RESUMEN DE LA CLASE

TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO (JFET)

 Clasificación

1) JFET o Junction FET:

- Canal n
- Canal p

2) IGFET O MOSFET
 Esquema Constructivo y Parámetros
 Parámetros Importantes

- IDSS = Corriente de Estrangulamiento (cuando VGS = 0, 10mA)

- VT = Tensión Umbral (Tensión entre G y S) = -1.5V

- BVDSS = Tensión de ruptura cuando VGS = 0, 60V

 Ecuaciones que gobiernan al JFET – n

1) En la región de Pinch – Off (electrónica analógica)

2
V 
ID  I DSS  GS  1
 VT  Condición: VDS > VGS - T
I D  k VGS  VT 
2

I DSS
 k
VT2

2) Región Triodo


I D  k 2VGS  VT V DS  V DS
2
 Condición: VDS < VGS - VT

3) Región Corte

ID = 0 Condición: VGS < VT

Manuel Iparraguirre Montenegro

200920520