INSTITUTO POLITECNICO

NACIONAL

ESCUELA SUPERIOR DE INGENIERIA MECANICA

Y ELECTRICA

INGENIERIA EN COMUNICACIONES Y ELECTRONICA

Microprocesadores

Practica 2

6CM1

 ROMERO CARRILLO ERIK URIEL

Bravo León José Luis

Marco Teórico:

Las dos principales categorías de memorias semiconductoras son las memorias

RAM y ROM. La memoria RAM (Random-Access Memory, memoria de acceso
aleatorio) es un tipo de memoria en la que se tarda lo mismo en acceder a
cualquier dirección de memoria y éstas se pueden seleccionar en cualquier orden,
tanto en una operación de lectura como de escritura. Todas las RAM poseen la
capacidad de lectura y escritura. Debido a que las memorias RAM pierden los
datos almacenados cuando se desconecta la alimentación, reciben el nombre de
memorias volátiles. La memoria ROM (Read-Only Memory, memoria de sólo
lectura) es un tipo de memoria en la que los datos se almacenan de forma
permanente o semipermanente. Los datos se pueden leer de una ROM, pero no
existe la operación de escritura como en las RAM. La ROM, al igual que la RAM,
es una memoria de acceso aleatorio pero, tradicionalmente, el término RAM se
reserva para las memorias de acceso aleatorio de lectura

Las RAM son memorias de lectura-escritura en las que los datos se pueden
escribir o leer en cualquier dirección seleccionada en cualquier secuencia. Cuando
se escriben los datos en una determinada dirección de la RAM, los datos
almacenados previamente son reemplazados por la nueva unidad de datos.
Cuando una unidad de datos se lee de una determinada dirección de la RAM, los
datos de esa dirección permanecen almacenados y no son borrados por la
operación de lectura. Esta operación no destructiva de lectura se puede entender
como una copia del contenido de una dirección, dejando dicho contenido intacto.
La RAM se utiliza habitualmente para almacenamiento de datos a corto plazo, ya
que no puede conservar los datos almacenados cuando se desconecta la
alimentación.

Dichos tipos son la DRAM con modo página rápido (Fast Page Mode, FPM
DRAM), la DRAM con salida de datos extendida (Extended Data Output, EDO
DRAM), la DRAM con salida de datos extendida en ráfaga (Burst Extended Data
Output, BEDO DRAM) y la DRAM síncrona (Synchronous DRAM, SDRAM)
Desarrollo:

Comenzamos por hacer el diagrama del punto uno en una protoboard, para
probarlo tenemos A0 y A1 que cada una de ellas va a ser la selección de memoria
que queremos activar, para cada una de las memorias tenemos 4 selecciones,
para poder mostrarlo en el display. Por ejemplo al tener dos selectores, tenemos 4
combinaciones: 00, 01,11,10. Una vez comprobadas las 4 memorias pasamos el
asegundo paso

Segunda parte: Para esta segunda parte de la practica y una vez comprobada la
primera seccion, buscamos una pareja con el fin de que a la salida se pudieran
conectar los 2 displats, o sea que fuera de 8 bits, conectando mutuamente nuestrs
selectores y programando la memoria como nos lo indica el
cuadro.
Tercera parte. Para esta seccion lo que hicimos fue ocupar una compuerta logica
Not. Conectamos nuestras 4 salidas juntos, y programamos nuestras memorias
como lo indica la tabla, ahora lo que hicimos fue conectar nuestro C.E. a la
compuerta para que actuara como el tercer bit de selesccion, asi la selección 000
correspondia a una memoria, y 100 correspondia a la del compañero.

Conclusión:

Con esta practica pudimos interactuar físicamente y darnos cuenta como se

comportan las memorias, como seleccionamos cada una de ellas y como se
pueden juntar y hacer mas grandes los bits. Como conectar el chip enable, para
que sea el tercer bit de selección y direccionar una u otra memoria, dependiendo
que es lo que queramos. Reforzamos los conocimientos vistos en teoría y los
comprobamos físicamente.
Bibliografía
Fundamentos de sistemas digitales. Tomas L. Floyd, 9na Edicion, Pearson.