INSTITUTO TECNOLÓGICO SUPERIOR DE ZACAPOAXTLA

ING. MECATRONICA

ALUMNO: ROBERTO MOLINA XILOT

NO. CONTROL: 15ZPA121

SEMESTRE: 5° “C”
 Cuestionario

Tema 1. Semiconductores

Instrucciones: Responde a las preguntas que a continuación se plantean y escribe tus

respuestas en una hoja blanca. La hoja se entrega en clase con tu nombre y número de
control el día sábado 02 de Septiembre. Apóyate en el libro de Boylestad y en los videos que
se adjuntan como material de estudio.

1.3 Enlace covalente y materiales intrínsecos

1. Bosqueje la estructura atómica del cobre y explique por qué es un buen conductor y en qué
forma su estructura es diferente de la del germanio, el silicio y el arseniuro de galio.

2. Con sus propias palabras, defina un material intrínseco, coeficiente de temperatura

negativo y enlace covalente.

3. Consulte su biblioteca de referencia y haga una lista de tres materiales que tengan un
coeficiente de temperatura negativo y de tres que tengan un coeficiente de temperatura
positivo.

1.4 Niveles de energía

4. ¿Cuánta energía en joules se requiere para mover una carga de 6 C a través de una diferencia
de potencial de 3 V?

5. Si se requieren 48 eV de energía para mover una carga a través de una diferencia de

potencial de 12 V, determine la carga implicada.

6. Consulte su biblioteca de referencia y determine el nivel de Eg para GaP y ZnS, dos

materiales semiconductores de valor práctico. Además, determine el nombre escrito para
cada material.

1.5 Materiales extrínsecos: materiales tipo n y tipo p

7. Describa la diferencia entre materiales semiconductores tipo n y tipo p.

8. Describa la diferencia entre impurezas de donadores y aceptores.

9. Describa la diferencia entre portadores mayoritarios y minoritarios.

10. Bosqueje la estructura atómica del silicio e inserte una impureza de arsénico como se
demostró para el silicio en la figura 1.7.