Capı́tulo 3

Práctica 2

3.1. Objetivo
El objetivo de esta práctica es que el alumno comprenda el funcionamiento básico del foto-
diodo en un circuito simple, la diferencia de este con respecto a las fotoresistencias, ası́ como sus
aplicaciones.

3.1.1. Introducción
Un fotodiodo es un semiconductor construido con una unión PN, sensible a la incidencia de la
luz visible o infrarroja. Para que su funcionamiento sea correcto se polariza inversamente, con lo
que se producirá una cierta circulación de corriente cuando sea excitado por la luz. Debido a su
construcción, los fotodiodos se comportan como células fotovoltaicas, es decir, en ausencia de luz
exterior generan una tensión muy pequeña con el positivo en el ánodo y el negativo en el cátodo.
Esta corriente presente en ausencia de luz recibe el nombre de corriente de oscuridad.

3.1.2. Fotodiodo
Un fotodiodo es una unión PN o estructura P-I-N. Cuando una luz de suficiente energı́a llega al
diodo, excita un electrón dándole movimiento y crea un hueco con carga positiva. Si la absorción
ocurre en la zona de agotamiento de la unión, o a una distancia de difusión de él, estos portadores
son retirados de la unión por el campo de la zona de agotamiento, produciendo una fotocorriente.
Los diodos tienen un sentido normal de circulación de corriente, que se llama polarización directa.

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Tabla 3.1: Caracterı́sticas tipicas del fotodiodo

Longitud de onda máxima de respuesta 750nm
Sensibilidad tı́pica 0.7µA/cm2
Corriente oscura en -20V 1.4nA
Coeficiente de temperatura de la corriente oscura ×2por 100 C
Voltaje ruptura inversa -80V en 10µA
Coeficiente de temperatura del cambio de la senal de corriente 0.35 % por 0 C
Corriente directa max. 100mA
Disipación máxima 200mW a 250 C
Capacitancia a -10V de polarización 27pF
Tiempo de respuesta 250ns

En ese sentido el diodo deja pasar la corriente eléctrica y prácticamente no lo permite en el inverso.
En el fotodiodo la corriente (que varı́a con los cambios de la luz) es la que circula en sentido inverso
al permitido por la juntura del diodo. Es decir, para su funcionamiento el fotodiodo es polarizado
de manera inversa. Se producirá un aumento de la circulación de corriente cuando el diodo es
excitado por la luz. Fotodiodos de avalancha tienen una estructura similar, pero trabajan con
voltajes inversos mayores. Esto permite a los portadores de carga fotogenerados al ser multiplicados
en la zona de avalancha del diodo, resultando en una ganancia interna, que incrementa la respuesta
del dispositivo. En la Tabla 3.1 se muestran las caracterı́sticas tı́picas del fotodiodo.
En la fig. 4.1 se muestra el sı́mbolo del fotodiodo y la fig. 4.2 muestra un fotodiodo real.

Figura 3.1: Sı́mbolo de un fotodiodo

Experimento 3.1. Se implementa el circuito de la Figura 3.3, el circuito cuenta con una fuente
de 9 V, un diodo emisor de luz que indica cuando se activa el circuito después de incidir luz
en el dispositivo optoelectronico (fototransistor Q2 simulando el foto diodo), un potenciometro
para ajustar el disparo del transistor Q1 y un diodo D1 conectado en paralelo con el LED D2

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Figura 3.2: Imagen que muestra fı́sicamente un fotodiodo

como protección contra polarización inversa. Variando la cantidad de lux (Luz) en Q2 se varia la
cantidad de corriente que fluye en el circuito. Acontinuación se en lista el material a utilizar:

Material utilizado

Tablilla de pruebas

Diodo

Fuente de alimentación de 9V.

Multı́metro

Led

Fotodiodo (fototransistor)

Resistencia variable

Transistor

Realizar las siguientes actividades:

1. Realizar una gráfica luz vs Corriente utilizando la ayuda de un software.

2. Medir la variación de la corriente con diferente intensidad de luz.

3. Medir las variaciones de corriente con diferentes valores de la resistencia variable.

4. Ver las caracterı́sticas eléctricas del fotodiodo en la hoja de datos e identificar las gráficas
donde se muestre los valores de respuesta en función de la longitud de onda.

Anotar los resultados obtenidos, las observaciones, ası́ como las conclusiones.

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Figura 3.3: Circuito fotodiodo, el fotodiodo a sido reemplazado por un fototransistor para efectos de la
simulación

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