Instituto Tecnológico de Tijuana

Práctica 1– Unidad I

Modelos de diodo y circuitos con diodos, resistencias y capacitores

Integrantes:

 Michelle castro medina No. de Control: 16210662

 Almendra Molina José de Jesús No. de Control: 1621654
 Gutiérrez López David Alejandro No. de Control: 12212097
Asignatura: electrónica analógica

Docente: Ponce Oliva Cipriano

Carrera: Ingeniería Biomédica

Fecha Realizada: 08 de febrero de 2018

Tijuana, Baja California a 8 de febrero del 2018

INSTITUTO TECNOLOGICO DE TIJUANA

DEPARTAMENTO DE INGENIERIA ELECTRICA ELECTRONICA
LABORATORIO DE ELECTRONICA ANALÓGICA
 PRACTICA No. 1
“MEDICION DE CORRIENTE Y VOLTAJE EN UN DIODO 1N4004”

Resumen: En dicha práctica se comprobarán la barrera de potencial, polarización directa e inversa, la

resistencia de corriente directa y resistencia de corriente alterna de un diodo de igual manera se podrá observar la
curva característica del diodo.

I. INTRODUCCIÓN:

El Diodo es un componente electrónico que solo permite el paso de la corriente en

un sentido [1]; es el dispositivo semiconductor más sencillo y se puede encontrar,
prácticamente en cualquier circuito electrónico.
El diodo está hecho de cristal semiconductor, como el silicio, con impurezas en él
para crear una región que contiene portadores de carga negativa (electrones),
llamado semiconductor de tipo n, y una región en el otro lado que contiene
portadores de carga positiva (huecos), llamado semiconductor tipo p. Las
terminales del diodo se unen a cada región. El límite dentro del cristal de estas dos
regiones, llamado una unión PN, es donde el cristal conduce una corriente de
electrones del lado n, pero no en la dirección opuesta; es decir, cuando una
corriente convencional fluye del ánodo al cátodo.
II. OBJETIVO: Familiarizar al alumno con el comportamiento del diodo en
polarización directa e inversa ante fuentes de alimentación de corriente continua .
III. MARCO TEÓRICO: En forma ideal, un diodo conduce corriente en la dirección
definida por la flecha en el símbolo y actuará como un circuito abierto para
cualquier intento de establecer corriente en la dirección opuesta. Básicamente, las
características de un diodo ideal son las de un interruptor que puede conducir
corriente en una sola dirección.
Diodos semiconductores PN

Los diodos pn son uniones de dos materiales semiconductores extrínsecos tipos p

y n, por lo que también reciben la denominación de unión pn. Al unir ambos
cristales, se manifiestan dos procesos:

1. La difusión de huecos del cristal p al n

2. Una corriente de electrones del cristal n al p
Al establecerse estas corrientes aparecen cargas fijas en una zona a ambos lados
de la unión, zona denominada región de agotamiento. A medida que progresa el
proceso de difusión, la región de agotamiento va incrementando su anchura
profundizando en los cristales a ambos lados de la unión.

Sin embargo, la acumulación de cargas induce una diferencia de tensión (V) que
actuará sobre los electrones con una determinada fuerza de desplazamiento que
se opondrá a la difusión de huecos y a la corriente de electrones y terminará
deteniéndolos. [Esta diferencia de tensión de equilibrio (V0) es de 0,7V en el caso
del silicio y 0,3V si los cristales son de germanio.]

Existen tres posibilidades al aplicar un voltaje a través de las terminales del diodo:

 No hay polarización (VD = 0 V).

 Polarización inversa (VD < 0 V).
 Polarización directa (VD > 0 V).

Polarización inversa

Durante la polarización inversa el polo negativo de la batería se conecta a la zona

p (la de menor tensión), lo que hace aumentar la zona de carga espacial y la
tensión en dicha zona hasta que se alcanza el valor de la tensión de la batería. En
esta situación, el diodo no debería conducir la corriente; sin embargo, produce una
pequeña corriente del orden de 1 μA.
Polarización directa

En este caso, al contrario que en el anterior, la batería disminuye la barrera de

potencial de la zona de carga espacial, permitiendo el paso de las corrientes de
electrones y huecos a través de la unión; es decir, el diodo polarizado
directamente conduce la electricidad.

IV. MATERIAL Y EQUIPO:

• 1. Protoboard.
• 2. Diodo 1N4004.
• 3. Resistencia de 1k ohm y 100 ohm.
• 1. Resistencia de 100 ohm.
• 1. Fuente de voltaje.
• 1. Multímetro.
V. PROCEDIMIENTO Y METODOLOGÍA EXPERIMENTAL:
3.1 Arme el siguiente circuito en polarización directa, variar el voltaje de la
fuente desde 0.1V a 0.7V con incrementos de 0.1 .

Voltaje de fuente Voltaje de diodo Corriente de diodo

0.1 0.103 0
0.2 0.252 0
0.3 0.36 0
0.4 0.40 0.02 mA
0.5 0.490 0.74 mA
0.6 0.61 7.53 mA
0.7 0.698 30.02 mA
0.8 0.81 74.01 mA
0.9 0.896 125.9 mA
 Polarización diecta.
0.8

0.7

0.6

0.5

0.4
Valores Y
0.3

0.2

0.1

0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6
-0.1

3.2 Arme el siguiente circuito en polarización inversa, variar el voltaje de la

fuente desde 0.1V a 0.7V con incrementos de 0.1 .
 Voltaje de fuente Voltaje de diodo Corriente de diodo
0.1 0 0
0.2 0 0
0.3 0 0
0.4 0 0
0.5 0 0
0.6 0 0
0.7 0 0
0.8 0 0
0.9 0 0

Nota
en polarización inversa sin importar cuanto voltaje se aplique no existirá
flujo de corriente en la resistencia ya que el diodo actuará como un circuito
abierto.

3.3 Arme el siguiente circuito en polarización directa con una resitencia de

120 ohm, variar el voltaje de la fuente desde 6 V a 18 V con incrementos de 1
v.
Voltaje de fuente Voltaje de diodo Corriente de diodo
6 0.66 47.09 mA
7 0.67 56.9 mA
8 0.68 64.4 mA
9 0.69 73.6 mA
10 0.69 84.3 mA
11 0.70 94.2 mA
12 0.70 102.07 mA
13 0.70 122.7 mA
14 0.73 132.15 mA
15 0.70 141.2 mA
16 0.73 151.2 mA
 Valores Y
160

140

120

100

80
Valores Y
60

40

20

0
0.65 0.66 0.67 0.68 0.69 0.7 0.71 0.72 0.73 0.74

3.4 Arme el siguiente circuito de diodos y resistencias.

 Voltajes Corrientes
VR1 .629V IR1 .63mA
VR2 11.38V IR2 11.43mA
VR3 10.79V IR3 10.87mA
VD1 .628V ID1 21.60mA
VD2 .589V ID2 10.89mA

25

20

15
Corrientes
Voltajes
10

0
R1 R2 R3 D1 D2

VI._ DISCUSIÓN DE LOS RESULTADOS EXPERIMENTALES:

Como se observa en la tabla de resultados se podría decir que cuando el diodo
estaba en polarización directa la tensión del diodo aumentaba y por lo tanto la
corriente en la resistencia también, en polarización inversa sin importar cuanto
voltaje se aplique no existirá flujo de corriente en la resistencia ya que el diodo
actuará como un circuito abierto.

VII._ CONCLUSIONES:
Cuando se tiene un diodo en polarización directa, la barrera de potencial se
reduce, por lo que los electrones en exceso en el material negativo o cátodo
adquieren la suficiente energía como para poder atravesar la barrera de potencial
existente. Cuando se tiene un diodo en polarización inversa, esta impide que la
corriente de electrones que se suministran por la fuente pueda circular en el diodo,
por lo tanto, no se puede completar el circuito eléctrico.
VIII._ BIBLIOGRAFÍA:
[1]
http://www.areatecnologia.com/electronic
a/el-diodo.html
[2] http://unicrom.com/diodo-
semiconductor/
[3]
http://www.asifunciona.com/fisica/af_diod
os/af_diodos_3.htm