Problema examen de Julio de 2014

Se trata de un problema de análisis para resolver teóricamente sin posibilidad de

verificación posterior. Se trata de transistores hipotéticos con los parámetros indicados.
He incluido el condensador C3 para construir un amplificador en emisor común ya que
de otra forma el circuito no funciona como amplificador.
Es un espejo de corriente wildar, realizado con dos transistores MOS de canal
N, que controla y fija la corriente que circula por el emisor del transistor bipolar Q1
configurado como amplificador en emisor común.
a) Punto de operación de los tres transistores 𝒈𝒎 , 𝒓𝒐 (𝒓𝒅𝒔), de 𝑴𝟏 y 𝑴𝟐
𝒈𝒎 𝒚 𝒈𝝅 𝒅𝒆 𝑸𝟏.

 Espejo de corriente:

Corriente drenador-fuente que circula por los dos transistores NMOS:

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐺𝑆 = 𝑅 · 𝐼𝑟𝑒𝑓 (1)

𝑉𝐶𝐶 −𝑉𝐺𝑆
𝐼𝑟𝑒𝑓 = 𝐼𝐸_𝑄1 = 𝑅
(2)

Para determinar la corriente de referencia del espejo, hemos de calcular la

tensión puerta-fuente (común) de los transistores NMOS. Para ello supondremos que
están saturados:
𝛽𝑛
𝐼𝑟𝑒𝑓 = 2
(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇𝑂 )2 (3)
Resolviendo las dos ecuaciones simultáneas (1) y (3):
Sustituyendo (3) en (1) para eliminar 𝐼𝑟𝑒𝑓 tenemos:
𝛽𝑛
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐺𝑆 = 𝑅 · 2
(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇𝑂 )2 (4)

De donde extraemos la ecuación de segundo grado en 𝑉𝐺𝑆 :

2 1 2 2·𝑉𝐶𝐶
𝑉𝐺𝑆 + 2( − 𝑉𝑇𝑂 ) · 𝑉𝐺𝑆 + 𝑉𝑇𝑂 − =0 (5)
𝑅·𝛽𝑛 𝑅·𝛽𝑛

Sustituyendo datos:

2
1 2 · 10𝑉𝑜𝑙𝑡𝑠
𝑉𝐺𝑆 +2( − 1𝑉𝑜𝑙𝑡) · 𝑉𝐺𝑆 + (1𝑉𝑜𝑙𝑡)2 − =0
10000Ω · 1 · 10−3 𝐴⁄𝑉 2 10000Ω · 1 · 10−3 𝐴⁄𝑉 2

2
𝑉𝐺𝑆 − 1.8 · 𝑉𝐺𝑆 − 1 = 0 (6)

De donde:
1.8±√(1.8)2 +4 2.24𝑉𝑜𝑙𝑡𝑠
𝑉𝐺𝑆 = ={ (7)
2 −0.89 𝑉𝑜𝑙𝑡𝑠

La solución correcta es 𝑉𝐺𝑆 = 2.24 𝑉𝑜𝑙𝑡𝑖𝑜𝑠 ya que la otra solución es negativa y

está por debajo de la tensión umbral. Sustituyendo en (2), obtenemos la corriente de
referencia que circula por el emisor del transistor (esta corriente no depende de la 𝛽𝐷𝐶
del transistor):
𝑉𝐶𝐶 −𝑉𝐺𝑆 10𝑉𝑜𝑙𝑡𝑠−2.24𝑉𝑜𝑙𝑡𝑠
𝐼𝑟𝑒𝑓 = 𝐼𝐷𝑆 = 𝐼𝐸_𝑄1 = 𝑅
= 10000Ω
= 776𝑢𝐴 (7)

Conocida la corriente de emisor del transistor Q1, podemos conocer la corriente

de base 𝐼𝐵 y la corriente de colector 𝐼𝐶 sin más que conocer su 𝛽𝐷𝐶 .
La corriente de base será:
𝐼𝐸 776·10−6 𝐴
𝐼𝐵 = = = 7.68𝑢𝐴 (8)
𝛽𝐷𝐶 +1 100+1

Y la corriente de colector:
𝐼𝐸 844·10−6 𝐴
𝐼𝐶 = 𝛽𝐷𝐶 +1 = 100+1 = 768𝑢𝐴 (9)
𝛽𝐷𝐶 100

La corriente generada por el espejo nos servirá para determinar los parámetros
1
transconductancia 𝑔𝑚 = 𝐺𝑀𝑀1−𝑀2 y resistencia dinámica drenador-fuente 𝑟𝑑𝑠 = 𝐺𝐷𝑆:

Aplicando las fórmulas:

𝑑𝑖𝐷𝑆
𝑔𝑚 = 𝐺𝑀𝑀1−𝑀2 = = √2 · 𝛽𝑛 · 𝐼𝐷𝑆 = √2 · 1 · 10−3 𝐴⁄ 2 · 768 · 10−6 𝐴 = 1.24𝑚𝐴/𝑉𝑜𝑙𝑡 (10)
𝑑𝑣𝐺𝑆 𝑉

1 1 𝑉𝐴 77.5𝑉𝑜𝑙𝑡𝑠
𝑟𝑑𝑠 = 𝑅𝐷𝑆 = = = = = 100.9𝑘Ω (11)
𝐺𝐷𝑆 𝜆·𝐼𝐷𝑆𝑎𝑡 𝐼𝐷𝑆𝑎𝑡 768·10−6 𝐴
 Por otro lado, la corriente de colector de Q1 fijara los valores de
1
transconductancia 𝑔𝑚 = 𝐺𝑀 y de conductancia de entrada 𝑔𝜋 = del transistor:
𝑅𝑃𝐼

𝐼𝐶𝑄1 𝐼𝐶𝑄1 768·10−6 𝐴 𝑚𝐴

𝑔𝑚𝑄1 = 𝐺𝑀𝑄1 = 𝑘𝑇 = 𝑉𝑇
= 25.85·10−3 𝑉𝑜𝑙𝑡𝑠 = 29.7 𝑉𝑜𝑙𝑡 (12)
𝑞

1 𝑔𝑚𝑄1 29.7·10−3 𝐴⁄𝑉

𝑔𝜋 = = = = 297𝑢𝑚ℎ𝑜𝑠 (13)
𝑅𝑃𝐼 𝛽𝐴𝐶_𝑄1 100

1 1
𝑅𝑃𝐼 = 𝑔 = 300𝑢𝑚ℎ𝑜𝑠 = 3367Ω (14)
𝜋

Para concluir el primer apartado, hemos de determinar la tensión colector-emisor

de Q1 y las tensiones en los nudos.
El circuito equivalente para la polarización en continua es:

RC

Vc
IC

Vcc
RB
Vb

Vbe
Ve

VB IE

Las ecuaciones de las mallas de entrada y salida son:

𝑉𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 − 𝑉𝐸 = 𝑅𝐵 · 𝐼𝐵 (14)
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸 − 𝑉𝐸 = 𝑅𝐶 · 𝐼𝐶 (15)

Para conocer la tensión colector-emisor 𝑉𝐶𝐸 usaremos la expresión (15), pero

antes debemos averiguar cuál es la tensión en el nodo de emisor 𝑉𝐸 que podemos
despejarla de la expresión (14):
𝑉𝐸 = 𝑉𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 − 𝑅𝐵 · 𝐼𝐵 (16)
 𝑅2 ·𝑉𝐶𝐶 10000Ω·10𝑉𝑜𝑙𝑡𝑠
𝑉𝐵 = = = 5𝑉𝑜𝑙𝑡𝑖𝑜𝑠 (17)
𝑅1 +𝑅2 10000Ω+10000Ω

𝑅 ·𝑅 10000Ω·10000Ω
𝑅𝐵 = 𝑅 1+𝑅2 = 10000Ω+10000Ω = 5000Ω (18)
1 2

Considerando que 𝑉𝐵𝐸 = 0.7𝑉𝑜𝑙𝑡𝑠 y sustituyendo los resultados de (17) y (18) en

(16) tenemos que la tensión en el nodo de emisor es:
𝑉𝐸 = 𝑉𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 − 𝑅𝐵 · 𝐼𝐵 = 5𝑉𝑜𝑙𝑡𝑠 − 0.7𝑉𝑜𝑙𝑡𝑠 − 5000Ω · 7.68 · 10−6 𝐴 = 4.26𝑉𝑜𝑙𝑡𝑖𝑜𝑠 (19)
Por lo que la tensión colector-emisor será de (15):
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐸 − 𝑅𝐶 · 𝐼𝐶 = 10𝑉𝑜𝑙𝑡𝑠 − 4.26𝑉𝑜𝑙𝑡𝑠 − 1000Ω · 768 · 10−6 𝐴 = 4.97 𝑉𝑜𝑙𝑡𝑖𝑜𝑠 (20)

La tensión en el nodo de colector 𝑉𝐶 es:

𝑉𝐶 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑅𝐶 · 𝐼𝐶 = 10𝑉𝑜𝑙𝑡𝑠 − 1000Ω · 768 · 10−6 𝐴 = 9.23𝑉𝑜𝑙𝑡𝑖𝑜𝑠 (21)
La tensión en el nodo de base es:
𝑉𝐵 = 𝑉𝐵𝐸 + 𝑉𝐸 = 0.7 𝑉𝑜𝑙𝑡𝑠 + 4.26 𝑉𝑜𝑙𝑡𝑠 = 4.96 𝑉𝑜𝑙𝑡𝑖𝑜𝑠 (22)

En resumen:

Punto de polarización del transistor Q1: 𝑄1(𝑉𝐶𝐸 , 𝐼𝐶 ) = 𝑄1(4.95𝑉𝑜𝑙𝑡𝑠, 768𝑢𝐴)

Punto de polarización del transistor M1 y M2: 𝑀(𝑉𝑔𝑠 , 𝐼𝐷𝑆 ) = 𝑀(2.24𝑉𝑜𝑙𝑡𝑠, 776𝑢𝐴)

Tensión drenador-fuente M1: 𝑉𝐷𝑆_𝑀1 = 𝑉𝐺𝑆_𝑀1 = 2.24𝑉𝑜𝑙𝑡𝑖𝑜𝑠

Tensión drenador-fuente M2: 𝑉𝐷𝑆_𝑀2 = 𝑉𝐸 = 4.26𝑉𝑜𝑙𝑡𝑖𝑜𝑠

𝑔𝑚 de M1 y M2: 𝑔𝑚 = 𝐺𝑀𝑀1−𝑀2 = 1.24𝑚𝐴/𝑉𝑜𝑙𝑡

𝑟𝑜 (𝑟𝑑𝑠) de M1 y M2: 𝑟𝑑𝑠 = 100.9𝑘Ω
𝑚𝐴
𝑔𝑚 de Q1: 𝑔𝑚𝑄1 = 29.7 𝑉𝑜𝑙𝑡
1
𝑔𝜋 de Q1: 𝑔𝜋 = 𝑅𝑃𝐼 = 297𝑢𝑚ℎ𝑜𝑠
1
RPI de Q1: 𝑅𝑃𝐼 = 𝑔 = 3367Ω
𝜋
 𝒗𝑺
b) Ganancia a frecuencias medias ⁄𝒗𝒆 :

Dibujemos el modelo de pequeña señal considerando el modelo en PI en el que

hemos suprimido la resistencia de salida RO suponiendo que RO>>>:

Ve
Ic=GM·Vbe RC RL
RB RPI Vs

𝑣𝑠 (𝑅𝐶 ∥𝑅𝐿 )·𝑖𝑐 (𝑅𝐶 ∥𝑅𝐿 )·𝐺𝑀·𝑣𝑏𝑒

𝑣𝑒
= 𝑣𝑏𝑒
=− 𝑣𝑏𝑒
= −𝐺𝑀 · (𝑅𝐶 ∥ 𝑅𝐿 ) (23)

Particularizando:

𝑣𝑠
𝑣𝑒
= −𝐺𝑀 · (𝑅𝐶 ∥ 𝑅𝐿 ) = −29.7 · 10−3 𝐴⁄𝑉 · (10000Ω ∥ 1000Ω) = 27 (24)

c) Frecuencias de corte a bajas y altas frecuencias

 Frecuencia de corte en bajas:

Construyamos el modelo de pequeña señal incluyendo los condensadores de

paso y acoplo:
C1 C2

1u 1u
Ic=GM·Vbe
RPI
Ic=BETAAC·Ib

Ve
RB RC Vs RL

IE
rds C3
1u

Cortocircuitamos las fuentes de tensión y abrimos las fuentes de corriente. Para

estudiar el corte en bajas ponemos todos los condensadores en cortocircuito menos el
que queremos estudiar.
Resistencia thevening desde C1:
C1

1u

RPI

RB RPI
RB RC RL C1

rds

𝑅𝑇𝐻_𝐶1 = 𝑅𝐵 ∥ 𝑅𝑃𝐼 = 5000Ω ∥ 3367Ω = 2012Ω (25)

Frecuencia en Hertzios del polo asociado a C1:

1 1
𝑓𝐶1 = 2𝜋·𝑅 = 2𝜋·2012Ω·1·10−6 𝐹 = 79.1𝐻𝑧 (26)
𝑇𝐻_𝐶1 ·𝐶1

Resistencia thevening desde C2:

C2

1u

RPI RC

RB RC RL C2

RL

rds

𝑅𝑇𝐻_𝐶2 = 𝑅𝑐 + 𝑅𝐿 = 1000Ω + 10000Ω = 11000Ω (27)

Frecuencia en Hertzios del polo asociado a C2:

1 1
𝑓𝐶2 = 2𝜋·𝑅 = 2𝜋·11000Ω·1·10−6 𝐹 = 14.46𝐻𝑧 (28)
𝑇𝐻_𝐶2 ·𝐶2

Resistencia thevening desde C3:

RPI RPI

rds
RB RC RL C3

RB

rds
C3
1u
 𝑅𝑇𝐻_𝐶3 = 𝑟𝑑𝑠 ∥ 𝑅𝑃𝐼 = 100900Ω ∥ 3367 = 3258Ω (29)

Frecuencia en Hertzios del polo asociado a C3:

1 1
𝑓𝐶3 = 2𝜋·𝑅 = 2𝜋·3258Ω·1·10−6 𝐹 = 48.85𝐻𝑧 (30)
𝑇𝐻_𝐶3 ·𝐶3

La frecuencia de corte en bajas es:

𝑓𝑐𝐿 = 𝑓𝐶1 + 𝑓𝐶2 + 𝑓𝐶3 = 79.1𝐻𝑧 + 14.46𝐻𝑧 + 48.85𝐻𝑧 = 142.4𝐻𝑧 (31)

 Frecuencia de corte en altas:

Como antes cortocircuitamos las fuentes de tensión, abrimos las fuentes de
corriente y cortocircuitamos los condensadores de paso y acoplo. Y ahora, para estudiar
el corte en altas frecuencias ponemos el modelo de pequeña señal con sus
condensadores en las uniones. Después lo estudiaremos abriendo todos los
condensadores (condensadores en circuito abierto) menos el de estudio.

Cmu=CBC

RB
RPI Cpi=CBE RC
RL

Resistencia Thevening desde 𝐶𝜋 = 𝐶𝐵𝐸:

RB
RPI Cpi=CBE RC RPI RB
RL Cpi

𝑅𝑇𝐻_𝐶𝜋 = 0Ω (32)

Frecuencia de corte debida a 𝐶𝜋 = 𝐶𝐵𝐸:

𝑓𝐶𝜋 = ∞ (33)
Resistencia Thevening desde 𝐶𝜇 = 𝐶𝐵𝐶:

Cmu=CBC

RPI RB

RB
RPI RC
RL

Cpi

RC RL

𝑅𝑇𝐻_𝐶𝜇 = (𝑅𝐵 ∥ 𝑅𝑃𝐼) + (𝑅𝐶 ∥ 𝑅𝐿 ) = (5000Ω ∥ 3367Ω) + (10000Ω ∥ 1000Ω) = 2921Ω(34)

Frecuencia de corte debida a 𝐶𝜇 = 𝐶𝐵𝐶:

1 1
𝑓𝐶𝜇 = = = 54.4𝑀𝐻𝑧 (35)
2𝜋·𝑅𝑇𝐻_𝐶𝜇 ·𝐶𝜇 2𝜋·2921Ω·2·10−12 𝐹

La frecuencia de corte en altas es:

1 1 1 1
𝑓𝑐𝐻
= ∞ + 54.4𝑀ℎ𝑧 = 54.4𝑀ℎ𝑧 (36)

Por lo que
𝑓𝑐𝐻 = 54.4𝑀ℎ𝑧 (37)