Capı́tulo 2

Práctica 1

2.1. Objetivo
El objetivo de esta práctica es conocer como funciona la fotorresistencia en un circuito, conocer
las variaciones de corriente y resistencia al variar la intensidad de luz que inside sobre el dispositivo,
ası́ como también conocer la diferencia entre una resistencia normal y la fotorresistencia.

2.1.1. Introducción
La luz está formada por ondas, que se propaga en todas direcciones y siempre en lı́nea recta.
Las ondas luminosas son diferentes a las ondas sonoras, ya que pueden propagarse a través del
vacı́o y se llaman ondas electromagnéticas. Dentro del espectro electromagnético, las longitudes
de onda que pueden ser percibidas por el ojo humano, se les conoce como luz visible ya que
esta radiación electromagnética es capaz de afectar el sentido de la visión. El sol es la fuente
luminosa natural de la tierra. Como la luz blanca en realidad está compuesta por siete colores, de
acuerdo al tipo de luz que absorben y que reflejan, vemos los objetos de diferentes colores. Las
longitudes de onda de la luz visible se midieron en la primera década del siglo XIX, mucho antes
de que se imaginase que la luz era una onda electromagnética. Se encontró que sus longitudes de
onda estaban entre 400 nm y 750 nm. La optoelectrónica es el nexo de unión entre los sistemas
ópticos y los sistemas electrónicos. Por lo tanto, podemos decir que la optoelectrónica estudia los
componentes cuyo funcionamiento está relacionado directamente con la luz.

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2.1.2. Fotorresistencia
Las fotorresistencias o fotoconductor, célula fotoeléctrica o resistor dependiente de la luz,
cuya siglas, LDR, se originan de su nombre en inglés light-dependent resistor. se basan en la
vaiación de la resistencia eléctrica de un semiconductor al incidir en él radiación óptica (radiación
electromagnética con longitud de onda entre 1 mm y 10 nm). En la siguiente imagen se muestra
su sı́mbolo eléctrico.

Figura 2.1: Sı́mbolo de la fotorresistencia

Figura 2.2: Imagen que muestra como se ve fı́sicamente una fotorresistencia

La conductividad eléctrica en un material depende del número de portadores en la banda de

conducción. En un semiconductor, a baja temperatura la mayor parte de sus electrones están en
la banda de valencia, y se comporta casi como aislante. Pero al aumentar la temperatura, y con
ella la agitación de los electrones, dado que las bandas de valencia y de conducción están próximas
(a diferencia de lo que sucede en un aislante), cada vez hay más electrones que saltan de la banda
de valencia a la de conducción, aumentando la conductividad. Si el semiconductor está dopado,
este salto es aún más fácil.
La energı́a necesaria para producir el salto puede venir de otras fuentes externas además del
calor, como pueden ser una radiación óptica o una tensión electrica. En el caso de la radiación
óptica, su energı́a, E, y frecuencia, ν, están relacionadas mediante la expresión

E = hν (2.1)

donde h = 6.62 × 10−34 Ws2 es la constante de Planck. Entonces, si la radiación tiene energı́a
suficiente para permitir el salto de los electrones de una a otra banda, pero sin exceder el umbral

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Tabla 2.1: Caracterı́sticas de la célula fotoconductiva ORP12 (LDR)

Respuesta espectral pico 610nm
Resistencia de la célula con 50 lux 2400Ω
Resistencia de la célula con 1000 lux 130Ω
Resistencia oscura 10 MΩ
Resistencia oscura 10 MΩ
Voltaje max. (DC or AC) 110 V
Disipación max. a 250 C 200nW
Aumento tı́pico de la resistencia en el tiempo 75ms
Disminución tı́pica de la resistencia en el tiempo 350ms

necesario para que se desprendan del material, se tendrá efecto fotoeléctrico interno o fotoconduc-
tor, y a mayor iluminación mayor será la conductividad. Si se excediera dicho umbral, se tendrı́a
efecto fotoeléctrico externo. En el caso de un conductor, la conductividad es de por sı́ tan alta
que el cambio debido a la incidencia de la radiación apenas se nota. Un fotorresistor está hecho
de un semiconductor de alta resistencia como el sulfuro de cadmio, CdS. Si la luz que incide en el
dispositivo es de alta frecuencia, los fotones son absorbidos por la elasticidad del semiconductor
dando a los electrones la suficiente energı́a para saltar la banda de conducción. El electrón libre que
resulta, y su hueco asociado, conducen la electricidad, de tal modo que disminuye la resistencia.
Las células de sulfuro del cadmio se basan en la capacidad del cadmio de variar su resistencia
según la cantidad de luz que incide en la célula. Cuanto más luz incide, más baja es la resistencia.
Las células son también capaces de reaccionar a una amplia gama de frecuencias, incluyendo
infrarrojo (IR), luz visible, y ultravioleta (UV). La célula es bastante fuerte y puede soportar
un rango considerable de temperaturas, estén o no en operación. El rango de voltaje puede ser
también considerable, particularmente cuando una gran cantidad de sulfuro de cadmio ha sido
utilizada, y este tipo de célula es uno de los pocos dispositivos que pueden utilizados con una
fuente de corriente alterna AC. La Tabla 3.1 muestra una especificación tı́pica para un popular
tipo de célula, la ORP12.
La respuesta en la región del espectro amarillo-naranja hace a esta LDR particularmente útil
para detectar la presencia de una llama. La ORP12 tiene su principal apliación en unidades de
control, en particular para la vaporización de aceites en las calderas (ası́ que el aceite se corta si

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la llama se extingue) y en equipo de detección de fuego.

Como se ve en la Tabla 3.1 la variación del valor de la resistencia tiene cierto retardo, diferente
si se pasa de oscuro a iluminado o de iluminado a oscuro. Esto limita a no usar los LDR en apli-
caciones en las que la señal luminosa varı́a con rapidez. El tiempo de respuesta tı́pico de un LDR
está en el orden de una décima de segundo. Esta lentitud da ventaja en algunas aplicaciones, ya
que se filtran variaciones rápidas de iluminación que podrı́an hacer inestable un sensor. En otras
aplicaciones (saber si es de dı́a o es de noche) la lentitud de la detección no es importante. Se fa-
brican en diversos tipos y pueden encontrarse en muchos artı́culos de consumo, como por ejemplo
en cámaras, medidores de luz, relojes con radio, alarmas de seguridad o sistemas de encendido y
apagado del alumbrado de calles.

Experimento 2.1. Se implementa el circuito de la Figura 2.3, el circuito cuenta con una fuente
de 9 V, el diodo emisor de luz y la fotorresistencia. Variando la cantidad de lux (Luz) en R1
se varia la cantidad de corriente que fluye en el circuito. Acontinuación se en lista el material a
utilizar:

Material utilizado

Tablilla de pruebas

Resistencia variable de 1 a 5kV

Fuente de alimentación de 9V.

Multı́metro

Led

Fotorresistencia

Realizar las siguientes actividades:

1. Realizar una gráfica resistencia vs corriente.

2. Utilizando la ayuda de un software realizar una gráfica resistencia vs luz.

3. Medir la variación de la resistencia con diferente intensidad de luz.

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Figura 2.3: Circuito que muestra el funcionamiento de una fotorresistencia

4. Ver las caracterı́sticas eléctricas de la fotorresistencia en la hoja de datos e identificar las

gráficas donde se muestre los valores de resistencia en función de la luz.

Anotar los resultados obtenidos ası́ como las conclusiones.

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