es un sistema de realimentacién consisten- teenun compador de fase, un filtro paso bajo, un amplificador de la seftal error y un oscilador controlado por tensién (VCO) en el camino de la realimenta- cin UTILIZACION DE LOS PLL’s * Sintetizador bisico Sintetizador del tipo “down conver- ter” Sintetizador del tipo “prescaling” * Divisor programable de doble modu-Jo, Se usa en sintetizadores de VHF de logica convencional, « Sintetizador de HF. Receptores mo- demos de alta frecuencia, ‘* Barrido horizontal de la televisién. El uso de PLL’s ajusta tanto la frecuen- cia como la fase para una optima vi- suallizacion. ‘+ Recepeién de seftales via satélite, Tanto en sistemas embarcados como en receptores terrestres. * Modulador de frecuencia ‘+ Modulador de fase. + Receptor homodino y sincrodino. Pri- mer uso conocido de los PLL’s don- de realiza una funcién de recepeién sincronia de una sefial de radio mo- dulada en AM. REALIMENTACION Ta realimen- tacién es un con- cepto ligado a la amplificacién, La realimenta- cién, en los amplifica- dores, consiste en tomar tuna muestra de tensién o de corriente a la salida y reenviarla, a través de una red apropiada, ala entrada, En la entra- da esta sefial de realimentacién se com- bina con la sefial de entrada mediante una red sumadora 0 mezcladora. Con Ia realimentacién se consigue estabilizarla ganancia, la resistencia de entrada, la resistencia de salida y el an- cho de banda, aunque el fin més im- portante sera Ia estabilizacién de la ga- nancia. Eneste punto vamos a introducir los parimetros que caracterizan a un am- Gananeia de tensin, Gananeia de corriente Ganancia de potencia. ‘Transconductancia, Transimpedancia. Ra Resistencia a la entrada. Ri =~ vs Resistencia ala salida, Ro =~ Por lo tanto como la realimentacién depende del tipo de amplificacién en este punto vamos a deseribir los distin- tos tipos de amplificacién que podemos tener. TIPOS DE AMPLIFICACION Como uno de los fines de la real mentaci6n es lograr estabilizar la ga- nancia, es conveniente hacer referen- cia a los diferentes tipos de amplifica- dores que se pueden presentar tenien- do en cuenta la combinacién de sefia- les de entrada y salida y las impedan- cias de entrada y de salida con respecto alas impedancias de fuente y carga. Unamplificador que rectbe una se- fal de voltaje como entrada debera te- ner una resistencia de entrada muy alta, de modo que el consumo de corriente de la fuente de sefial sea minimo. Si recibe sefiales de corriente como en- trada deberd tener una resistencia de entrada cero como condicién para de- sarrollar una caida de voltaje minima a través de sus terminales de entrada Si la salida es voltaje, un amplifi- cador ideal deberd tener una resisten- cia de salida pequefia de manera que e! oltaje a circuito abierto que produce ELECTRONICA EN TRES PASOS aparezca totalmente a través de la car- ga, Si la salida es corriente deberi te- ner una resistencia de salida alta de manera que mantenga su corriente de salida independientemente de la carga. Por tanto los amplificadores se cla- sifiean en: 1, Amplificadores de tensién, en la practica este tipo de amplificadores es- an formados por amplificadores ope- racionales integrados. Este amplifica- dor tiene como cireuito equivatente: 4. Ro gry [+ em v2 tp av En este caso la A es la ganancia de tension A, 2. Amplificadores de corriente, para este tipo de amplificacién se usan habitualmente transistores bipolares. En este caso la A es la ganancia de corrien- ted. 3. Amplificadores de transconduc~ tancia también conocido como conver- tidor de tensién-corriente, este tipo de amplificadores usa en la practica tran- sistores FET en todas sus versiones. En este caso la transconductancia es G.. 4, Amplificadores de transimpe- dancia o convertidor corriente-ten- sidn, En este caso el pardimetro que de- fine este tipo de amplificadores seri Re Podemos resumir a continuacién las caracteristicas de los distintos tipos de amplificadores comparando sus resis- tencias de entrada y salida, asi como sus ganancias. plificador. Tipo de Resistencia de | Resistenciade | Ganancia amplificador entrada salida at ei Tension 0 0 eam Corriente 0 © @e, or va |e, bx | |Transconductancla a @ L=G,7% iE Transimpedancia 0 0 eR Valores ideales de las caractersticas de las distintos ampiticadores 2BELECTRONICA EN TRES PASOS REALIMENTACION, Como ya se explico anterior- mente Ia reali- mentacién consiste en tomar una mues trade tensién o de co- rriente a la salida y reenviarla, a través de una red apropiada, a la entrada. En este punto debemos distinguir entre dos tipos de realimentacidn segin a la terminal a la que se envia la mues- tra de salida, tipo de realimentacién la muestra se teenvia al bome positivo de la entrada del amplificadar. entrada A B sed de reslinentacion, - Realimentacién negativa. Eneste tipo de realimentacién la muestra se reenvia al borne negativo de la entrada del amplificador. entrada soli, A 8 ved ds reslimontacion también hemos citado alguna de las ventajas como: ~ Desensibilizacién, La funcién de transferencia del sistema amplifieador, depende «menos» de las variaciones de Jos parimetros tecnoligicos del propio sistema. ~- Reduecién de la distorsién; La fun- cién de transferencia depende «mas» de elementos lineales - Aumento del ancho de banda ~ Permite modificar las impedancias de entrada y salida: - Reduccién de la distorsién, del rui- do térmico y de las interferencias. Pero también tiene ciertos incon- venientes: -Reduce la ganancia del sistema amplificador: Se puede evitar aumentando el ni mero de etapas amplificadoras. -Puede «dlegeneram» en un sistema inestable: Al introducir una muestra de la se~ fal de salida en fa entrada, si varfa la fase de la sefial de salida, puede aumen- tarel efecto que deseamos eliminar, le- vando al sistema a puntos de trabajo inestables La expresién que define de forma PS 7 a Re 40 a general la gananeia de un amplificador realimentado es: A — + At 174 : yi AB>L entonees 4f=7 4 En estas expresiones, A representa las posibles ganancias del amplificador sin realimentacién; B es el factor de la red de realimentacién; A, representa la ganancia de realimentacién obtenida con el sistema. Aqui se muestran los diferentes ti- pos de amplificadores realimentados y @ continuacién un resumen de lo que ‘ocurre con sus caracteristicas ideales. Soe Or si be | brn Realimentacién Intensidad-serie Pah] F Realimentacién tensién-serie h Fa i Pu ete om Realimeniacién tensién-paralelo ‘ealimentacién intensidackparalelo En esta tabla se muestran los distintos tipos de realimentaciones, sus usos mas frecuentes, asi como un adelanto de cémo se representa el amplificador general- ‘mente. Un triangulo con dos entradas y una sola salida amplificada. sineearmanacion lteadores| emprador oo ate ere ? “ove =e Restimenacin Neon FealeonacnFeciies OnbleResimertaiin ‘ectotores ‘entree ‘Sri Arpieacies| vee demohumercacon -veo “brosTIPOS DE REALIMENTACION Tensién intensidad Tension | Intensidad serie serie paralelo paralelo Tipo de | Ampliicador | Amplificador de _| Ampificador de | Amplificador amplificador| de tensién | transconductancia| transimpedancia| de corriente que se mejora Resistencia | Aumonta ‘Aumenta inuye | Disminuye de entrada Resistencia | Disminuye | Aumenta Disminuye | Aumenta de salida ‘Ancho de | Aumenta ‘Aumenta ‘Aumenta | Aumenta banda AMPLIFICADOR de una sefial. Los amplificadores li DIFERENCIAL les incrementan la sefial sin distorsio- En primer lugar vamos a dar una definicién intuitiva sobre el concepto de amplificador. {Qué es un amplificador? Un amplificador es un dispositive para aumentar fa amplitud, 0 potencia, de una sefial eléctrica Se utiliza para ampliar la trica débil captada por la antena de un receptor de radio, Ia emisién débil de una célula fotoeléctrica, la corriente ate- nuada de un circuito telefénico de lar- ga distancia, la seftal eléctrica que te- presenta al sonido en un sistema de megafonia y para muchas otras aplica~ ciones. Un dispositivo de amplificacién de uso muy comin es el transistor. Las pequeftas variaciones en la ten- sién de entrada generan variaciones correspondientes, pero mucho mayores, en la tension de salida. E! coeficiente de estos cambios de tensién se deno- mina factor de amplificacién, Cuan- doel factor de amplificacién supera una determinada cantidad, fa seital de sali- da deja de coincidir con la sefal de en- trada y queda distorsionado. Por tanto cuando se requiere mayor amplificacién de la que es posible en una misma fase de amplificacién se uti- liza un amplificador multietapa 0 se~ cuencial, en el que la salida de una fase es.utilizada como entrada por la siguien- te. USOS DE LOS AMPLIFICADORES Se utilizan sobre todo para aumen- Sn, la corriente o la potencia narla (o distorsionandola minimamen- te), de manera que la salida es propor- cional a la entrada. Los amplificadores no lineales permiten generar un cam- bio considerable en la forma de onda de la seal, Los amplificadores linea- les se utilizan para sefiales de sonido y video, mientras que los no lineales se emplean en osciladores, dispositivos electrSnicos de alimentacién, modula- dores, mezcladores, citcuitos légicos y lemas aplicaciones en las que se requic- re una reduccién de la amplitud. ‘Aunque los tubos de vacio tuvieron gran importancia en los amplificadores, hoy dia se suelen utilizar circuits de transistores discretos 0 cireuitos inte- grados. 1. Amplificadores de sor ‘ara comorendrds meer (onoeselonpiiacor ie ‘Sau lewsen el cchey ‘Sho incora ie ‘] Toon BEA ficadores de so- niido, de uso co- ‘miirven radios, te- levisiones y grabadoras de cintas, sue- len funcionar a frecuencias inferiores a los 20 KHz. Amplifican la sefial eléctri- ‘ca que, 2 continuacién, se convierte en sonido con un altavoz. Los amplifica- dores operatives, incorporados en cit- cuitos integrados y formados por am- plificadores lineales multifisicos aco- plados a la corriente continua, son muy populares como amplificadores de so- nido. 5 = ELECTRONICA EN TRES PASOS 2. Amplifieadores de video Los amplificadores de video se uti- lizan prineipalmente para sefiales con un rango de frecuencias de hasta 6 MHz. La sefial generada por el ampli- ficador se convierte en la informacién visual que aparece en la pantalla de te- levisién, y la amplitud de sefial regula el brillo de los puntos que forman la imagen, Para realizar esta funcién, un amplificador de video debe funcionar en una banda ancha y amplificar de igual manera todas las sefales, con baja distorsion, 3. Amplificadores de radiofrecuen- cia Estos amplificadores aumentan el nivel de sefial de los sistemas de comu- nicaciones de radio o televisién, Por lo general, sus frecuencias van desde 100 kHz hasta | GHz, y pueden llegar incluso al rango de frecuencias de mi- croondas, Amplificador diferenciat El amplificador diferencial es un bloque esencial de los amplificadores integrados modemnos, tat [7] a nae | sit fee ey Dana El amplificador diferencial tiene un cireuito basic de Ia forma:ELECTRONICA EN TRES PASOS ‘Como se puede apreciar existe una simetria en el circuito de la figura don- de se definen las siguientes magnitu- des: V, es la tensin de salida del am- plificador diferencial. Va=Vi — V2 que es la tension de entrada Aww 8 la ganancia de tension pro- porcionada por el amplificador diferen- cial donde la relacién entre ellas es VA na “(W1 — ¥2 Ag Vy En el circuito de la fig 2 tenemos desglosadas las dos tensiones de entra- da al circuito V_ que seré la tension continua y Ys 2 que serd la tensién en altema de entra- da al circuito. De esta formas se obtic- nen dos modos de estudio distintos para el amplificador diferencial. Estos modos son el modo diferen- cial y el modo comin. Para estudiar estos dos modos se introduce, de nue- Vo, el principio de superposicion. De esta forma obtenemos dos circuitos a partir del que teniamos en la fig.2 que son fig2 Cada uno de estos circuitos se estu- dian de forma distinta y nos dan distin tas ganancias al resolverlos. Aniélisis en modo comin: Al resolver el citeuito que aparece en la fig. tenemos que Ia ganancia de este modo viene dada por la siguiente expresién: Andilisis en modo diferencial: De forma similar al modo comin (aunque en este caso el andlisis seria ‘mas complicado) obtendremos del and- lisis del circuito de la fig.2 una expre- sién para la ganancia en este modo dada por la expresién: Aou=~ 8nw'Re donde gm viene de los parmetros hibridos que se obtienen en el estudio. del citcuito en corriente alterna. Una vez finalizado el estudio de los dos modos de funcionamiento del cir- cuito se debe introdueir aqui una carac- teristica propia de los amplificadores operacionales que es la relaci6n de re- chazo del modo comin (CMRR). Esta relacién es una forma de valo- rar el funcionamiento del amplificador, ‘en nuestro caso nos interesa que la am- plificacién en modo diferencial sea mayor que en modo comiin puesto que buscamos amplificar sefiales diferen- ciales. Pot tanto la relacion sera Any Acu CMRR (comin Mode Rejection Ratio) CURR: =26- Expresado en dB tenemos la expre- sion: ‘Au CMRR= 20 va ] AMPLIFICADOR OPE- RACIONAL El amplificador operacional (AO) es un amplificador ideal de tensiGn, basado en amplificadores diferenciales puesto que contiene varias etapas de amplificador diferencial para lograr una ganancia de voltaje muy alta, con-una elevada impedancia de entrada y una impedancia de salida baja. Me ep _ Y, Simbolo Amplificador Operacional Los valoresde V,, V,y V, estén com- prendidos entre +V_, pues si no fuera asiel AO entrarfa en saturacién donde no se darian las ganancias tan altas y el AO pasaria a dar una tensin fija de salida. V, es la entrada de tension no inversora. Vs, eslaentrada de tensién inver- sora. es la tensién de salida. Alimentacién positiva. Alimentacién negativa ELA O es el circuito integrado mas usado, es muy versatil pues cambiando cl circuito externo se pueden obtener cientos de funciones y aplicaciones di- ferentes, El nombre de operacional le viene dado por que se pueden realizar varias operaciones aritméticas y de cal- culo, Su funcién bisica es amplificar Ia diferencia entre dos voltajes de en- trada: Donde Ad: Es la ganancia diferen- cial de voltaje.Aqui tenemos una comparativa en- tre el AO y el amplificador ideal pues- to que sus caracterfsticas se acercan mucho a las caracteristi ‘Anco de banda, op Por lo tanto los andlisis de circuitos con amplificadores operacionales se pueden hacer considerando un ampli- ficador ideal sin que se presenten gran- des errores, Acontinuacién se representa el cir- cuito equivatente del AO. va-vev. Sai Un AO puede trabajar de varias fe mas: cuando en el cireuito se da reali- mentacién (positiva o negativa), y cuan- do en el circuito no se da realimenta- cin. CARACTERISTICAS DE LOS AO En los Data et (documen- tos de caracteristi- cas) de los distintos dispositivos aparecen mumerosas caracteristi- cas para determinar la calidad, venta- jas y desventajas de los dispositivos. “Aqui vamos a resumir las mas impor- tantes. Tensiones y corrientes off-set de entrada. Estas caracteristicas sirven para determinar los defectos reales del AO, puesto que aunque para los cdleu- los hemos aproximado al ideal se pro- ducen ciertas desviaciones a tener en cuenta. Por ejemplo de forma ideal en un AO con entrada OV la salida seria OY, sin embargo en la practica se de- tecta una salida de mV, producidos es- tos por la falta de simetria del AO y por corrientes de entrada. Pardmetros de frecuencia, Como ya se ha descrito anteriormente para el ‘AO ideal el ancho de banda seria infi- nito, en el caso practico existen limita- ciones respecto a la frecuencia, puesto que a partir de ciertos valores el AO comencaria a ser inestable. Slew-Rate. Fsta caracteristica de los ‘AO nos indica cual es la maxima va- riacién de la tensién de la salida con el tiempo que puede proporcionar la eta- pa de salida del AO. Esto quiere decir {que al intentar cambiar la tensién de salida con un valor mayor que el slew- rate se produciria una distorsién 0 un recorte de la sefal y el AO perderia sus caracteristicas Tineales. fhe we “Ar us MRR relacion de rechazo del modo comun. Esta caracteristica es equivalente a la definida para el ampli- ficador diferencial. Expresandola en oB: isipada. La Potencia que el AO es capaz de disipar en forma de calor sin que se deteriore su funciona- miento. Resistencia de entrada y de salida (Ziy Zo). Son las resistencias que se dan a la salida y a la entrada de AO en funcién de una frecuencia dada. Rango de tensién maxima Son los valores de la tensién que se pueden aplicar al AO para estar en condiciones de funcionamiento. Gananeia de tensibn, Caracteristi- ca que se mide a una frecuencia y a una temperatura determinadas. TIPOS DE CIRCUITOS CON AO Configuraciones bisicas de un AO ELECTRONICA EN TRES PASOS Amplificado R vit Vo Vos oR donde 4u=- Re y A je es la ganancia del circuito. Amplificador no inversor Ase donde Ri, y Age es la ganancia del circuito. Amplificador seguidor La corriente que circula por el cit- cuito que une la salida del operacional con Ia entrada no inversora del mismo, es Suministrada por la salida del propio operacional, que se comporta como una fuente ideal de tensién, Vo ¥ 0. Este circuito es equivalente 9 una fuente de tension de valor v;(¢) . Asi pues Aq=1 y Ay, es la ganancia del circuito. Amplificador sumador donde YoELECTRONICA EN TRES PASOS Amplificador difereneial Este modelo que se expone a conti- nuacién es un modelo equivalente con AO del modelo de Amplificador dife- rencial explicado en el apartado ante- rior. R Circuito integrador con AO El circuito integrador es aquel que la seftal de salida es la integral de la sefial de la entrada —— Jv, ae luego Mo = FG Cireuito derivador con AO El circuito derivador es aquel que la sefial de salida es la derivada de la se- fal de la entrada dvi (0) Por Ia tanto Vo =~ RyC di AMPLIFICADORES OPERACIONALES EN EL MERCADO Amplificadores operacionales LFaIL LF4I2 LMIOIA LM108 LMI LM124 LMIS8 LM201A — LM208 LM218 LM224 L238 LM301A — LM308 = L318 LM324 LM358——LM709 L741 oP-07 oP.27 ‘TLO82 TLO84 = wA709 A741 Las earacteristicas concretas de to- dos estos AO se pueden obtener en sus Data Sheets. Algunas de estas se pue- den consultar en el CD adjunto, OPTOELECTRONICA La optoelectrinica es el nexo de uunién entre los sistemas épticos y los sistemas electrénicos. Los componer tes optoelectrinicos son aquellos cuyo funcionamiento esta relacionado diree~ tamente con la luz. En este punto introduciremos un pequefto resumen de los distintos tipos de radiacién electromagnética, que va- mos a utilizar en el tema, caracteriza- das por su longitud de onda: Infrarojo: Esta banda corresponde alas longitudes de onda de la luz que son muy grandes para ser detectadas por el ojo humano ( desde los 800nm hasta aprox. 10° nm), Visible: Corresponde a las longitu. des de onda que puede interpretar el ojo humano. La radiacién electromagnéti- ca Visible esta comprendida aproxima- damente entre los ‘| ©3400 nm y 800 nm de longitud de onda. En esta banda estin comprendidos todos los colores que -28- 1 ojo humano distingue. Ultravioleta: Longitudes de onda que son muy pequeitas para ser vistas por los humanos (desde los 400nm has- a aprox 10nm). Aqui se incluye el espectro de la ra- diacién electromagnética completo. ‘engi cada in) w 0 ada Lees Fa axe ne sions 1 bia Inv o> PR ecocote 100 im Taro 10 Rayos rod Los dispositives optoelectrénicos pueden clasificarse en tres grupos: 1. Dispositivos que convierten ta energia eléctrica en radiacién éptica Donde podemos incluir: LED ( Light Emitting Diode) y tos diodos LASER (Ligth Amplificion by Stimulated Emi- sin of Radiation). 2. Dispositivos que detectan la ra- diacién mediante procesos electréni- cos, Fotodetectores. 3. Dispositivos que convierten la energia de la radiacién éptiea en energia eléctrica, células solares y fo- tovoltaicas. APLICACIONES DE LA OPTOELECTRONICA La optoelectrénica se ha convertido en una érea de gran. interés en la elec- trénica, En estos momentos estamos rodeados de objetos que incorporan este tipo de teenologfa, puesto que toda pan- talla 0 indicador luminoso esta forma- do por tecnologia optoelectrénica: des- de un reloj digital hasta la pantalla de nuestra televisién pasando por teléfo-nos miviles, el cierre centralizado de un automévil.. Por lo tanto es obligado un conoci- miento basico sobre los distintos dis- positivos que forman parte de todos estos aparatos. DISPOSITIVOS OPTOELECTRONICOS En este apartado estudiaremos los distintos dispositivos atendiendo a la clasificacién anteriormente explicada Dispositivos que convierten la energia eléctrica en radiacién éptica. Electroluminiscencia es la em de radiacién electromagnética como te- sultado de una excitacién electronica, Esta radiacién puede ser: ultravioleta UY, visible o infrarroja IR. En nuestro ‘caso vamos a suponer que los distintos dispositivos son excitados por corrien= te eléctrica luego se produce electrolu- miniscencia Los dispositivos en los que se pro- ducen estos fenémenos son: LED y Diodo LASE in LEDS Un LED es un dispositive de unién p-n que en condiciones adecuadas pue- de emit , de forma espontinea, radia- ibn UY, visible ¢ IR. 4 oe Simbolo de un LED El funcionamiento de un LED pue- de resumirse de la siguiente forma: se aplica una tensidn directa a la unién, se inyectan huecos en la capa p y electro- nes en la capa n. Como resultado, am- bas capas tienen una mayor concentra- cidn de portadores (electrones y hue- cos) que la existente en equilibrio. De- bido a esto, se produce una recombina- cién de portadores, liberindose en di- cha recombinacién la energia suminis- trada por la tensién en forma de foto- nes de distintas longitudes de onda. Larecombinacién que se produce en el semiconductor puede ser de dos ti- pos: -Recombinacién no radiante: la energia de recombinaei6n no forma un foton, es decir no crea radiacién elec- tromagnética. En la mayoria de los ca- sos s¢ libera como energia térmica. -Recombinaci6n radiante: la energia de recombinacién se usa en la forma- cidn de fotones que se liberan en forma de radiacién. En la construccién de los LEDs de- bemos tener en cuenta los distintos co- lores que podemos obtener luego que- da claro que el material que compone el diodo es importante ya que el color de la luz emitida por el LED depende iinicamente del material y del proceso de fabricacién, Por tanto segin tos ma- teriales que utilicemos en la fabricacién podemos obtener leds: -Rojo AsGaAl -Amarillo AsGaP “Verde InGaAlP -Azul CSi -De infrarrojo IR AsGa a ro Distintostioos de LEDs Una de las aplicaciones més popu- lares de los LEDs es la de sefializaci6n. Quizas la més utilizada sea la de 7 LEDs colocados en forma de ocho, DIODO LASER La emision liser es una emision de radiacién muy monoeromitica y cohe- rente,es decir, Ia emisién de luz es di- rigida en una sola direccién (coheren- cia espacial). Los fotones emitidos por un Liser poseen longitudes de onda muy cereanas entre si (monocromitica). veneers Diodos léser -29- ELECTRONICA EN TRES PASOS El funcionamiento es similar al de un LED aunque en este caso la recom- binacién es estimulada, por este moti vo los fotones producidos tienen la mis ma longitud de onda y estan en fase; produciéndose asi una emisidn estimu- Jada monocromética y en fase. La emisién estimulada se produce por encima de una corriente umbral por debajo de esta tenemos emisidn espon- tinea como en un LED, Emisin estimutada unidireccional y mono- cromética del diodo LASER aplicacién: El lector de discos compac- tos Una de las muchas aplicaciones de los diodos laser es la de lectura de in- formacién digital de soportes de datos tipo CD-ROM ola reproduecién de dis- cos compactos musicales. El principio de operacién de uno y otto es idéntico. Fotodetectores. Los componentes fotodetectores son aquellos componentes que varian alatin pparimetto eléctrico en fincidn de la luz En este caso, la energia que entra al semiconductor excita a los electrones a niveles mis altos de energia, dejando huceos tris. Posteriormente estos elec- trones y huecos se alejan unos de otros, conformando una corriente eléctrica, Los dispositivos que tienen este comportamiento son: Fotodiodo y el fototransistor FOTODIODO Las fotodiodos son diodos de unién p-n cuyas caracteristicas eléctricas de- penden de la cantidad de luz. que incide sobre la unién, El fotodiodo es un dispositive que absorbe la radiacién Iuminosa en la zona de vaciamiento de ta unién p- generando un par electrén-hueco ¢ in- erementindose asi la corriente en el dis-ELECTRONICA EN TRES PASOS positivo, la unién se encuentra polari- zada en inversa . Por lo tanto al aumen- tar la intensidad de la radiacién aumenta la corriente inversa por el dispositive, La mayoria de los fotodiodos vie- nen equipados con un lente que con- centra la cantidad de luz que incide so- bre el dispositivo, de manera que su reaccién a la luz sea mas evidente. of Distintos tipos de fotodiodos Aplicaciones: Comunicaciones épticas, fotéme- tros, control de iluminacién y brillo, control remoto por infiarrojos, enfoque automdtico y control de exposicién en camaras, codificadores de posicién, ‘medidas de distancia, medidas de es- pesor, transparencia, detectores de proximidad y de presencia, ete. i Simbolo do un fotodiodo FOTOTRANSISTOR Al igual que el resto de los fotode- tectores, los fototransistores reciben una radiacién y la transforman en energia eléctrica, ~ ‘Simbolo de un fototransistor Es importante anotar que todos los transistores son sensibles a la luz, pero Jos fototransitores estan disefiados para aptovechar esta caracteristica. Un fototransistor tiene una unién base-colector de superficie grande que es donde se hace incidir la radiacién, El funcionamiento del fototransistor se puede resumir diciendo que al expo- ner el fototransistor a la luz, los foto- nes entran en contacto con Ta base del mismo, generando huecos y con ello uuna cortiente de base que hace que el transistor entre en la regiGn activa, y se presente una corriente de colector a emisor. Es decir, los fotones en este caso, reemplazan la corriente de base que normalmente se aplica eléctriea- mente. Representacién esquemética y comercial de un fototransistor Dispositives que convierten Ia ener- gia de la radiacién dptica en energia eléetrica Las células solares y fotovoltaicas absorben radiacién luminosa y Ta con- vierten en una corriente eléctrica, pero en este caso serian equivalentes @ una fuente de tensién, La célula fotovoltaica mas comin consiste en una delgada Kimina de un material semiconductor compuesto principalmente por silicio de cierto gra- do de pureza, que al ser expuesto a la luz solar absorbe fotones de luz con suficiente energia como para originar desplazamiento de electrones de su po- sicién original hacia la superficie ilu- minada. Al desprenderse estos electro- nes con sui carga negativa originan la aparicién de huecos con cargas positi- vas. Los electrones tienden a concentrar- se del lado de la placa donde incide la luz solar, se genera un campo eléetrico con dos zonas bien diferenciadas: la -30- negativa, de la cara iluminada donde estin los electrones y la positiva en la cara opuesta donde estén los huecos 0 lagunas, Si ambas zonas se conectan eléctricamente mediante conductores adheridos a cada una de las caras de la placa el desequilibrio eléctrico origina una fuerza electromotriz o diferencia de potencial, cteando una corriente elée- trica para igualar las cargas. Dicha co- rriente, obviamente continua, se gene- ra en un proceso constante mientras actite la luz solar sobre la cara sensible de la lamina, Simbolo de una célula fotovolaica. Cada célula aporta 0,5 V , las cuales pueden conectarse en serie o en parale- Jo, Si se conectan en serie inerementan el voltaje ya que se suma el voltaje in- dividual de cada una de las fotocélulas solares. Si se conectan en paralelo el voltaje se mantendré constante al de una ccélula pero incrementaré ef amperaje. Paneles solares formados por células fotovoltaicas Optoacopladores: Un optoacoplador combina un dis positive semiconductor formado por un fotoemisor, un fotoreceptor y entre ambos hay un camino por donde se transmite la luz. Todos estos elementos se encuentran dentro de un encapsula- do que por lo general es del tipo DIP. Los optoacopladores son capaces de convertir una sefial eléctriea en una se- fal luminosa modulada y volver a con- vertirla en una seftaleléctrica, La granventaja de un optoacoplador reside en el aislamiento eléctrico que puede es- tablecerse entre los circuitos de entra- da y salida ELECTRONICA DE POTENCIA Eneste tema se van a introducir unos, conceptos nuevos relativos a la aplica- cién de los sistemas electrénicos estu- diados hasta cl momento. En primer lugar se introduce el concepto de elec- tronica de potencia y posteriormente se introducen los principales tipos de dis- positivos de potencia y sus principales caracteristicas. La electrénica de poteneia combi- na la energia, la electrénica y el con- trol El control se encarga del régimen permanente y de las caracteristicas namicas de los sistemas realimentados. Lacenergia tiene que ver con el eq) po de potencia estatica y rotativa 0 gi- ratoria, para la generacion, transmision y distribucién de energia eléettica. La electronica se ocupa de los dis- positivos y circuitos fisicos neces. en el procesamiento de sefales para cumplir con los objetivos de control, La electrénica de potencia se pue- de definir como la aplicacién de la clee- ‘rénica para el control y la conversion de energia elécttica. Dentro de los dispositivos electré- nicos de potencia, podemos citar: los diodos y transistores de potencia y el tiristor que serian el grupo principal También es interesante resaltar al- ‘gunos dispositivos propios de la evolu- cin de éstos, como los triae, dine, eon- mutador unilateral o SUS, transistor uni-unién o UJT, el transistor uni- unién programable 0 PUT y el diodo Shockley. La curva caracteristica de estos ele- mentos relaciona la intensidad que los atraviesa con Ia caida de tensién entre los electrodos principales. Por tanto esta debe ser la principal fuente de informa- cién a la hora de elegir entre los distin- tos dispositivos para nuestras aplicacio- nes practicas, El componente basico del circuito de potencia debe cumplir las siguien- tes condiciones: = Tener dos estados claramente de- finidos, uno de alta impedancia (blo- queo) y otro de baja impedancia (con- duccién). ~ Poder controlar el paso de un esta- do a otro con facilidad y pequefta po- tencia, ~ Ser capaces de soportar grandes intensidades y altas tensiones cuando esti en estado de bloguice, con peque- fias caidas de tensién entre sus electto- dos, cuando esté en estado de conduc- cién, Ambas condiciones lo capacitan para controlar grandes potencias. ~ Rapidez de funcionamiento para pasar de un estado a otro. ~ La ultima condicién quiere decir que a mayor frecuencia de funciona- ‘miento habri una mayor disipacién de potencia. Por tanto, la potencia disipa- a depende de la frecuencia. Ahora veremos los tres bloques bi- sicos de semiconductores de potencia yy sus aplicaciones fundamentales Semiconductores de alta potencia Dispostive mensidad mi “Rectaioesestdarorepes 5064800 Aroeie “Tras de poeia 5.240 Anpeios Tes er opts {02230 Arps GTO. 3002.30 Angers Aplicaciones : Convertidores, con- trol de motores asincronos, inversores, calefacci6n inductiva, rectificadores, te. -31- ELECTRONICA EN TRES PASOS Médulos de potencia Dispostvo osiad ina eds cearsstes 5 aQ00A 160. SOR/mésuosreccadyes 208500 2400¥, edo GTO “ooa2n0 100, ‘eet 023004 100. Semiconductors de baja potencia “Dispositive Intensidad maxima SCR «(OB adOA 1200V._ Trias 08240 A. 800V ‘Mostet =» 2a dA 900V. Aplicaciones : Control de motores, aplicaciones domésticas, cargadores de baterias, control de iluminacién, con- trol numérico, ordenadores, ete, Ahora se van a estudiar por separa- do los distintos tipos de dispositivos de potencia, DIODO DE POTENCIA Los diodos de potencia son de tres tipos: de uso general, de alta velocidad (0 de recuperacién rpida) y Schottky. Los diodos de uso general estan disponibles hasta 3000 V, 3500 A. Los diodos de recuperacién répi- da son esenciales para la interrupeién de los convertidores de potencia a altas frecuencias. Sus especificaciones pue- den llegar hasta 3000 V, 1000 A. El tiempo de recuperacién inversa varia entre 0.1 y 5 ms. Los diodos Schottky tienen un vol- taje bajo de estado active y un tiempo de recuperacion muy pequefio (ns). Sus especificaciones se limitan a 100 V, 300 A Un diodo conduce cuando el volta- Je de su dnodo es més alto que el de su céitodo; siendo a caida de voltaje di- recta y de potencia muy baja, tipica- mente 0.5 y 1.2 V. TRANSISTORES DE POTENCIA Los transistores bipolares de alta potencia son comunes en los converti-ELECTRO! EN TRES PASOS dores de energia a frecuencias meno- res que 10 KHz y su aplieaci6n es et ccaz en las especificaciones de potencia de hasta 1200 V, 400 A. Un transistor bipolar tiene tres ter minales: base, emisor y colector. Por lo general, opera en forma de interruptor en la configuracién de emisor comin, Lacaida directa de un transistoren con- duccién esté en el rango de 0.5. 1.5 V. Sil voltaje de excitacién de la base es retirado, el transistor se conserva en modo de no conduecién (es decir des- activado). Los MOSFET de potencia se utili- zan en convertidores de, relativamen- te, poca potencia, de alta velocidad y estin disponibles en especificaciones de 1000 V, 50 A. en un rango de frecuen- cia de varias decenas de KHz. Los UJT 0 transistores de uni- unién (unijunetion transistor) es un dis- positive de conmutacién con tres ter- minales: emisor, basel y base?.Su fun- cionamiento se puede describir dicien- do que cuando Ia tensién entre el emi- sor y la basel es menor que una ten- sién pico, por el dispositive no pasa corriente y esta apagado. Cuando se supera esa tensin pico el UST se en- ciende o dispara y se encuentra en cor- tocircuito durante un tiempo muy cor- to ya que se vuelve a apagar casi inme- diatamente. m a Los IGBT (Transistor bipolar de puerta aislada) son transistores de po- tencia controlados por voltaje, Por na- turaleza, son mas ripidos que los BJT, pero atin no tan ripidos como los MOS- FET. Sin embargo, ofrecen caracteris- ticas de excitacién y de salida muy su- periores alas de los BIT. Los IGBT son ‘modulo semipuente con dos IGBTs (1200V 17 400A) y su representacién esquematica adecuados para altos voltajes, altas co- rrientes y frecuencias de hasta 20 KHz. Los IGBT estén disponibles hasta 1200 V, 400A. TIRISTORES Un tiristor es un dispositivo semi- conductor de conmutacién répida que tiene cuatro capas de estructura pnpn con tres uniones pn cuya conexién se realiza a través de tres terminales: Anodo ciitodo y compuerta, También recibe el nombre de diodo Shockley. El tiristor es el componente princi- pal del circuito clectrénico de potencia. Los tiristores se comportan como con- mutadores biestables, pasando de un estado no conduetor a un estado con- ductor, Para muchas aplicaciones se puede suponer que los tiristores son in- terruptores 0 conmutadores ideales, aunque los tiristores fisicos tienen cier- tas limitaciones ae 7, . Estructura y representacianes de un tistor Estructura bésica y circuito equivalente de un tiistor de dos terminales. Cuando una pequeita corriente pasa ‘a través de la terminal de la compuerta hacia el cétodo, el tiristor conduce, siempre y cuando la terminal del énodo esté a un potencial mas alto que el cé- todo. Cuando un tiristor esté en un modo de conduccién, la caida de potencial en directa es muy pequefta, tipicamente 0.5 2 V. Un tiristor que conduce se puede desactivar haciendo que el potencial del -32- Anodo sea igual © menor que el poten- cial del cétodo. ‘Como se acaba de apuntar un tiris- tor se activa inctementando la corrien- te del dnodo. Esto se puede producir por uno de estos motivos: térmico, lumino- so, alto voltaje o corriente de compuer- ta. TIPOS DE TIRISTORES Dependiendo de la construccién fi- sica y del comportamiento de activa- cign y desactivacién, en general los ti ristores pueden clasifiearse en la si guientes categorias: 1, Tiristores de control de fase (SCR). 2, Titistores de conmutacién rapida (SCR). 3. Titistores de desactivacién por compuerta (GTO). 4. Titistores de triodo bidireecional (TRIAC) 5, Tiristores de conduecién inversa (RTC). 6. Tivistores de induceién estitica (SITH). 7, Rectificadores controlados por silicio activados por luz (LASCR) 8, Tiristores controlados por FET (FET-CTH) 9, Tiristores controtados por MOS «cry orqul tonen que terer estos ‘ombres fan raves? "Nome verdro nada al saber lin poquto de Ts SCR (SILICON CONTROLLED RECTI- FIER 0 RECTIFICADOR CONTRO- LADO DE SILICIO) Un SCR es un dispositivo de tres terminales usado para controlar corrien- tes altas para una determinada carga, El funcionamiento de un SCR es semejante a un interruptor. Cuando estaencendido existe una trayectoria de flu- Jo de corriente de baja resistencia del nodo al cétodo (interruptor cerrado). Cuando esta apagado no hay corriente entre dnodo y cétodo, luego el interrup- tor esta abierto, Los SCR de Puerta Sensible se ca- racterizan por su facilidad de disparo, gracias a su bajo nivel de corriente de puerta, Esta alta sensibilidad facilita la posibilidad de disparo por medio de sefiales de baja intensidad provenien- tes de microcontroladores © cireuitos integrados, simplificando el diseito de la circuiteria de disparo y reduciendo el niimero ce componentes y por con- siguiente el coste del circuito. Son muy interesantes en aplicacio- nes de baja potencia en las que se re- quiere un bajo consumo. xePEP Estructura simbolo y caracteristica de un sor Una aplicacién muy fiecuente de los SCR es el control de potencia en alter- na en reguladores de lémparas, calen- tadores eléctricos y motores eléctricos. TRIAC Un triac es un dispositivo de tres terminales que se usa para controlar el flujo de corriente promedio a una car- ga. Un triac se diferencia de un SCR porqueal encenderse puede conducir en cualquier direccién. oe Estructura, simbolo y caracteristica de un tWiac Diac Es un tipo de tiristor que puede con- ducir en los dos sentidos. Es un dispo- sitivo de dos terminales que funciona ‘dsicamente como dos diodos Shockley que conducen en sentidos opuestos Se utiliza principalmente junto a los triacs para el control en fase de los cir- cuitos. La curva de funcionamiento refleja claramente el comportamiento del diac, que funciona como un diodo Shockley tanto en polarizacién directa como en inversa laa A Estructura simbolo y caracteristica de un diac GTO EI GTO 0 Gate Turn-Off SCR es un firistor que se activa mediante la aplicacién de un pulso breve positivo puerta, y se desactiva mediante la apli- cacién de un pulso corto negativo a las misma, Los GTO resultan muy atracti- ‘vos para la conmutacién forzada de convertidores y estin disponibles has- ta 4000 V, 3000 A. EI GTO se suele utilizar para con- trol de motores y para todo tipo de apli- iciones en el dominio de altas poten- jas cuyo control se realiza mediante transistores bipolares. a Un PUT transistor uni-unién progra- mable (Programable Unijunction Tri sistor) es un dispositive con las mismas caracteristicas de funcionamiento de un UIT . Es un dispositive de disparo nodo-puerta porque su disparo se rea- liza cuando la puerta tenga una tensién mas negativa que el Anodo. “3B. PUT ELECTRONICA EN TRES PASOS De esta forma se deseribe algiin otro dispositive de potencia més en el CD adjunto. NOTA: Simbolos mas importantes de los tiristores. pee fonda ab mained ee EL = Se Cs neato Basa rowan \* | ar ceri ee enniteaes P stores see Como resumen final se refleja en una tabla las caracteristicas mas importantes de los tiristores.BINOMICA Valor eficaz y, Vmax Suma (arb) (cdi) (ate) ord) Resta etd IMuttiplicacién Divisién oy frecuencia valor instanténeo v(t) = Vmax(senWt +a ) velocidad angular Cortado Saturado ‘Directs valor instanténeo: valor de la sefal en ‘cada instante de tiempo. Valor pico a pico: es 2 veces al valor maxi- m0, Valor medio: 2s la, media aritmética de los valores instantaneos de la seal en un semiperiodo Valor eficaz: es la raiz cuadrada de la media de ios cuadrados de os valores. instantaneos que toma la sefal af lar- go de un period, Impedancia: oposicion de un circuito al paso de la corrente alterna ineia: Inversa de la impedancia Mide la capacidad de un elemento 0 fama en un circulto paralelo de perm tir el paso de la comtente alterna “Amplitud: Valor pico de una onda. En on- as simétricas es el valor de la mad del valor pico-pico Angulo de fase: £5 la diferencia de fase ‘te dos ondas senoidales, usualmen te debido a que en el circuto exsten Ccapacitores (Condensadores) o induc: {ores (bodinas) [tenuaci6n: El valor por el cual la poten- Ga de una sefal disminuye en un fio una red de 2 puertos. Usuaimente se exoresa en decibeles Distorsi6n: Es la alferacién de una forma de onda original en algun punte del cr cuit Fasor: Vector giratorio. Herramienta citi pata. anal de culos de eoren- Filtro: Circuito seloctivo, que permite el paso de cietas frecuencias, mientras, Bloquea las restantes, Gananela de corriente: Relacién entre la cortiente de salida y de entrada en un Greuito ampificador Onda cuadrada: Onda de corrionte alter. BINOMICA na (¢.a) que altema su valor entre dos valores extremos sin psar polos valo- res intermedios (I contraro-de lo que gucede con la onda senocaly tang Ondia triangular: Onda de cortente ater- na (c.a) en la que la variacion de la Smpiiud en funaién del tiempo puode ser descrlta mediante segmantos rec- tos, creandose la imagen de un tian guio de base horizantal Polarizacién en directa: en el diodo es Cuando el voltae en el anodo es supe- Tio al voltae del catodo. Polarizacién en inversa: én ol diodo es ‘cuando el vataje en el catodo es supe for al vottaje en el anodo Reaciancia: Oposicién que presenta un ‘ispositivo almaconadar de energia (capacitor-condensacor o inductor = bobina) al fujo de la corriente, Se mide en Ohmios, Realimentacion negativa: Es el uso de ‘Componentes pasivas con el propést- fo de mejorar la estabiidad y la res. puesta en frecuencia de un sistoma 0 iouito sin sactifear, si es posible, ja ganancia 2 Vmed=—-Vmax n potencia activa P=VI cosa potencia reactiva O=V'Fsena, potencia aparente SV Impedancia capacitiva (condensador) Koj Impedancia induetiva (bobina) Z = nfl j =X, 7 circuito R-L-C serie Z=\R + (X, - Xe) circuito R-L-C paralelo z= Factor de rizado Vue f Vined rectificado de media onda L 2VRF